【課題】 本発明は、各種イオンをイオン注入した後に活性化させるための熱処理を行う場合に、炭化珪素表面が荒れてしまうことを防ぐ炭化珪素半導体デバイスの作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 炭化珪素単結晶基板又は炭化珪素単結晶エピタキシャル膜が成膜された基板にイオン注入する工程と、該基板上に窒素を含有した炭素膜を形成する工程と、注入イオンの活性化熱処理を行う工程とを含む炭化珪素半導体デバイスの作製方法である。 （もっと読む）

【課題】埋込み部を形成する際のエッチングにより埋込みゲートが損傷をきたし、ゲート領域劣化が生じ得る。
【解決手段】ショットキーコンタクトなどのゲートコンタクトを形成する前にゲート埋込み部のアニーリングを行うことにより、ゲートリークが低減され、かつ／またはトランジスタなどの半導体デバイス内に高品質のゲートコンタクトを提供することができる。アニーリング中に封入層を使用することで、トランジスタのゲート埋込み部内の半導体への損傷がさらに低減される。アニーリングを、例えばデバイスのオーミックコンタクトのアニーリングによって提供することができる。 （もっと読む）

【課題】光デバイスウエーハを構成するエピタキシー基板の表面に積層された光デバイス層に損傷を与えることなく光デバイス層を移設基板に円滑に移し変えることができる光デバイスウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】エピタキシー基板２０の表面にバファー層２２を介して積層され、格子状に形成された複数のストリート２３により区画された複数の領域に形成された光デバイス層２１の表面に移設基板３を接合する工程と、移設基板３が接合されたエピタキシー基板２０を所定のストリートに沿って切断し、複数のブロック２００に分割する工程と、エピタキシー基板２０の裏面側からエピタキシー基板２０を透過するレーザー光線をバファー層２２に集光点を位置付けて照射することによりバファー層２２を分解する工程と、複数のブロック２００に分割されたエピタキシー基板２０を光デバイス層２１から剥離する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】１３族窒化物からなる第１の基板と、セラミックスからなる第２の基板とを貼り合わせた複合基板につき、放熱性をよくすると共に製造時の製造時のプロセスを簡単にする。
【解決手段】セラミックスからなる第２の基板１２の表面１２ａに金属膜２３を形成し（ｃ）、この金属膜２３を介して１３族窒化物からなる第１の基板２１と第２の基板１２とを接合する（ｄ）。金属膜２３は一般に酸化膜と比べて熱伝導率が高いため、こうすることで酸化膜を介して第１の基板２１と第２の基板１２とを接合した場合と比べて放熱性のよい複合基板１０を得ることができる。また、酸化膜を用いないため外方拡散の工程が不要となり、プロセスが簡単になる。 （もっと読む）

【目的】チャネル移動度を大きくし、チャネル抵抗を低減できるＭＯＳゲート型炭化珪素半導体装置の提供。
【構成】トレンチの側壁に接するゲート酸化膜とチャネル反転層表面との間に他導電型シリコン半導体層が形成されるＭＯＳゲート型炭化珪素半導体装置であって、他導電型シリコン半導体層がアモルファスシリコン層で形成し、レーザー光を前記アモルファスシリコン層に対して前記ＭＯＳゲート型炭化珪素半導体装置のチャネル電流が流れる方向と交差しない方向へスキャンしてアモルファスシリコン層をポリシリコンに変換する。 （もっと読む）

【課題】活性材料要素をしじたいに移し替えるコストを低減する。
【解決手段】第１の材料から成る活性要素の表面上における支持体２への接合対象部位に非晶質材料６を蒸着する工程を備え、第２の材料が第１の材料よりも希少ではないことを特徴とする。更に、特に光学、電子工学又は光電子工学用の基板を製造する際に第１の材料から成る活性要素８を第２の材料から成る支持体２の表面に接合する操作を行う基板製造方法にも関する。この方法は、活性要素８又は支持体２が少なくともその表面上の接合対象部位に多結晶材料を含み、接合に先立ち、この多結晶材料を含む表面上に非晶質材料６の層を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板を有する複合基板を用いた半導体装置の製造工程において、炭化珪素基板の間の隙間に起因した工程変動を抑制する。
【解決手段】支持部３０と第１および第２の炭化珪素基板１１、１２とを有する接合基板が準備される。第１の炭化珪素基板１１は、支持部３０に接合された第１の裏面と、第１の裏面に対向する第１の表面と、第１の裏面および第１の表面をつなぐ第１の側面とを有する。第２の炭化珪素基板１２は、支持部３０に接合された第２の裏面と、第２の裏面に対向する第２の表面と、第２の裏面および第２の表面をつなぎ、第１の側面との間に隙間を形成する第２の側面とを有する。隙間を充填する充填部４０が形成される。次に第１および第２の表面が研磨される。次に充填部４０が除去される。次に隙間を閉塞する閉塞部が形成される。 （もっと読む）

【課題】複合基板を用いた半導体装置の製造において単結晶炭化珪素基板の間の隙間に起因した工程変動を抑制する。
【解決手段】第１の単結晶炭化珪素基板１１の第１の辺Ｓ１と、第２の単結晶炭化珪素基板１２の第２の辺Ｓ２とが直線状に並ぶように、第１の単結晶炭化珪素基板１１の第１の頂点Ｐ１と、第２の単結晶炭化珪素基板１２の第２の頂点Ｐ２とが互いに突き合わされている。また第１の辺の少なくとも一部と、第２の辺の少なくとも一部とが、第３の単結晶炭化珪素基板１３の第３の辺Ｓ３に突き合わされている。 （もっと読む）

【課題】複合基板が有する複数の炭化珪素基板の間の隙間への異物の残留を防ぐことができる複合基板を提供する。
【解決手段】第１の炭化珪素基板１１は、支持部３０に接合された第１の裏面Ｂ１と、第１の裏面Ｂ１に対向する第１の表面Ｔ１と、第１の裏面Ｂ１および第１の表面Ｔ１をつなぐ第１の側面Ｓ１とを有する。第２の炭化珪素基板１２は、支持部３０に接合された第２の裏面Ｂ２と、第２の裏面Ｂ２に対向する第２の表面Ｔ２と、第２の裏面Ｂ２および第２の表面Ｔ２をつなぎ、第１の側面Ｓ１との間に隙間ＧＰを形成する第２の側面Ｓ２とを有する。閉塞部２１は隙間ＧＰを閉塞している。 （もっと読む）

【課題】半導体積層体に含まれるチャネル層下の化合物半導体層を不純物ドーピングでｐ型化することなく、その半導体積層体を含むＨＦＥＴのリーク電流の低減や耐電圧の向上などを可能とする。
【解決手段】半導体積層体は、基板（１１）上において順次堆積された第１、第２および第３の化合物半導体層（１３、１４、１５）を少なくとも含み、その第１化合物半導体層（１３）の少なくとも部分的層（１６）は非晶質に改質されており、第２化合物半導体層（１４）は第１化合物半導体層（１３）に比べて小さなバンドギャップを有して光吸収層として作用し得る。 （もっと読む）

【課題】長期信頼性が高い窒化物系化合物半導体および窒化物系化合物半導体素子を提供すること。
【解決手段】アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される１以上のＩＩＩ族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、添加物としてリチウム、銅、銀、または金を含む。好ましくは、前記添加物のドープ濃度は、ガリウム格子間原子の濃度と同程度である。好ましくは、前記添加物のドープ濃度は、５×１０^１６ｃｍ^−３〜５×１０^１８ｃｍ^−３である。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長法により堆積させたＳｉＣ層の表面から深い位置に形成された結晶欠陥でも、確実に除去することができる方法を提供する。
【解決手段】単結晶ＳｉＣからなる半導体基板１表面にエピタキシャル層２を積層させて形成したＳｉＣ基板の表面にレジスト膜１２を形成し、基板裏面から紫外線を照射することで、表面のレジスト膜１２を露光する。結晶欠陥１１のある部分は、レジスト膜１２は露光されないため、開口が形成される。その開口部内にイオン注入することで、エピタキシャル層２、半導体基板１を高抵抗化し、結晶欠陥を除去する。最後に、レジスト膜１２を除去することで、半導体装置を形成することができるＳｉＣ基板が得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、剥離作業中に剥離の適否を知ることができる剥離装置および剥離方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、基板の膜が形成された側とは反対の側からレーザ光を照射して、前記基板から前記膜を剥離させる剥離装置であって、前記レーザ光とは異なる波長を有する検査光を出射する検査光源と、前記レーザ光の照射領域に照射された前記検査光の反射光、および、前記レーザ光が照射されることで前記膜の表層が分解される際に生じたプラズマ光の少なくともいずれかを検出する検出部と、前記検出された反射光、および、前記検出されたプラズマ光の少なくともいずれかに基づいて剥離の適否を判定する判定部と、を備えたことを特徴とする剥離装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】所望の反りを有する複合基板の製造方法および複合基板を提供する。
【解決手段】各々が表面および裏面を有する単結晶基板群１０が準備される。単結晶基板群１０の各々の表面が互いに傾くように単結晶基板群１０が配置される。この配置は、単結晶基板１０群の各々の表面が全体として凸面状および凹面状のいずれかの形状をなすように行われる。単結晶基板群１０の各々の裏面とベース基板３０とが対向させられる。単結晶基板群１０の各々の裏面とベース基板３０とが接合される。 （もっと読む）

【課題】効率よく炭化珪素基板を製造することができる炭化珪素基板の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】積層体ＴＸを準備する工程が、第１の単結晶基板群１０ａの各々と第１のベース基板３０ａとが互いに対向し、かつ第２の単結晶基板群１０ｂの各々と第２のベース基板３０ｂとが互いに対向し、かつ第１の単結晶基板群１０ａと第１のベース基板３０ａと挿入部６０Ｘと第２の単結晶基板群１０ｂと第２のベース基板３０ｂとが一の方向に向かってこの順で積み重なるように行われる。次に、積層体ＴＸの温度が炭化珪素が昇華し得る温度に達するように、かつ積層体ＴＸ中において一の方向に向かって温度が高くなるような温度勾配が形成されるように積層体ＴＸが加熱される。 （もっと読む）

【課題】 基板と半導体膜を分離する技術に関し、汎用性の高い分離技術を提供する。
【解決手段】 半導体膜の製造方法であり、成膜工程と照射工程と剥離工程を有する。成膜工程では、基板２０と半導体膜４の界面に空間２４が散在している状態で半導体膜４を成長させる。照射工程では、基板と半導体膜の双方を透過する波長のレーザ光４０を界面に向けて照射する。このレーザ照射によって、半導体膜を加熱せずに基板と半導体膜の接着力を低下させることができる。基板から半導体膜を剥離することができる。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ない炭化珪素単結晶を得ることができる炭化珪素単結晶の製造方法と、それを用いて作られた炭化珪素基板とを提供する。
【解決手段】単結晶炭化珪素から作られた第１および第２の材料基板１１、１２のそれぞれは、第１および第２の裏面と、第１および第２の側面と、第１および第２の表面とを有する。第１および第２の裏面は支持部３０に接合されている。第１および第２の側面は、第１および第２の表面の間に開口を有する隙間を介して互いに対向している。開口上で隙間を閉塞する閉塞部７０が形成される。第１および第２の側面からの昇華物を閉塞部７０上に堆積させることで、開口を塞ぐ接合部ＢＤａが形成される。閉塞部ＢＤａが除去される。第１および第２の表面の上に炭化珪素単結晶が成長させられる。 （もっと読む）

【課題】複数の炭化珪素単結晶を有する複合基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素と異なる材料から作られた支持層３１と、支持層３１上に形成された炭化珪素層３２とを有するベース部３０が準備され、前記ベース部３０の炭化珪素層３２上に第１および第２の炭化珪素単結晶１１、１２の各々が接合される。前記接合する工程は、前記炭化珪素層３２に前記第１および第２の炭化珪素単結晶１１，１２の各々を対向させる工程と、前記炭化珪素層１１，１２のうち前記第１および第２の炭化珪素単結晶１１，１２に対向する部分のそれぞれを、前記第１および第２の炭化珪素単結晶１１，１２上に昇華および再結晶させることによって、前記第１および第２の炭化珪素単結晶１１，１２の各々に前記炭化珪素層３２を接合する工程とを含む複合基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗の低減を図ることが可能な炭化珪素基板、エピタキシャル層付き基板、半導体装置および炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板１０は、主表面を有する炭化珪素基板１０であって、主表面の少なくとも一部に形成されたＳｉＣ単結晶基板１と、ＳｉＣ単結晶基板１の周囲を囲むように配置されたベース部材２０とを備える。ベース部材２０は、境界領域１１と下地領域１２とを含む。境界領域１１は、主表面に沿った方向においてＳｉＣ単結晶基板１に隣接し、内部に結晶粒界を有する。下地領域１２は、主表面に対して垂直な方向においてＳｉＣ単結晶基板１に隣接し、ＳｉＣ単結晶基板１における不純物濃度より高い不純物濃度を有する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造コストの低減を実現可能な炭化珪素基板の製造方法、半導体装置の製造方法、炭化珪素基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板１の製造方法は、単結晶炭化珪素からなるＳｉＣ基板２０を準備する工程と、坩堝８０内においてＳｉＣ基板２０の一方の主面２０Ｂに面するようにベース基板１０を配置する工程と、坩堝８０内において、ベース基板１０を、ベース基板１０を構成する炭化珪素の昇華温度よりも高い温度域に加熱することにより、ＳｉＣ基板２０の一方の主面２０Ｂに接触するように炭化珪素からなるベース層１０を形成する工程とを備えている。そして、ベース層１０を形成する工程では、坩堝８０内に珪素を含有するガスが導入される。 （もっと読む）