【課題】レーザ光照射装置において、レーザ光端部を遮蔽した際に、レーザ光の広がりやにじみによって処理が均一になされないのを防止する。
【解決手段】レーザ光を出力するレーザ光発振器１と、レーザ光発振器から出力されるレーザ光を導いて帯状のレーザ光に整形する光学系２と、半導体薄膜が形成された基板１００を載置する水平方向に移動可能なステージ４と、ステージが配置され、前記光学系を通してレーザ光が導入される処理室３を有し、該処理室内に、前記レーザ光の長軸長さよりも短い透過部１１１を有し、前記レーザ光の長軸側端部を遮蔽して前記透過部を透過するレーザ光６を半導体薄膜に照射可能とする長軸端部遮断透過体１０を有する。 （もっと読む）

【課題】大面積の半導体薄膜を複数回のレーザ光走査によってレーザ光照射することを可能にする。
【解決手段】薄膜ダイオードまたは薄膜トランジスタがマトリックス状に配列される半導体薄膜に、帯状レーザ光を照射し、該レーザ光短軸方向に半導体薄膜を相対的に移動させて前記レーザ光を半導体薄膜上で走査するレーザ光照射方法において、前記ダイオードまたはトランジスタの個々の形成領域間に前記レーザ光の長軸方向端部が位置して該レーザ光の長軸方向端縁が外側の前記形成領域に至らないように前記レーザ光の走査を行う。レーザ光の複数回走査において、不均一領域となるレーザ光端部が薄膜トランジスタ等の形成領域にかかることなく形成領域間に位置し、薄膜トランジスタ等の特性を均一にすることができる。さらにレーザ光の長さに制限されない大面積パネルを作製できる。 （もっと読む）

【課題】結晶面方位が一定であり、相対的に高密度に集積が可能であり、かつ、比較的簡単なプロセスを有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層に金属原子を導入して熱処理をすることにより半導体層の結晶配向を制御する半導体装置の製造方法（ＭＩＬＣ法）において、半導体層の一定形状を有する領域（１１４）に金属原子を導入する工程を備えることにより、半導体層に応力を生じさせ応力により半導体層の結晶面方位を制御するものである。この一定形状は、熱処理時に半導体層に応力を生じさせることが可能な角部（Ｐ）を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】相変化メモリやＲｅＲＡＭなどの記憶素子と半導体デバイスの積層により構成される半導体記憶装置を製造する際に、半導体デバイスと記憶素子の両方を高性能化し、半導体記憶装置の大容量化、高性能化、高信頼化を促進する。
【解決手段】選択素子を形成するポリシリコンをアモルファス状態で低温で成膜した後、レーザーアニールによる短時間熱処理で結晶化と不純物活性化を行う。レーザーアニールを行う際、結晶化を行うシリコンの下にある記録材料は、金属膜、または金属膜と絶縁膜により完全に覆われた状態であるため、アニール時の温度上昇を抑制でき、記録材料への熱負荷を低減できる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板等の耐熱性の低いベース基板にバッファ層を介して、複数の単結晶半導体層が固定された半導体基板を作製する。
【解決手段】水素イオンを半導体基板に添加し、水素を多量に含んだ損傷領域と、バッファ層が形成された単結晶半導体基板を複数枚準備する。ベース基板に、この単結晶半導体基板を１枚または複数固定し、周波数が３００ＭＨｚ以上３００ＧＨｚ以下の電磁波を照射してベース基板上の単結晶半導体基板を損傷領域で分割する。単結晶半導体基板の固定と、電磁波の照射を繰り返して、ベース基板上に、必要な数の単結晶半導体基板が固定された半導体基板を作製する。さらに、この半導体基板の単結晶半導体層にレーザ光を照射して、溶融させ、再結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】外部ストレスによる半導体集積回路の破損を低減することを課題の一とする。また、薄型化された半導体集積回路の製造歩留まりを向上させることを課題の一とする。
【解決手段】半導体集積回路が有する半導体素子には単結晶半導体基板より分離された単結晶半導体層を用いる。さらに半導体集積回路が設けられた薄く成形された基板は樹脂層で覆われている。分断工程は、支持基板に半導体素子層を分断するための溝を形成し、溝の形成された支持基板上に樹脂層を設ける。その後、樹脂層及び支持基板を溝において切断して分断し、複数の半導体集積回路に分割する。 （もっと読む）

【課題】縦配置の半導体素子と横配置の半導体素子とのいずれにおいても結晶成長の方向とキャリアの流れる方向とが統一される半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】長尺ビームの照射及び移動を交互に繰り返して非晶質半導体膜を溶融して結晶性半導体膜を形成する半導体素子の製造方法であって、上記製造方法は、長尺ビームの照射前に非晶質半導体膜をパターニングする工程と、パターニングされた非晶質半導体膜の外縁を含んで長尺ビームを照射する工程とを含み、上記長尺ビームは、移動方向に対して略４５°をなす方向に傾けられている半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えた半導体基板の作製方法を提供することを目的の一とする。また、そのような半導体基板を用いた信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板より支持基板に転載され、全領域においてレーザ光照射による溶融状態を経て再単結晶化された単結晶半導体層を有する半導体基板を用いる。従って、単結晶半導体層は結晶欠陥も低減され結晶性が高く、かつ平坦性も高い。 （もっと読む）

基板を処理する方法の様々な例が開示される。特定の実施形態において、この方法は、複数の粒子を含む連続粒子ビームを発生させること、およびこの連続粒子ビームを、非晶相である基板の領域に導入して、領域を非晶相から結晶相に変換することを含み、前記連続粒子ビームは、5×10¹⁴個/cm²・秒またはそれを超える電流密度を有するものとすることができる。
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【課題】ＤＳＢ基板を用いてＨＯＴ構造の半導体基板を作製するに際し、その機能性基板の、互いに異なる結晶方位を有する結晶領域の境界における結晶欠陥の発生を抑制し、本来的な実用に足る前記ＨＯＴ構造の半導体基板を提供する。
【解決手段】第１の結晶方位を有するシリコン支持基板と、このシリコン支持基板上に直接的に形成され、前記シリコン支持基板の前記第１の結晶方位と異なる結晶方位を有する第１の結晶領域と、前記シリコン支持基板の前記第１の結晶方位と異なる結晶方位を有する第２の結晶領域とを有するシリコン機能性基板とを具え、前記シリコン機能性基板の、少なくとも前記シリコン支持基板の主面にまで達するような、前記第１の結晶領域及び前記第２の結晶領域間の欠陥生成抑制領域を含むようにして半導体基板を構成する。 （もっと読む）

【課題】結晶化するためのエネルギー線のエネルギー量のばらつきが不規則に発生しても比較的安定した大きさの結晶化領域や良質の２次元結晶を得ることの可能な半導体薄膜の結晶化方法、良好な特性を有する薄膜半導体装置の製造方法及び液晶表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】非単結晶半導体薄膜に周期的な強度分布を有するパルスエネルギー線を照射して、前記半導体薄膜の照射された部分を溶解し、前記パルスエネルギー線の遮断後凝固させることにより、前記パルスエネルギー線照射領域内のエネルギー強度が極小である付近に発生する結晶核から放射状に結晶を成長させて２次元結晶化領域を形成する半導体薄膜の結晶化方法であって、前記パルスエネルギー線の照射は、前記半導体薄膜の第１の照射位置に第１のエネルギー線を照射する第１の照射工程と、前記第１の照射位置からずらし、少なくとも前記結晶核を含む第２の照射位置に第２のエネルギー線を照射する第２の照射工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

半導体コンポーネントは支持体を具備し、支持体の一面では少なくとも１つの半導体層が多結晶で構成されている。多結晶半導体層は結晶化シードを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板上にオーミック電極を形成する際に、金属と炭化珪素との合金化熱処理を不要にする。
【解決手段】六方晶単結晶の炭化珪素基板１１の（０００１）面にリン（Ｐ）をイオン注入することで、その部分をアモルファス層１２にする。次に、熱処理することで、アモルファス層１２を立方晶単結晶のｎ型炭化珪素１３に再結晶化させる。次に、そのｎ型炭化珪素１３の上面にニッケル（Ｎｉ）を蒸着することで、電極１４を形成する。炭化珪素１３と電極１４との間に形成されるショットキー障壁の高さが低くなり、合金化熱処理を用いることなく、電極１４と炭化珪素１３との間にオーミックコンタクトが実現される。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えたＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。また、そのようなＳＯＩ基板を用いた信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板より分離され、絶縁表面を有する支持基板に接合された半導体層に高エネルギーを有する少なくとも一種類の粒子により該高エネルギーを供給することにより加熱し、加熱した半導体層表面に研磨処理を行う。高エネルギーの供給による加熱処理により半導体層の少なくとも一部の領域を溶融させ、半導体層中の結晶欠陥を低減させることができる。さらに、研磨処理によって半導体層表面を研磨し、平坦化することができる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えたＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。また、そのようなＳＯＩ基板を用いた信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板より分離され、絶縁表面を有する支持基板に接合された半導体層に電磁波を照射し、電磁波の照射された半導体層表面に研磨処理を行う。電磁波の照射により半導体層の少なくとも一部の領域を溶融させ、半導体層中の結晶欠陥を低減させることができる。さらに、研磨処理によって半導体層表面を研磨し、平坦化することができる。従って、電磁波の照射と研磨処理によって、結晶欠陥が低減され、かつ平坦性も高い半導体層を有するＳＯＩ基板を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体膜を多結晶化させる際に半導体膜がその下層のパターンから受ける影響が半導体膜の電気的性能に及ぶのを抑制する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板１１上に、電流経路予定部分に対応してパターン１３を形成するパターン形成ステップと、パターン形成ステップで形成したパターン１３を覆うように基板１１上に半導体膜１５を形成する半導体膜形成ステップと、半導体膜形成ステップで形成した半導体膜１５の少なくとも電流経路予定部分に対し、その電流経路方向に垂直な方向にレーザー光Ｌを走査して半導体膜１５を多結晶化させる多結晶化ステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に設けられたゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、を備えるトランジスタを有し、酸化物半導体膜の少なくともチャネル形成領域となる領域に対して加熱処理が行われている。 （もっと読む）

【課題】同一の非晶質半導体膜を結晶化して形成されたＴＦＴおよびＴＦＤの半導体層の結晶状態を別個に制御して最適化する。
【解決手段】半導体装置は、基板１０１と、基板１０１の上に支持され、チャネル領域１１４、ソース領域およびドレイン領域１１２ａを含む半導体層１０７ｔと、チャネル領域１１４の導電性を制御するゲート電極１０９と、半導体層１０７ｔとゲート電極１０９との間に設けられたゲート絶縁膜１０８とを有する薄膜トランジスタ１２４と、基板１０１の上に支持され、少なくともｎ型領域１１３ａとｐ型領域１１７ａとを含む半導体層１０７ｄを有する薄膜ダイオード１２５とを備える。薄膜トランジスタ１２４の半導体層１０７ｔおよび薄膜ダイオード１２５の半導体層１０７ｄは、同一の非晶質半導体膜を結晶化することによって形成された結晶質半導体層であり、薄膜ダイオード１２５の半導体層１０７ｄは、薄膜トランジスタ１２４の半導体層１０７ｔのチャネル領域１１４よりも高い結晶性を有している。 （もっと読む）

【課題】銅めっきをアンテナに用いた、集積回路とアンテナが一体形成された半導体装置において、銅の拡散による回路素子の電気特性への悪影響を防止し、また、集積回路とアンテナが一体形成された半導体装置において、アンテナと集積回路の接続不良に伴う半導体装置の不良を防止する装置を提供する。
【解決手段】半導体装置によると、同一の基板１０２上に集積回路１００とアンテナ１０１とが一体形成された半導体装置において、銅めっき層１０８をアンテナ１０１の導体に用いた場合に、アンテナ１０１の下地層１０７に所定の金属の窒化膜を用いているので銅の回路素子への拡散を防ぎ、銅の拡散による回路素子の電気特性への悪影響を低減できる。また、アンテナの下地層の金属の窒化物の一つにニッケルの窒化物を用いることで、アンテナと集積回路の接続不良を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】高速動作が可能で駆動電圧の低い半導体素子を有する低消費電力な半導体装置を、複雑な工程を経ることなく作製することを目的とする。
【解決手段】半導体層の局所的に薄膜化された領域を、加熱処理により周辺の半導体層を溶融し、その溶融した半導体材料を流動させることによって形成する。薄膜化領域に開口を有する島状の半導体層を形成し、開口周辺の半導体層端部をレーザ光により局所的に加熱することによって溶融し、溶融した半導体材料を開口に流動させ開口を充填する。流動した半導体材料によって開口は埋められ、固化することによって膜厚の薄い半導体層領域となる。従って半導体層は局所的に薄膜化領域を有する連続した半導体層となる。 （もっと読む）