【課題】高集積化を妨げずに、多結晶ＴＦＴのオン電流及び移動度を高めることができる半導体装置の作製方法と、それによって得られる半導体装置の提供を課題とする。
【解決手段】半導体膜に触媒元素を添加して加熱することで、結晶性が高められた第１の領域と、第１の領域と比較して結晶性が劣っている第２の領域とを形成し、第１の領域に第１のレーザー光を照射することで、第１の領域よりも結晶性が高められた第３の領域を形成し、第２の領域に第２のレーザー光を照射することで、第２の領域よりも結晶性が高められた第４の領域を形成し、第３の領域と第４の領域をパターニングして、第１の島状の半導体膜と、第２の島状の半導体膜をそれぞれ形成し、第１と第２のレーザー光は、互いにエネルギー密度が同じであり、第１のレーザー光の走査速度は第２のレーザー光の走査速度より速い半導体装置の作製方法。 （もっと読む）

【課題】 良質な単結晶シリコン膜を製造する。
【解決手段】 （ａ）単結晶シリコン基板表面の一部に、長さ方向に長く、幅方向に短い凹部を形成する。（ｂ）凹部に、シリコン基板より熱伝導係数の小さい絶縁性の膜を埋め込む。（ｃ）工程（ｂ）で埋め込まれた絶縁性の膜の長さ方向と平行な方向に長く、長さ方向に平行な一方の縁が絶縁性の膜上にあり、長さ方向に平行な他方の縁がシリコン基板表面が露出した領域上にあるシリコン膜を形成する。（ｄ）シリコン膜にレーザビームを照射して、シリコン基板に接触している部分から絶縁性の膜上の部分に向かって結晶成長させることにより、シリコン膜を結晶化する。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンを（１１１）配向を選択的に形成する場合、結晶粒界の位置はランダムに形成されるため、トランジスタのチャネル部分に結晶粒が配置された場合、結晶粒界に存在するトラップ準位の影響により、電気的特性が低下する。また、多結晶領域を形成する単結晶群の大きさは０．５μｍ程度であり、トランジスタを形成した場合複数の結晶粒界がチャネルに配置されてしまい、同様に電気的特性が低下するという課題がある。
【解決手段】（１１１）配向を含む第１シリコン層２０４上に貫通孔２０６を含む絶縁層２０５を形成した後、第２シリコン層前駆体２０７ａを積層し、ＸｅＣｌエキシマレーザを用いて第１シリコン層２０４を種結晶として再結晶工程を行う。これにより、面方位が（１１１）に揃えられ、且つ１０μｍ程度の大粒径単結晶が得られる。この結晶上にトランジスタを形成することで、電気的特性に優れたトランジスタを提供できる。 （もっと読む）

【課題】非耐熱性基板に悪影響を及ぼすことなしに、レーザー耐性を有する非晶質シリコン膜を形成するための脱水素化処理を提供すること。
【解決手段】非耐熱性の基板上に水素化非晶質シリコン膜を形成する工程、および、前記水素化非晶質シリコン膜に大気圧熱プラズマトーチを１ミリ秒以上５００ミリ秒以下の時間照射して、前記基板の表面を１０００℃以上２０００℃以下に加熱することにより、前記水素化非晶質シリコン膜から結合水素を除去する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来のゲート−ボディーコンタクト薄膜トランジスタ構造に比べて素子内で占める面積が減少した薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを具備した有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】本発明は基板と；基板上に位置し、チャネル領域、ソース／ドレイン領域及びボディーコンタクト領域を含む半導体層と；半導体層上に位置し、ボディーコンタクト領域を露出させるゲート絶縁膜と；ゲート絶縁膜上に位置し、ゲート絶縁膜により露出されたボディーコンタクト領域と接するゲート電極と；ゲート電極上に位置する層間絶縁膜；及び層間絶縁膜上に位置し、ソース／ドレイン領域と電気的に連結されるソース／ドレイン電極を含み、ボディーコンタクト領域は半導体層のエッジ領域内に形成されたことを特徴とする薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを含む有機電界発光表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 帯状の絶縁パターンの中央近傍に結晶粒界が発生することを防止することが可能なレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 単結晶半導体基板と、その半導体基板よりも熱伝導率の低い材料からなり、相互に平行に配置されて前記半導体基板まで達する複数の溝が形成されている第１の膜と、アモルファスまたはマイクロクリスタルの半導体からなり、溝内及び第１の膜の上に配置されている第２の膜とを有する加工対象物を準備する。第２の膜に、第２の膜の表面において溝の長手方向と平行な長尺ビームであるパルスレーザビームを入射させ、パルスレーザビームの入射位置を、第２の膜の表面において、溝の長手方向と交差する方向に、オーバラップさせながら移動させる。第２の膜の表面におけるパルスレーザビームのビームプロファイルの短軸方向の幅が、相互に隣り合う溝の間隔よりも狭い。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板上に形成された非晶質あるいは粒状多結晶シリコン膜の所望の領域に、線状に整形した連続発振レーザ光を短軸方向に走査して、局所的な溶融再凝固による帯状多結晶領域を形成するに際し、対物レンズの熱レンズ効果発生に伴う照射レーザ光の集光ビーム形（短軸幅）の変化により結晶状態が変動することを防止し、平面表示装置の製造歩留まりを向上、品質の確保を図る。
【解決手段】アニールを行う際に照射する領域を複数のブロックに分割し、まず１ブロックあるいは複数ブロックおきにレーザ光を照射し、その後反対方向にレーザ光を走査しながらの、未照射の駆動回路領域を照射する。このように、レーザ照射後に一定時間のレーザ非照射状態を設けることで対物レンズの過熱を抑制し、対物レンズの熱レンズ効果による照射部温度の変動を防止する。これにより、常に一定の条件でのレーザ光照射が実現でき、一定の結晶状態の帯状多結晶シリコン膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】 結晶核からの十分なラテラル成長を実現して大粒径の結晶化半導体膜を生成することのできる結晶化方法。
【解決手段】 本発明の結晶化方法では、光源（２ａ）からの光を位相シフトマスク（１）へ導いて該位相シフトマスクを透過させて形成された逆ピークパターンの光強度分布の光を被処理体（４）に照射して結晶化するのに際し、被処理体の被露光面での光強度分布を観察したのち結晶化する。 （もっと読む）

位置が制御される結晶粒の領域を備える結晶半導体膜と、位置が制御される結晶粒の位置を基準として規定される位置にある結晶半導体膜の中に位置するデバイスとを含む、結晶膜の中の既知の位置に位置付けられる電子デバイスに関係する方法および装置が説明される。この方法は、各照射ステップが、膜のリソグラフィで画成される領域を少なくとも部分的に融解させ、横方向に結晶化させ、横方向成長長さに垂直である少なくとも１つの長い粒子境界を有する横方向に成長した結晶粒の領域を得る、３つ以上の重複する照射ステップを使用して半導体膜の少なくとも一部を照射することと、少なくとも１つの長い粒子境界の位置を識別することと、長い粒子境界の位置を基準にして規定される位置にある半導体膜の中に電子デバイスを製造することとを含む。
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【課題】非晶質薄膜の表面の酸化を抑制しつつ、短時間で、結晶粒径の大きな多結晶薄膜を得ることができる非晶質薄膜の結晶化方法及びその装置、並びに薄膜トランジスタの製造方法を提供することにある。
【解決手段】絶縁基板１０の表面１０ａ上に、所定膜厚の非晶質薄膜２０を形成し、該非晶質薄膜２０に熱源３０からの熱照射３１により、前記非晶質薄膜２０を結晶化させて多結晶薄膜２１とする方法において、前記熱源３０からの熱照射３１を、大気圧雰囲気で、基板の裏面１０ｂから基板１０内を熱透過させて行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面の平坦性が高い単結晶半導体層を有するＳＯＩ基板を作製する。
【解決手段】半導体基板に水素をドープして、水素を多量に含んだ損傷領域を形成する。単結晶半導体基板と支持基板を接合させた後、半導体基板を加熱して損傷領域で単結晶半導体基板を分離する。単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層の剥離面に加熱した高純度の窒素ガスを吹き付け、マイクロ波を照射しながら、レーザビームを照射する。レーザビームの照射により単結晶半導体層を溶融させることで、単結晶半導体層の表面の平坦性を向上させ、かつ再単結晶化させる。また窒素ガスとマイクロ波を照射により溶融時間を長くし、再単結晶化をより効果的に行う。 （もっと読む）

【課題】多結晶化の際に特性が損なわれないシリコン膜からなるシリコンアイランドを半導体膜として有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置Ｄは、絶縁基板１１と、絶縁基板１１上に設けられた絶縁膜１３と、絶縁膜１３上に設けられたポリシリコン膜からなるシリコンアイランド１４と、を備える。半導体装置Ｄは、絶縁基板１１と絶縁膜１３との間に、平面視で、シリコンアイランド１４を内包するように設けられたパターン膜１２をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】チャネル形成領域の空乏化領域を増やし、電流駆動能力の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】島状の半導体領域と、前記島状の半導体領域の側面及び上面を覆って設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記島状の半導体領域の前記側面及び前記上面を覆って設けられたゲート電極とを有し、前記島状の半導体領域の前記側面及び前記上面はチャネル形成領域として機能する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】従来のＥＬＡ法による結晶化は、得られる結晶粒径が小さかったため、レーザ照射回数を数回以上にして大粒径化が行われているが、出力安定性や生産性、大型化によるＥＬＡ装置価格の上昇等種々の問題が発生している。
【解決手段】発明は、複数個のフラッシュランプ３ａ〜３ｎによる連続的な点灯により、非晶質シリコン層２の被処理面（横）方向に沿って所定の温度勾配を形成するアニール処理を施して、固相が連続的に成長するように、固相から液相に亘って適当な温度勾配を持たせながら、非晶質構造から多結晶構造に変換させて大粒径化された非晶質シリコン層２を有する半導体装置の製造方法、その製造装置、結晶化方法、半導体装置及び表示装置である。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板などの耐熱性の低い支持基板にバッファ層を介して単結晶半導体層が固定された半導体基板を作製する。
【解決手段】イオンドーピング装置により、水素ガスを励起して生成したイオンを加速し単結晶半導体基板に照射し、水素を多量に含んだ損傷領域を形成する。単結晶半導体基板と支持基板を接合させた後、単結晶半導体基板を加熱して、損傷領域で単結晶半導体基板を分離する。単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層を加熱しながら、この単結晶半導体層にレーザビームを照射する。レーザビームの照射により単結晶半導体層を溶融させることで、再単結晶化して、その結晶性を回復させ、かつ単結晶半導体層の表面を平坦化する。 （もっと読む）

【課題】 １つの結晶粒内に複数の薄膜トランジスタを配置することのできるような大粒径の結晶を含む結晶シリコンアレイ。
【解決手段】 非晶質シリコン薄膜を結晶化して得られる結晶シリコンアレイの結晶化単位領域（Ｕ）は、７μｍ角以上の正方形領域を内包する大きさを有する二次元結晶部（２１）と、主成長方向（Ｆ１）に間隔を隔てた一対の二次元結晶部の間に形成されて主成長方向に沿って０．２μｍ以上の長さを有する微結晶部（２２）と、３．５μｍ以上の粒長を有する針状結晶部（２３）とを含む。二次元結晶部は、１つの結晶核からの成長により形成され、結晶の主成長方向を有する。針状結晶部は、一対の二次元結晶部の間において主成長方向と直交する方向に沿った成長により形成されている。 （もっと読む）

【課題】ばらつきを抑え、かつ、製造歩留まりの高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】
絶縁表面を有する基板上に、チャネル形成領域が非単結晶半導体層で形成される薄膜トランジスタを有し、前記非単結晶半導体層は、厚さが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、一方向に略平行に延びる結晶粒界を含み、該結晶粒界の間隔は１０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であることを特徴とする、半導体装置及びその作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】結晶化するためのエネルギー線のエネルギー量のばらつきが不規則に発生しても比較的安定した大きさの結晶化領域や良質の２次元結晶を得ることの可能な半導体薄膜の結晶化方法、良好な特性を有する薄膜半導体装置の製造方法及び液晶表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】非単結晶半導体薄膜に周期的な強度分布を有するパルスエネルギー線を照射して、前記半導体薄膜の照射された部分を溶解し、前記パルスエネルギー線の遮断後凝固させることにより、前記パルスエネルギー線照射領域内のエネルギー強度が極小である付近に発生する結晶核から放射状に結晶を成長させて２次元結晶化領域を形成する半導体薄膜の結晶化方法であって、前記パルスエネルギー線の照射は、前記半導体薄膜の第１の照射位置に第１のエネルギー線を照射する第１の照射工程と、前記第１の照射位置からずらし、少なくとも前記結晶核を含む第２の照射位置に第２のエネルギー線を照射する第２の照射工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 デフォーカスの影響をほとんど受けることなく、所望のディップ状の光強度分布を所望の位置に安定的に形成することのできる結晶化装置。
【解決手段】 １８０度と実質的に異なる位相差の位相段差を有し、入射光を位相変調する光変調素子（１）と、光変調素子を照明する照明系（２）と、光変調素子により位相変調された光に基づいて所定の光強度分布を所定面に形成する結像光学系（３）と、結像光学系の瞳位置に配置されて第１領域を通過する第１光束と第２領域を通過する第２光束とを互いに非干渉性にする空間フィルター（６）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 簡素な構成にしたがって光学系の大型化を招くことなく、非単結晶半導体膜上での干渉縞の発生を良好に抑えることのできる結晶化装置。
【解決手段】 所定の光強度分布を有する光を非単結晶半導体膜に照射して結晶化半導体膜を生成する結晶化装置。所定方向（ｙ方向）に沿って配列された複数のシリンドリカルレンズ要素（２３ｂａ）を有するホモジナイザを介して光変調素子を照明する照明系と、光変調素子を介した光に基づいて所定の光強度分布を形成する結像光学系と、複数のシリンドリカルレンズ要素に対して１個おきに設けられた複数の短冊状の光学部材（２５）とを備えている。 （もっと読む）