【課題】
【解決手段】本明細書に記載の様々な実施形態は、処理歩留まりを改善するために、ベベルエッジ上の望ましくない堆積物を除去するための改良されたメカニズムを提供する。実施形態は、ベベルエッジの銅を、銅に比べて高いエッチング選択比で流体によって湿式エッチングできる銅化合物に変換するために、銅メッキ基板のベベルエッジを処理する装置および方法を提供する。一実施形態において、銅に対して高い選択比で銅化合物の湿式エッチングを行うと、湿式エッチング処理チャンバ内で基板ベベルエッジの不揮発性の銅を除去することが可能になる。ベベルエッジでのプラズマ処理は、正確な空間制御で、基板のエッジ面から約２ｍｍ以下（例えば、約１ｍｍ、約０．５ｍｍ、または、約０．２５ｍｍ）の範囲まで、ベベルエッジの銅を除去することを可能にする。さらに、ベベルエッジの銅を除去する上述の装置および方法では、デバイス領域に銅エッチング流体が飛び散って銅薄膜の欠陥および薄化を引き起こす問題が起こらない。したがって、デバイスの歩留まりを大幅に改善することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の外周端部の全体を洗浄することが可能な基板保持回転装置、それを備えた基板洗浄装置および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗのベベル洗浄処理時には、マグネットプレート６１４ａが下方位置に配置され、マグネットプレート６１４ｂが上方位置に配置される。この場合、マグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１においては各チャックピン６１５が閉状態となり、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２においては各チャックピン６１５が開状態となる。すなわち、各チャックピン６１５の保持部６１５ｃは、マグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１を通過する際に基板Ｗの外周端部に接触した状態で維持され、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２を通過する際に基板Ｗの外周端部から離間する。 （もっと読む）

【課題】ＢＳＰをより確実に除去することが可能なＢＳＰ除去方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板のベベル面、及び裏面に付着した無機層、及び有機層を含む多層ベベル／バックサイドポリマー（ＢＳＰ）を除去するＢＳＰ除去方法であって、多層ＢＳＰを機械的に破壊する第１工程（ステップ２）と、機械的に破壊された多層ＢＳＰの残渣を加熱する第２工程（ステップ３）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板裏面の汚染物質に起因する半導体装置の製造歩留まりの低下を抑制できる。
【解決手段】本発明の例に関わる基板処理方法は、被処理基板の表面に塗布膜を形成する工程（ＳＴ１）と、被処理基板の裏面に対して親水化処理を行う工程（ＳＴ２）と、親水化処理を行った後、被処理基板の裏面に洗浄液を供給し、前記被処理基板の裏面を洗浄する工程（ＳＴ３）とを備える。 （もっと読む）

【課題】枚葉式基板洗浄設備及び基板の裏面洗浄方法を開示する。
【解決手段】本発明による枚葉式基板洗浄設備は、工程チャンバ内に基板の裏面を洗浄するための基板反転装置が設けられることを特徴とする。従って、基板の裏面を洗浄するための設備を簡素化して費用を節減し、工程ステップを簡素化することができ、パーティクルによる基板の汚染を最小化できる枚葉式基板洗浄設備及び基板の裏面洗浄方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】円形状の基板の裏面側周縁部に付着した付着物の除去を簡便にかつ確実に行うこと。また、付着物の除去に要する部材の交換や清掃などのメンテナンスサイクルを伸ばすこと。
【解決手段】基板の側面から裏面の周縁部に亘って、外周面が粘着性を持ち、概略円筒状の第１のクリーニング用の回転体の外周面を接触させ、またこの第１のクリーニング用の回転体の外周面よりも粘着性が強い外周面を持つ第２のクリーニング用の回転体の外周面を第１のクリーニング用の回転体の外周面に接触させて、基板、第１のクリーニング用の回転体及び第２のクリーニング用の回転体を一体的に回転させることによって、当該基板の裏面側周縁部に付着した付着物を簡便にかつ確実に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】装置の省スペースを実現しつつ、基板の端面の汚染に起因した問題（欠陥の発生、トラックや露光装置へのクロスコンタミネーション等）を回避できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板の端面を洗浄する端面洗浄処理ユニットＥＣを備える洗浄処理部９３を、インデクサブロック９に配置する。インデクサブロック９に設けられたインデクサロボットＩＲは、カセットＣから取り出した未処理基板Ｗを、処理部である反射防止膜用処理ブロック１０に搬送する前に洗浄処理部９３に搬送する。洗浄処理部９３においては、基板Ｗの端面および裏面を洗浄する。すなわち、端面および裏面が汚れた基板Ｗが処理部に搬入されることがないので、基板の端面や裏面の汚染に起因した問題を回避できる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の裏面端部や側面に付着した膜（汚染物質）を除去することを可能にする汚染物質除去方法等を提供する。
【解決手段】本発明の汚染物質除去方法は、表面に薄膜が形成された被処理基板７の裏面縁部及び側面に対して、真空中において、指向性を有するビームを照射することを含む。 （もっと読む）

【課題】基板の表面のデバイス形成領域に影響を与えることなく、基板の表面の周縁領域から汚染を確実に除去することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】スピンチャック３により回転されるウエハＷの表面の周縁領域４０にブラシ２１が当接されることにより、その周縁領域４０に付着する汚染を掻き取ることができる。ウエハＷの表面の周縁領域４０には、ブラシ接触位置Ｐ１に対してウエハＷの回転方向下流側に間隔Ｌ５を隔てたＤＩＷ着液位置Ｐ６に、第２表面ＤＩＷノズル５７からのＤＩＷが供給される。ブラシ２１により掻き取られた汚染を、ＤＩＷにより洗い流すことができる。 （もっと読む）

【課題】基板周辺部材の耐久性が劣化するのを防止しながら表面処理を良好に行うことができる基板処理装置および方法を提供する。
【解決手段】ノズル３から回転駆動される基板Ｗの端部（表面周縁部ＴＲおよび該表面周縁部ＴＲに連なる周端面ＥＦ）に対して局部的に薬液が供給される。また、基板Ｗの回転方向Ｒにおいてノズル３からの薬液が供給される供給位置ＬＰに対して上流側で薬液が供給される直前の直前位置ＡＰで基板Ｗの端部がレーザユニット７から照射されるレーザ光によって局部的に加熱される。これにより、基板Ｗの端部が薬液処理に応じた温度に昇温する。このため、基板Ｗの端部が薬液処理に応じた温度に昇温された直後に基板Ｗの回転により加熱昇温された基板Ｗの端部に薬液が供給される。 （もっと読む）

本発明は、半導体基板表面に対するケミカル処理方法および装置を提供する。当該ケミカル処理方法は、ホルダー２を用いて、処理対象である半導体基板４の下面と化学溶液槽１に収容される化学溶液５の液面との間に一定の距離を有するように、半導体基板４を化学溶液５の上方に放置し、噴射装置３によって半導体基板４の下面に向け化学溶液５を噴射することで、当該下面にケミカル処理を施す方法である。当該装置は、化学溶液５を収容する化学溶液槽１と、半導体基板４を化学溶液５の上方に放置するためのホルダー２と、半導体基板４の下面に向け化学溶液５を噴射するための噴射装置３とを備える。当該方法によれば、半導体基板の一方の表面のみにケミカル処理を施すことができるとともに、他方の表面に如何なる保護も必要としない。
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【課題】環状オレフィン系重合体を含有してなる組成物に対し非常に優れた除去性を発揮し、絶縁基板を充分に洗浄することができるシンナー組成物を提供すること。
【解決手段】１−メトキシ−２−プロパノール及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドからなる群より選ばれる少なくとも１種を含有してなる、環状オレフィン系重合体含有組成物除去用シンナー組成物。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面や周縁部に付着した異物を完全に除去することができる基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板処理システム１０が備える基板洗浄装置としてのプロセスモジュール１５は、ウエハＷを収容するチャンバ３８と、該チャンバ３８内の底部に配置されてウエハＷを載置するステージ３９と、チャンバ３８内の天井部に配置されてステージ３９に対向するシャワーヘッド４０とを備え、ステージ３９はウエハＷの裏面や周縁部に向けて液相及び気相の２つの相状態を呈する洗浄物質、例えば、純水と、不活性ガス、例えば、窒素ガスとが混合された洗浄剤を噴出し、シャワーヘッド４０はウエハＷの表面に向けたダウンフローを発生させる。 （もっと読む）

【課題】薬液の消費量を最小限に抑えつつ基板の表面周縁部および裏面から不要物を良好にエッチング除去することができる基板処理装置および方法を提供する。
【解決手段】スピンベース１５から所定距離だけ上方に離間させた状態で基板Ｗを略水平姿勢で支持する。基板Ｗの上方に対向部材５が対向位置に配置された状態で、複数のガス吐出口５０２およびガス供給路５７から基板表面Ｗｆと対向部材５の下面５０１との間の空間ＳＰに窒素ガスが供給され、基板Ｗが支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６に押圧される。第１ノズル３を供給位置Ｐ３１に位置決めして第１ノズル３から塩酸を回転する基板Ｗの表面周縁部ＴＲに供給するとともに、第２ノズル４を供給位置Ｐ４１に位置決めして第２ノズル４から硝酸を基板Ｗの表面周縁部ＴＲに供給することにより、基板表面Ｗｆで塩酸と硝酸が反応してエッチング液が生成される。 （もっと読む）

【課題】基板とプレートとの隙間の有無を選択的に行って、角形の基板の回転処理においても、四角い形状の影響をなくすようにした基板処理装置を提供すること。
【解決手段】角形の基板Ｇを水平状態に保持し、鉛直軸回りに回転するスピンチャック１０と、スピンチャック１０にて保持された基板Ｇの各辺の外方近傍に位置すると共に、基板Ｇの表面と略同一平面の表面を有する気流調整用のプレート１１と、スピンチャック１０にて保持された基板Ｇの表面に処理液を供給する塗布液供給ノズル１２と、スピンチャック１０にて保持された基板Ｇの裏面に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル１３と、を具備する基板処理装置において、各プレート１１を基板Ｇの辺に対して選択的に接離移動するプレート移動機構２０を設ける。これにより、プレート移動機構２０を作動して、基板Ｇとプレート１１との隙間の有無を選択的に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面周縁領域のうち処理領域に薬液を供給して当該処理領域の不要物をエッチング除去する基板処理方法および基板処理装置において、当該エッチング除去により表面周縁領域に形成される処理領域と非処理領域の界面を良好なものとする。
【解決手段】基板Ｗの表面周縁領域（＝ＮＴＲ２＋ＴＲ）のうち非処理領域ＮＴＲ２にリンス液を供給して表面周縁領域をリンス液で覆った状態で処理領域ＴＲに薬液が供給されて当該処理領域ＴＲの不要物（薄膜ＴＦ）がエッチング除去されて当該表面周縁領域に処理領域ＴＲと非処理領域ＮＴＲ２の界面が形成される。このように表面周縁領域全体をリンス液で覆いながらエッチング除去を行っているので、非処理領域ＮＴＲ２側への薬液付着やリンス不良を防止することができ、表面周縁領域に処理領域とＴＲ非処理領域ＮＴＲ２の界面を良好に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の反転を必要とせず、且つ基板の周縁部にダメージを与えないように基板の裏面を洗浄することの可能な基板洗浄装置等を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、裏面を下方に向けた状態の基板を裏面から支えて保持する２つの基板保持手段（吸着パッド２、スピンチャック３）を備え、支える領域が重ならないようにしながらこれらの基板保持手段の間で基板を持ち替える。洗浄部材（ブラシ５）は基板保持手段により支えられている領域以外の基板の裏面を洗浄し、２つの基板保持手段の間で基板が持ち替えられることを利用して基板の裏面全体を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】互いに交差する２つの直線状ラインに沿ってユニットを配列した構成の基板処理装置において、構成を簡素化し、コストを低減する。搬送ロボット間での基板の受け渡しをなくすことによって、基板の汚染を減少する。
【解決手段】第１搬送路１０に沿ってカセット載置部１１，１２が設けられている。第１搬送路１０に直交する第２搬送路２０に沿って、めっき処理ユニット２１〜２４、裏面洗浄ユニット２５，２６および周縁洗浄ユニット２７，２８が設けられている。搬送ロボットＴＲは、ロボット本体３０と、このロボット本体３０を第２搬送路２０にほぼ沿うレール５８上で走行させるボールねじ機構５０と、レール５８の第１搬送路１０側の端部をこの第１搬送路１０に沿って移動させることにより、レール５８を揺動させるボールねじ機構４０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】基板底面を均一に処理できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】前記基板処理装置は、基板を支持し、回転可能なスピンヘッドと、前記スピンヘッド上に設けられ、工程のとき、基板の底面に流体を供給する噴射ヘッドと、前記噴射ヘッドに流体を供給する流体供給ユニットと、を含み、前記噴射ヘッドは、前記スピンヘッドのセンター部に位置し、前記流体供給ユニットから流体が供給されるボディと、前記ボディから前記スピンヘッドのエッジ部に向かって延長され、前記ボディから供給された流体を前記基板の底面に噴射する噴射部材と、を含み、前記噴射部材には、前記基板のエッジ部に流体を噴射する第１噴射口と、前記基板のセンター部とエッジ部との間に位置するミドル部に流体を噴射する第２噴射口とが形成され、前記流体は、前記第１噴射口に先に供給される。 （もっと読む）

【課題】ディスク状対象物の少なくとも下面の処理を行うための装置において、ディスク状対象物の汚染が回避できるような装置を提供する。
【解決手段】本発明の装置は、上面（２ｏ）を有しかつディスク状対象物（１）を位置決めするための少なくとも２つの部材（１９）が上面から垂直に突出している回転可能保持器（２）と、ディスク状対象物（１）の下面（１ｕ）に処理媒体を供給するために固定的に設けられかつ保持器（２）を貫通するように配置された少なくとも１つの配管（２４，２６）と、保持器（２）の下面（２ｕ）の少なくとも一部から離隔して固定配置され環状間隙（１６）を形成しているカバー（４）と、を備え、前記少なくとも１つの配管（２４，２６）は、隙間のない状態でカバー（４）を貫通していることを特徴とする。 （もっと読む）