【課題】製造工程を増やすことなく、光取り出し効率の向上を図ることが可能な半導体発光素子およびウエハを提供する。
【解決手段】単結晶基板に化合物半導体層３を積層し、単結晶基板を分割して個片化することで形成された半導体発光素子１において、分割された単結晶基板である個片基板２の側面２１〜２４は、単結晶基板における結晶構造の劈開面とは異なる面となるように、個片基板２の基準とした側面２１を、（1−１００）面に対して１５°の角度を成すように形成されている。 （もっと読む）

【課題】炭化シリコンのみからなる自立型で、欠陥が少なく結晶性に優れた立方晶系単結晶炭化シリコン基板を作製する。
【解決手段】シリコン基板２と埋め込み絶縁膜３と表面シリコン膜４とからなるＳＯＩ基板１を製造開始時に準備された材料として、表面シリコン膜４を炭化処理して単結晶炭化シリコン膜５に変成し、単結晶炭化シリコン膜５の上にエピタキシャル成長法により単結晶炭化シリコン膜６を形成し、単結晶炭化シリコン膜６の上に気相成長法により非晶質炭化シリコン膜７を形成し、シリコン基板２と埋め込み絶縁膜３を除去し、基板を加熱して非晶質炭化シリコン膜７を単結晶化し、単結晶炭化シリコン膜５，６と非晶質炭化シリコン膜７を単結晶化して生成した単結晶炭化シリコン膜とからなる積層構造を立方晶系単結晶炭化シリコン基板とする。 （もっと読む）

【課題】欠陥が少なく結晶性に優れた単結晶炭化シリコン膜を表面に有する自立型の複層構造炭化シリコン基板を作製する。
【解決手段】シリコン基板２と埋め込み絶縁膜３と表面シリコン膜４とからなるＳＯＩ基板１を製造開始時に準備された材料として、表面シリコン膜４を炭化処理して単結晶炭化シリコン膜５に変成し、単結晶炭化シリコン膜５の上にエピタキシャル成長法により単結晶炭化シリコン膜６を形成し、単結晶炭化シリコン膜６の上に気相成長法により多結晶炭化シリコン膜或いは非晶質炭化シリコン膜７を形成し、シリコン基板２と埋め込み絶縁膜３とを除去して、単結晶炭化シリコン膜５，６と多結晶炭化シリコン膜或いは非晶質炭化シリコン膜７とからなる積層構造を複層構造炭化シリコン基板とする。 （もっと読む）

【課題】比較的簡便な手法によって低転位のＡｌＮ系III族窒化物厚膜を得ることができる方法を提供する。
【解決手段】所定の基材上にＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮ系III族窒化物成長下地層が形成されてなるエピタキシャル基板の上に、ＨＶＰＥ法によってＡｌＮ系III族窒化物厚膜をエピタキシャル形成する場合に、ＭＯＣＶＤ法における加熱温度よりも高い温度で該エピタキシャル基板を加熱処理した上で、厚膜層の形成を行うようにすることで、厚膜層の低転位化を実現することができる。すなわち、ＨＶＰＥ法を用いた厚膜成長に先立って、加熱処理という比較的簡便な処理を施すだけで、ＨＶＰＥ法による成長に際して特別の構成を有する装置を用いたり、あるいは成長条件に特段の限定を加えたりしなくとも、低転位のＡｌＮ系III族窒化物からなる厚膜層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板の製造方法及びＳｉＣ基板並びに半導体装置において、マイクロパイプだけでなく基底面内転位及び積層欠陥も低減すること。
【解決手段】マイクロパイプを有するＳｉＣ単結晶基板１上に、ＳｉＣエピタキシャル成長層２を化学的気相成長させるＳｉＣ基板の製造方法であって、ＳｉＣ単結晶基板１の表面近傍又はＳｉＣエピタキシャル成長層２の中間領域に、ブリスタリングが生じない条件で水素又は希ガス元素のイオン注入を行う工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】自立III-N層及びIII-N材料系の選択的に形成された後続層を備えるデバイスを効率的に提供または準備する。
【解決手段】 III-N層上にマスクを形成する方法において、複数のファセットからなる表面を持つIII-N層が提供される。マスク材料は一または複数のファセット上に選択的に成長させるが、全てのファセット上に成長させるものではない。詳細には、マスク材料の成長は、III-N層のエピタキシャル成長期間、（ｉ）第一のファセット型または第一のファセット群上の少なくとも一の別のIII-N層の選択的成長と、（ｉｉ）第二のファセット型または第二のファセット群上のマスク材料の選択的成長とが同時に進行するような条件の下で行われる。
【効果】厚い自立III-N層の製造が可能となる。さらに、独自の構造および層を有する半導体デバイスおよび部品が製造可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＧａとＮとを含む系半導体層の表面近くのリーク電流を低減することが可能な半導体の処理方法、半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、ＧａＮ系半導体層（２０）の表面にシリコンを含有する第１絶縁膜（２４）を形成する工程と、ＧａＮ系半導体層（２０）の表面に形成された第１絶縁膜（２４）を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体の処理方法、半導体装置およびその製造方法である。本発明によれば、ＧａＮ系半導体層の表面のＧａとＮの組成比を化学量論的組成比に近づけることができる。 （もっと読む）

【課題】幅広い材料選択が可能で生産性に優れた半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】膜成長用基板１の表面の一部の領域に導電体層２を形成する工程と、
膜成長用基板１の表面の一部の領域以外の領域から半導体をエピタキシャル成長させ、導電体層２を覆う半導体膜３を形成する工程と、
誘導加熱用コイル４での電磁誘導により導電体層２を発熱させることで、半導体膜３を膜成長用基板１から分離する工程とを含む、半導体膜３の製造方法。 （もっと読む）

【課題】窒化物系の半導体デバイスを低コストで製造可能な半導体基板を提供すること。
【解決手段】第１の基板２０上に設けられた窒化物系半導体結晶１０に水素イオンを注入して、低転位密度領域１２内に水素イオン注入層１３を形成する。窒化物系半導体結晶１０と第２の基板３０とを貼り合わせ、この状態で外部から衝撃を付与して水素イオン注入層１３に沿って窒化物系半導体結晶１０の低転位密度領域１２を分離して低転位密度領域１２の表層部１２ｂを第２の基板３０上に転写（剥離）する。このとき、低転位密度領域１２の下層部１２ａは第２の基板３０上には転写されずに第１の基板２０上に残存することとなる。低転位密度領域１２の表層部１２ｂが転写された第２の基板３０は本発明の製造方法で得られる半導体基板とされ、低転位密度領域１２の下層部１２ａが残存した状態の第１の基板２０は再度エピタキシャル成長用の基板として利用される。 （もっと読む）

【課題】 抵抗値の高いIII族窒化物半導体結晶、III族窒化物半導体基板、半導体装置およびIII族窒化物半導体結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】 ＧａＮ基板１のＦｅドープＧａＮ層１４は、遷移金属原子であるＦｅ原子が添加されたIII族窒化物半導体結晶であって、Ｇａ原子空孔密度が１×１０^１６ｃｍ^−３以下である。ＦｅドープＧａＮ層１４のＦｅ原子の密度は、５×１０^１７ｃｍ^−３〜１０^２０ｃｍ^−３である。また、ＦｅドープＧａＮ層１４のＦｅ原子の密度は、ＦｅドープＧａＮ層１４中の酸素原子およびシリコン原子の合計の密度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に汚染物質が付着することを抑えトランジスタの特性を劣化させることなく製造することができる半導体基板の製造方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板４１の製造方法は、シリコン基板１１上におけるＳＯＩ素子形成領域１３のみに、シリコンバッファ層１８及びシリコンゲルマニウム層１５が成長する条件でエピタキシャル成長させる。次に、シリコン基板１１上の全面にシリコン層１６を成長させる。そのあと、シリコンゲルマニウム層１５に代えて埋め込み絶縁層３１を埋め込む。これにより、引き続く工程において、シリコン基板１１上に汚染の原因であるシリコンゲルマニウム層１５が残ることを少なくすることができ、処理を行う炉の中にゲルマニウムが広がることを抑えることが可能となる。 （もっと読む）

本発明は、水素化シリコンゲルマニウム化合物、それらの合成法、それらの成膜法、およびそれらの化合物を用いて作製された半導体構造を提供する。これらの化合物は、式：ＳｉＨｎ１（ＧｅＨｎ２）ｙによって定義される。式中、ｙは２，３または４であり；ｎ１は、０，１，２または３であって原子価を満たし；ｎ２は、化合物中の各Ｇｅ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たす。
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本発明は、新規水素化シリコンゲルマニウム化合物、それらの合成法、それらの成膜法、およびそれらの新規化合物を用いて作製された半導体構造を提供する。これらの化合物は、式：（ＳｉＨｎ１）ｘ（ＧｅＨｎ２）ｙによって定義される。式中、ｘは２，３または４であり；ｙは１，２または３であり；ｘ＋ｙは３，４または５であり；ｎ１は、化合物中の各Ｓｉ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たし；ｎ２は、化合物中の各Ｇｅ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たし；但し、ｙが１のとき、ｎ２は０ではなく；さらに、ｘが３、かつ、ｙが１のとき、ｎ２は２または３であり；さらに、ｘが２、かつ、ｙが１のとき、ｎ２は３である。
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【課題】基板上にエピタキシャル層を成長させる際、新たな保護膜の形成や除去の工程を必要とすることなく、清浄で鏡面のオリエンテーションフラットを維持することを可能とする。
【解決手段】半導体エピタキシャルウェハは、劈開により形成されたオリエンテーションフラット２を有する基板１と、該基板１上に形成された半導体のエピタキシャル層とからなり、前記基板１のオリエンテーションフラット２の両端２ａが、前記基板内側へ所定距離入った領域まで被覆部材１５で覆い隠された状態で前記基板１上にエピタキシャル層が形成され、前記被覆部材１５を前記基板１から取り除いた状態で前記エピタキシャル層が形成されていない未成長部が前記オリエンテーションフラット２の両端２ａに存在する。 （もっと読む）

【課題】 従来の２つのバッファ層を持つＡｌＮ系超格子バッファ層を持つ窒化物半導体素子においては、シリコン基板上に、表面が平滑で、しかも、クラックのない窒化物半導体を得ることは困難であった。
【解決手段】 Ａｌ_xＧａ_1-xＮから成る第１のバッファ層のＡｌ組成ｘおよびＡｌ_yＧａ_1-yＮから成る第２のバッファ層のＡｌ組成ｙを厳密に規定することにより、形成される窒化物半導体の表面の平坦性およびクラック発生の防止を両立する最適な条件を明らかにした。第１のバッファ層と第２のバッファ層との界面が平滑で、しかも、結晶性の良いＡｌＮ系超格子バッファ層を作製することができる。窒化物半導体を使用した信頼性の高い電子デバイス・光デバイス等を作成することができる。 （もっと読む）

半導体ウェハ（１）を横方向に分断する本発明の方法では、成長基板（２）を準備し、この成長基板（２）に半導体層列（３）をエピタキシ成長させる。ここではこの半導体層列には、分離層（４）として設けられた層と、成長の方向に見てこの分離層に続く少なくとも１つの機能半導体層（５）とが含まれている。引き続いてこの機能半導体層（５）を通して分離層（４）にイオン打ち込み、半導体層をこの分離層（４）に沿って分断し、上記の成長基板（２）を含む半導体ウェハ（１）の部分（１ａ）が切り離される。
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【課題】簡便な方法によってＡｌＮを含むＡｌＮ系III族窒化物の自立した状態の単結晶を作製する方法を提供する。
【解決手段】サファイア基材１の上にＡｌＮの成長下地層２を形成した下地基板３の上に、第１中間層４を形成したうえで、さらにＡｌＮ単結晶層７をＨＶＰＥ法によって形成し、積層体１０を得る。ここで、第１中間層４は単結晶層７よりも分解温度の低い物質、好ましくはＡｌＧａＮなどのIII族窒化物により形成される。この積層体１０を第１中間層４の分解温度よりも高く単結晶層７の分解温度よりも低い温度、例えば１６５０℃に加熱すると、第１中間層４が分解消失し、主としてＡｌＮ単結晶層７の部分からなる自立した状態のＡｌＮ系III族窒化物単結晶７ａを得ることが出来る。 （もっと読む）

本発明は、成長基板（２）と半導体層列（３）を含んでいる半導体ウエハの横方向切断のための方法に関している。この方法は成長基板（２）を設けるステップと、前記成長基板（２）において機能性半導体層（５）を含んだ半導体層列（３）をエピタキシャル成長させるステップと、マスキング領域（１１）と非マスキング領域（１２）の作成のために前記半導体層列（３）の部分領域にマスク層（１０）を被着させるステップと、半導体ウエハ（１）におけるイオン打込み領域（１３）作成のために非マスキング領域（１２）を通してイオンを打ち込むステップと、前記イオン打込み領域（１３）に沿って半導体ウエハ（１）を切断するステップとを有し、前記成長基板（２）又は少なくともその一部が半導体ウエハから分離されるようにしたことを特徴とする。
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【課題】 素子の抵抗が小さく、動作電圧の高い窒化物半導体を提供する。
【解決手段】 本発明による窒化物半導体は、導電性ＳｉＣ基板上に不純物濃度の高い窒化物半導体層と不純物濃度の低い窒化物半導体層を順次形成し、導電性ＳｉＣ基板の裏面にオーミック電極を形成することを特徴としている。例えば、導電性ＳｉＣ基板の表面上に不純物濃度の高い導電性のｎ^＋型ＡｌＧａＮ層（Ａｌ組成＞０）と、不純物濃度の低いＡｌＢＧａＮ層（Ａｌ組成≧０、Ｂ組成≧０）を順次形成し、導電性ＳｉＣ基板の裏面にオーミック電極を形成する。これによって、クラックを生じることなく、１００ｎｍ以上の厚いＡｌＢＧａＮ層を形成することができ、素子の抵抗を抑えつつ、降伏電圧の高い窒化物半導体を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも結晶品質の優れたIII族窒化物結晶およびその形成方法を提供する。
【解決手段】所定の基材に第１のIII族窒化物結晶を成長下地層２としてエピタキシャル形成してなる下地基板に対して、１２５０℃以上の所定の温度で熱処理を行う。これにより、成長下地層２の表面には、島状結晶２Ｉによる三次元的な微細な凹凸形状が形成される。係る下地基板の上に、結晶層４として、第２のIII族窒化物をエピタキシャル形成する。結晶層４と下地基板３との界面には多数の微細な空隙５を介在することになるが、該空隙５の存在により、下地基板３からの転位の伝搬が抑制されるので、結晶層４の転位密度は低下する。結果的に、良好な結晶品質の結晶層４を得ることが出来る。 （もっと読む）