【課題】基板上に結晶方位が制御された擬単結晶半導体薄膜を得ることが可能となる半導
体薄膜およびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体薄膜の製造方法は、表面に配列された複数の突起部１０を設けた単結
晶半導体基板（単結晶シリコン基板２）と表面に半導体薄膜を堆積した基板４とを互いの
表面を向き合わせて結合する。半導体薄膜に熱処理を施して半導体薄膜を固相成長により
結晶化させ、基板４上に、複数の突起部１０のそれぞれを起点として複数の略単結晶粒（
結晶シリコン１６）から構成される擬単結晶半導体薄膜（擬単結晶シリコン薄膜２０）を
形成する。擬単結晶半導体薄膜（擬単結晶シリコン薄膜２０）を含む基板４と単結晶半導
体基板（単結晶シリコン基板２）とを分離する。 （もっと読む）

【課題】レーザビームの利用効率を向上させると共に、ＤＭＤにおける迷光の影響を排除し、均一なビームスポットで照射パターンを形成することのできるレーザ照射装置及びレーザ照射方法を提供する。
【解決手段】レーザ照射装置は少なくともレーザ発振器と回折光学素子と微少なミラーが二次元的に多数並べられた光学素子とを有し、該レーザ発振器から射出したレーザビームは回折光学素子によって複数のレーザビームに分割され、該レーザビームは複数のマイクロミラーにおいて偏向される。また、該前記複数に分割されたレーザビームのそれぞれは互いに等しいエネルギーを有する。 （もっと読む）

【課題】レーザチューブの交換が容易なレーザアニール装置を提供する。
【解決手段】レーザウインドウ15,16を一体的に取り付けたレーザチューブ14と一対の共振ミラー17,18とを備えたレーザ発振装置13がヨー軸方向、仰角方向およびロール角方向に調整できる。レーザ発振装置13の調整により、交換前のレーザ発振装置13と同じように、線状で強度が略均一なエキシマレーザビームＬをガラス基板４上のアモルファスシリコン膜２へと照射できるようになる。簡単に交換が可能で、アレイレンズ12の調整を不要にできる。交換作業に必要な作業時間を大幅に短縮できる。 （もっと読む）

【課題】複数のデバイス層を積層配置してなる半導体装置におけるデバイス層間の接続構造をチップ面積の増大や製造工程の複雑化を招くことなく実現し、好ましくは前記層間接続の信頼性の向上も実現した半導体装置を提供する。
【解決手段】デバイス層１０１，１０２が積層され、第２のデバイス層１０２は、表面に複数の微細孔Ｇ１を有する起点部層２１１と、起点部層２１１を起点として形成された略単結晶粒を含む半導体膜を用いて形成されたトランジスタＱ１２（デバイス）を有するデバイス形成層２１２とを備えており、トランジスタＱ１２等を構成する結晶化半導体膜２０１，２０２の側端面に絶縁材料からなるサイドウォール２０１ｓ、２０２ｓが設けられており、トランジスタ（デバイス）Ｑ１１とトランジスタＱ１２とを接続するコンタクト部Ｃ５は、結晶化半導体膜２０１，２０２の間の領域に形成されている。 （もっと読む）

【課題】常圧又は常圧に近い低圧下で、ＧａＮのような融点の高い化合物半導体を分解することなく溶融させることができ、これにより、融液の徐冷によって化合物半導体の活性を高めることができる化合物半導体の活性化方法及び装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体を反応容器１２内に収容し、化合物半導体の融点における平衡蒸気圧が１気圧以下の低蒸気圧ガス２により反応容器内を置換し、反応容器内を前記平衡蒸気圧以上の圧力に保持しながら低蒸気圧ガスを化合物半導体の表面に沿って流し、バンドギャップが前記化合物半導体のそれより大きいパルスレーザ３を化合物半導体の表面に照射する。これにより、低蒸気圧ガスの雰囲気温度を室温あるいは分解温度以下に保持しながら、パルスレーザの照射位置の化合物半導体のみを瞬間的に加熱して溶融させる。 （もっと読む）

【課題】本願の目的は、Ｓｉ基板上に結晶性と表面モフォロジーの良い単結晶ＳｉＣ層を形成することにある。
【解決手段】本願の骨子は、Ｓｉ層上にＳｉやＳｉＣよりも融点の低いＳｉＧｅ層と非晶質ＳｉＣを形成し、これら積層構造をＳｉＧｅの融点以上に加熱することにより、ＳｉＣとＳｉ基板の間の歪みを緩和し、同時に非晶質ＳｉＣからの結晶化を行うことで、結晶性と表面諸フォジーが良好な単結晶ＳｉＣ層を形成する。 （もっと読む）

【課題】凹部を用いた結晶成長をより安定に実現し、高性能な半導体素子を安定して得ることを可能とすること。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置の製造方法は、基板(11)の一方面側に凹部(125)を形成する第１工程と、上記基板の一方面側に膜厚Ｔの半導体膜(130)を形成する第２工程と、上記半導体膜に熱処理を行い、上記凹部を略中心とする略単結晶粒を形成する第３工程と、上記半導体膜を用いて半導体素子を形成する第４工程と、を含み、上記第２工程では、上記凹部の直径Ｄと深さＦがＦ＋Ｔ≧４×Ｄ＋５３２（ｎｍ）の関係を満たすように上記凹部が形成される。 （もっと読む）

【課題】 結晶性の良好な結晶性珪素膜を提供する。
【解決手段】 非晶質珪素膜を形成し、前記非晶質珪素膜を４５０℃〜６５０℃
で熱処理し結晶化して、結晶性珪素膜を形成し、前記結晶性珪素膜にレーザー光
を照射し、前記結晶性珪素膜を８００℃〜１１００℃で熱アニールする。 （もっと読む）

【課題】チャネルドープの際、該チャネルドープに伴うゲート絶縁膜の劣化を防ぐことができ、ＴＦＴの信頼性向上を図ることのできるＴＦＴの製造工程を有する電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜上にａ−Ｓｉ膜が成膜されるステップＳ１と、ａ−Ｓｉ膜の少なくともチャネル領域となる領域に、不純物がイオン注入されるステップＳ２と、ａ−Ｓｉ膜がｐ−Ｓｉ膜に固相成長により結晶化されるステップＳ３と、ｐ−Ｓｉ膜がパターニングされて、ソース領域、ドレイン領域、チャネル領域となる領域が形成されるステップＳ４と、パターニングされたｐ−Ｓｉ膜上に、ゲート絶縁膜が成膜されるステップＳ５及びステップＳ６と、ゲート絶縁膜上のチャネル領域となる領域の上方に、ゲート電極が成膜されるステップＳ７と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】最小限の工程数で結晶化シリコン膜の少なくともチャネル領域の結晶性を向上させることができ、ＴＦＴの電気的特性向上を図ることのできるＴＦＴの製造工程を有する電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下絶縁膜上にａ−Ｓｉ膜が成膜されるステップＳ１と、ａ−Ｓｉ膜がｐ−Ｓｉ膜に結晶化されるステップＳ２と、ｐ−Ｓｉ膜がパターニングされて、ソース領域、ドレイン領域、チャネル領域となる領域が形成されるステップＳ３と、ｐ−Ｓｉ膜上に、熱酸化膜、ＨＴＯ膜が成膜されるステップＳ４、５と、ｐ−Ｓｉ膜の少なくともチャネル領域となる領域に、熱酸化膜、ＨＴＯ膜を介して不純物がイオン注入されるステップＳ６と、非晶質化されたａ−Ｓｉ膜が再度ｐ−Ｓｉ膜に結晶化されるステップＳ７と、ＨＴＯ膜上に、ゲート電極が成膜されるステップＳ８と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 比較的耐熱性の低いガラス基板上やプラスチック基板上に、可視光に対する透過性が高いｐ型の透明酸化物を成膜した半導体接合を提供すること。
【解決手段】 ガラス基板またはプラスチック基板上にp型の透明酸化物薄膜としてCuCrO₂を400℃未満で成膜したことを特徴とする半導体接合であり、さらに、上記CuCrO₂のCrの一部を二価の陽イオンであるM=Mg、Ca、Be、Sr、Ba、Zn、Cd、Fe、Niのいずれか一種類以上と元素置換したCu(Cr,M)O₂を用いたことを特徴とする半導体接合である。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】 ナノスケール領域のボトムアップ型微細加工方法とそれを用いて製造される半導体装置を提供する。
【解決手段】 カーボンナノチューブに代表されるナノ細線材料２に関して、外部からエネルギーを投入することで局所的に発生するジュール熱、光又は熱電子を、外部から添加される原料９の化学反応や固相成長やナノ細線材料２自身の物性変換のための微小エネルギー４として利用することにより、ナノ細線材料２の近傍のみを自己整合的・自己制限的に加工する。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜を薄膜化して半導体デバイスの特性を向上させ、且つリーク電流を低減できる半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】多結晶半導体膜１０３ａ上に金属膜であるアルミニウム膜１２１ａを形成し、前記アルミニウム膜にプラズマ酸化処理を施すことにより、前記アルミニウム膜を酸化して酸化アルミニウム膜１０４を形成するとともに、前記多結晶半導体膜１０３ａと前記酸化アルミニウム膜との間に酸化珪素膜１００ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】 基板面内の結晶粒の位置や結晶粒径を容易に制御しつつ、製造工程数を削減することができる半導体薄膜、電子デバイス及び液晶表示デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体薄膜（又は電子デバイス若しくは液晶表示デバイス）の製造方法において、第１の透明基板２上に非晶質半導体薄膜５１５を形成する工程と、表面の一部（２１）に金属元素を含む転写体２０を形成する工程と、転写体２０の表面の一部を非晶質半導体薄膜５１５の表面に当接させ、金属元素を含む溶液２５を非晶質半導体薄膜５１５の表面上に転写する工程と、非晶質半導体薄膜５１５を溶融させ、金属元素を結晶生成核として非晶質半導体薄膜５１５を結晶化する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＲＦＩＤタグおよびＲＦＩＤタグ製造方法を提供する。
【解決手段】ＲＦＩＤ装置は、（１）金属アンテナおよび／またはインダクタ、（２）集積回路を支持し、前記金属アンテナおよび／またはインダクタから前記集積回路を絶縁する、前記金属アンテナおよび／またはインダクタ上に形成された誘電体層、（３）前記誘電体層上に形成された、同じ層を少なくとも１つ有する複数のダイオードおよび複数のトランジスタ、（４）前記金属アンテナおよび／またはインダクタおよび前記複数のダイオードの少なくとも一部と電気的に接続されている複数のコンデンサであって、前記複数のダイオード、および／または、前記複数のダイオードおよび前記複数のトランジスタとのコンタクトと同じ層を少なくとも１つ有する複数のコンデンサを備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体膜の形成に要する工程を削減することを可能とする製造技術を提供すること。
【解決手段】 液体プロセスを利用したシリコン膜の製造方法であって、基板(10)上にシリコン原子を含む液体材料(12)を塗布する第１工程と、上記第１工程において塗布された上記液体材料に対して局所的にレーザ光を照射することにより、当該レーザ光が照射された部分にシリコン膜(14)を形成する第２工程と、上記第２工程において上記レーザ光が照射されなかった部分の上記液体材料を除去する第３工程と、を含む、シリコン膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】移動度の向上したＭＯＳトランジスタを提供する。
【解決手段】半導体装置に伸張性のチャネル領域を形成する工程を包含する。一形態において、製造の中間段階において半導体装置のアモルファス部分を覆う応力層を歪ませる工程を包含する。上記半導体装置はマスクされており、応力層の一部における歪みは緩和される。製造途中の半導体装置のアモルファス部分を再結晶化することによって、応力層からの歪みを基板に伝達する。歪みの少なくとも一部は、装置の製造工程の間、基板に残存する。その結果、完成した装置の性能を向上させることができる。他の形態において、伸張性の応力層は、上記装置の第１部分を覆うよう形成され、圧縮性の応力層は、上記装置の第２部分を覆うよう形成される。伸張性の応力層は、ＰＭＯＳ装置において圧縮性のチャネルを形成し、圧縮性の応力層は、ＮＭＯＳ装置において伸張性のチャネルを形成する。 （もっと読む）

【課題】大量生産が可能で、従来のガラス基板や単結晶シリコン基板とは異なり、低コストでかつ非常に厚さの薄い薄膜集積回路、及び該薄膜集積回路を用いた薄膜集積回路装置又はＩＣチップの構造、プロセスを提供することを目的としている。
【解決手段】シリコン基板の一表面上に第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜上に少なくとも２つ以上の薄膜集積回路を有する層を形成し、前記薄膜集積回路を有する層を覆うように樹脂層を形成し、前記樹脂層を覆うようにフィルムを形成し、前記シリコン基板の前記薄膜集積回路を有する層を形成した一表面の裏面を研削し、前記シリコン基板の研削した面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】照射面上にレーザの干渉縞を生じさせることがなく、強度分布を均一にしてレーザビームを照射する。
【解決手段】レーザ発振器から出射したレーザビームはを回折光学素子により、強度分布が均一にされる。回折光学素子を通過したビームをスリットを通過させて、ビームの長軸方向の強度の弱い端部を遮断する。ビームを、投影レンズ及び集光レンズを通し、スリットの像を照射面に投影する。投影レンズは、スリットと照射面とが共役の関係になるように配置される。スリットによる回折を防ぎ、強度が均一なレーザを照射面に照射することが可能になる。 （もっと読む）