【課題】 本発明は、レーザービームをなんども照射することによる生産性低下の問題を改善できる多結晶膜の形成方法を提供するためのものである。
【解決手段】 本発明は、ガラス基板上にバッファー膜の介在下に蒸着した被結晶化膜をマスクを用いたレーザー照射により結晶化させる多結晶膜の形成方法であって、レーザー装備の解像度限界の大きさより大きい透過領域とレーザー装備の解像度限界の大きさより小さな非透過領域から構成されたマスクを用いて、前記透過領域の下の被結晶化膜部分には最大強度でレーザーが照射されるようにし、前記非透過領域の下の被結晶化膜部分には０を超過する最小強度を有してレーザーが照射されるようにして、レーザー単一照射により被結晶化膜を結晶化させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】形状精度が良好な結晶粒を規則的に配列させることにより、精度良好な高いキャリア移動度を示す結晶領域を形成することが可能な半導体薄膜の結晶化方法を提供する。
【解決手段】半導体薄膜３に対してレーザ光Ｌｈ（エネルギービーム）を所定速度で走査させながら連続照射することにより、半導体薄膜３をレーザ光Ｌｈの走査にともなって結晶化させる半導体薄膜３の結晶化方法において、レーザ光Ｌｈの照射径ｒ以下のピッチｐを保ってレーザ光Ｌｈを平行に走査させることで、レーザ光Ｌｈの走査方向ｙと異なる方向に帯状の結晶粒ｂを成長させる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、多結晶シリコン薄膜トランジスタを形成するための結晶化パターンおよびこれを用いた非晶質シリコンの結晶化方法を提供するためのものである。
【解決手段】 本発明は、多結晶シリコン薄膜トランジスタを製造するための非晶質シリコンの結晶化方法であって、ガラス基板上に非晶質シリコン膜を形成するステップと、前記非晶質シリコン膜を薄膜トランジスタのアクティブパターンの形態でパターニングして結晶化パターンを形成するステップと、前記結晶化パターンにレーザを照射して多結晶シリコンで結晶化させるステップと、を含み、前記結晶化パターンは、縁部から第１距離以内に位置する周辺領域と、前記縁部から第１距離以上離れて位置する内部領域とを含み、前記内部領域は少なくとも１つ以上の区域に分割され、前記各区域は１つの結晶化誘導パターンを備えると共に、対応する結晶化誘導パターンから第２距離以内に位置するようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】起点部より成長させてなる結晶粒を有する半導体膜を用いたデバイスを３次元配置してなり、いずれの層に配置されたデバイスにおいても所望のデバイス特性を得ることができる半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、表面に複数の微細孔Ｇ１１，Ｇ１２を有する起点部層２１１と、前記微細孔Ｇ１１，Ｇ１２を起点として形成された略単結晶粒を含む半導体膜２０１，２０２を用いて形成されたデバイス形成層２１２とを備えたデバイス層１０１上に、同様の構成を具備したデバイス層１０２，１０３を積層してなり、前記デバイス層１０１〜１０３に属する前記微細孔（例えば微細孔Ｇ２１）は、隣接して配置された他の前記デバイス層１０１〜１０３に属する前記微細孔（例えば微細孔Ｇ１１，Ｇ３１）から平面視で離間した位置に形成されている。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に、異なる閾値を有する複数の薄膜トランジスタを形成する場合において、製造コスト及びＴＡＴの増大を防止する。
【解決手段】基板上に第１の絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、第１の絶縁層上に複数の微細孔を形成する微細孔形成工程と、第１の絶縁層上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、熱処理を行うことで、微細孔を起点とする結晶粒を成長させて結晶粒界を形成する熱処理工程と、半導体層にソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域を形成するトラジスタ領域形成工程と、ゲート電極パターン、ソース電極パターン及びドレイン電極パターンを形成することにより薄膜トランジスタを形成する薄膜トランジスタ形成工程とを有し、微細孔形成工程では、所定の薄膜トランジスタのチャネル領域内において、１つ以上の結晶粒界が、電流方向に対して略直交するように形成されるように微細孔を配置する。 （もっと読む）

【課題】デザインルールに制限されることなく、薄膜トランジスタのリーク電流を低減する。
【解決手段】基板上に第１の絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、第１の絶縁層上に複数の微細孔を形成する微細孔形成工程と、第１の絶縁層上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、熱処理を行うことで、微細孔を起点とする結晶粒を成長させて結晶粒界を形成する熱処理工程と、半導体層にソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域を形成するトラジスタ領域形成工程と、ゲート電極パターン、ソース電極パターン及びドレイン電極パターンを形成することにより薄膜トランジスタを形成する薄膜トランジスタ形成工程とを有し、微細孔形成工程では、所定の薄膜トランジスタのチャネル領域内において、２つ以上の結晶粒界が、電流方向に対して略直交するように形成されるように微細孔を配置する。 （もっと読む）

【課題】有機発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＯＬＥＤを駆動する駆動トランジスタと、駆動トランジスタの動作を制御するスイッチングトランジスタとを備え、駆動トランジスタの活性層は、電流チャネルに平行な縦方向に成長した結晶構造を有し、スイッチングトランジスタの活性層は、電流チャネルに垂直な横方向に成長した結晶構造を有する有機発光素子である。 （もっと読む）

【課題】良質の単結晶基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成され、前記基板の一部が露出されるウィンドウを有する絶縁層と、前記ウィンドウに露出された前記基板の部分に形成される選択的結晶成長層と、前記絶縁層上で前記結晶成長層上に形成され、前記結晶成長層を結晶化シード層として用いて結晶化された単結晶層とを備える単結晶ウェーハである。これにより、ストッパによって結晶層の研磨深さを制御でき、従って良質の単結晶基板を製造できる。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板上に形成された半導体薄膜をレーザ照射により結晶化する方法において、結晶化後に、半導体膜上に形成されたキャップ絶縁膜を好適に取除く方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に逐次下地絶縁膜、半導体膜、そしてキャップ絶縁膜を含む膜構造を形成し、所定の光強度分布を有するレーザ光を該膜構造に照射することにより、半導体膜を結晶化し、薄膜トランジスタにおけるチャネル形成領域上のキャップ絶縁膜を残すように、チャネル形成領域周囲のキャップ絶縁膜をエッチングして除去し、エッチングした基板全面に金属膜を堆積し、熱処理を施してキャップ絶縁膜が除去された領域の半導体膜と金属膜を反応させて金属シリサイド層を形成し、キャップ絶縁膜上の未反応の前記金属膜を除去し、そしてチャネル形成領域上のキャップ絶縁膜を除去する工程を含む、薄膜トランジスタを形成する方法。 （もっと読む）

【課題】他の半導体装置と一体形成が可能な不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】不揮発性メモリを構成するメモリ素子、スイッチング素子，および他の周辺回路をＴＦＴでもって基板上に一体形成する。メモリ素子ＴＦＴの半導体活性層の厚さが、他のＴＦＴの半導体活性層の厚さよりも薄いので、メモリ素子ＴＦＴのチャネル領域でインパクトイオン化が起こりやすくなる。こうすることによって、メモリ素子の低電圧書込み／消去を実現することができ、劣化が起こりにくく、小型化が可能な不揮発性メモリが提供される。 （もっと読む）

【課題】２種のレーザビームを用いた結晶成長において、結晶粒長が不均一になる問題を解決できるマスク、方法、および装置を提供する。
【解決手段】非晶質材料からなる層上の予め定められた第１領域内に対し第１のレーザビームを照射して、第１領域内の非晶質材料を溶融し、溶融した第１領域内の非晶質材料を凝固させて結晶化した後、直前の第１領域と部分的に重畳するように非晶質材料からなる層上に新たな第２領域に距離移動し、第２領域内に第１のレーザビームを照射して第１領域内の非晶質材料を溶融し、溶融した第１領域内の非晶質材料を凝固させて結晶化し、非晶質材料の結晶化される領域が所望の大きさに達するまで、第１のレーザビームと照射すべき領域の移動とを繰り返し行う方法であり、当該マスクは、マスク透過率が照射領域の移動方向に対して増加して変化するように形成された透過エリアを有する。 （もっと読む）

【課題】極めて結晶性に優れた半導体薄膜及びそれを用いた高性能な半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上にプラズマＣＶＤ法によってフッ化水素酸とフッ化アンモニウムと界面活性剤の混合物に対するエッチングレートが１５０〜２００ｎｍ／ｍｉｎである二酸化珪素膜からなる下地膜を形成し、下地膜上に非晶質珪素膜を形成し、非晶質珪素膜を結晶化することによって面方位が概略｛１１１｝配向の結晶性珪素膜を形成し、結晶性珪素膜をエッチングすることによって島状半導体層を形成し、島状半導体層上にゲイト絶縁膜を形成し、ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザビームの照射領域の中心部に発生する核を除去してシリコンの電気的な特性を向上させたシリコン結晶化マスクとこれを有するシリコン結晶化装置及びシリコン結晶化方法を提供する。
【解決手段】シリコン結晶化マスクは、入射光を透過させ、第１方向に沿って並列に配置される複数の第１スリットと、入射光を透過させ、第１方向と直交する第２方向に所定距離、離隔して第１方向に沿って並列配置され、第１スリットの間に対応する位置に配置される複数の第２スリットとを有し、第１スリットの第２方向に沿う第１中心線は、第１スリットを実質的に同一の面積を有する２部分に分け、第２スリットの第２方向に沿う第２中心線は、第２スリットを実質的に同一の面積を有する２部分に分け、複数の第２スリットは、第２スリットの第２中心線が少なくとも一つの隣接する第１スリットの第１中心線からオフセットされるように位置合わせされる。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることが可能な薄膜トランジスタの作製方法を提供する。
【解決手段】ｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴ各々は、半導体層と、半導体層上に接して形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を挟んで半導体層と重なるゲート電極とを有し、ｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極とｐチャネル型ＴＦＴのゲート電極は同一の導電層からなり、ｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極は端部がテーパー状であって、側面とゲート絶縁膜の表面のなす角度が３度以上６０度以下の範囲にあり、ｐチャネル型ＴＦＴのゲート電極は端部がテーパー状であって、側面とゲート絶縁膜の表面のなす角度が７０度以上８５度以下の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】凹部を用いた結晶成長をより安定に実現し、高性能な半導体素子を安定して得ることを可能とすること。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置の製造方法は、基板(11)の一方面側に凹部(125)を形成する第１工程と、上記基板の一方面側に膜厚Ｔの半導体膜(130)を形成する第２工程と、上記半導体膜に熱処理を行い、上記凹部を略中心とする略単結晶粒を形成する第３工程と、上記半導体膜を用いて半導体素子を形成する第４工程と、を含み、上記第２工程では、上記凹部の直径Ｄと深さＦがＦ＋Ｔ≧４×Ｄ＋５３２（ｎｍ）の関係を満たすように上記凹部が形成される。 （もっと読む）

【課題】基板全体に渡って高性能な薄膜トランジスタを安定的に得ることを可能とする半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、基板(11)の一方面側に凹部(125)を形成する第１工程と、上記基板の一方面側に第一半導体膜(130)を形成する第２工程と、上記第一半導体膜側から上記基板の一方面に向けて平坦化処理を行う第３工程と、上記基板の一方面側に第二半導体膜(130b)を形成する第４工程と、上記第二半導体膜に熱処理を行い、上記凹部を略中心とする略単結晶粒(131)を形成する第５工程と、上記第二半導体膜を用いて半導体素子を形成する第６工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】結晶粒大きさの均一性および結晶粒界の規則的な分布を実現できることにより、優秀な特性を備える多結晶シリコン層、多結晶シリコン層製造方法および多結晶シリコン層を用いた平板表示装置を提供する。
【解決手段】基板１００上に位置して、面積が４００μｍ^２以上であるシード領域１７０と、シード領域１７０から成長した結晶化領域１９０とを含む多結晶シリコン層を提供する。 （もっと読む）

【課題】高速で、かつ高精密に位置決めした基板に予め定められた光強度分布を有するレーザー光を照射して、半導体膜を溶融・結晶化させて大結晶粒径を有する半導体膜を形成することが可能な高スループットのレーザー結晶化装置及び結晶化方法を提供する。
【解決手段】レーザー結晶化装置５００は、レーザー光発生指示信号の入力に基づいてパルス・レーザー光を発生するレーザー光源と、位相シフタ２４とを具備し、被処理基板３０を保持し、レーザー光源によるパルス・レーザー光照射位置に対して所定方向に連続移動する基板保持ステージ４０と、基板保持ステージ４０の位置を計測する位置計測手段５０と、位置計測手段５０により計測された位置に基づいて前記パルス・レーザー光の発生を指示する信号発生手段６０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 結晶性の良好な結晶性珪素膜を提供する。
【解決手段】 非晶質珪素膜を形成し、前記非晶質珪素膜を４５０℃〜６５０℃
で熱処理し結晶化して、結晶性珪素膜を形成し、前記結晶性珪素膜にレーザー光
を照射し、前記結晶性珪素膜を８００℃〜１１００℃で熱アニールする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の光リーク電流が少なく、半導体装置の電気特性が優れており、半導体装置の電気特性ばらつきの少ないアクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板、及びそれを用いた電気光学装置と電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】アクティブマトリクス基板の半導体装置が形成される領域（負荷回路領域及び駆動回路領域）に遮光膜を形成し、遮光膜上の絶縁膜に微細孔を形成し、微細孔周辺に略単結晶半導体膜を形成し、略単結晶半導体膜を用いて半導体装置を形成する。 （もっと読む）