【課題】照射面またはその近傍におけるレーザ光の端部は、レンズの収差などにより、エネルギー密度が徐々に減衰しているこのような領域（減衰領域）は被照射体のアニールにおけるエネルギー密度が十分でないので前記被照射体に対して均一なアニールを行うことを提供する。
【解決手段】複数のレーザ光のうちの１つのレーザ光のスポットを切断して２つに分割し、分割されたレーザ光のそれぞれの切断面が外側となるように入れ替える手段と、複数のレーザ光を１つに重ね合わせ線状に形成する手段とを有し、重ね合わせ線状に形成する手段により重ね合わされた線状のレーザー光の長尺方向において、減衰領域を除いたエネルギー密度の平均値は±１０％以内であり、重ね合わされた線状のレーザ光は、分割された
レーザ光の切断面を長尺方向の両端部とし、かつ分割されたレーザ光同士は重なり合わない。 （もっと読む）

【課題】可視光領域の波長のレーザーを用いて、結晶性の安定した結晶シリコン膜を形成する結晶シリコン膜の形成方法を提供する。
【解決手段】金属膜を形成する第１工程と、前記金属膜上に絶縁膜を形成する第２工程と、前記絶縁膜に多結晶Ｓｉからなる結晶シリコン膜を形成する第３工程とを含み、前記第２工程において、前記絶縁膜を１６０ｎｍ〜１９０ｎｍの膜厚範囲で形成し、前記第３工程は、前記絶縁膜にａ−Ｓｉからなる非晶質シリコン膜を３０ｎｍ〜４５ｎｍの膜厚範囲で形成する工程と、前記非晶質シリコン膜に可視光領域の波長のレーザーの光を照射することにより、前記結晶シリコン膜を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、曲面を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、曲面を有するディスプレイ、具体的には曲面を有する基材に貼りつけられた有機発光素子を有する発光装置の提供を課題とする。
【解決手段】 金属層または窒化物層からなる第１の材料層と酸化物層からなる第２の材料層との積層を利用して基板に設けられた有機発光素子を含む被剥離層をフィルムに転写し、フィルム及び被剥離層を湾曲させることによって曲面を有するディスプレイを実現する。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、電磁エネルギーの複数のパルスを使用する薄膜の固相再結晶化の方法を提供する。一実施形態では、アモルファス層が、再結晶化すると下の結晶性のシード領域またはシード層と同じグレイン構造および結晶配向を有するように堆積されている、結晶性のシード領域またはシード層へ複数のエネルギーのパルスを供給することによって、基板表面全体または基板の表面の選択された領域をアニールするために本発明の方法を使用することができる。
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【課題】有機発光表示装置の駆動トランジスタとスイッチングトランジスタとに要求される特性を十分に満たす有機発光表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】同一の基板上に形成された逆スタガ型のスイッチングトランジスタおよび駆動トランジスタを備える有機発光表示装置であって、スイッチングトランジスタは、第１半導体層からなる第１チャネル層を有し、駆動トランジスタは、第１半導体層とは異なる結晶質である第２半導体層と、第２半導体層上に積層される第１半導体層とからなる第２チャネル層を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の表面に優れた光閉じ込め効果を有する凹凸形状を形成して光電変換素子の感度を向上させる。
【解決手段】多結晶半導体膜１０は、基板１上に形成されており、ラテラル結晶を含む。多結晶半導体膜の表面に自己組織化的に形成されたテクスチャ構造を有し、その表面の二乗平均粗さが４ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アニール処理後の結晶化の状態について、非接触で精度よく、しかも効率的に、評価を行えるようにする。
【解決手段】アニール処理後の半導体層を有する多層構造体２１０を搭載するステージ２０１と、前記半導体層に対して光を照射する光源２０２と、前記光源２０２による光の照射によって得られるラマン散乱光を受光する受光部２０５と、前記受光部２０５が受光した前記ラマン散乱光を用いて前記半導体層の結晶化度を検査する検査部２０７とを備えた半導体検査装置２００において、前記検査部２０７は、前記ラマン散乱光のラマンスペクトルによって特定される領域を波数についての所定閾値で領域分割する領域分割部と、前記領域分割をする前の領域全体と前記領域分割をした後の前記所定閾値を超える領域部分との面積比を算出し、その算出結果を前記半導体層の結晶化度とする結晶化度算出部とを備える。 （もっと読む）

【課題】 広範囲にわたって全導電性領域に、断切れ及び上層配線層との間のリーク電流の発生のない、均一な膜厚の銅配線層を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 ガラス基板上に薄膜トランジスタ及び配線を有する半導体装置を製造する方法において、ガラス基板上に下地絶縁層を形成する工程と、前記下地絶縁層上に下地バリア層を形成する工程と、前記下地バリア層上にシード層を形成する工程と、前記シード層を前記配線に対応する形状にパターニングしてシード層パターンを形成する工程と、前記シード層パターンの表面に銅配線層を無電解めっき法で形成する工程と、前記銅配線層マスクとして前記下地バリア層をパターニングする工程と、前記銅配線層を被覆するように絶縁層を形成する工程とを備えたことを特徴する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】製造工数の増大をもたらすことなく、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と容量素子の誘電体膜を異なる層における絶縁膜を用いることによって、それらの特性に応じた膜厚に設定できる表示装置の提供。
【解決手段】基板上に薄膜トランジスタと容量素子が形成されている表示装置にであって、前記薄膜トランジスタは、
ゲート電極の形成領域を被って形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成され、平面的に観て、前記ゲート電極の形成領域内に開口を備える第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に前記開口を横切って形成され、両端に高濃度領域を備える島状の多結晶化された半導体層と、
前記半導体層の上面に前記半導体層の両端の高濃度領域のそれぞれの一部を露出させて形成された第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜から露出された前記半導体層の両端の高濃度領域のそれぞれに電気的接続がなされて形成された一対の電極と、を備えて構成され、
前記容量素子は、その誘電体膜が前記第３の絶縁膜と同層で同材料の絶縁膜によって構成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の結晶性若しくは表面の平坦性、又は結晶性及び表面の平坦性を高めることのできるレーザ照射装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】レーザ発振器と、レーザ発振器から射出されたレーザ光を線状に成形する光学系と、光学系によって成形された線状のレーザ光が照射される被照射物を載置するステージと、を有し、ステージは、支持台上に、ヒータ、不純物吸着材及び被照射物を載置する載置台が順に固定されているレーザ照射装置を用いて、絶縁表面上に設けられた半導体膜にレーザ光を照射し、半導体膜を結晶化する。 （もっと読む）

【課題】均一性の極めて高いアニール処理結果を実現しつつ、その場合であっても生産性が損なわれてしまうことなく高スループット化を実現できるようにする。
【解決手段】基板上に少なくとも非晶質シリコン膜１４と光吸収層１６とが積層されてなる多層構造体に対して、前記光吸収層１６の側から光を照射して当該光による局所加熱を行い、前記非晶質シリコン膜１４を微結晶シリコン膜または多結晶シリコン膜に改質するアニール処理工程を備え、前記アニール処理工程では、前記局所加熱にあたり同一走査ライン上に複数の光ビームを配置するとともに、前記光吸収層１６の熱伝導率をｋ、密度をρ、比熱をｃ、走査すべきライン長／走査速度をｔｐとした場合に、前記複数の光ビームを少なくとも間隔Ｌ＝２×｛ｋ・ｔｐ／（ρ・ｃ）｝^1/2だけ隔てて配置する。 （もっと読む）

【課題】炭化シリコンを含む半導体基板の新たな作製方法を提供することを目的の一とする。または、炭化シリコンを用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】炭化シリコン基板にイオンを添加することにより、炭化シリコン基板中に脆化領域を形成し、炭化シリコン基板とベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、炭化シリコン基板を加熱して、脆化領域において炭化シリコン基板を分離することにより、ベース基板上に絶縁層を介して炭化シリコン層を形成し、炭化シリコン層を１０００℃〜１３００℃の温度で熱処理して、炭化シリコン層の欠陥を低減することにより半導体基板を作製する。または、上述のようにして形成された半導体基板を用いて半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】エキシマレーザーにより、α−Ｓｉ層に加えられた熱は、絶縁層を介して金属遮光層へ伝わり、冷却されることで再結晶化される。この場合、金属層のパターン形状により、α−Ｓｉ層の冷却速度は影響を受ける。そのため、多結晶シリコン層の特性は金属層のパターン形状の影響によりばらつくという課題がある。
【解決手段】形状および間隔を揃えた矩形の金属遮光層１０５の、長手方向に向けてエキシマレーザーを走査し、α−Ｓｉ層を多結晶シリコン層１１５に改質する。長手方向に向けてエキシマレーザーを走査することから、金属遮光層１０５が連続した状態でレーザーアニールが進む。そのため、金属遮光層１０５上での多結晶シリコン層１１５は均質性が高くなる。そのため、金属遮光層１０５上に形成されるＴＦＴ１０１の電気的特性が均質化し、液晶装置１００の表示均一性を高めることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスへの適合が可能でありながらも、半導体特性を損なわすに高精度に不純物の濃度コントロールが可能なドーピング方法を提供する。
【解決手段】アンチモンと共に、水素、窒素、酸素、炭素のみで構成されたアンチモン化合物を含有する材料溶液（アンチモン溶液Ｌ）を基板７の表面を覆う半導体層５に付着させて溶液層Ｌ１を形成する。アンチモン溶液Ｌを乾燥させることにより基板７上にアンチモン化合物層９を形成する。熱処理を行うことによりアンチモン化合物層９中のアンチモンを半導体層５に拡散させて不純物領域５ａを形成する。熱処理は、アンチモン化合物層９へのエネルギービームｈの照射によって行う。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを含む有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、基板と、上記基板上に位置するバッファ層と、上記バッファ層上に位置する半導体層と、上記半導体層上に直接接触して位置するソース／ドレイン電極と、上記基板全面にわたって位置するゲート絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜上に位置し、上記半導体層に対応するように位置するゲート電極と、を含み、上記ソース／ドレイン電極は１つまたは多数のホールを有する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ及びそれを含む有機電界発光表示装置の製造において、金属膜を半導体層に直接接触させて結晶化時にアーク発生を防止し、熱伝導を効率的に行い結晶化させるとともに、工程を単純化させて収率を高くする。
【解決手段】基板を提供する工程、上記基板上にバッファ層を形成する工程、上記バッファ層上に非晶質シリコン層のパターンを形成する工程、上記基板全面にソース／ドレイン電極用金属膜を形成する工程、上記ソース／ドレイン電極用金属膜に電界を印加する工程、上記非晶質シリコン層パターンを結晶化して半導体層を形成する工程、上記ソース／ドレイン電極用金属膜をパターニングし、上記半導体層と接続するソース／ドレイン電極を形成する工程、上記基板全面にゲート絶縁膜を形成する工程、上記ゲート絶縁膜上に位置し、上記半導体層に対応するゲート電極を形成する工程、および上記基板全面に保護膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体膜が分離された後の分離後の半導体基板を、ＳＯＩ基板作製に用いることが可能な再生半導体基板に再生する際に、分離後の半導体基板の取り代を削減し、１枚の半導体基板を再生使用できる回数を増やす半導体基板の再生処理方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】半導体を酸化する酸化剤として機能する物質と、半導体の酸化物を溶解する物質と、半導体の酸化及び半導体の酸化物の溶解の減速剤として機能する物質と、を含む混合溶液を用いて、分離後の半導体基板の周辺部に残存した脆化層及び半導体層を選択的に除去することを特徴とする半導体基板の再生処理方法である。なお、イオン注入装置により水素ガスから生成される、Ｈ^＋イオンを注入することにより半導体基板に形成する脆化層を用いて、半導体基板から半導体膜を分離する。 （もっと読む）

【課題】オフ電流が小さく、電位保持特性が優れており、消費電力が低いと共に、動作速度も速い低温ポリシリコントランジスタを含む薄膜トランジスタ、この薄膜トランジスタの製造方法及びそれを使用した液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１０上にゲート電極１１、ゲート絶縁膜１２、チャネル領域、ソース・ドレイン電極１５ａ，１５ｂを形成した逆スタガ構造の薄膜トランジスタである。このチャネル領域は、ポリシリコン膜１３と、このポリシリコン膜１３の上面及び側面を覆うａ−Ｓｉ：Ｈ膜１４とから構成されている。 （もっと読む）

【課題】目標とする抵抗率を有する結晶性ホモロガス化合物層を含む積層体を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の結晶性ホモロガス化合物層を含む積層体の製造方法は、Ｍ^１Ｍ^２Ｏ_３（Ｍ^３Ｏ）_ｍ（Ｍ^１＝Ｓｃ、Ｉｎ、Ｌｕ、Ｙｂ、Ｔｍ、Ｅｒ、Ｈｏ及びＹからなる群より選択される少なくとも１種類の元素、Ｍ^２＝Ｆｅ、Ｇａ、Ｉｎ及びＡｌからなる群より選択される少なくとも１種類の元素、Ｍ^３＝Ｃｄ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｃｏ、ＣｕおよびＺｎからなる群より選択される少なくとも１種類の元素、ｍ＝１以上の自然数）で表される結晶性ホモロガス化合物層を形成する工程と、酸素分圧が２×１０^−２Ｐａ以下、及び、温度が１５０℃以上の少なくとも一方の条件を満たす雰囲気下で、前記結晶性ホモロガス化合物層を覆う保護層を形成することにより前記結晶性ホモロガス化合物層の抵抗率を制御する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ベース基板（例えばガラス基板）とボンド基板（例えば単結晶シリコン基板）とを貼り合わせてＳＯＩ基板を作製する際の半導体層（例えば単結晶シリコン層）の表面の荒れを抑制することを目的の一とする。または、上記荒れを抑えて歩留まりの高い半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ボンド基板に加速されたイオンを照射して該ボンド基板に脆化領域を形成し、ボンド基板またはベース基板の表面に絶縁層を形成し、絶縁層を介してボンド基板とベース基板を貼り合わせると共に、ボンド基板とベース基板の一部に、ボンド基板とベース基板とが貼り合わない領域であってボンド基板とベース基板によって閉じられた領域を形成し、熱処理を施すことにより、脆化領域においてボンド基板を分離して、ベース基板上に半導体層を形成する。 （もっと読む）