【課題】チャネル保護型の薄膜トランジスタにおいて、オフ特性及び信頼性に優れた薄膜半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１を準備する第１工程と、基板１上にゲート電極２を形成する第２工程と、ゲート電極２上に第１絶縁膜としてゲート絶縁膜３を形成する第３工程と、ゲート絶縁膜３上に非結晶質の半導体薄膜４ａを形成する第４工程と、非結晶質の半導体薄膜４ａ上に第２絶縁膜としてチャネル保護膜５を形成する第５工程と、チャネル保護膜５の上方からレーザー光を照射することにより、非結晶質の半導体薄膜４ａを結晶化させて結晶化領域を形成する第６工程と、結晶化領域の上方にソース電極７Ｓ及びドレイン電極７Ｄを形成する第７工程と、を含み、第５工程において、チャネル保護膜５は、前記レーザー光に対して透明となるように形成される。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物を用いた絶縁膜を低温プロセスで結晶化することが可能で、これによりガラス基板やプラスチック基板上に特性の向上が図られた素子を設けることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に、金属酸化物を用いた絶縁膜と半導体薄膜とが積層形成された半導体装置であって、絶縁膜はゲート絶縁膜として用いられ、ゲート絶縁膜に接する側にゲート電極が積層形成され、絶縁膜および半導体薄膜は結晶化され、かつ、ゲート電極と重なる部分の結晶性が他の部分の結晶性よりも高いものである。 （もっと読む）

【課題】高品質な半導体薄膜を製造する薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜製造方法は、ａ−Ｓｉ膜等の半導体薄膜を第１の基板上に堆積する工程Ｓ１と、第１の基板をエッチングして第１の基板と半導体薄膜との間に中空部を形成する工程Ｓ２と、半導体薄膜に第２の基板を接触させる工程Ｓ３と、半導体薄膜に第２の基板を押し付け、または半導体薄膜が溶融する強度を有するレーザ光を半導体薄膜に照射する工程Ｓ４と、第１の基板を半導体薄膜から引き離す工程Ｓ５とを備える。 （もっと読む）

【課題】管理コストを低減し、さらに、製造工程を削減して製造原価のコストダウンを図ることの可能な半導体デバイス及び薄膜トランジスタ、並びに、それらの製造方法の提案を目的とする。
【解決手段】所定の材料からなり、活性層４１となる半導体と、所定の材料と同じ組成の材料からなり、ソース電極５１、ドレイン電極５３及び画素電極５５の少なくとも一つとなる導電体とを備えた薄膜トランジスタ２の製造方法であって、非晶質の所定の材料からなる被処理体及び導電体（ソース電極５１、ソース配線５２、ドレイン電極５３、ドレイン配線５４及び画素電極５５）を一括成膜し、さらに一括形成する工程と、形成された被処理体を結晶化させて活性層４１とする工程とを有する方法としてある。 （もっと読む）

【課題】特性の優れた半導体膜を簡便に得ることができる微結晶半導体膜の結晶化方法と、これを応用した薄膜トランジスタ、半導体装置、及び薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタは、基板１上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３を介してゲート電極２の対面に形成され、ソース領域となる第１非晶質領域４１、ドレイン領域となる第２非晶質領域４２、及び第１非晶質領域４１と第２非晶質領域４２との間に配置されたチャネル領域となる結晶性領域４３を有する半導体膜４と、半導体膜４上に結晶性領域４３と直接接触することなく形成され、ソース領域及びドレイン領域とそれぞれ電気的に接続されたソース電極８１及びドレイン電極８２と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜の結晶の不均一性を緩和し、薄膜トランジスタの動作特性を向上させることが可能な半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】
基板１０上に非晶質シリコン膜１５Ａおよび光熱変換層１６をこの順に形成する。光熱変換層１６を介して非晶質シリコン膜１５Ａに第１ビームＬ１を照射することにより非晶質シリコン膜１５Ａに高温過熱領域１１を形成する。同時に、第２ビームＬ２を照射することにより高温過熱領域１１の走査方向の前後に低温過熱領域１２（昇温領域１２Ａおよび徐冷領域１２Ｂ）を形成する。非晶質シリコン１５Ａでは、第１レーザＬ１の照射により結晶成長が始まり、第２レーザＬ２の照射により昇温、徐冷されるため、非晶質シリコン１５Ａの結晶化が緩やかに進行し、結晶粒径の不均一性が緩和される。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡略化しつつソース電極及びドレイン電極の導電性を向上させた薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、基板１０１上にゲート電極１０３を形成する工程と、ゲート電極１０３上にゲート絶縁層１０４を形成する工程と、ゲート絶縁層１０４上にアモルファスシリコン層１０５を形成する工程と、アモルファスシリコン層１０５上にアルミニウム層１１１を形成し、アルミニウム層１１１上にモリブデンタングステン層１１２を形成し、アルミニウム層１１１及びモリブデンタングステン層１１２を少なくとも含む積層体から構成されるソース電極１０９及びドレイン電極１１０を形成する工程と、ソース電極１０９及びドレイン電極１１０をマスクとしアモルファスシリコン層１０５にレーザを照射することでアモルファスシリコン層１０５の一部を結晶化させチャネル領域を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】高性能なフレキシブル半導体装置を提供すること。
【解決手段】金属箔から成る支持層、支持層の上に形成された半導体構造部、および半導体構造部の上に形成された樹脂フィルムを有して成るフレキシブル半導体装置。かかるフレキシブル半導体装置では、樹脂フィルムには開口部が形成されており、その開口部に半導体構造部の表面と接触する導電部材が形成されており、半導体構造部が半導体層および半導体層の表面に形成された絶縁層を有して成る。 （もっと読む）

【課題】近接配置される半導体膜の一方のみを精度良く選択的に結晶化することができ、アモルファスＴＦＴと微結晶シリコンＴＦＴを同じ透明絶縁性基板上に同時に形成することや、非晶質シリコンと微結晶シリコンが一つの半導体層内で混在したＴＦＴを得ることが可能となる。
【解決手段】本発明の非晶質半導体膜の結晶化方法においては、透明絶縁性基板上にゲート電極と、ゲート絶縁膜と、非晶質半導体膜と、透光性絶縁膜を順次形成する工程と、開口を有したメタル膜をこの透光性絶縁膜上にパターニング形成する工程と、メタル膜を遮光マスクとして機能させてレーザーを照射することにより、開口により露出する領域においてのみ非晶質半導体膜を結晶性半導体膜に変換するレーザーアニール工程とを備えるものである。 （もっと読む）

【課題】レーザアニールによる結晶化を利用した半導体薄膜の形成において、その結晶化度を従来よりも高精度に評価することが可能な半導体薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ｐ−Ｓｉ膜２３の結晶化度の検査処理の際に、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０へ向けて照射光Ｌoutを照射し、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０の透過画像を取得する。画像処理用コンピュータ１５において、ｐ−Ｓｉ膜２３（結晶化領域５１）の透過輝度とａ−Ｓｉ膜２３０（未結晶化領域５０）の透過輝度との透過コントラストを求める。この際、予め形成された基準マーク６を用いて、結晶化領域５１内および未結晶化領域５０内におけるコントラスト算出用領域６０，６１を特定し、これらのコントラスト算出用領域６０，６１を用いて透過コントラストを求める。そして、求めた透過コントラストに基づいて、ｐ−Ｓｉ膜２３に対する選別を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の表面に優れた光閉じ込め効果を有する凹凸形状を形成して光電変換素子の感度を向上させる。
【解決手段】多結晶半導体膜１０は、基板１上に形成されており、ラテラル結晶を含む。多結晶半導体膜の表面に自己組織化的に形成されたテクスチャ構造を有し、その表面の二乗平均粗さが４ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アニール処理後の結晶化の状態について、非接触で精度よく、しかも効率的に、評価を行えるようにする。
【解決手段】アニール処理後の半導体層を有する多層構造体２１０を搭載するステージ２０１と、前記半導体層に対して光を照射する光源２０２と、前記光源２０２による光の照射によって得られるラマン散乱光を受光する受光部２０５と、前記受光部２０５が受光した前記ラマン散乱光を用いて前記半導体層の結晶化度を検査する検査部２０７とを備えた半導体検査装置２００において、前記検査部２０７は、前記ラマン散乱光のラマンスペクトルによって特定される領域を波数についての所定閾値で領域分割する領域分割部と、前記領域分割をする前の領域全体と前記領域分割をした後の前記所定閾値を超える領域部分との面積比を算出し、その算出結果を前記半導体層の結晶化度とする結晶化度算出部とを備える。 （もっと読む）

【課題】均一性の極めて高いアニール処理結果を実現しつつ、その場合であっても生産性が損なわれてしまうことなく高スループット化を実現できるようにする。
【解決手段】基板上に少なくとも非晶質シリコン膜１４と光吸収層１６とが積層されてなる多層構造体に対して、前記光吸収層１６の側から光を照射して当該光による局所加熱を行い、前記非晶質シリコン膜１４を微結晶シリコン膜または多結晶シリコン膜に改質するアニール処理工程を備え、前記アニール処理工程では、前記局所加熱にあたり同一走査ライン上に複数の光ビームを配置するとともに、前記光吸収層１６の熱伝導率をｋ、密度をρ、比熱をｃ、走査すべきライン長／走査速度をｔｐとした場合に、前記複数の光ビームを少なくとも間隔Ｌ＝２×｛ｋ・ｔｐ／（ρ・ｃ）｝^1/2だけ隔てて配置する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおけるオン電流の向上とリーク電流の低減を図る。
【解決手段】微結晶シリコン領域５１の両端側が非晶質シリコン領域５２となっている半導体膜５ｂを備えるスイッチトランジスタ５において、チャネル保護膜５ｄが、半導体膜５ｂにおける微結晶シリコン領域５１を覆いつつ、そのチャネル保護膜５ｄの両端側で、微結晶シリコン領域５１側の非晶質シリコン領域５２の一部を覆い、また、ソース・ドレイン領域となる不純物半導体膜５ｆ，５ｇが、微結晶シリコン領域５１と直接接触せず、半導体膜５ｂにおける非晶質シリコン領域５２と接することで、ドレイン電極５ｈとソース電極５ｉとが不純物半導体膜５ｆ，５ｇを介して半導体膜５ｂと電気的に接続することで、微結晶シリコンに起因するホールエレクトロンペアの発生を抑えて、リーク電流の低減を図った。 （もっと読む）

【課題】より均質な強度分布を有するレーザビームを安定して照射可能な照射装置を提供する。
【解決手段】レーザ光源１１と、レーザ光源１１からの射出レーザ光をＰ偏光（第１の直線偏光）とＳ偏光（第２の直線偏光）とに分離する偏光ビームスプリッタ１３（偏光分離手段）と、第１もしくは第２の直線偏光を複数の光束に分割するシリンドリカルレンズアレイ対１４（光束分割手段）と、光束を右旋回円偏光に変換する第１の１／４波長板１５Ａと、光束を左旋回円偏光に変換する第２の１／４波長板１５Ｂとが光軸Ｚと直交するＸ軸方向（第１の方向）において交互に配列されてなる１／４波長板アレイ１５と、右旋回円偏光および左旋回円偏光を集光し、表面３Ｓ（被照射面）へ向けて照射するコンデンサレンズ１６（投影光学系）とを備える。 （もっと読む）

【課題】
信頼性試験中に、キャリアが界面準位にトラップされることによって生じる電気的特性の変動を抑制することができる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタのゲート絶縁膜５０に含まれる酸化シリコン膜４０、チャネル層６１となるシリコン膜６０、ソース／ドレイン層８１ａ、８１ｂを形成するときのエッチングストッパ層７１となる酸化シリコン膜７０を、大気に晒すことなく連続して成膜する。このように、酸化シリコン膜４０、シリコン膜６０および酸化シリコン膜７０を大気に晒すことなく連続して成膜するので、製造プロセス時にそれらの界面に付着する不純物が少なくなり、界面準位の密度が低くなる。このため、信頼性試験中に、キャリアが界面準位にトラップされることによって生じる固定電荷が少なくなる。 （もっと読む）

【課題】ａ−Ｓｉプロセスと、ポリ−Ｓｉプロセスとを組み合わせることが可能なプロセスを提供することである。
【解決手段】プロセス８００は、アモルファスシリコン又はアモルファスシリコンに適合可能なプロセスを用いて、ディスプレイパネル用のポリ−最終構造を形成する（ブロック８１０）。ポリ−最終構造は、チャネルシリコン前駆体を有する。次に、プロセス８００は、ポリシリコン固有のプロセスを用いて、ポリ−最終構造からディスプレイパネルを形成する（ブロック８２０）。 （もっと読む）

【課題】強度測定器具の間の誤差やレーザ光学系の熱的不安定さに起因して生じるレーザ光学系の照射ビーム間の強度の偏差等を吸収して、均一性の極めて高いアニール処理結果を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置を構成する半導体層１４について、非晶質シリコン膜を微結晶シリコン膜または多結晶シリコン膜に改質する結晶化にあたり、当該結晶化を行うためのアニール処理工程として、プレアニール処理およびアニール処理といった、複数回のアニール処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタを形成する領域のみ、アモルファスシリコン薄膜を結晶化させることができるレーザー結晶化法を提供する。
【解決手段】 基板１上に成膜したアモルファスシリコン薄膜２にレーザー光を照射して結晶化する結晶化法であって、アモルファスシリコン薄膜２の所望の局所領域に吸収剤層３を印刷する吸収剤印刷工程と、吸収剤層３への吸収があってアモルファスシリコン薄膜２への吸収が無い波長を有する半導体レーザー光Ｌを、前記局所領域を含むアモルファスシリコン薄膜４に向けて照射し、吸収剤層３を加熱することにより、アモルファスシリコン薄膜２の前記局所領域を結晶化させるレーザーアニール工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】結像レンズがレーザー光を吸収して熱膨張することによる焦点位置の位置ずれを補正する。
【解決手段】基板の高さ変化量を換算して求めた結像レンズの位置ずれ量と、レーザー光の照射積算時間に基づいて求めた結像レンズの焦点の位置ずれ量とを加算して、結像レンズの熱膨張によるビーム集光位置の変動を補正するための補正移動量を算出し、この補正移動量を用いて結像レンズ移動部を駆動して結像レンズを移動することによって焦点位置の位置ずれを補正する。 （もっと読む）