【課題】耐圧性が高く反りが小さい半導体電子デバイスを提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成された、前記基板よりも格子定数が小さく熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる第一半導体層と該第一半導体層よりも格子定数が小さく前記基板よりも熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる第二半導体層とが交互に積層した２層以上の複合層を有するバッファ層と、前記基板と前記バッファ層との間に形成された、前記第一半導体層よりも格子定数が小さく前記基板よりも熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる介在層と、前記バッファ層上に形成された、窒化物系化合物半導体からなる半導体動作層と、を備え、前記バッファ層において、前記第一半導体層の層厚が不均一であるとともに、該第一半導体層のうち少なくとも一つが、前記基板に対して発生させる反りの方向が反転する臨界厚さよりも厚い層厚を有する。 （もっと読む）

【課題】カーボンの供給を抑えた反応室内条件下でのエピタキシャル成長用基板として好適な炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】カーボンの供給を抑えた反応室１内条件下、炭化珪素基板４をアルゴン雰囲気下にてエピタキシャル成長温度まで昇温させて基板４の表面をアルゴン処理し、エピタキシャル成長温度に到達した段階で昇温のための加熱およびアルゴンガス供給を停止する炭化珪素エピタキシャル用基板４の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電子素子等のデバイスを実装するには、炭化珪素基板の高周波損失が大きく、実際には電子素子を炭化珪素基板に実装できなかった。
【解決手段】２０ＧＨｚにおける高周波損失が２．０ｄＢ／ｍｍ以下の炭化珪素基板であれば、電子素子を実装して十分に動作させることができることを見出し、２．０ｄＢ／ｍｍ以上の高周波損失特性を有する炭化珪素基板を２０００℃以上で加熱する。この熱処理により２０ＧＨｚにおける高周波損失を２．０ｄＢ／ｍｍ以下にすることができた。また、ヒーターに窒素を流さないで、ＣＶＤにより炭化珪素基板を作製することによって高周波損失を２．０ｄＢ／ｍｍ以下にすることができた。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素半導体装置のｐベースオーミックコンタクトは、高濃度イオン注入により形成されるｐ＋＋層と金属電極とで構成される。高濃度イオン注入を室温で行うと、ｐ＋＋層の結晶が著しく劣化しプロセス不良の原因となるため、高温中で注入を行う方法が用いられる。デバイスのスイッチング損失等の観点から、ｐベースオーミックコンタクト抵抗率はより低いことが望ましい。公知技術では、イオン注入温度と、オーミックコンタクト抵抗率及びプロセス不良に関する、詳細な関係については言及されていない。
【解決手段】上記イオン注入工程に於いて、炭化珪素ウェハの温度を１７５〜３００℃、望ましくは１７５〜２００℃に保持しておく。１７５〜３００℃でのイオン注入により形成されるｐ＋＋領域を用いたｐベースオーミックコンタクト抵抗率は、３００℃を超える温度でイオン注入した場合よりも低くなる。又、プロセス不良も発生しない。 （もっと読む）

接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）などの半導体素子を製造する方法が記載される。方法は、自己整合であり、素子のゲート又はソース／ドレイン領域を形成するために、再成長マスク物質を用いた、選択的エピタキシャル成長に関する。方法は、イオン注入の必要性を除去する。素子は、ＳｉＣなどのワイドギャップ半導体物質から形成される。再成長マスク物質は、ＴａＣである。素子は、放射線及び／または高温にさらされることを含む過酷な環境において使用される。 （もっと読む）

【課題】バッファ層上の窒化物系III−Ｖ族化合物半導体の転位密度が小さくて優れた電気的特性を有する窒化物系III−Ｖ族化合物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】SiC基板７１上にAlNのバッファ層７２を形成した後、AlNのバッファ層７２上にGaN層を成長させる。続いて、AlNのバッファ層７２と上記GaN層の界面近傍に、Gaイオンを打ち込んで、AlNのバッファ層７２と上記GaN層の界面付近にアモルファスの層７４を形成する。その後、基板温度を800℃まで上げてアモルファスの層７４の上の上記GaN層を再結晶化して、転位が少ないGaN層７５層を形成する。 （もっと読む）

【課題】特別な基板を用いなくても結晶欠陥がほとんど無い単結晶薄膜を有する基板を容易に製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、ドナー基板とハンドル基板を準備する工程Ａと、前記ドナー基板上に単結晶層を積層成長させる工程Ｂと、前記単結晶層が形成されたドナー基板の単結晶層中にイオン注入してイオン注入層を形成する工程Ｃと、前記イオン注入されたドナー基板の単結晶層の表面と前記ハンドル基板の表面を貼り合わせる工程Ｄと、前記貼り合わせられたドナー基板の前記単結晶層中のイオン注入層で剥離する工程Ｅとにより前記ハンドル基板上に単結晶薄膜を形成し、少なくとも、前記単結晶薄膜が形成されたハンドル基板をドナー基板として前記Ａ〜Ｅの工程を繰り返すことを特徴とする単結晶薄膜を有する基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

本発明は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（式中、０≦ｘ≦３）の組成を有する窒化物の無亀裂単結晶質層（５）を、該層中に引張応力を発生しそうな基材（１）上に形成する方法に関し、該方法は、ａ）該基材（１）上に核形成層（２）を形成する工程、ｂ）該核形成層（２）上に単結晶質中間層（３）を形成する工程、ｃ）該中間層（３）上に単結晶質種層（４）を形成する工程、ｄ）該種層（４）上にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ窒化物の単結晶質層（５）を形成する工程を含んでなる。この方法の特徴は、−中間層（３）の材料がアルミニウムおよびガリウム窒化物であり、−種層（４）の材料が、ホウ素含有量が０〜１０％であるＡｌＢＮ化合物であり、−種層（４）の厚さと中間層（３）の厚さとの比が０．０５〜１であり、−種層（４）を形成する温度が、該無亀裂単結晶質Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ窒化物層（５）を形成する温度より５０〜１５０℃高いことである。
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【課題】イオン注入剥離法によって剥離した剥離面近傍のイオン注入層に存在するイオン注入欠陥層を効率的に除去し、かつ基板間・基板面内の膜厚均一性を取ることができ、またハンドルウェーハに低融点材料を用いたＳＯＩ基板にも適用することのできるＳＯＩ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】水素イオン又は希ガスイオンあるいはこれらの両方を注入してイオン注入層が形成されたシリコンウェーハとハンドルウェーハが貼り合わされた貼り合わせ基板を準備する工程と、前記イオン注入層に沿って剥離を行うことで、前記シリコンウェーハを前記ハンドルウェーハに転写する工程と、前記転写したシリコンウェーハの剥離した表面に、パルス状のレーザーを照射することによってアニールする工程とを有することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】性能を確保しながらコストを低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】貫通穴２が形成された基板１上にＡｌＮ層３、ＧａＮ層４、ｉ−ＡｌＧａＮ層５、ｎ−ＡｌＧａＮ層６及びｎ−ＧａＮ層７を形成する。更に、ソース電極９ｓ、ドレイン電極９ｄ及びゲート電極９ｇを形成し、半導体素子を形成する。その後、ＨＦ溶液中において、貫通穴２に向けて紫外線を照射することにより、ＡｌＮ層３を基板１から分離する。その後、ＡｌＮ層３を除去し、ＧａＮ層４の裏面に絶縁性の基板を貼り合わせる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体デバイスの結晶成長用に適した、欠陥密度の小さい高品質のＧａＮ系結晶膜連続膜を備えた結晶基板を得る。
【解決手段】ＧａＮ系半導体デバイス形成用基板として用いる結晶基板において、表面がＣ面のサファイア基板１０１と、該サファイア基板１０１上に形成されたＧａＮバッファ層１０２と、該ＧａＮバッファ層１０２上に形成されたエピタキシャル成長ＧａＮ層１０３と、該エピタキシャル成長層１０３上に形成された、複数の開口部１０５を有するＳｉＯ₂膜１０４と、該ＳｉＯ₂膜１０４の開口部１０５にＧａＮ系化合物の選択再結晶化により形成された複数の島状ＧａＮ系結晶１１と、該島状ＧａＮ系結晶１１を核とするＧａＮ系結晶の成長により形成されたＧａＮ系結晶連続膜１２とを備えた。 （もっと読む）

一又は複数のナノ構造の作成方法が開示されており、当該方法は：基板の上部表面上に導電層を形成すること；導電層上に触媒のパターン層を形成すること；触媒層上に一又は複数のナノ構造を成長させること；及び一又は複数のナノ構造の間及び周囲の導電層を選択的に除去することを含んでなる。デバイスもまた開示されており、該デバイスは、基板、ここで基板は一又は複数の絶縁領域によって隔てられた一又は複数の露出金属島を含んでなる；一又は複数の露出金属島又は絶縁領域の少なくともいくつかを覆う基板上に配された導電性補助層；導電性補助層上に配された触媒層；及び触媒層上に配された一又は複数のナノ構造を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】所望の位置に不純物領域を精度よく形成することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ショットキーバリアダイオードの製造方法は、ｎ型ＳｉＣ層１０を形成する工程と、ｎ型ＳｉＣ層１０の表面にトレンチ３０を形成する工程と、トレンチ３０を形成する工程の後で、ｎ型ＳｉＣ層１０の表面にケイ素と窒素とを供給した状態でｎ型ＳｉＣ層１０を熱処理する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】元となる単結晶ＳｉＣ基板の結晶多形の如何にかかわらず、その表面を４Ｈ−ＳｉＣ単結晶に改質することが可能な気相技術を提供する。
【解決手段】結晶多形が３Ｃ、４Ｈ、又は６Ｈの何れかよりなる単結晶ＳｉＣ基板５を高真空環境において加熱して、当該単結晶ＳｉＣ基板の表面に炭化層５ａを形成させる。次に、炭素ゲッター効果を有する嵌合容器に前記単結晶ＳｉＣ基板を収容し、前記嵌合容器の内部をシリコンの飽和蒸気圧下かつ高温真空下とし、更に前記嵌合容器の内部圧力が外部圧力よりも高くなる状態を維持しながら加熱することで、前記炭化層５ａをシリコンと反応させてアモルファスＳｉＣ層５ｂを生成させる。また、前記嵌合容器に前記単結晶ＳｉＣ基板を収容した状態で上記と同様の条件で加熱することで、前記犠牲成長層のアモルファスＳｉＣの少なくとも一部を再結晶させて単結晶４Ｈ−ＳｉＣ層５ｃを生成させる。 （もっと読む）

【課題】ステップバンチングにより劣化し得るＳｉＣ層の表面状態の改善と残留不純物濃度の抑制とを両立させることにより、特性の向上、特にキャリアの移動度の向上を達成しつつ、十分な信頼性を確保することが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置であるＭＯＳＦＥＴの製造方法は、オフ角が４°以下の｛０００１｝面４Ｈ−ＳｉＣ基板を準備する工程（Ｓ１０）と、ＳｉＣ基板上に、Ｃ／Ｓｉが１．２以上となる条件下で、ＳｉＣ層をエピタキシャル成長させる工程（Ｓ３０）と、ＳｉＣ層の主面上にファセットを形成する工程（Ｓ４０）と、当該主面を含むように、チャネル領域を形成する工程（Ｓ５０）〜（Ｓ６０）とを備え、チャネル領域を形成する工程（Ｓ５０）〜（Ｓ６０）では、上記ファセットがチャネル領域となるように、チャネル領域が形成される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板１にデバイスを形成するための第１のトレンチ２およびアライメントマークとして利用するための第２のトレンチ４を形成し、第１のトレンチ２内および第２のトレンチ４内にエピタキシャル層６を成長させた際にもアライメントマークとして利用することができるようにするＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１のトレンチ２の立体角が第２のトレンチ４の立体角より大きくなるように第１のトレンチ２および第２のトレンチを形成する。これにより、エピタキシャル層６を成長させた際に、第１のトレンチ２の底部の成長レートを第２のトレンチ４の底部の成長レートより大きくすることができる。このため、ＳｉＣ基板１の表面を平坦化した際に、第２のトレンチ４が形成されていた部分に表面が凹まされた凹部７が形成されている状態にすることができ、この凹部７をアライメントマークとして利用することができる。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素からなる基板上に欠陥密度の低減された活性層が形成された炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、面方位{０００１}に対しオフ角が５０°以上６５°以下である、炭化ケイ素からなる基板２と、バッファ層２１と、活性層（エピタキシャル層３、ｐ型層４、およびｎ+領域５、６）とを備える。バッファ層２１は、基板２上に形成され、炭化ケイ素からなる。活性層は、バッファ層２１上に形成され、炭化ケイ素からなる。活性層におけるマイクロパイプ密度は基板２におけるマイクロパイプ密度より低い。また、活性層における、バーガーズベクトルの向きが[０００１]である転位の密度は、基板２における当該転位の密度より高い。 （もっと読む）

【課題】チャネル移動度のような電気的特性の優れた炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、面方位｛０００１｝に対しオフ角が５０°以上６５°以下である、炭化ケイ素からなる基板２と、半導体層（図１のｐ型層４）と絶縁膜（図１の酸化膜８）とを備える。半導体層（ｐ型層４）は基板２上に形成され、炭化ケイ素からなる。絶縁膜（酸化膜８）は、半導体層（ｐ型層４）の表面に接触するように形成されている。半導体層と絶縁膜との界面（チャネル領域と酸化膜８との界面）から１０ｎｍ以内の領域における窒素原子濃度の最大値が１×１０²¹ｃｍ^-3以上である。 （もっと読む）

【課題】高品質な窒化物半導体単結晶基板を簡易な方法で製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、エピタキシャル成長によって形成された第１のＧａＮ層１２１および第２のＧａＮ層１４１を層内で分離し、分離したＧａＮ層のうち表面状態のよい成長最表面側の第２のＧａＮ層１４１を種結晶として新たなＧａＮ層をエピタキシャル成長によって形成するという簡易な方法によって高品質なＧａＮ単結晶基板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 反りが少なくクラックが発生しない半絶縁性の窒化物半導体結晶基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 下地基板の上に、幅或いは直径ｓが１０μｍ〜１００μｍであるドット被覆部或いはストライプ被覆部を間隔ｗが２５０μｍ〜２０００μｍであるように並べたマスクを形成し、ＨＶＰＥ法によって成長温度が１０４０℃〜１１５０℃であって、５／３族比ｂが１〜１０であるような３族、５族原料ガスと、鉄を含むガスとを供給することによって下地基板の上に窒化物半導体結晶を成長させ、下地基板を除去することによって、比抵抗が１×１０^５Ωｃｍ以上、厚みが１００μｍ以上、反りの曲率半径が３ｍ以上の自立した半絶縁性窒化物半導体基板を得、更にその基板を用いたデバイスの作製を得る。 （もっと読む）