【課題】炭化珪素を基板とする半導体素子において、基板の欠陥密度に関わらず、炭化珪素エピタキシャル層の非極性面上において、電極/炭化珪素界面、あるいは酸化膜(絶縁膜)/炭化珪素界面の電気的特性と安定性を向上させる手段を提供する。
【解決手段】炭化珪素からなる半導体基板と、前記半導体基板上に形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極とを有する半導体素子。前記半導体基板表面の前記ゲート絶縁膜との接合面は、巨視的には非極性面に平行であり、かつ微視的には非極性面と極性面からなり、前記極性面ではSi面またはC面のいずれか一方の面が優勢である。炭化珪素からなる半導体基板と、前記半導体基板上に形成される電極とを有する半導体素子。前記半導体基板表面の前記電極との接合面は、巨視的には非極性面に平行であり、かつ微視的には非極性面と極性面からなり、前記極性面ではSi面またはC面のいずれか一方の面が優勢である。 （もっと読む）

【課題】
歪み層／歪み印加結晶層構造において、歪み印加結晶層構造より発生する結晶欠陥によ
る歪み層の結晶性劣化を低減し、かつ絶縁層上に歪み層／歪み印加結晶層構造を薄膜で形
成した基板の形成方法を提供する。
【解決手段】
Ｓｉ基板上の絶縁層と、別の半導体基板上のＳｉＧｅ層とを、半導体張り合わせ技術を
用いて接合し、ＳｉＧｅ層側の半導体基板を研磨等により除去する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素エピタキシャル層中の基底面転位を減らすことができる炭化珪素半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】デバイスが作り込まれる炭化珪素エピタキシャル層（ドリフト層）と炭化珪素単結晶ウエハからなる下地基板との間に、 炭化珪素単結晶ウエハ中の基底面転位がエピタキシャル成長層中に伝播する際に貫通刃状転位に変換される変換効率の高い層（転位変換層）を、エピタキシャル成長によって設ける。この転位変換層のドナー濃度をドリフト層のドナー濃度よりも低く設定することにより、ドリフト層が単層であるよりも、より多くの基底面転位を貫通刃状転位に変換することができる。 （もっと読む）

本発明は、電子工学、光学、光電子工学または光起電力工学用の、基板(10)と前記基板(10)の一方の面上に材料を堆積させることにより形成された層(20)とを含む構造体(1)の製造方法に関し、この方法は、前記基板(10)の面(1B)が堆積した材料の層(20)により覆われ、前記基板の他の面(1A)が露出している前記構造体(1)を形成するように、−一方で前記基板(10)を、他方で残りの部分を画定する脆化区域を含む脆化された基板を形成する工程、−前記脆化された基板の2つの面のそれぞれの上に前記材料の層を堆積させる工程、−前記脆化された基板をへき開する工程を含むことを特徴とする。
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【課題】ラマン分光法を用いた簡易な応力測定方法を見出し、これに基づいて、ＧａＮ活性層を有する化合物半導体基板において、バッファ層における応力を制御し、全体として応力フリーの化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】厚さ１００〜１０００μｍの六方晶ＳｉＣ、単結晶Ｓｉ、単結晶Ｓｉ上に立方晶ＳｉＣ層が形成されたもののうちのいずれかからなる台基板１上に、バッファ層２、厚さ０．５〜５μｍのＧａＮ活性層３を順次積層し、前記バッファ層２を、厚さ３〜２５０ｎｍのＡｌ_xＧａ_1-xＮ単結晶層（０．５＜ｘ≦１）２ａ‐１の上に、厚さ３〜２５０ｎｍのＡｌ_yＧａ_1-yＮ単結晶層（０．２≦ｙ≦０．３）２ｂ‐１が形成され、さらに、厚さ３〜２５０ｎｍのＡｌ_xＧａ_1-xＮ単結晶層２ａ‐ｎおよび厚さ３〜２５０ｎｍのＡｌ_zＧａ_1-zＮ単結晶層（０≦ｚ＜０．５）２ｃ‐ｎの２層を１組としたものが１〜５００組積層されている構成とする。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の発生を低減すると共に反りの発生を防止することにより、品質と生産性に優れた窒化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮからなる基板１上に第一の窒化物半導体層１０を成長させ、その第一の窒化物半導体層１０に多数の微細なボイド２ａを有する多孔質層２を形成した後、その上に第二の窒化物半導体層を成長させ、上記基板１或いは上記基板１及びボイドを有する多孔質層２を剥離する窒化物半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】レーザダイオード、トランジスタ、光検出器などの半導体構造に使用され、相分離を抑制または解消するとともに発光効率を向上させるIII族窒化物４元及び５元材料系並びに方法を提供する。
【解決手段】典型的な実施形態では、半導体構造は、ほぼ相分離なく形成された第１導電型のBAlGaN材料系を用いた４元材料層と、ほぼ相分離のないBAlGaN材料系を用いた４元材料活性層と、ほぼ相分離なく形成された逆導電型のBAlGaN材料系を用いた別の４元材料層を備えている。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板の作製時に発生する金属汚染の影響を抑える。
【解決手段】半導体基板に水素イオンを照射し損傷領域を形成した後、ベース基板と半導体基板を接合させる。加熱処理を行って、半導体基板を劈開させＳＯＩ基板を作製する。ＳＯＩ基板の半導体層上に、Ａｒなど第１８族元素を含んだ半導体でなるゲッタリングサイト層を形成する。加熱処理を行って、半導体層中の金属元素をゲッタリングサイト層にゲッタリングさせる。エッチングにより、ゲッタリングサイト層を除去することで、半導体層の薄膜化を行う。 （もっと読む）

【課題】 向上された緩和、かなり低い欠陥密度、および改善された表面品質を有する
緩和されたＳｉＧｅオンインシュレータ基板を形成する方法を提供すること。
【解決手段】 方法が、第１の単結晶Ｓｉ層の表面上にＳｉＧｅ合金層を形成するステ
ップを含む。第１の単結晶Ｓｉ層は、Ｇｅ拡散に対する耐性がある下の障壁層との界面を
有する。次に、界面での、または界面付近での機械的な分断を可能にする欠陥を形成する
ことができるイオンが構造内に注入され、その後、注入されたイオンを含む構造に、第１
の単結晶Ｓｉ層およびＳｉＧｅ層を通るＧｅの相互拡散を可能にする加熱ステップを施し
て、障壁層の上に、実質的に緩和された単結晶であり均質のＳｉＧｅ層を形成する。改善
された性質を有するＳｉＧｅオンインシュレータ、およびそれを含むヘテロ構造も提供さ
れる。 （もっと読む）

本発明は、結晶表面を有する結晶ベース基板の上に結晶ゲルマニウム層を形成する方法を提供する。この方法は、ベース基板を洗浄して表面から汚染物および／または自然酸化物を除去する工程と、水素プラズマ、Ｈ_２フラックス、またはＧｅＨ_４の分解で得られる水素のような水素源および／またはＮ_２、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒｎ、またはそれらの混合物のような非反応性ガス源にベース基板を露出させながら、ベース基板の表面上にアモルファスゲルマニウム層を形成する工程と、ベース基板をアニールしてアモルファスゲルマニウム層を結晶化して、結晶ゲルマニウム層を形成する工程と、を含む。また、この方法は、本発明の具体例にかかる方法を用いて光起電セルまたは光分解セルを形成する方法、またはＣＭＯＳデバイスを形成する方法、および本発明の具体例にかかる方法で形成した結晶ゲルマニウム層を含む基板を提供する。
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【課題】ＳｉＣ結晶基板中の、特に基底面転位（ＢＰＤ）密度を低減し、さらに、この低減に伴う基板表面の凹凸を平坦化できる炭化珪素半導体基板の製造方法の提供。
【解決手段】オフ角１度乃至８度の炭化珪素基板１上にエピタキシャル成長層を形成する際に、前記エピタキシャル成長に先立ち、前記炭化珪素基板のｔａｎオフ角以上の凹凸断面のアスペクト比を有する平行線状の凹凸を前記基板表面に形成した後、エピタキシャル成長層を形成する炭化珪素半導体基板の製造方法において、前記凹凸の高さが０．２５μｍ乃至５μｍである炭化珪素半導体基板の製造方法とする。 （もっと読む）

炭化ケイ素パワーデバイスが、ｎ型炭化ケイ素基板上でｐ型炭化ケイ素エピタキシャル層を形成すること、および、そのｐ型炭化ケイ素エピタキシャル層上で炭化ケイ素パワーデバイス構造を形成することによって作製される。ｎ型炭化ケイ素基板は、ｐ型炭化ケイ素エピタキシャル層を露出するように、少なくとも部分的に除去される。オーミック接触部が、露出されているｐ型炭化ケイ素エピタキシャル層の少なくとも一部の上で形成される。ｎ型炭化ケイ素基板を少なくとも部分的に除去すること、および、ｐ型炭化ケイ素エピタキシャル層上でオーミック接触部を形成することによって、ｐ型基板を使用することの欠点を低減する、または解消することができる。関連の構造もまた述べられている。
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【課題】化合物半導体を用いた半導体デバイスにおける界面準位や結晶欠陥等を低減することが可能な化合物半導体の熱処理方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面に電磁波を照射することにより化合物半導体に関する熱処理を施すようにする。これにより、化合物半導体を用いた半導体デバイスにおける界面準位や結晶欠陥等を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子において、半導体基板に存在するＢａｓａｌ Ｐｌａｎｅ転位に起因する素子特性の低下を抑制する。
【解決手段】半導体基板１０１と、半導体基板１０１の表面に形成された半導体層１０２と、半導体層１０２の上に形成されたゲート絶縁膜１１１と、ゲート絶縁膜１１１によって半導体層１０２から絶縁されたゲート電極１１３を備える。炭化珪素エピタキシャル層１０２は、ウェル領域１０５とゲート絶縁膜１１１との間にｎ型不純物を含む蓄積型チャネル層１１５を有し、ウェル領域１０５と蓄積型チャネル層１１５との間にｐ型の不純物を含むＢａｓａｌＰｌａｎｅ転位を刃状転位に変化させるための転位変化層１１６を有している。半導体基板１０１におけるＢａｓａｌ Ｐｌａｎｅ転位の密度は１０^４ｃｍ^−２以上であり、半導体層１０２の表面のうちゲート電極１１３に対向する部分におけるＢａｓａｌ Ｐｌａｎｅ転位の密度は１０^３ｃｍ^−２以下である。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良い窒化物半導体よりなる窒化物半導体基板を用い裏面に電極を形成した発光素子、受光素子等の窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体と異なる材料よりなる基板の上に、窒化物半導体を１００μｍ以上の膜厚で成長させ、前記基板を除去することによって得られた窒化物半導体基板であり、該窒化物半導体基板の表面の凹凸差が±１μｍ以下になるまで表面研磨した研磨面に成長される。好ましくは、前記表面の凹凸差が±０．５μｍ以下である。前記窒化物半導体基板はｎ型不純物がドープされている。 （もっと読む）

【課題】複雑な処理を必要とせずに高濃度のＧｅを含有するＳｉＣＧｅ結晶を成長する方法を提供する。
【解決手段】基板上のＳｉＧｅ結晶薄膜を炭化することによりＳｉＣＧｅ結晶薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】パワーデバイスなどへの適用に適したIII族窒化物半導体を用いた窒化物半導体積層構造の形成方法、およびこの形成方法により形成される窒化物半導体積層構造部を有する窒化物半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】III族窒化物半導体からなる窒化物半導体積層構造の形成工程において、キャリヤガスをＨ_２とするＭＯＣＶＤ法によって、まず、ウエハの上にｎ型ＧａＮ層（第１層）およびＭｇを含むｐ型ＧａＮ層（第２層）が形成される。次いで、このｐ型ＧａＮ層（第２層）に対してｐ型化アニール処理をせずに、ｐ型ＧａＮ層（第２層）の上に、さらにｎ型ＧａＮ層（第３層）およびｐ型ＧａＮ層（第４層）が形成される。このように、ｎ型ＧａＮ層（第１層）およびｎ型ＧａＮ層（第３層）に挟まれたｐ型ＧａＮ層（第２層）に含まれるＭｇ濃度とＨ_２濃度とを比較すると、Ｍｇ濃度の方が大きい値となっている。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板上に窒化物半導体領域を設けると、半導体ウエーハに反りが発生する。
【解決手段】 シリコン基板２の上に窒化物半導体から成るバッファ領域３を介してＨＥＭＴ用の窒化物半導体から成る主半導体領域４を設ける。前記バッファ領域４を、第１の多層構造バッファ領域５と第２の多層構造バッファ領域８とで構成する。第１の多層構造バッファ領域５を複数のサブ多層構造バッファ領域６と複数の単層構造バッファ領域７で構成する。サブ多層構造バッファ領域６を、交互に配置された複数の第１及び第２の層で構成する。第１の層をアルミニウムを第１の割合で含む窒化物半導体で形成する。第２の層をアルミニウムを含まない又は前記第１の割合よりも小さい第２の割合で含む窒化物半導体で形成する。第２の多層構造バッファ領域８を第３及び第４の層で構成する。第３の層のアルミニウム割合を第１の割合よりも低くする。 （もっと読む）

半導体構造は、窒化物半導体材料の第１の層、前記窒化物半導体材料の第１の層上の実質的に歪みのない窒化物中間層、及び前記窒化物中間層上の窒化物半導体材料の第２の層を含む。前記窒化物中間層は第１の格子定数を有し、アルミニウム及びガリウムを含むこと、並びにｎ型ドーパントで導電的にドープすることができる。前記第１の層及び前記第２の層は、全体として少なくとも約０．５μｍの厚さを有する。前記窒化物半導体材料は、前記第１の層が前記窒化物中間層の一方の側において、前記第２の層が前記窒化物中間層の他方の側で受け得るより大きい引っ張り歪みを受けることができるような、第２の格子定数を有することが可能である。
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【課題】パワーデバイスなどへの適用に適したIII族窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】この電界効果トランジスタにおける窒化物半導体積層構造部５には、ｎ型ＧａＮ層６、ｐ型ＧａＮ層７およびｎ型ＧａＮ層８に跨る壁面１６を側面とするメサ状積層部１５が形成されている。メサ状積層部１５の壁面１６には、ゲート絶縁膜９が形成され、このゲート絶縁膜９上にはゲート電極１０が形成されている。また、ｎ型ＧａＮ層６（引き出し部１９）にはドレイン電極１２が形成され、ｎ型ＧａＮ層８の上面にはソース電極１１が形成されている。そして、メサ状積層部１５は、窒化物半導体積層構造部５に形成された高転位領域１８および低転位領域１７のうち、低転位領域１７に形成されている。 （もっと読む）