【課題】撥水性を有する基板を搬送しながら良好に洗浄、乾燥処理を施す。
【解決手段】基板処理装置は、洗浄室１Ｃ及び乾燥室１Ｄを有し、撥水性を有する基板Ｓをその表面が傾斜した姿勢で搬送しながらその表面に洗浄、乾燥処理を施す。洗浄室１Ｃには、搬送方向に沿って連続する状態で、基板Ｓの上位側端部に対して洗浄水を供給する第１供給手段２０と、その下流側端部に近接され、かつ基板Ｓをその上位側から下位側に亘って横断する方向に沿って設けられ、同方向に沿って連続する状態で洗浄水を基板Ｓに供給する第２供給手段２４とが設けられる。乾燥室１Ｄには、第２供給手段２４に近接し、かつ搬送基板Ｓをその上位側から下位側に亘って横断する方向に設けられ、同方向に沿って連続する状態で搬送基板Ｓに対してエアを吹き付けるエアナイフ３０が設けられる。 （もっと読む）

【課題】被処理物の種々のサイズに対応可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置Ｍは、長手方向に連なる複数の電極ユニット１０，１０を備えている。各電極ユニット１０は、互いに対応する長さの第１、第２電極部材１１，１２と、第１誘電部材１３と、一対のサイドフレーム１６を有している。複数の電極ユニット１０，１０における第１電極部材１１，１１どうし、第１誘電部材１３，１３どうし、及び幅方向の同側のサイドフレーム１６，１６どうしが、それぞれ互いに同一規格に形成されるとともに長手方向に連ねられている。 （もっと読む）

【課題】基板面内により均一に処理を施すと共にスループットの向上を図る。
【解決手段】基板処理装置１は、基板２を水平搬送しながらその上面に現像液の液層Ｘを形成するための液ノズル１６と、基板２上に形成された液層Ｘを除去するための除去手段とを備える。この除去手段は、基板２を横断するように設けられて該基板２の上面に向かってエアを吐出するエアナイフ１８と、該エアナイフ１８によるエア吐出位置よりも基板２の後端側に隣接する位置に配置され、前記エアの吐出時に生じる液層Ｘの波打ちを抑える波消し部材２０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】処理ガスが系外へ漏洩、拡散するのを防止又は抑制できる表面処理装置を提供する。
【解決手段】ノズル部の被処理物Ｗと対面する面３３に、処理ガスを噴出する噴出口３１と、吸引口３４を開口形成する。吸引口３４における噴出口３１側とは反対側の縁を、噴出口３１側の縁より上側（対面方向の逆側）に引っ込ませ、吸引口３４より外側の第２面部分３３ｂを、吸引口３４と噴出口３１の間の第１面部分３３ａより上側（対面方向の逆側）に引っ込ませる。 （もっと読む）

【課題】基板搬送に要する時間を短くすることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ＦＯＵＰ搬送ロボット２０は、複数枚の基板が収納されたＦＯＵＰ８０をロードポート１０とＦＯＵＰ載置台３０との間で搬送する。インデクサロボット４０は、ＦＯＵＰ載置台３０に載置されたＦＯＵＰ８０に収納された基板Ｗ（未処理基板）を基板受渡部５０を介して洗浄処理部６０に渡すとともに、洗浄処理部６０でスクラブ洗浄処理された基板Ｗ（処理済み基板）を基板受渡部５０を介して受け取ってＦＯＵＰ８０に収納する。ＦＯＵＰ載置台３０は、インデクサロボット４０の周囲に複数個設けられる。したがって、インデクサロボット４０は基板Ｗを搬送するにあたって水平方向に沿って移動する必要がない。これによって基板搬送に要する時間を短くすることができる。 （もっと読む）

【課題】基板にダメージを与えることなく、優れたパーティクル除去率で基板の被処理面を洗浄することができる基板洗浄方法および基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】凍結洗浄処理前に基板に対してライトエッチングを実行している。ライトエッチングにより基板の表面が軽くエッチング除去されてパーティクルと基板表面の接触部分が減少し、凍結膜を構成するＤＩＷが接触除去部分に回り込む。そして、その接触除去部分に回り込んだＤＩＷが凍結されて凍結膜の一部となった後に除去される。その結果、パーティクル除去率が向上される。 （もっと読む）

【課題】基板の洗浄に際して、洗浄ブラシへのパーティクルの蓄積による洗浄効果の低下を防止する。
【解決手段】研磨後の半導体基板４の被研磨面上に２つの円筒型の洗浄ブラシ１１，１２を並列に配置するとともに、それら２つの洗浄ブラシ１１，１２のうち、一方の洗浄ブラシ１１を半導体基板４に接触させ、かつ他方の洗浄ブラシ１２を半導体基板２から離して一方の洗浄ブラシ１１に接触させた状態で、一方のノズル１７から洗浄液１９を供給しつつ半導体基板４の洗浄を行なう。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部の所定範囲を精度良く良好に処理できるようにすること。
【解決手段】本発明では、基板（ウエハＷ）の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理装置(1)において、基板(W)の周縁部を処理するための周縁処理装置(4)と、周縁処理装置(4)に対して相対的に回転する基板(W)を保持するための基板保持装置(3)とを有し、周縁処理装置(4)は、基板(W)の周縁部に処理液を供給する処理液供給部(9)と、基板(W)に向けてガスを噴出するガス噴出部(10)とを有し、貯留した処理液に基板(W)を浸漬させるための処理液貯留室(11)を前記処理液供給部(9)に回転方向に沿って伸延させた状態で形成するとともに、この処理液貯留室(11)よりも基板(W)の周縁部に対して内側に前記ガス噴出部(10)を隣設した。 （もっと読む）

【課題】微細な回路パターンが形成された形成面を、回路パターンを破壊することなく、効率よく洗浄する。
【解決手段】基板洗浄装置１に、一本一本がカーボンナノチューブで構成された複数の糸状部材７１を密集するように植毛した基板洗浄用ブラシ７を設ける。チャック３によって、微細な回路パターンが形成された面が上になるように基板９０を保持し、当該面に基板洗浄用ブラシ７の糸状部材７１を当接させる。この状態で、回転モータ１０，１１，１２を回転させて、基板洗浄用ブラシ７（糸状部材７１）で、基板９０の形成面を擦るように洗浄する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造にもかかわらず洗浄能力が高いスクラブ洗浄装置及びそれに用いられるロールスポンジを提供する。
【解決手段】スクラブ洗浄装置用ロールスポンジアセンブリは、ロールスポンジを保持する支持体部及びこの支持体部の両側に回転軸が一体に形成される支持体、ロールスポンジの中空孔内にこの支持体の前記支持体部が嵌め込まれることで支持体に保持されるロールスポンジを備えている。このロールスポンジアセンブリの支持体の支持体部は、その外径が長手方向に漸次拡大するように連続的に変化するように形成され、他方支持体に保持されるロールスポンジは、その外径及びその中空孔の内径が前記支持体部の外径の変化に合わせて連続的に変化するように形成される。また、スクラブ洗浄装置は、洗浄対象物を回転している前記一対のロールスポンジアセンブリの間で長手方向に移動させることにより、洗浄対象物を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】ノズル部材に付着した処理液が基板上に滴下するのを防止する。
【解決手段】基板処理装置１は、搬送中の基板Ｓの上面に、その搬送方向上流側から下流側に向かって斜め方向にリンス液を吐出する液ナイフ１６と、この液ナイフ１６に向けてエアを噴射するエアノズル３２を有する気体噴射手段とを有する。そして、コントローラ４０による制御に基づき、液ナイフ１６の下方に基板Ｓが存在しないときに、前記エアノズル３２から液ナイフ１６に対してエアが吹き付けられるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 欠陥の発生が抑えられた高い信頼性を有する半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板（６）の被処理面を樹脂部材（５）に当接させて、前記半導体基板と前記樹脂部材を摺動させる工程を具備する方法である。前記摺動は、前記樹脂部材に８０℃以上１４０℃以下の温水を噴射しつつ行なわれる。 （もっと読む）

【課題】基板の損傷を防止しつつ基板の表面に均一に処理液を供給することができる基板処理装置を提供する
【解決手段】基板処理装置の洗浄処理部５ａ〜５ｄは、基板保持台２１、処理液ノズル５０、不活性ガス供給板１１０、および供給板回転駆動機構１３８を備える。基板保持台２１により基板Ｗが略水平に保持され、その基板Ｗに処理液ノズル５０から処理液が供給されるとともに、不活性ガス供給板１１０から不活性ガスが供給される。このとき、不活性ガス供給板１１０は、供給板回転駆動機構１３８により回転されつつ不活性ガスを基板Ｗの表面に供給する。 （もっと読む）

【課題】処理液による基板処理の面内均一性を向上させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】二流体ノズルからの薬液の液滴の噴流が導かれるウエハの表面上の供給位置が、ウエハの回転中心からウエハの周縁部に至る範囲を円弧状の軌跡を描きつつ移動する。薬液の供給位置がウエハの回転中心から離れるにつれて、二流体ノズルからウエハに供給される薬効成分の濃度が高くされている。その一方で、回転中心から離れているほど、ウエハの表面位置は高速に移動している。その結果、単位面積あたりの薬液の薬効成分の量がウエハの全域においてほぼ等しくなる。 （もっと読む）

【課題】基板処理に用いられる複数種の薬液の組合せが混触に危険を伴うような組合せであっても、それらの薬液の混触を確実に防止して、その基板処理を１つの処理室において完遂することができる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】メモリには、過去直近に開成されたバルブ（最終開バルブ）を特定するための情報が記憶されている。バルブを新規に開成する場合、その開成に先立ち、メモリに記憶されている最終開バルブを特定するための情報が参照される。そして、基板に対する第１薬液の供給に引き続いて、基板に第２薬液が供給されることになる場合など、処理室２内などで第１薬液、第２薬液および第３薬液の相互間の混触を生じることになる場合には、そのバルブの新規開成が禁止される。そのため、処理室２内などにおける第１薬液、第２薬液および第３薬液間での混触を確実に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】互いに異なる複数種類の処理液を基板に順次供給することによって基板に対して所定の湿式処理を施す際に、複数種類の処理液を良好に分離して回収することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを配置する間隙空間Ｓ１に互いに異なる複数種類の処理液が順次供給され、各処理液ごとに基板Ｗに対して湿式処理が施される。また、湿式処理の実行ごとに湿式処理後の処理液が連通部１２４から順次放出されるが、処理ユニット１と液回収ユニット２とが相対的に移動することで連通部１２４から放出される処理液の種類に対応した回収位置に液回収槽２１〜２４が選択的に配置される。ここで、液回収ユニット２が処理ユニット１と分離して処理ユニット１の下方側に配置されるとともに、処理ユニット１の連通部１２４から間隙空間Ｓ１の下方側に鉛直方向下向きに処理液が放出される。 （もっと読む）

【課題】高い周波数の超音波を用いて大型の被洗浄物を効率よく洗浄できる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄槽１２を三分割し、各ブロック１２Ｌ、１２Ｃ、１２Ｒの間にシート状に形成された隔壁１６Ｌ、１６Ｒを挟んで一体化することにより、洗浄槽１２の内部に隔壁１６Ｌ、１６Ｒで仕切られた超音波伝播液貯留空間２０Ｌ、２０Ｒと洗浄液貯留空間１８を形成する。これにより、隔壁１６Ｌ、１６Ｒを薄くしても、十分に強度を確保できるようになり、洗浄槽の大型化に対応することができるようになる。 （もっと読む）

【課題】基板保持手段に基板が保持されているか否かに応じて、処理液供給手段の供給動作を適切に禁止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 薬液表面側バルブ２３の開成タイミングに至ったとき（ステップＳ１でＹＥＳ）、ＣＰＵ６０は、ウエハ保持センサ９からの出力をチェックする（ステップＳ２）。スピンチャック３にウエハＷが保持されていない場合には（ステップＳ３でＮＯ）、薬液ノズル４が退避位置以外に位置していれは（ステップＳ４でＮＯ）、ＣＰＵ６０は、薬液表面側バルブ２３の開成を禁止する（ステップＳ５）、薬液ノズル４が退避位置に位置していれは（ステップＳ４でＹＥＳ）、ＣＰＵ６０は、薬液表面側バルブ２３の開成を許可する（ステップＳ７）。この場合、表面側プリディスペンス処理を実行することができる。 （もっと読む）

【課題】高ドーズ量の半導体ウェハにおいても装置負担を増大させることなく、レジストなどを効果的に剥離除去することを可能にする。
【解決手段】洗浄に使用した硫酸を含む溶液の返流を受けて該溶液の一部または全部を対象に水分を低減して硫酸濃度を高め、硫酸濃度を高めた該溶液を含めて返流された前記溶液をさらに前記洗浄に循環供給可能にするとともに、返流された硫酸を含む前記溶液の一部を別に分け、分けた該溶液を希釈して硫酸濃度を低くした後、該希釈溶液の電解反応により過硫酸を生成し、該電解反応で得られた過硫酸を含む溶液を前記洗浄に供給可能とすることで、効率的な電解反応と、洗浄効果の高い洗浄液の供給という両面の目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】基板に与えるダメージを低減可能な処理液を簡易かつ正確に選定する方法を提供する。
【解決手段】はじめに、処理液の分子密度と、処理液を基板表面に物理的に作用させることによって基板に対する処理を実行した際に前記基板に発生するダメージとの関係を示す分子密度相関グラフを準備する。続いて、分子密度相関グラフに基づいて分子密度閾値を特定する。より具体的には、分子密度相関グラフに近似する自然対数曲線Ｌを特定し、自然対数曲線Ｌにおいて、ダメージ値が所定の上限ダメージ値の１／ｅ倍（ｅは自然対数の底）となる分子密度を算出し、当該算出された分子密度の値Ｍ１を、分子密度閾値として取得する。続いて、分子密度が分子密度閾値以下の選定処理液を基板に対する処理を実行可能な処理液として選定する。 （もっと読む）