【課題】大きなオン電流を維持したままオフ電流を低減するとともに、製造が容易なＬＤＤ領域を備える薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】平面視において、ドレイン電極１７１をゲート電極１２１から所定の距離だけ離して形成することによって、ＬＤＤ領域１６５となるオーミックコンタクト層１６１を水平方向に形成する。この場合、ＬＤＤ領域１６５は、ゲート電極１２１の電位に基づく電界の影響を受けにくくなり、実質的にドレイン電極１７１の電位に基づく電界による電界集中のみを緩和する。したがって、ＴＦＴ１００は、結晶性シリコン膜からなるチャネル領域１４１ｃを形成することにより、大きなオン電流を維持することができると同時に、オフ電流を十分低減することができる。 （もっと読む）

【課題】オン電流が大きく、かつ電気的特性のばらつきが小さな薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】周辺ＴＦＴ１１０のチャネル層１４１を形成するシリコンの結晶粒径は、微結晶シリコンによって形成されているので、閾値電圧のばらつきをある程度抑えながら、オン電流を大きくすることができる。しかし、多結晶シリコンからなるチャネル層を有する周辺ＴＦＴと比べて、小さなオン電流しか流すことができない。そこで、周辺ＴＦＴ１１０のゲート電極１２５と対向する窒化シリコン膜１８０の表面に、さらにゲート電極１９５を形成する。この結果、チャネル層３４１を流れるオン電流は、２つのゲート電極１２５、１９５によって制御されるので、オン電流の不足分を補うことができる。 （もっと読む）

【課題】平板表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、ＴＦＴ活性層と、キャパシタの第１下部電極及び第１下部電極上に形成されたキャパシタの第１上部電極と、第１絶縁層と、チャンネル領域に対応する領域に順次に形成されたゲート下部電極及びゲート上部電極と、キャパシタの第１上部電極に対応する領域に順次に形成されたキャパシタの第２下部電極及び上部電極と、画素下部電極及び画素下部電極を露出させるように画素下部電極エッジの上部に配された画素上部電極と、活性層のソース及びドレイン領域を露出させるコンタクトホール、及び画素上部電極エッジの一部を露出させるビアホールによって貫通される第２絶縁層と、第２絶縁層上に形成され、コンタクトホール及びビアホールを通じて、ソース、ドレイン領域及び画素上部電極と接続するソース及びドレイン電極と、を備える平板表示装置。 （もっと読む）

【課題】ＩｎとＧａとＺｎからなる群のうち少なくとも１つの元素を含有する酸化物半導体からなる薄膜が、高いＴＦＴ特性を有することが可能な薄膜トランジスタ、多結晶酸化物半導体薄膜の製造方法、及び薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】第１工程として、基板１２上に、ＩＧＺＯ系の組成を有する多結晶焼結体をターゲットとした気相成膜法を用いて、ＩｎとＧａとＺｎからなる群のうち少なくとも１つの元素を含有する非晶質酸化物半導体からなる薄膜１０Ａを成膜する。第２工程として、非晶質酸化物半導体からなる薄膜１０Ａを、電気炉へ投入し、その表面粗さＲａ値を１．５ｎｍ以下として維持しつつ多結晶化する温度領域６６０℃〜８４０℃で焼成する。 （もっと読む）

【課題】レーザー光の照射による単結晶半導体層の端部からの膜剥がれを抑制した、ＳＯＩ基板の作製方法及び半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】加速されたイオンを単結晶半導体基板に照射することによって、単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、絶縁層を介して単結晶半導体基板とベース基板とを貼り合わせ、脆化領域において単結晶半導体基板を分離してベース基板上に絶縁層を介して単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層の端部を除去し、端部を除去した単結晶半導体層の表面にレーザー光を照射する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用い、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。また、同一基板上に複数種類の薄膜トランジスタの構造を作製して複数種類の回路を構成し、増加する工程数が少ない半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に金属薄膜を成膜した後、酸化物半導体層を積層し、その後、加熱処理などの酸化処理を行うことで金属薄膜の一部または全部を酸化させる。また、論理回路などの高速動作を優先する回路と、マトリクス回路とで異なる構造の薄膜トランジスタを配置する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板の単結晶半導体層中の酸素濃度を低減させる方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体層を溶融状態にすることによって酸素の外方拡散を促進する。具体的には、ベース基板上に設けられた酸素を含有する接合層と、前記酸素を含有する接合層上に設けられた単結晶半導体層と、を有するＳＯＩ構造を形成し、前記ベース基板の温度を５００℃以上の温度であって前記ベース基板の融点よりも低い温度に加熱した状態において、前記単結晶半導体層をレーザー光の照射により部分溶融させることによって、ＳＯＩ基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】工程を簡単にしながらも、多結晶化された半導体層の厚みの変動を低減する。
【解決手段】半導体装置１は、基板１１の平坦な表面に形成された遮光膜１４と、遮光膜１４を直接に覆って基板１１に形成されると共に、平坦化された表面を有する平坦層１５と、遮光膜１４に重なるように平坦層１５上に形成され、多結晶化された半導体層１６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】生産性及びトランジスタ特性を向上することができるバックチャネルエッチ型の薄膜トランジスタ、半導体装置、及びこれらの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかるバックチャネルエッチ型のＴＦＴ１０８は、ゲート電極１１と、ゲート電極１１上に形成されたＳｉＮ膜１２と、ＳｉＮ膜１２上にパターニング形成されたＳｉＯ膜１３とを有する。さらに、ＴＦＴ１０８は、ＳｉＯ膜１３上においてＳｉＯ膜１３に接し、全てのパターン端がＳｉＯ膜１３のパターン端近傍に配置されるようにパターニング形成された多結晶半導体膜１４を有する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ、その製造方法及びこれを含む有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に位置するバッファ層と、前記バッファ層上に位置する第１半導体層及び第２半導体層と、前記第１半導体層及び第２半導体層と絶縁されるゲート電極と、前記第１半導体層及び第２半導体層と前記ゲート電極とを絶縁するゲート絶縁膜と、前記ゲート電極と絶縁され、前記第２半導体層と一部が接続するソース／ドレインである電極とを含み、前記第１半導体層は前記第２半導体層の下部に位置し、前記第１半導体層の面積は第２半導体層の面積よりも小さいことを特徴とする薄膜トランジスタ及びその製造方法に関する。また、前記薄膜トランジスタを含む有機電界発光表示装置とその製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを含む有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に位置するバッファ層と、前記バッファ層上に位置する第１の半導体層及び第２の半導体層と、前記第１の半導体層及び第２の半導体層と絶縁されているゲート電極と、前記第１の半導体層及び第２の半導体層と前記ゲート電極とを絶縁するゲート絶縁膜と、前記ゲート電極と絶縁され、前記第２の半導体層に一部が接続するソース／ドレイン電極とを含み、前記第１の半導体層上部に前記第２の半導体層が位置することを特徴とする薄膜トランジスタ及びその製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】多結晶半導体をレーザアニール法によって形成する方法に於いて、多結晶半導体膜の表面ラフネスを低減する。
【解決手段】レーザアニール装置の光学系に非晶質シリコン半導体薄膜を成膜した基板１の走査方向における照射光強度分布を、高エネルギの光強度側の微結晶しきい値以上のエネルギ領域と表層のみ融合するエネルギ領域を有する分布として制御する透過率分布フィルタ６を設置し、通常のラインビームを利用するエキシマレーザアニール法または位相シフトストライプマスク法またはＳＬＳ法に適用する事によって、それぞれの方法で得られる多結晶の表面突起の高さを低減する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスに用いるのに好適な酸化物半導体の提供を目的の一とする。又は、それを用いた半導体装置の提供を目的の一とする。
【解決手段】Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層をトランジスタのチャネル形成領域に用いた半導体装置であって、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層は、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＞０）で表される非晶質構造中に、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＝１）で表される結晶粒を含む構造を有する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの役割に応じて能動層を構成する結晶シリコン層の結晶粒の粒径を
異ならせることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】このＥＬ装置１００（表示装置）は、金属層２１および基板１の表面上に形
成されるバッファ膜２２および２３と、金属層２１が形成されない領域上のバッファ膜２
３の表面上に形成される能動層２４を有する画素選択用トランジスタ７と、金属層２１が
形成される領域上のバッファ膜２３の表面上に形成される能動層２５を有する駆動電流制
御用トランジスタ８とを備え、駆動電流制御用トランジスタ８の能動層２５を構成する結
晶シリコン層５０（結晶シリコン領域５０ｂ）の結晶粒の平均粒径は、画素選択用トラン
ジスタ７の能動層２４を構成する結晶シリコン層５０（結晶シリコン領域５０ａ）の結晶
粒の平均粒径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】優れたオン電流特性と、優れたオフ電流特性を兼ね備え、かつ歩留まりの向上が可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタは、下層半導体層１１と、上層半導体層１２の間には、ソース領域１０Ｓ／ドレイン領域１０Ｄに開口部を有する絶縁膜４が形成され、開口部Ｈ１，Ｈ２を介して、下層半導体層１１と上層半導体層１２が接続される。下層半導体層１１のうち、少なくともソース領域１０Ｓ／ドレイン領域１０Ｄの間に配置されるチャネル領域１０Ｃ、及び開口部Ｈ１，Ｈ２と対向する領域のうちの前記チャネル領域から延設される少なくとも一部の領域は、多結晶半導体層であり、上層半導体層は、非晶質半導体層である。 （もっと読む）

【課題】撓みやすい基板をベース基板として用いる場合であっても、半導体層が設けられた基板（ベース基板）を歩留まりよく作製する。
【解決手段】半導体層が設けられた基板の作製方法において、基板上に設けられた半導体層にレーザ光を照射して当該半導体層の表面を平坦化する工程を有することを特徴とする。そして、前記半導体層の表面を平坦化する工程において、前記レーザ光の照射により前記半導体層が完全溶融するのに必要な最小の照射エネルギー密度を１００％としたとき、前記半導体層に照射する前記レーザ光の照射エネルギー密度を７２％以上９８％以下とし、好ましくは８５％以上９６％以下とする。 （もっと読む）

【課題】有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】画素領域と非画素領域を備える基板と、前記基板上に位置するバッファ層と、前記バッファ層上に位置し、チャネル領域及びソース／ドレイン領域を備える半導体層と、前記半導体層のチャネル領域に対応するように位置するゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極とを絶縁させるゲート絶縁膜と、前記半導体層のソース／ドレイン領域に電気的に接続するソース／ドレイン電極と、前記ゲート電極と前記ソース／ドレイン電極とを絶縁させる層間絶縁膜とを含み、前記バッファ層、ゲート絶縁膜、及び層間絶縁膜は、非画素領域上の一部が除去された形態で位置し、前記除去された面積はパネル面積の８〜４０％であることを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】面方位が（１００）の単結晶シリコン膜および面方位が（１１０）の単結晶シリコン膜を有するＳＯＩ基板を、高い歩留まりで作製する方法を提供する。
【解決手段】面方位が（１００）の第１の単結晶シリコン基板１０００内に第１のイオンをドープして、第１の脆化層を形成する。面方位が（１１０）の第２の単結晶シリコン基板１００２内に第２のイオンをドープして選択的に第２の脆化層を形成する。第１の加熱処理では、第１の脆化層のみから第１の単結晶シリコン基板の一部をはく離し、第１の単結晶シリコン膜を形成する。第２の単結晶シリコン基板であって、第２の脆化層が形成されていない領域を除去し、第２の加熱処理では、第２の脆化層から第２の単結晶シリコン基板の一部をはく離し、第２の単結晶シリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】小粒径の多結晶シリコン層と、大粒径の多結晶シリコン層を同時に作る手法として、シリコン層の堆積時に小粒径の多結晶シリコン層を形成し、所望の領域のみにＣＷレーザーを照射し大粒径化する技術が知られている。しかし、この技術を用いる場合、小粒径の多結晶シリコン層中に不対電子を埋める水素を残しての処理が必要となり、製造工程にかかる時間が長くなるという課題がある。
【解決手段】一部に金属層３１１がある基板３１０上に窒化珪素層３１２を形成し、窒化珪素層３１２上に、酸化珪素層３１３を形成し、パルスレーザーを照射する。酸化珪素層３１３の層厚により小粒径の多結晶シリコン層と大粒径の多結晶シリコン層とが入れ替わるように形成されるため、小粒径の多結晶シリコン層と、大粒径の多結晶シリコン層を同時に形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の作製工程において、高調波のＣＷレーザを半導体膜上に相対的に走査させながら照射すると、走査方向に延びた長い結晶粒がいくつも形成される。このようにして形成された半導体膜は前記走査方向においては実質的に単結晶に近い特性のものとなるが、高調波のＣＷレーザの出力が小さくアニールの効率が悪い。
【解決手段】第２高調波に変換されたＣＷレーザと同時に基本波のＣＷレーザを半導体膜の同一部分に照射することで、出力の補助を行う。通常、基本波は１μｍあたりの波長域に入り、この波長域では半導体膜に対する吸収が低い。しかしながら、可視光線以下の高調波を基本波と同時に半導体膜に照射すると、高調波により溶かされた半導体膜に基本波はよく吸収されるため、アニールの効率が著しく上がる。 （もっと読む）