【課題】薄膜トランジスタ基板の製造コストの低減を図る。
【解決手段】基板１０に設けられたゲート電極１１と、ゲート電極１１を覆うように設けられたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上にゲート電極１１に重なるように設けられた半導体層１５ａと、半導体層１３ａ上にゲート電極１１に重なると共に互いに離間するように設けられたソース電極１６ａ及びドレイン電極１６ｂとをそれぞれ備えた複数のＴＦＴ５ａが設けられたＴＦＴ基板２０ａであって、半導体層１５ａは、ゲート絶縁膜１２側に設けられたシリコン系の第１半導体層１３と、ソース電極１６ａ及びドレイン電極１６ｂ側に設けられた酸化物半導体系の第２半導体層１４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体膜から金属元素を取り除く従来のゲッタリング工程と異なる方法により半導体膜中から金属元素を除去する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】金属元素を用いて結晶化された半導体膜に対して、パルスレーザを照射することにより、半導体膜にリッジが形成される。このリッジを除去することで、金属元素を除去する。リッジを除去したため半導体膜表面が荒れている場合、不活性雰囲気下で半導体膜にレーザを照射し半導体膜表面を平坦化する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおけるオン電流の向上とリーク電流の低減を図る。
【解決手段】微結晶シリコン領域５１の両端側が非晶質シリコン領域５２となっている半導体膜５ｂを備えるスイッチトランジスタ５において、チャネル保護膜５ｄが、半導体膜５ｂにおける微結晶シリコン領域５１を覆いつつ、そのチャネル保護膜５ｄの両端側で、微結晶シリコン領域５１側の非晶質シリコン領域５２の一部を覆い、また、ソース・ドレイン領域となる不純物半導体膜５ｆ，５ｇが、微結晶シリコン領域５１と直接接触せず、半導体膜５ｂにおける非晶質シリコン領域５２と接することで、ドレイン電極５ｈとソース電極５ｉとが不純物半導体膜５ｆ，５ｇを介して半導体膜５ｂと電気的に接続することで、微結晶シリコンに起因するホールエレクトロンペアの発生を抑えて、リーク電流の低減を図った。 （もっと読む）

【課題】特性の良い半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】基板上に、ゲート電極として機能する第１の導電層を形成する工程と、第１の導電層を覆うように第１の絶縁層を形成する工程と、第１の導電層と一部が重畳するように、第１の絶縁層上に半導体層を形成する工程と、半導体層と電気的に接続されるように第２の導電層を形成する工程と、半導体層および第２の導電層を覆う第２の絶縁層を形成する工程と、第２の導電層と電気的に接続される第３の導電層を形成する工程と、半導体層を形成する工程の後、第２の絶縁層を形成する工程の前の第１の熱処理工程と、第２の絶縁層を形成する工程の後の第２の熱処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】段差部において膜厚の急激な変動が抑制された半導体膜を含む半導体基板、およびその製造方法、並びに、その半導体基板を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体基板１は、下地基板１０と、下地基板１０上の一部に形成されている金属膜２０と、金属膜２０を覆うようにして下地基板１０上に形成されている絶縁膜３０と、絶縁膜３０上に形成され、かつ結晶化された半導体膜４０とを備えている。絶縁膜３０は、金属膜２０の端部において段差部を有し、当該段差部の下地基板１０に対して垂直な断面形状が、外に膨らむ「Ｒ」形状を呈している。上記段差面は、その上端部から下端部に向かって、テーパー角度ψが略０°から徐々に大きくなって、略４０°〜９０°であるテーパー角度θになるように形成されている。 （もっと読む）

マルチレイヤ構造を製造する方法は、積層体をアニールする工程を含み、該アニール工程は、不活性ガスの存在下で前記積層体を加熱する工程を含むことができ、前記積層体はカドミウムおよび錫を含む層を含む。
（もっと読む）

【課題】ドーピング処理の条件の厳密な管理および新たな製造工程を追加することなく、良好なＶｇ−Ｉｄ特性を有する薄膜トランジスタを実現する。
【解決手段】基板２５上に形成された薄膜トランジスタにおいて、島状の半導体層２１は、略平坦な上面を有する中央部２１ａと、基板２５に対して０度より大きく、且つ９０度以下の傾斜角を有する端部２１ｂとを有し、島状の半導体層２１の中央部２１ａに含まれる半導体は、端部２１ｂに含まれる半導体よりも結晶粒径が大きい、或いは島状の半導体層２１の中央部２１ａは多結晶半導体を含み、且つ端部２１ｂは非晶質半導体を含む。 （もっと読む）

【課題】より均質な強度分布を有するレーザビームを安定して照射可能な照射装置を提供する。
【解決手段】レーザ光源１１と、レーザ光源１１からの射出レーザ光をＰ偏光（第１の直線偏光）とＳ偏光（第２の直線偏光）とに分離する偏光ビームスプリッタ１３（偏光分離手段）と、第１もしくは第２の直線偏光を複数の光束に分割するシリンドリカルレンズアレイ対１４（光束分割手段）と、光束を右旋回円偏光に変換する第１の１／４波長板１５Ａと、光束を左旋回円偏光に変換する第２の１／４波長板１５Ｂとが光軸Ｚと直交するＸ軸方向（第１の方向）において交互に配列されてなる１／４波長板アレイ１５と、右旋回円偏光および左旋回円偏光を集光し、表面３Ｓ（被照射面）へ向けて照射するコンデンサレンズ１６（投影光学系）とを備える。 （もっと読む）

【課題】光センサーと遮光膜を有する半導体装置において、段切れや膜剥がれに起因にする歩留まりの低下を防止することができるとともに、暗電流の増大を防止して光センサーの性能の低下を防止することができる半導体装置及びその製造方法、並びに液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】フォトダイオード１５を構成するポリシリコン膜を形成する部分Ｂの非晶質シリコン膜３０の厚みＷ１が、遮光膜２８の周縁に対応した部分Ａの非晶質シリコン膜３０の厚みＷ２より薄くなるように、非晶質シリコン膜３０を薄膜化する。そして、非晶質シリコン膜３０にレーザー光を走査して、非晶質シリコン膜３０を多結晶化させてポリシリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】搬送される基板の動きに追従してマイクロレンズアレイを移動してレーザ光の照射位置精度を向上する。
【解決手段】マトリクス状に設定されたＴＦＴ形成領域の縦横いずれか一方の配列方向に基板を搬送しながら撮像手段により基板表面を撮像し、該撮像画像に基づいて基板表面に予め設定されたアライメントの基準位置を検出し、複数のＴＦＴ形成領域に対応して基板の搬送方向と交差する方向に複数のレンズを配置した少なくとも一列のレンズアレイを基板の搬送方向と交差方向に移動して、レンズアレイのレンズと基板のＴＦＴ形成領域とをアライメント基準位置を基準にして位置合わせし、基板が移動してＴＦＴ形成領域がレンズアレイの対応レンズの真下に到達したときにレンズアレイにレーザ光を照射し、複数のレンズによりレーザ光を集光して各ＴＦＴ形成領域のアモルファスシリコン膜をアニール処理する。
【選択図】図６

（もっと読む）

【課題】曲げストレスによるオン特性の劣化を抑制できる半導体装置、この半導体装置の製造方法、前記半導体装置を備えた画素アレイ基板、前記半導体装置を備えたセンシング素子アレイ基板、表示パネル、インプットパネル、表示装置、携帯機器、Ｘ線検査装置、及びレントゲン装置を提供する。
【解決手段】単結晶膜または多結晶膜からなる結晶化領域であるチャネル領域１４と、アモルファス膜からなるアモルファス領域であるソース領域２４及びドレイン領域３４とからなる半導体層４を備えており、チャネル領域１４は、半導体層４となるアモルファス膜を形成し、アモルファス膜に電流を流して一部分を結晶化することにより形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】エッチングが困難な炭化シリコン膜をエッチングすることなく、一つのチップに炭化シリコンのデバイスとシリコンのデバイスを容易に混載させ、かつ、炭化シリコンのデバイスとシリコンのデバイスが電気的に絶縁された構造とすることが可能な炭化シリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化シリコン膜１３の製造方法は、基板１１上に下地層１２を形成する工程と、下地層１２上にシリコン膜を形成する工程と、シリコン膜をパターニングするパターニング工程と、パターニング工程の後にシリコン膜を炭化処理し、炭化された膜を含んだ炭化シリコン膜１３を形成する工程と、炭化シリコン膜１３をマスクに用いて、マスクが形成されていない領域の下地層１２をエッチングする工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】緻密で均一な膜厚であり、しかも所望の膜厚の炭化シリコン膜を得ることができ、かつ低コストや大口径化が可能な炭化シリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化シリコン膜１３の製造方法は、基板１１上にアモルファスシリコンとポリシリコンとの少なくとも一方を含むシリコン膜１４を形成する工程と、シリコン膜１４を炭化処理し、炭化された膜を含んだ炭化シリコン膜１３を形成する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造コストおよび製造時間の低減を図りつつ、高性能な薄膜トランジスタを備えた配線基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 絶縁基板１０１と、絶縁基板１０１上の表示画素部ＤＳＰに配置され、非晶質の第１半導体層ＳＣ１Ａと、第１半導層ＳＣ１Ａの上に積層された微結晶または多結晶の第２半導体層ＳＣ１Ｂとを有する第１薄膜トランジスタＴＦＴ１と、絶縁基板１０１上の駆動回路部ＤＣＴに配置され、第２半導体層ＳＣ１Ｂより電子移動度が高い多結晶の第３半導体層ＳＣ２を有する第２薄膜トランジスタＴＦＴ２と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温で長時間の処理が必要なエピタキシャル成長を用いることなく、熱応力の発生を抑え、信頼性に優れた、所望の膜厚の炭化シリコン膜を容易に得ることができ、かつ低コストや大口径化が可能な炭化シリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化シリコン膜１３の製造方法は、基板１１上にアモルファスシリコンとポリシリコンとの少なくとも一方を含む第１シリコン膜１４ａを形成する工程と、第１シリコン膜１４ａを炭化処理し第１炭化シリコン膜１３ａを形成する工程と、第１炭化シリコン膜１３ａを形成した後に、第２シリコン膜１４ｂを形成する工程と、第２炭化シリコン膜１３ｂを形成する工程と、を少なくとも１回有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エッチングが困難な炭化シリコン膜をエッチングすることなく、パターニングされた炭化シリコン膜を得ることが可能な炭化シリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化シリコン膜１３の製造方法は、基板１１上にアモルファスシリコンとポリシリコンとの少なくとも一方を含むシリコン膜１４を形成する工程と、シリコン膜１４をパターニングするパターニング工程と、パターニング工程の後にシリコン膜１４を炭化処理し炭化シリコン膜１３を形成する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に、結晶粒の平均粒径が互いに異なり、各々優れたキャリア移動度を有する２種類の結晶質半導体膜を形成し、それら２種類の結晶質半導体膜を用いて異なる電気特性が要求される各半導体素子に所望の電気特性を得る。
【解決手段】基板１１上に非晶質半導体膜２４を成膜する非晶質膜成膜工程と、非晶質半導体膜２４の一部を溶融固化して結晶化することで第１結晶質半導体膜２４Ａを形成する第１結晶化工程と、残部の非晶質半導体膜２４を固相成長させることで第１結晶質半導体膜２４Ａよりも結晶粒の平均粒径が大きい第２結晶質半導体膜２４Ｂを形成する第２結晶化工程と、第１結晶質半導体膜２４Ａの結晶粒の平均粒径が第２結晶質半導体膜２４Ｂの結晶粒の平均粒径よりも小さい状態を維持しながら第１及び第２結晶質半導体膜２４Ｂを溶融固化することで再結晶化する再結晶化工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】繰り返しの使用によってボンド基板に生じる不具合を抑制することを目的の一とする。
【解決手段】ボンド基板に加速されたイオンを照射してボンド基板中に脆化領域を形成する第１の工程と、絶縁層を介してボンド基板とベース基板とを貼り合わせる第２の工程と、脆化領域においてボンド基板を分離して、ベース基板上に絶縁層を介して半導体層を形成する第３の工程と、脆化領域で分離されたボンド基板に対して、アルゴン雰囲気において第１の熱処理を施した後に、酸素及び窒素の混合雰囲気において第２の熱処理を施すことにより再生ボンド基板を形成する第４の工程と、を有し、再生ボンド基板を第１の工程におけるボンド基板として再び使用する。 （もっと読む）

【課題】基板に対する剥離・転写の工程を簡略化した方法を提供する。
【解決手段】基板上に金属膜を形成し、加熱処理を行うことで、金属膜上に形成された酸化金属膜と、半導体膜の結晶化を同時に行うことができ、工程が簡略化された剥離・転写の方法である。金属膜にはタングステン膜などを用い、均一な剥離・転写を行うことができる。半導体膜に電気的に接続される電極上に発光層を形成することで発光装置の作製方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】基板３０１上にゲート電極３０３を形成し、ゲート電極３０３を覆ってゲート絶縁膜３０４を形成し、ゲート絶縁膜３０４上に酸化物半導体膜３０５を形成し、酸化物半導体膜３０５上に第１の導電膜３０６及び第２の導電膜３０７を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも加熱処理ＬＲＴＡにより結晶化した領域３０８を有する。 （もっと読む）