【課題】
【解決手段】基板エッジを洗浄するための装置、システム、及び方法は、洗浄化学物質が存在する状態での摩擦接触を使用して、基板エッジに堆積したベベルポリマを洗浄する毛ブラシ部を含む。毛ブラシ部は、外側へ延びる複数の羽根により構成され、回転軸に取り付けられる。研磨材料は、摩擦接触を提供するために、毛ブラシ部の外側へ延びる羽根の全体及び内部に分布させる。毛ブラシ部は、洗浄化学物質等の流体が存在する状態で、複数の研磨粒子と基板のエッジとの摩擦接触により、ベベルポリマを基板のエッジから剥ぎ取るのを可能にすることで基板のエッジを洗浄する。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルターやブラックマトリックスパターンを形成するための顔料分散型感光性樹脂組成物の洗浄用として特に優れた洗浄除去用溶剤を提供する。
【解決手段】プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、及び芳香族系溶剤を含有し、前記芳香族系溶剤が、トルエン、キシレン、およびエチルベンゼン、並びにアルコキシ基を有する芳香族系溶剤の中から選ばれる少なくとも１種であり、ハンセン（Ｈａｎｓｅｎ）溶解パラメータにおける水素結合力パラメータ（δ_H）が５〜１０であることを特徴とする、顔料分散型感光性樹脂組成物の洗浄除去用溶剤。 （もっと読む）

イン・サイチュでの裏側ポリマー除去のプラズマエッチングプロセスは、多孔性又は非多孔性カーボンドープされた酸化ケイ素誘電体層とフォトレジストマスクを表面に有するワークピースで開始される。ワークピースは、エッチングリアクタチャンバにおいて静電チャック上にクランプされる。このプロセスには、フルオロ−カーボンベースのプロセスガスを導入し、ＲＦバイアス電力を静電チャックに、ＲＦソース電力をオーバーヘッド電極に印加して、誘電体層の露出した部分をエッチングし、一方で、保護フルオロ−カーボンポリマーをフォトレジストマスク上に堆積することが含まれる。このプロセスには、フルオロ−カーボンベースのプロセスガスを除去し、水素ベースのプロセスガスを導入し、ＲＦソース電力をオーバーヘッド電極に印加することが更に含まれる。静電チャックのリフトピンを伸ばして、静電チャックの上にワークピースを上昇し、ワークピースの裏側をリアクタチャンバのプラズマに露出して、ポリマーが裏側から除去されるまで、裏側に以前に堆積したポリマーを還元する。
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【課題】ウェーハの後面処理およびウェーハとの物理的接触の困難な問題を解決できる新規な処理機および処理方法を提供することにある。
【解決手段】半導体ワークを保持しかつ回転させるヘッドを備えた遠心ワーク処理機。ヘッドはガスシステムを備えたロータを有している。ガスは、ロータの入口からスプレーされ、回転ガス流を発生する。回転ガス流は、ワークの第一面の縁部をロータの接触面に対して保持する圧力状態を形成する。ロータおよびワークは一緒に回転する。外周部に隣接するガイドピンが、ワークとロータとを整合させる補助をする。傾斜面が、消費されかつワークから飛散した処理液体を偏向させる補助をする。ヘッドは、ボウルとの多くの異なる係合位置に移動できる。ワークが回転されて処理されるとき、ボウル内のスプレーノズルがワークの第二面上に処理液体をスプレーする。 （もっと読む）

本発明は、半導体製造工程中、洗浄工程、エッチング工程などのように基板を回転させながら工程を行うために使用するスピンチャックに関する。本発明のスピンチャックは、基板が載置される回転可能なスピンヘッドと、スピンヘッドを回転させる駆動部と、スピンヘッドに設けられ、基板の回転の時、基板のフラットゾーンによる渦流現象を防止するために、基板のフラットゾーンに対応する位置にフラットゾーンのフラット面と接する接触面を有する固定ブラケットと、を含む。
上述した構成のスピンチャックは、基板のフラットゾーンと同一な形状の固定ブラケットを備えることによって、基板のフラットゾーンによる気流の不均衡を防止できる。従って、基板の背面に噴射されるエッチング液が均一に広がるようにすることができるという利点を有する。 （もっと読む）

処理チャンバ内のセラミック基板ヒータ上の基板を処理する方法である。この方法は、処理チャンバ内のセラミック基板ヒータ上に保護コーティングを形成する段階、前記コーティングされたセラミック基板ヒータ上で基板を処理する段階、を含む。前記処理する段階は、前記セラミック基板ヒータ上で処理される基板を提供する段階と、前記基板を処理ガスで露光することによって前記基板上で処理を行う段階と、前記処理された基板を前記処理チャンバから取り外す段階と、を含む。
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