【課題】駆動時における電子及び正孔の移動度の低下を防止するとともに、均一な特性を有する多結晶シリコンＴＦＴの形成方法を提供すること。
【課題手段】ガラス基板１０上にバッファ膜１１と非晶質シリコン膜を順に形成するステップと、非晶質シリコン膜を結晶化し、複数の突出部が存在する多結晶シリコン膜１２を形成するステップと、２つの突出部が、ゲート電極形成領域の両側に離隔して配置されたアクティブパターンを形成するステップと、突出部を完全に覆わないバリア膜を形成するステップと、全面にドーパントをイオン注入し、ゲート電極形成領域の両側の多結晶シリコン膜１２部の一方側にソース電極１６、他方側にドレイン電極１７を形成するステップと、バリア膜を除去するステップと、全面にゲート絶縁膜１８を形成するステップと、ソース電極１６とドレイン電極１７間のゲート絶縁膜１８上にゲート電極１９を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 結像光学系の倍率および像面位置を補正することができ、所望サイズの結晶粒を所望位置に再現性良く形成することのできるレーザ結晶化装置。
【解決手段】 レーザ結晶化装置は、光源（２ａ）と、光源からのレーザ光を変調する位相シフタ（３）と、光源と位相シフタとの間に設けられ、光源からのレーザ光の光強度を均一化し、この均一化光で位相シフタを照明する照明系（２）と、非単結晶半導体（５）を支持するステージ（６）と、ステージ上の非単結晶半導体と位相シフタとの間に設けられ、変調レーザ光を非単結晶半導体上の所望の部位に結像させるための複数の光学部材（Ｌ１−Ｌ１０，４ｃ）を有する結像光学系（４）と、結像光学系の光学部材を加熱または冷却して、該光学部材の温度を調整する温度調整部（１０−１７，２０−２２，４２−４８）とを有する。 （もっと読む）

【課題】下地絶縁層上により大きな粒径を有する半導体結晶薄膜を形成し得る半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】非単結晶半導体薄膜の結晶化領域に、光学変調素子で光変調されて極小光強度線もしくは極小光強度点を有する光強度分布のレーザ光を照射して結晶化するレーザ照射工程と、結晶化された領域にフラッシュランプによる光照射して結晶化された領域を加熱する加熱工程とを包含する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】画素駆動回路を構成する薄膜トランジスタのキャリアの移動速度の増大と、１画素用駆動回路内の薄膜トランジスタの閾値電圧Ｖ_ｔｈのばらつきの抑制とを図る画素駆動回路を含む電子回路装置、画素表示装置及び前記電子回路の製造方法を提供すること。
【解決手段】絶縁基板上に設けられた非単結晶半導体膜と、この非単結晶半導体膜に設けられた複数個の結晶化半導体領域（５４）と、この各結晶化半導体領域内に少なくともチャネル領域（Ｃｈ１，ＣＨ２，Ｃｈ３，Ｃｈ４）が設けられた複数個の薄膜トランジスタとを具備し、少なくとも１個の薄膜トランジスタのソース領域および／又はドレイン領域（Ｓ１，Ｓ２，Ｄ３，Ｄ４）の一部は結晶化半導体領域（５４）からはみ出して配置されている。 （もっと読む）

【課題】 装置を煩雑にせず、半導体膜の結晶ラテラル成長位置を制御することを課題とする。
【解決手段】 絶縁基板上に半導体膜を形成し、前記半導体膜の一部の上に絶縁膜でなる反射膜を形成し、前記反射膜をマスクとしてレーザー光を照射することにより、露出された前記半導体膜を結晶化することを特徴とする。また、上記発明の構成において、前記反射膜は、屈折率の高い絶縁膜と屈折率の低い絶縁膜とが交互に積層された構造であることを特徴とする。具体的には、酸化珪素膜と、前記酸化珪素膜上に接して形成された窒化珪素膜と、からなることを特徴とする。より好ましくは、酸化珪素膜と、窒化珪素膜と、を何層か積層して反射膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体層のソース／ドレイン領域の全部または一部分とキャパシターの第１電極をＭＩＣ結晶化法で結晶化して、半導体層のチャネル領域全部をＭＩＬＣ結晶化法で結晶化された薄膜トランジスタ及びキャパシターの半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】その製造方法は、薄膜トランジスタの半導体層とキャパシターの第１電極を非晶質シリコンで形成した後、ＭＩＣおよびＭＩＬＣ結晶化法で結晶化して、薄膜トランジスタのゲート電極及びキャパシターの第２電極を同じ物質で形成することによって簡単な工程で薄膜トランジスタとキャパシターを同時に形成することができるだけでなく、各素子に適合な結晶化法で結晶化することによって、低い温度及び短い時間に結晶化を進行して基板が収縮したり曲がる現象が発生しないだけでなく、薄膜トランジスタの半導体層の特性とキャパシターの特性が優秀であるという効果がある。 （もっと読む）

【課題】本発明はレーザービームの発生装置の負荷を減少させ、寿命を増加させることができるシリコン結晶化方法、それを用いたシリコン結晶化装置、それを用いた薄膜トランジスタ、それを用いた薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置を提供する。
【解決手段】３００Ｈｚより大きいパルス周波数を有する光が発生される。光は所定時間の間少なくとも一つのアモルファスシリコン薄膜に照射され初期ポリシリコン結晶を形成させる。光は所定方向に移送され初期ポリシリコン結晶を成長させる。減少された出力エネルギーを有するレーザービームがアモルファスシリコン薄膜上に照射されアモルファスシリコン薄膜をポリシリコン薄膜で結晶化させ、レーザービーム発生装置の負荷は減少され寿命は増加される。 （もっと読む）