【課題】ダイヤモンド薄膜内に存在する結晶欠陥、不純物等を減少させ、高品質なダイヤモンド薄膜を作製可能なダイヤモンド薄膜作製方法を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンドが安定な高圧力下でアニールを行う。これにより、結晶中に含まれる格子欠陥等が回復、除去され、ダイヤモンド結晶薄膜を高品質化する事ができる。「（ダイヤモンドが）安定な、安定に」とは、ダイヤモンドがグラファイト化せずにダイヤモンドの状態を保つ状態を指す。ダイヤモンドが安定にアニール出来る領域内でアニールを行う温度（アニール温度、とも呼ぶ）Ｔおよびアニールを行う圧力（アニール圧力、とも呼ぶ）Ｐが決定される。この領域は、図２１に示される、Ｐ＞０．７１＋０．００２７ＴまたはＰ＝０．７１＋０．００２７Ｔを満たし、なおかつＰ≧１．５ＧＰａの領域である。このような領域は、図２１中の斜線部分である。 （もっと読む）

【課題】最大発振周波数ｆ_ｍａｘを高くしてダイヤモンド電界効果トランジスタの特性を大きく向上させ、かつ電圧降下を小さく抑えることにより実用レベルに到達させること。
【解決手段】「ソース・ゲート電極間隔ｄ_ＳＧ、ゲート・ドレイン電極間隔ｄ_ＧＤを狭くすること」と「ソース電極の厚さｔ_Ｓ、ドレイン電極の厚さｔ_Ｄを厚くすること」とを両立させるために、ソース電極およびドレイン電極を、エッチング溶液を用いてエッチングする層とレジストを用いてリフトオフする層とに分けて形成する。これにより電極の逆メサ部を小さくすることができるため、ソース電極とゲート電極との間隔を小さくして最大発振周波数ｆ_ｍａｘを上げ、かつソース電極およびドレイン電極の厚みを厚くして電圧降下を小さく抑えることができる。 （もっと読む）

本発明は半導体材料を照射するための装置に関し、本装置は、一次レーザービームを生成するレーザーと、光学系と、一次レーザービームを複数の二次レーザービームに成形するための複数の開口部を含む一次レーザービーム成形手段と、を含み、個々の開口部の形状および／またはサイズは照射対象半導体材料層の共通領域の形状および／またはサイズに対応し、光学系は、共通領域を照射するために二次レーザービームを重ね合わせるのに適合している、ことを特徴とする。さらに、本発明は、半導体デバイス製造におけるこのような装置の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】強磁性材料からなるシートを支持体とし、前記強磁性材料からなるシートに接する接着材と、該接着材に接する絶縁膜上に素子とを備える。上記構成において、前記素子は、薄膜トランジスタ、有機化合物を含む層を有する発光素子、液晶を有する素子、メモリー素子、薄膜ダイオード、シリコンのＰＩＮ接合からなる光電変換素子、またはシリコン抵抗素子であってもよい。また、上記各構成において、前記強磁性材料からなるシートは、軟質磁性粉体と合成樹脂とを混合して形成され、着磁されたものであってもよい。 （もっと読む）

【課題】トランジスタなどの半導体素子を有する半導体装置を安価に得ることのできる生産性の高い作製工程を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、酸化物部材を形成し、加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長する第１の酸化物結晶部材を形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物結晶部材を積層して設ける積層酸化物材料の作製方法である。特に第１の酸化物結晶部材と第２の酸化物結晶部材がｃ軸を共通している。ホモ結晶成長またはヘテロ結晶成長の同軸（アキシャル）成長をさせていることである。 （もっと読む）

【課題】生産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供することを目的の一とする。または、新たな半導体材料を用いた新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１の結晶性を有する酸化物半導体膜及び第２の結晶性を有する酸化物半導体膜が積層された酸化物半導体積層体を有する縦型トランジスタ及び縦型ダイオードである。当該酸化物半導体積層体は、結晶成長の工程において、酸化物半導体積層体に含まれる電子供与体（ドナー）となる不純物が除去されるため、酸化物半導体積層体は、高純度化され、キャリア密度が低く、真性または実質的に真性な半導体であって、シリコン半導体よりもバンドギャップが大きい。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する基板に光センサ、光電変換素子、太陽電池素子を有する半導体装置を作成する。
【解決手段】第１の基板上１０１に金属膜１０２、絶縁膜１０３及び非晶質半導体膜を順に形成し、前記金属酸化物膜１００及び前記非晶質半導体膜を結晶化し、該結晶化された半導体膜を活性領域に用いて第１の半導体素子を形成した後、前記第１の半導体素子上に粘着材を用いて支持体を接着し、前記金属膜と前記絶縁膜との間で剥離し、前記剥離された絶縁膜に第２の基板１１５を接着したのち、前記第１の粘着材１１６を除去して前記支持体を剥離し、前記第１の半導体素子上に非晶質半導体膜を形成し、該非晶質半導体膜を活性領域に用いる第２の半導体素子を形成する。 （もっと読む）

本発明は、一般式Ｓｉ_aＨ_2a+2（式中、ａ＝３〜１０）の少なくとも１種のヒドリドシランから製造可能な少なくとも１種の高級シランを基板上に塗布し、引き続き熱的に、主にシリコンからなる層に変換し、その際、この高級シランの熱的変換は５００〜９００℃の温度でかつ≦５分の変換時間で行う、基板上にシリコン層を熱的に製造する液相法、前記方法により製造可能なシリコン層及びその使用に関する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、曲面を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、曲面を有するディスプレイ、具体的には曲面を有する基材に貼りつけられた有機発光素子を有する発光装置の提供を課題とする。
【解決手段】 金属層または窒化物層からなる第１の材料層と酸化物層からなる第２の材料層との積層を利用して基板に設けられた有機発光素子を含む被剥離層をフィルムに転写し、フィルム及び被剥離層を湾曲させることによって曲面を有するディスプレイを実現する。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の表面に優れた光閉じ込め効果を有する凹凸形状を形成して光電変換素子の感度を向上させる。
【解決手段】多結晶半導体膜１０は、基板１上に形成されており、ラテラル結晶を含む。多結晶半導体膜の表面に自己組織化的に形成されたテクスチャ構造を有し、その表面の二乗平均粗さが４ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】良好な膜質であり所望の導電型や導電性に制御された炭化シリコン膜を低コストで効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化シリコン膜の製造方法は、不純物領域を有する炭化シリコン膜の製造方法である。表層にシリコン膜１６ａを有する基板１１のシリコン膜１６ａを炭化処理して、炭化された膜を含んだ炭化シリコン膜１３を形成する工程を有する。不純物領域になる部分のシリコン膜を炭化処理する前に、この部分に不純物を注入する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】基板３０１上にゲート電極３０３を形成し、ゲート電極３０３を覆ってゲート絶縁膜３０４を形成し、ゲート絶縁膜３０４上に酸化物半導体膜３０５を形成し、酸化物半導体膜３０５上に第１の導電膜３０６及び第２の導電膜３０７を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも加熱処理ＬＲＴＡにより結晶化した領域３０８を有する。 （もっと読む）

【課題】基板に対する剥離・転写の工程を簡略化した方法を提供する。
【解決手段】基板上に金属膜を形成し、加熱処理を行うことで、金属膜上に形成された酸化金属膜と、半導体膜の結晶化を同時に行うことができ、工程が簡略化された剥離・転写の方法である。金属膜にはタングステン膜などを用い、均一な剥離・転写を行うことができる。半導体膜に電気的に接続される電極上に発光層を形成することで発光装置の作製方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ＣＷレーザを結晶化装置に適用するとともに、その安全性を確保する。
【解決手段】ステッピングモータ１２２には、照射タイマ１４２を備えた制御回路１４０が接続され、照射タイマは、被処理基板Ｗの所定照射範囲に対応した時間の間、レーザシャッタを開状態とするための照射時間Ｔ１を設定する。これによって、照射範囲に対する適正な結晶化処理を自動化でき、ＣＷレーザを結晶化装置に適用し得るとともに、その安全性を確保することができる。制御回路には強制遮断タイマ１４４が設けられ、強制遮断タイマは、レーザシャッタが照射時間Ｔ１を超える時間、開状態だったときに、レーザシャッタを閉状態とする所定時間Ｔ２を設定する。制御回路には強制遮断スイッチ１５０が設けられ、オペレータが手動で閉成したときに、レーザシャッタを閉状態とする。 （もっと読む）

【課題】遮光層上に設けられ、光センサ等の用途に適した半導体素子と、高速駆動が可能な高性能の半導体素子とが同一の基板上に搭載されており、従来よりも部品点数が削減され、薄型化や軽量化が可能であるとともに、遮光層の有無による結晶性への影響が無い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、絶縁基板１上に形成されたＴＦＴ２１とＴＦＤ２２とを備えている。ＴＦＤ２２と絶縁基板１との間には、遮光層２が選択的に形成されている。ＴＦＴ２１およびＴＦＤ２２における各半導体層５・６は、ラテラル成長結晶からなり、ＴＦＤ２２の半導体層６の表面には、ＴＦＴ２１の表面粗さよりも大きな凹凸が設けられている。 （もっと読む）

【課題】連続発振のレーザー光の照射により形成された結晶質半導体層において、結晶欠陥の発生を抑制する。
【解決手段】絶縁基板１０に非晶質半導体膜１２を成膜する半導体膜成膜工程と、非晶質半導体膜１２を覆うようにキャップ膜１３を成膜するキャップ膜成膜工程と、キャップ膜１３を介して非晶質半導体膜１２に連続発振のレーザー光Ｂを幅方向にオーバーラップするように走査しながら照射して、結晶質半導体膜１２ａを形成する結晶質半導体膜形成工程と、結晶質半導体膜１２ａ及びキャップ膜１３の積層膜をパターニングして、結晶質半導体層１２ｂａ及びキャップ層１３ｂａを形成する結晶質半導体層形成工程とを備える半導体装置の製造方法であって、キャップ膜１３の膜厚は、１０ｎｍ〜３０ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上に薄膜半導体層を形成した３次元集積回路装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１１上に、単結晶もしくは準単結晶の２層の薄膜半導体層１３，１６が層間絶縁層１４を介して積層され、２層の薄膜半導体層１３，１６は、下層の第１層の薄膜半導体層１３と上層の第２層の薄膜半導体層１６とが異なる材料であり、２層の薄膜半導体層１３，１６が、層間絶縁層１４に形成された開口内を埋めて形成された、エピタキシャル層１５によって接続され、エピタキシャル層１５の表面部は、第２層の薄膜半導体層１６と同じ材料の層であり、第１層の薄膜半導体層１３及び第２層の薄膜半導体層１６のうち、１層以上に能動素子Ｔｒ２１，Ｔｒ２２が形成されている３次元集積回路装置１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】外部から局所的に圧力がかかっても破損しにくい半導体装置を提供する。また、
外部からの局所的押圧による非破壊の信頼性が高い半導体装置を歩留まり高く作製する方
法を提供する。
【解決手段】非単結晶半導体層を用いて形成された半導体素子を有する素子層上に、有機
化合物または無機化合物の高強度繊維に有機樹脂が含浸された構造体を設け、加熱圧着す
ることにより、有機化合物または無機化合物の高強度繊維に有機樹脂が含浸された構造体
及び素子層が固着された半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】膜成長性を適切に制御することができ、均質性および機能性を向上させた薄膜を形成することができる薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】基板２に滴下された薄膜形成材料を含む溶液の溶媒が揮発してなる結晶性薄膜５の形成方法であって、第１の溶液１を上記基板２の特定領域に滴下する第１の滴下工程と、第１の溶液１中に上記薄膜の成長核３が形成されるまで、第１の溶液１の溶媒を揮発させる第１の揮発工程と、第２の溶液４を上記特定領域に滴下して第１の溶液１と混合する第２の滴下工程と、第１の溶液１と第２の溶液４とが混合した溶液の溶媒を揮発させ、結晶性薄膜５を形成させる第２の揮発工程とを含んでおり、第１の滴下工程における第１の溶液１が含む上記薄膜形成材料の濃度は、第２の滴下工程における第２の溶液４が含む上記薄膜形成材料の濃度よりも低いことが望ましい。 （もっと読む）

【課題】量産に適した半導体基板、及び当該半導体基板を用いた半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】支持基板上に絶縁層、第１の電極、第１の不純物半導体層を少なくとも有する積層体を形成し、第１の不純物半導体層上に一導電型を付与する不純物元素が添加された第１の半導体層を形成し、第１の半導体層上に、一導電型を付与する不純物元素が添加された第２の半導体層を、第１の半導体層とは異なる条件により形成し、固相成長法により、第１の半導体層及び第２の半導体層の結晶性を向上させて、第２の不純物半導体層を形成し、第２の不純物半導体層に、一導電型を付与する不純物元素を添加し、一導電型とは異なる導電型を付与する不純物元素を添加し、ゲート絶縁層を介してゲート電極層を形成し、ソース電極層又はドレイン電極層を形成する。 （もっと読む）