本発明は、異種基板と、それを利用した窒化物系半導体素子及びその製造方法に関し、異種基板の無極性または半極性面に結晶成長モードを調節し、高品質の無極性または半極性窒化物層を形成するためのものである。無極性または半極性面のうち１つを有するベース基板を準備し、用意したベース基板の面に窒化物系結晶成長核層を形成する。結晶成長核層の上に第１バッファー層を成長させ、且つ、水平方向に比べて垂直方向にさらに速く成長させる。第１バッファー層上に水平成長層を成長させ、且つ、垂直方向に比べて水平方向にさらに速く成長させる。また、水平成長層上に第２バッファー層を成長させる。この際、第１バッファー層上の水平成長層と第２バッファー層との間に複数の孔を有する窒化シリコン層をさらに形成することができる。
（もっと読む）

【課題】良好な膜質であり所望の導電型や導電性に制御された炭化シリコン膜を低コストで効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化シリコン膜の製造方法は、不純物領域を有する炭化シリコン膜の製造方法である。表層にシリコン膜１６ａを有する基板１１のシリコン膜１６ａを炭化処理して、炭化された膜を含んだ炭化シリコン膜１３を形成する工程を有する。不純物領域になる部分のシリコン膜を炭化処理する前に、この部分に不純物を注入する。 （もっと読む）

【課題】成長温度が1050℃以下のAlGaNやGaNやGaInNだけでなく、成長温度が高い高Al組成のAl_xGa_1-xNにおいても結晶性の良いIII族窒化物半導体エピタキシャル基板、III族窒化物半導体素子、III族窒化物半導体自立基板およびこれらを製造するためのIII族窒化物半導体成長用基板、ならびに、これらを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面部分がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板と、前記表面部分上に形成されたスカンジウム窒化物膜とを具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エッチングが困難な炭化シリコン膜をエッチングすることなく、一つのチップに炭化シリコンのデバイスとシリコンのデバイスを容易に混載させ、かつ、炭化シリコンのデバイスとシリコンのデバイスが電気的に絶縁された構造とすることが可能な炭化シリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化シリコン膜１３の製造方法は、基板１１上に下地層１２を形成する工程と、下地層１２上にシリコン膜を形成する工程と、シリコン膜をパターニングするパターニング工程と、パターニング工程の後にシリコン膜を炭化処理し、炭化された膜を含んだ炭化シリコン膜１３を形成する工程と、炭化シリコン膜１３をマスクに用いて、マスクが形成されていない領域の下地層１２をエッチングする工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】過度に複雑な、成長後の加工処理(post growth processing)が最小限に抑えられ、第２のいっそう厚い層と比べて非常に異なる特性を有する薄いダイヤモンド層を有する構造体を合成することが可能となる方法を提供する。
【解決手段】互いに接触している少なくとも２つの層（２０，２２）であって、各々の層は広いバンドギャップの材料でできており、各々の層は少なくとも１つの性質が他の層と相違している前記少なくとも２つの層（２０，２２）を有する生成物を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】高品質な窒化物単結晶を生産することが可能な窒化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明に係る窒化物単結晶の製造方法は、異種基板１を準備する工程と、上記異種基板１上に窒化物単結晶膜３を形成する工程とを備える。上記異種基板１が前記窒化物単結晶膜３の成膜温度範囲内で昇華する材料からなり、上記窒化物単結晶膜３を形成する工程では、上記異種基板１の昇華温度以下の温度から成膜を開始し、その後、上記異種基板１の昇華温度以上の温度に成膜温度を上げる。窒化物単結晶膜３はＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮであり、異種基板１はＳｉＣであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】光の取り出し効率が高い半導体デバイスが得られる安価なＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板およびその製造方法ならびにＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板１は、ＩＩＩ族窒化物半導体層２０ａと、ＩＩＩ族窒化物半導体層２０ａと化学組成が異なる基礎基板１０と、が貼り合わせられた基板であって、ＩＩＩ族窒化物半導体層２０ａは、基礎基板１０と接合する主面２０ｎを有し主面２０ｎに平行な２次元方向に屈折率が周期的に変化するフォトニック結晶構造層２０ｐを含む。 （もっと読む）

【課題】低コストの立方晶炭化ケイ素（３Ｃ−ＳｉＣ）単結晶薄膜を得るための立方晶炭化ケイ素単結晶薄膜の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】立方晶炭化ケイ素単結晶薄膜の製造方法において、基板１０１の表面に犠牲層１０２を形成する第１の工程と、犠牲層の表面に少なくとも表面層が立方晶構造である立方晶半導体層１０３を形成する第２の工程と、立方晶半導体層の表面に立方晶炭化ケイ素単結晶層１０４を形成する第３の工程と、犠牲層をエッチング除去して、立方晶半導体層と立方晶炭化ケイ素単結晶層との積層体を剥離する第４の工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】成長温度が1050℃以下のAlGaNやGaNやGaInNだけでなく、成長温度が高い高Al組成のAl_xGa_1-xNにおいても結晶性の良いIII族窒化物半導体エピタキシャル基板、III族窒化物半導体素子、III族窒化物半導体自立基板およびこれらを製造するためのIII族窒化物半導体成長用基板、ならびに、これらを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面部分がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板と、前記表面部分上に形成されたスカンジウム窒化物膜とを具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、欠陥密度レベルの減少した、エピタキシーによる窒化ガリウム膜の製造に関する。それは、ＧａＮのエピタキシャル付着により窒化ガリウム（ＧａＮ）膜を製造するための方法に関する。
【解決手段】本発明は、それが少なくとも１ステップのエピタキシャル横方向成長を含んでなり、それがＧａＮ基板への直接的イオン注入による脆化でその基板からＧａＮ層の一部を分離させるステップを含んでなることで特徴付けられる。本発明は、上記方法で得られる膜、並びに該窒化ガリウム膜を備えた光電子および電子部品にも関する。 （もっと読む）

【課題】接合強度を十分に維持できると共に、短時間で分離することができる、貼り合わせ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】この貼り合わせ基板の製造方法は、III族窒化物半導体基板及び第１支持基板のうち少なくとも一方上に、表面粗さＲ_ｒｍｓが０．１〜１００００ｎｍの表面を有する第１緩衝膜を形成する工程と、第１緩衝膜を介して、第１支持基板にIII族窒化物半導体基板を貼り合わせる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】表層に到達する転位の密度を、簡便かつ効果的に低減することができるＧａＮ系化合物半導体基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０の主面上に形成される緩衝層２０と、緩衝層２０上に形成されるＧａＮ系半導体単結晶の活性層３０とを備え、基板１０の主面に平行な任意の方向に屈曲する屈曲転位が活性層３０内における緩衝層２０と活性層３０との界面近傍に存在することを特徴とするＧａＮ系半導体基板。 （もっと読む）

【課題】バッファ層を介した電極間のリーク電流を抑制した半導体素子を提供する。
【解決手段】本半導体素子は、基板１０に形成された第１のＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１４ａ及び第１のＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１４ａよりＡｌ組成Ｘの大きい第２のＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１４ｂが交互に積層して形成された超格子バッファ層１４を有する。そして、第１のＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１４ａ及び第２のＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１４ｂのＡｌ組成Ｘは共に０．３より大きく、かつ第１のＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１４ａ及び第２のＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１４ｂのＡｌ組成Ｘの差は０より大きく０．６より小さい。この構成によれば、バッファ層を介したリーク電流を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】積層欠陥及び貫通転位の密度が十分に低いダイヤモンド薄膜構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０１と、基板１０１の主方位面の一部を覆うマスク材１０２と、基板１０１の主方位面の表面からエピタキシャル成長するダイヤモンド薄膜１０３とで構成されるダイヤモンド薄膜構造であって、ダイヤモンド薄膜１０３は、マスク材１０２の上に形成され、ダイヤモンド薄膜１０３の結晶方位は基板１０１の結晶方位とそろっている。ダイヤモンド基板１０１に存在する貫通転位１０４ａは、マスク材１０２で覆われていない部分のダイヤモンド基板１０１の主方位面を介してダイヤモンド薄膜１０３まで貫通するが、貫通転位１０４ｂは、マスク材１０２によってダイヤモンド薄膜１０３への伝播が遮られるため、ダイヤモンド薄膜１０３の貫通転位密度は低下し、結晶性が向上する。 （もっと読む）

【課題】窒化物単結晶膜におけるクラックの発生を抑制する窒化物単結晶膜の製造方法、クラックの発生が抑制された窒化物単結晶基板、およびクラックの発生が抑制された窒化物単結晶膜を備えるテンプレート基板を提供する。
【解決手段】窒化物単結晶膜の製造方法は、（１１−２０）面からのオフ角が５°以下である下地基板１を準備する工程と、上記下地基板１の主表面上に窒化物単結晶膜３を形成する工程とを備える。前記下地基板１はＳｉＣまたはサファイアからなることが好ましく、また、前記窒化物単結晶膜３を形成する工程における成膜温度範囲は１７００℃以上２４００℃以下であることが好ましい。これにより、前記テンプレート基板４の窒化物単結晶膜３はクラックの密度が低く、また、前記テンプレート基板４から下地基板１を取り除いた窒化物単結晶基板についても同様に、クラックの密度が低くなる。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物半導体層を支持基板上に有する基板生産物を製造するために、異種基板同士を貼り合わせる工程を含む方法において、所望の半導体デバイスに適した基板を選択可能な方法を提供する。
【解決手段】窒化物系化合物半導体から成る第１の基板１０の表層と、窒化物系化合物半導体とは異なる材料から成る第２の基板２０の表面２０ａとを互いに接合させる。第１の基板１０のうち表層を含む部分を層状に残して他の部分を除去することにより、窒化物系化合物半導体層３０を第２の基板２０上に形成する。窒化物系化合物半導体層３０の表面３０ａと、窒化物系化合物半導体層３０及び第２の基板２０の双方と異なる材料から成る支持基板４０の表面４０ａとを互いに接合させたのち、第２の基板２０を窒化物系化合物半導体層３０から剥離させる。 （もっと読む）

【課題】第１の単結晶の基板から第２の基板へ、単結晶の薄層を移動する方法であって、層分割に必要とされる水素の注入量が低減された移動方法が実現される。
【解決手段】第１の単結晶の基板から第２の基板へ、単結晶の薄層を移動する方法は、水素のトラップを誘導するイオンを水素イオンと共注入すること、高温で水素を注入すること、またはこれらの組み合わせを実施し、次に、第１の基板の注入された層と残りの基板との結合を弱めるために熱処理を施し、さらに、注入された第１の基板と第２の基板との強力な接着を形成し、最後に、水素が充填された微小亀裂を形成、成長させることで単結晶の薄層が第１の基板の残りから分割するように別の熱処理を施すことを含む。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物半導体からなるＨＦＥＴの製造方法において、素子分離領域を容易に形成する方法を提供すること。
【解決手段】ｉ−ＡｌＧａＮ層１２表面側からレーザーを照射して、ＨＦＥＴとして動作させる素子領域を囲うようにして溝１５を形成する（図２（ｃ））。溝１５の深さは、ｉ−ＡｌＧａＮ層１２表面からｉ−ＧａＮ層１１に達する深さとする。この溝１５によってｉ−ＡｌＧａＮ層１２が取り除かれたため、この取り除かれた領域において２次元電子ガス層が消滅する。その結果、ＨＦＥＴとして動作させる素子領域は、溝１５による素子分離領域によって電気的に分離される。 （もっと読む）

本明細書では、界面汚染を低減した層の堆積方法を開示する。発明の方法は、有利には、堆積させた層間の汚染、例えば堆積させた層とその下にある基板または膜との間の界面の汚染を減少させる。幾つかの実施形態では、層の堆積方法は、第１の層が上に配置されたシリコン含有層を還元性雰囲気中でアニールすることと、アニールの後で、シリコン含有層を露出させるエッチングプロセスを使用して第１の層を除去することと、露出したシリコン含有層の上に第２の層を堆積させることとを含むことができる。
（もっと読む）

非極性または半極性の（Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ）Ｎ基板上の（Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ）Ｎ薄膜の成長形態を改良する方法であって、（Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ）Ｎ薄膜は、非極性または半極性の（Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ）Ｎ基板あるいはテンプレート上に直接成長させられ、成長の際に使用されるキャリアガスの一部は、不活性ガスから構成される。非極性または半極性の窒化物ＬＥＤおよびダイオードレーザは、本発明によって成長させられる平滑（Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ）Ｎ薄膜上に成長させられてもよい。
（もっと読む）