【課題】非結晶半導体膜を全面高結晶化することができ、非結晶半導体膜を略全面において、粒状結晶部分がほとんどなく、しかもつなぎ目のないラテラル結晶膜とすることも可能なレーザアニール技術を提供する。
【解決手段】粒状結晶部分及び非結晶部分が融解し、ラテラル結晶部分が融解しない条件でレーザアニールを実施し、かつ、下記式（１）を充足するよう、粒状結晶部分におけるレーザ光照射時間を非結晶部分におけるレーザ光照射時間より長くして、レーザアニールを実施する。
｜ＥＡ−ＥＰ｜＜｜ＥＡ−ＥＰｓ｜・・・（１）
（ＥＡ：非結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの吸収光エネルギー。ＥＰｓ：非結晶部分と同一のレーザ光照射条件でレーザ光を照射したときの、粒状結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの吸収光エネルギー。ＥＰ：粒状結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの実際の吸収光エネルギー。） （もっと読む）

【課題】非結晶半導体膜を全面高結晶化することができ、非結晶半導体膜を略全面において、粒状結晶部分がほとんどなく、しかもつなぎ目のないラテラル結晶膜とすることも可能なレーザアニール技術を提供する。
【解決手段】被アニール半導体膜の表面に、ラテラル結晶部分、粒状結晶部分、及び非結晶部分におけるレーザ光の反射率が下記式（１）又は（２）を充足する反射制御膜を成膜し、この反射制御膜の上から、粒状結晶部分及び非結晶部分が融解し、かつラテラル結晶部分が融解しない条件で、レーザアニールを実施する。
ＲＰ≦ＲＡ≦ＲＬ・・・（１）、ＲＰ≦ＲＬ≦ＲＡ・・・（２）
（ＲＡ：非結晶部分におけるレーザ光の反射率、ＲＰ：粒状結晶部分におけるレーザ光の反射率、ＲＬ：ラテラル結晶部分におけるレーザ光の反射率。） （もっと読む）

【課題】非結晶半導体膜を全面高結晶化することができ、非結晶半導体膜を略全面において、粒状結晶部分がほとんどなく、しかもつなぎ目のないラテラル結晶膜とすることも可能なレーザアニール技術を提供する。
【解決手段】粒状結晶部分及び非結晶部分が融解し、ラテラル結晶部分が融解しない条件でレーザアニールを実施し、かつ、下記式（１）を充足するよう、粒状結晶部分におけるレーザ光照射時間を非結晶部分におけるレーザ光照射時間より長くして、レーザアニールを実施する。
｜ＥＡ−ＥＰ｜＜｜ＥＡ−ＥＰｓ｜・・・（１）
（ＥＡ：非結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの吸収光エネルギー。ＥＰｓ：非結晶部分と同一のレーザ光照射条件でレーザ光を照射したときの、粒状結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの吸収光エネルギー。ＥＰ：粒状結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの実際の吸収光エネルギー。） （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン基板の結晶化度測定方法及び測定システムを利用して移動度及びしきい電圧のばらつきなどの電気的特性が優れている有機発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】有機発光表示装置の製造方法は、非晶質シリコン基板を結晶化して多結晶シリコン基板を製造する段階と、多結晶シリコン基板にレーザーを照射してラマンスペクトルグラフを得る段階と、ラマンスペクトルグラフのピーク面積から多結晶シリコン基板の結晶化度を算出する段階と、多結晶シリコン基板を使用して薄膜トランジスタを製造する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】非晶質半導体膜の所定領域を選択的にかつ効率的に高結晶化する。
【解決手段】レーザアニール装置１００は、単数又は複数のレーザ光発振源を備えてなり、非晶質半導体膜２０の所定領域Ａ１の近傍領域Ａｓｃに対して、第１のレーザ光Ｘを照射して該領域を結晶化させる第１のレーザ光源１２０と、第１のレーザ光源１２０のレーザ光発振源を兼ねていない単数又は複数のレーザ光発振源を備えてなり、非晶質半導体膜２０の第１のレーザ光Ｘが照射された領域Ａｓｃの少なくとも一部及び所定領域Ａ１に対して第２のレーザ光Ｙを照射し、第１のレーザ光Ｘの照射により生成された結晶ｓｃの少なくとも一部は融解させることなく、該結晶を起点として所定領域Ａ１に結晶を成長させる第２のレーザ光源１３０と、非晶質半導体膜２０に対して、第１のレーザ光Ｘ及び第２のレーザ光Ｙを同時に又は独立に相対走査する相対走査手段１５０とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】表示装置を含む絶縁基板上に、ＭＯＳトランジスタとバイポーラトランジスタを同時に集積してなる画素制御回路を形成する。
【解決手段】絶縁基板（１０１）上に設けられ所定の方向に結晶化された半導体薄膜（１０５）に形成された半導体薄膜を用いて形成された複数の半導体素子を有する電子装置または表示装置であって、複数の半導体素子は、ＭＯＳトランジスタ（３００）と、少なくともラテラルバイポーラ薄膜トランジスタ（１００）またはＭＯＳ−バイポーラハイブリッド薄膜トランジスタ（２００）のいずれかを含む電子装置または表示装置。 （もっと読む）

【課題】 基板上に、帯状結晶を有する擬似単結晶領域を形成するときに、その領域の寸法が小さくなっていくのを防ぐ。
【解決手段】 基板の上に成膜された半導体膜のあらかじめ定められた領域に帯状結晶を有する擬似単結晶を形成する工程は、前記半導体膜の第１の領域に、照射位置を第１の方向に移動させながらエネルギービームを照射して擬似単結晶を形成する工程と、前記半導体膜の第２の領域に、照射位置を前記第１の方向とは反対の第２の方向に移動させながらエネルギービームを照射して擬似単結晶を形成する工程とを有し、前記第１の領域および前記第２の領域は、前記エネルギービームの照射を終了する位置における寸法が、前記エネルギービームの照射を開始する位置における寸法よりも小さく、前記第２の領域は、前記第１の領域と重畳する部分と重畳しない部分を有する表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
複数に分割した領域に、直交する２方向のいずれかの方向に横方向成長した半導体結晶薄膜あるいはレーザ非照射部を任意の配置で形成する。
【解決手段】
基板表面にバリア膜を介して非晶質半導体膜を形成し、全面をエキシマレーザアニールで多結晶化した後、線状に整形した連続発振レーザ光を連続配置した光スイッチを個別にＯＮ／ＯＦＦすることで任意の空間プロファイルを形成しながら第一の方向に走査し、任意の領域をラテラル成長多結晶膜とする。次いで、線状に整形した連続発振レーザ光を連続配置した光スイッチを個別にＯＮ／ＯＦＦしながら第二の方向に走査し、任意の領域をラテラル成長多結晶膜とする。この時、任意の領域にレーザを照射しなくても良い。これにより、第一の方向にラテラル成長した多結晶膜、第二の方向にラテラル成長した多結晶膜、連続発振レーザ非照射膜（エキシマレーザアニール多結晶膜）を任意の領域に形成する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上にＭＯＳトランジスタと、バイポーラトランジスタを同時に集積できる素子構造および製法を提供する。
【解決手段】絶縁基板（１０１）上に形成された半導体薄膜（１０５）に形成されたエミッタ（１０２）、ベース（１０３）、およびコレクタ（１０４）を有するラテラルバイポーラトランジスタ（１００）において、半導体薄膜（１０５）が所定の方向に結晶化された半導体薄膜であるラテラルバイポーラトランジスタ。また、絶縁基板上に形成された半導体薄膜に形成されたＭＯＳ−バイポーラハイブリッドトランジスタ（２００）において、半導体薄膜（２０５）は所定の方向に結晶化された半導体薄膜であるＭＯＳ−バイポーラハイブリッドトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】局所的なレーザアニールによる帯状結晶シリコン領域の形成に際し、レーザを照射した領域の結晶状態および適正な帯状結晶領域の寸法を評価して不良発生の連続を防止する、高歩留りに製造できる、平面表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】非晶質シリコン膜あるいは粒状多結晶シリコン膜が形成された基板の所望の領域に、線状に整形した連続発振レーザ光を走査して帯状結晶膜領域を形成した後、基板全面の暗視野画像を撮像する。設計上の駆動回路形成部分の位置座標を順次参照して、撮像した画像から帯状結晶領域とその周辺部分を抽出し、その部分の明度分布に対応した信号強度から帯状結晶領域の結晶状態および帯状結晶領域の位置座標、寸法を評価する。評価結果が基準を満たしている場合には、その旨を製造装置の制御装置に送るとともに次工程に基板を搬出する。基準を充たしていない場合にはレーザ条件を適正化する。 （もっと読む）

【課題】 従来よりもアスペクト比の小さな凹部を利用して、結晶化した半導体薄膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】 下地基板の表面に、各々が少なくとも１つの凹部を含む複数の単位パターンを形成する。下地基板の表面にｘｙ直交座標系を定義し、ｘ軸に平行な複数の仮想直線をｙ軸方向にある間隔を隔てて配置して縞模様を構成したとき、この単位パターンは、複数の仮想直線の各々の上に、相互に隣り合う２本の仮想直線上の単位パターンのｙ軸方向の最短距離よりも短い第１の間隔で配列するように配置されている。単位パターンの凹部の内面及び下地基板の表面上に、凹部が完全には埋め尽くされない条件で、非晶質または多結晶の半導体膜を堆積させる。半導体膜にレーザビームを照射して、レーザビームに照射された領域の半導体膜を一時的に溶融させて、結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置等のガラス基板上にレーザービームを用いて擬似単結晶膜を形成する際の、半導体膜に生ずる凝集の発生を防止する。
【解決手段】一方向に結晶が長く成長したシリコン膜を用いたＴＦＴは機械研磨がされていないガラス基板を用いる。機械研磨が必要な場合でも、ＴＦＴを形成する面には機械研磨を施さない。このような構成により、レーザービーム４１により、擬似単結晶６２を形成するさい、凝集によるスポット状欠陥６３、ライン状の凝集６４によるライン状の欠陥を防止できる。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な工程により、粒径の大きな多結晶半導体からチャンネル領域を形成できる、ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による薄膜トランジスタの製造方法では、まず、基板上にゲート電極を形成し、ゲート絶縁膜でゲート電極を覆う。次に、ゲート絶縁膜の上に非晶質半導体層を形成し、パターニングによってゲート電極の上に非晶質チャンネル領域を形成する。続いて、非晶質チャンネル領域をレーザにより溶融させ、その溶融部分の中央を薄くし、周辺を厚くする。それにより、非晶質チャンネル領域の中央部から両端部に向けて結晶粒を横方向成長させて多結晶チャンネル領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】触媒元素のスピン添加法は、対角線の長さが５００ｍｍ以上の大型基板を用いる際、触媒元素添加量の基板内均一性が良くないという問題が顕著となる。触媒元素添加量の基板内不均一性は、熱結晶化後の結晶質半導体膜に於ける結晶性のバラツキに影響し最終的に当該結晶質半導体膜で構成されたＴＦＴの電気特性に悪影響を及ぼすことが考えられる。本発明は、上記問題点を解決することを課題とする。
【解決手段】触媒元素のスピン添加工程に於いて、絶縁性基板の中央部と、端部とにおける触媒元素の濃度比が２倍以内となるように添加するために、「触媒元素溶液の滴下」処理から「高速スピンによるスピン乾燥」処理に移行する間のスピン回転加速度を低くし、触媒元素添加量の基板内不均一性を改善する。 （もっと読む）

【課題】ジッタの問題を生じることなく再現性に優れたパルス出力を得ることができ、生産効率が高い、大量生産方式に適した結晶化装置および結晶化方法を提供する。
【解決手段】単一のレーザー光源31を有する照明系3と、被処理基板を照明系に対して位置合せ可能に支持する基板ステージ6と、レーザー光の位相を変調して所望の光強度分布を有する変調レーザー光とする位相シフタ1,2と、照明系を通過したレーザー光を基板ステージ上の被処理基板の像面において結像させる結像光学系4と、を具備する結晶化装置であって、照明系3は、パルスレーザー光を複数に分割する光分割手段32と、分割された複数のレーザー光の間に所望の光路長差を設定する光路長差設定手段M1-M10,50と、 前記光路長差が設定された複数のパルスレーザー光を合成する光合成手段34とを有する。 （もっと読む）

【課題】平坦性の高い単結晶シリコン薄膜を、簡便かつ低コストに絶縁膜上に形成できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、単結晶シリコン11の主表面上に、開口部を有する絶縁膜12を形成する工程と、前記開口部において露出している前記単結晶シリコン11の表面上及び前記絶縁膜の表面上に、アモルファスシリコン膜を形成する工程と、前記アモルファスシリコン膜を単結晶化するための熱処理工程と、前記アモルファスシリコン膜が単結晶化した領域15上に、気相成長法により単結晶シリコン膜19を形成する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン層形成方法の提供。
【解決手段】基板が提供され、前記基板上にアモルファスシリコン層が形成される。前記アモルファスシリコン上にパターン金属層が形成される。次に、前記パターン金属層と前記アモルファスシリコン層との間に金属シリサイドを形成するためにパルス急速熱アニール処理が行われ、前記アモルファスシリコンがポリシリコン層に転換されるよう、前記パターン金属層および前記金属シリサイドが、前記アモルファスシリコンに熱エネルギーを伝導するように適合される。最後に、前記パターン金属層が除去される。したがって、上記の処理はポリシリコン層の金属汚染を防止することができる。 （もっと読む）

凸面反射器と平面出力カプラとを含む発振器を有する、パルスレーザ出力ビームを生成するレーザ源と、第１の軸方向でビームを集束し、第２の軸方向でビームを空間的に拡大して、膜との相互作用のためのラインビームを生成する光学装置とを有する、基板上に堆積された膜を選択的に溶融させるための薄ビームレーザ結晶化装置が開示される。
（もっと読む）

【課題】パルス毎にそれぞれの選択された狭い範囲の値内に維持されることを必要とする１組のパラメータで非常に狭い幅の非常に細長い光パルスのビームを生成するパルスレーザＤＵＶ光源及び光学列を含み、加工物上の材料の結晶化のために作業ステージ上に担持された該加工物を照射する光を送出するパルスＤＵＶ加工物処理装置を提供する。
【解決手段】レーザコントローラと、作業ステージコントローラと、顧客レシピ制御指令発生器からプロセスレシピ制御要求を受信して、制御信号を前記レーザコントローラ及び前記作業ステージコントローラに供給するシステムコントローラとを含むことを特徴とする装置。システムコントローラは、外部プロセスユーザインタフェースを通してユーザによって選択可能な一般プロセス指令段階を収容するデータベースを含んでいてよいデータベース主導プロセスコントローラを含んでいてよい。 （もっと読む）

【課題】 ガラス等安価な基板上への高品質結晶性半導体膜の形成は、ＳＯＩ型薄膜トランジスタへの応用や薄膜太陽電池への応用で必要であり、しかし現在では特性的に単結晶薄膜に近い品質は得られてない。半導体膜中に多くの欠陥があるため、満足できるデバイスは得られていない。このため、容易に単結晶半導体膜を形成する技術の開発が望まれている。
【解決手段】非単結晶半導体膜に、マイクロレンズアレイを通して極度に集光された点状光もしくは線状光を照射して局所的に種結晶を生成する種結晶形成工程と、前記半導体膜全体に均一強度分布を持つ光を照射して前記種結晶を単結晶に成長させる結晶成長工程と、を含む半導体装置の製造方法 （もっと読む）