基板処理装置
【課題】基板とプレートとの隙間の有無を選択的に行って、角形の基板の回転処理においても、四角い形状の影響をなくすようにした基板処理装置を提供すること。
【解決手段】角形の基板Ｇを水平状態に保持し、鉛直軸回りに回転するスピンチャック１０と、スピンチャック１０にて保持された基板Ｇの各辺の外方近傍に位置すると共に、基板Ｇの表面と略同一平面の表面を有する気流調整用のプレート１１と、スピンチャック１０にて保持された基板Ｇの表面に処理液を供給する塗布液供給ノズル１２と、スピンチャック１０にて保持された基板Ｇの裏面に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル１３と、を具備する基板処理装置において、各プレート１１を基板Ｇの辺に対して選択的に接離移動するプレート移動機構２０を設ける。これにより、プレート移動機構２０を作動して、基板Ｇとプレート１１との隙間の有無を選択的に行うことができる。
【解決手段】角形の基板Ｇを水平状態に保持し、鉛直軸回りに回転するスピンチャック１０と、スピンチャック１０にて保持された基板Ｇの各辺の外方近傍に位置すると共に、基板Ｇの表面と略同一平面の表面を有する気流調整用のプレート１１と、スピンチャック１０にて保持された基板Ｇの表面に処理液を供給する塗布液供給ノズル１２と、スピンチャック１０にて保持された基板Ｇの裏面に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル１３と、を具備する基板処理装置において、各プレート１１を基板Ｇの辺に対して選択的に接離移動するプレート移動機構２０を設ける。これにより、プレート移動機構２０を作動して、基板Ｇとプレート１１との隙間の有無を選択的に行うことができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えばレチクルやＬＣＤ用ガラス基板等の角形の基板に処理液を供給して処理を施す基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、例えば、半導体デバイスやレチクル等の基板の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、基板上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理，基板上のレジスト膜に対し所定のパターンの露光を行う露光処理，露光処理後の基板上に現像液を供給して基板上のレジスト膜を現像する現像処理等が行われている。また、レジスト塗布処理や現像処理後に、保持手段にて保持された基板に洗浄液を供給（吐出）して、洗浄処理を行っている。
【０００３】
また、角形の基板を処理する基板処理装置においては、レジスト塗布処理、現像処理及び洗浄処理において、基板を回転させて処理するため、擬似的に円形にするために基板の四方に、基板の表面と略同一平面の表面を有する気流調整用の三日月状のプレートが設けられている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−２７３８４５号公報（段落００１６、図２，図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、この種の基板処理装置においては、基板とプレートとの間には基板サイズの大小や搬送ずれ等を吸収するために隙間が設けられているため、基板の内接円より外側の角部の領域には四角い形状の影響が残り、塗布膜の均一性の低下や処理精度の低下をきたすという問題があった。
【０００５】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、処理液や洗浄液の供給（吐出）のタイミングや時間等を組み込んだ処理レシピに基づいて基板とプレートとの隙間の有無を選択的に行って、角形の基板の回転処理においても、四角い形状の影響をなくすようにした基板処理装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、請求項１記載の発明は、角形の被処理基板を水平状態に保持し、鉛直軸回りに回転する保持手段と、 上記保持手段にて保持された被処理基板の各辺の外方近傍に位置すると共に、被処理基板の表面と略同一平面の表面を有する気流調整用のプレートと、 上記保持手段にて保持された被処理基板の表面に処理液を供給する処理液供給ノズルと、 上記保持手段にて保持された被処理基板の裏面に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルと、を具備する基板処理装置において、 上記各プレートを上記被処理基板の辺に対して選択的に接離移動するプレート移動機構を具備してなる、ことを特徴とする。
【０００７】
このように構成することにより、プレート移動機構の駆動により、保持手段にて保持された被処理基板の各辺の外方近傍に位置する各プレートを、被処理基板の辺に対して選択的に接離移動することができる。例えば、処理液供給ノズルから被処理基板に処理液を供給する処理時には、被処理基板とプレートとの隙間を無くして処理を行うことができ、また、洗浄液供給ノズルから被処理基板に洗浄液を供給する洗浄時には、被処理基板とプレートとの隙間を開けて洗浄処理を行うことができる。
【０００８】
この発明において、上記プレート移動機構は、各プレートを被処理基板の辺に対して選択的に接離移動するものであれば任意のものでよく、例えば、保持手段の回転軸部に設けられ、流体の給排によってピストンを往復動する駆動シリンダと、この駆動シリンダのピストンに一端が係合し、他端がプレートに連結する可動連結部材とを具備する構造にしてもよい（請求項２）。この場合、上記駆動シリンダを被処理基板の各辺に対応して複数個（４個）設けてもよいが、好ましくは、一つの駆動シリンダのピストンに略コーン形の昇降カムを連結し、この昇降カムの側面に可動連結部材の端部を係合する方がよい（請求項３）。
【０００９】
このように構成することにより、駆動シリンダの駆動により往復動するピストンと可動連結部材を介して各プレートを、被処理基板の辺に対して選択的に接離移動することができる。この場合、駆動シリンダのピストンに略コーン形の昇降カムを連結し、この昇降カムの側面に可動連結部材の端部を係合することにより、一つの駆動シリンダの駆動によって複数（４個）のプレートを被処理基板の辺に対して同時にかつ選択的に接離移動することができる（請求項３）。
【００１０】
また、この発明において、上記プレートにおける被処理基板の辺部側面と対向する面に、被処理基板の辺部側面に当接する突起部を突設してもよい（請求項４）。
【００１１】
このように構成することにより、プレートの側面を被処理基板の側面に当接させることなく、プレートを被処理基板に近接することができる。
【００１２】
また、請求項５記載の発明は、請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置において、 上記処理液供給ノズルと処理液供給源とを接続する処理液供給管路に介設される第１の開閉弁と、 上記洗浄液供給ノズルと洗浄液供給源とを接続する洗浄液供給管路に介設される第２の開閉弁と、 上記第１及び第２の開閉弁の開閉動作と、プレート移動機構によるプレート移動とを連動して制御する制御手段と、を更に具備することを特徴とする。
【００１３】
このように構成することにより、処理液供給ノズルから被処理基板に処理液を供給する処理時と、洗浄液供給ノズルから被処理基板に洗浄液を供給する洗浄時におけるプレートの被処理基板に対する接離状態を選択することができる。例えば、処理液供給時には、プレートを被処理基板に当接又は近接した状態で被処理基板に処理液を供給し、また、洗浄処理時や乾燥処理時には、プレートを被処理基板から離した状態で被処理基板に洗浄液を供給し、その後乾燥処理を施すことができる。
【発明の効果】
【００１４】
この発明によれば、上記のように構成されているので、以下のような優れた効果を奏する。
【００１５】
（１）請求項１，２，３記載の発明によれば、処理液供給ノズルから被処理基板に処理液を供給する処理時には、被処理基板とプレートとの隙間を無くして処理を行うことができるので、角形の被処理基板の四角い形状の影響をなくすことができ、処理精度の向上を図ることができる。また、洗浄液供給ノズルから被処理基板に洗浄液を供給する洗浄時には、被処理基板とプレートとの隙間を開けて処理を行うことができるので、洗浄効率の向上を図ることができる。
【００１６】
（２）請求項４記載の発明によれば、プレートの側面を被処理基板の側面に当接させることなく、プレートを被処理基板に近接することができるので、上記（１）に加えて、更にプレートと被処理基板との当接による衝撃を緩和することができると共に、被処理基板の寸法誤差によるプレートとの隙間の不均一を補正することができる。また、プレートの側面に突起部を設けることで、被処理基板へのゴミの転写や被処理基板に傷が付くのを防止することができる。
【００１７】
（３）請求項５記載の発明によれば、処理状態に応じてプレートの被処理基板に対する接離状態を選択することができ、例えば、処理液供給時には、プレートを被処理基板に当接又は近接した状態で被処理基板に処理液を供給し、また、洗浄処理時や乾燥処理時には、プレートを被処理基板から離した状態で被処理基板に洗浄液を供給し、その後乾燥処理を施すことができる。したがって、上記（１），（２）に加えて、更に処理精度の向上及び処理効率の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、この発明の最良の形態について、添付図示に基づいて詳細に説明する。この実施形態では、この発明に係る基板処理装置を、フォトマスク用の被処理基板、例えばレチクル用の角形ガラス基板にレジスト塗布及び現像処理を施す塗布・現像処理装置に適用した場合について説明する。
【００１９】
上記塗布・現像処理装置は、図１及び図２に示すように、キャリアブロックＢ１と、処理ブロックＢ２と、インターフェースブロックＢ３及び露光ブロックＢ４を具備している。
【００２０】
キャリアブロックＢ１は、複数枚のガラス基板Ｇ（以下に基板Ｇという）を収納したキャリア１を載置するキャリア載置部２と、受け渡し手段３を備えている。このキャリアブロックＢ１の奥側には処理ブロックＢ２が接続されている。処理ブロックＢ２には主搬送手段である搬送アーム４が設けられ、この搬送アーム４を取り囲むように例えばキャリアブロックＢ１からみて右側には、この発明に係る基板処理装置を設けた塗布ユニットＵ１及び露光処理後の基板Ｇを現像するための、この発明に係る基板処理装置を設けた現像ユニットＵ２が備えられ、左側には基板Ｇを洗浄するための洗浄ユニットＵ３が備えられ、更に手前側及び奥側には基板Ｇを加熱及び冷却処理するための加熱・冷却ユニット及び基板受け渡し用の受け渡しユニットなどを多段に積層した棚Ｕ４，Ｕ５が備えられている。また、搬送アーム４は、例えば、昇降及び前後に移動自在でかつ鉛直軸周りに回転自在に構成されており、塗布ユニットＵ１，現像ユニットＵ２，洗浄ユニットＵ３及び棚ユニットＵ４，Ｕ５間で基板Ｇの受け渡しが可能なように構成されている。更にまた、処理ブロックＢ２は、インターフェースブロックＢ３を介して例えばレジスト膜が形成された基板Ｇに所定のマスクを用いて露光処理するための露光ブロックＢ４と接続されており、また、このインターフェースブロックＢ３には受け渡し手段３Ａが設けられ、棚ユニットＵ５の棚の一つである受け渡しユニットと、露光ブロックＢ４との間で基板Ｇの受け渡しが可能なように構成されている。
【００２１】
この塗布・現像処理装置の基板Ｇの流れについて簡単に説明すると、先ず外部から基板Ｇが収納されたキャリア１がキャリア載置部２に搬入されると、受け渡し手段３によりキャリア１内から基板Ｇが１枚取り出され、棚ユニットＵ４の棚の一つである受け渡しユニットを介して搬送アーム４に渡され、洗浄ユニットＵ３→加熱ユニット→冷却ユニット→塗布ユニットＵ１に順次搬入されて例えばレジスト膜が形成される。次いで加熱ユニットでプリベーク処理が行われ、冷却ユニットで所定の温度に調整された後、受け渡し手段３Ａを介して露光ブロックＢ４に搬入されて露光が行われる。その後、基板Ｇは加熱ユニットに搬入されて所定の温度でポストエクスポージャーベーク処理が行われ、次いで冷却ユニットで所定の温度に温調された後、現像ユニットＵ２にて現像処理が行われる。このようにして所定の処理が施され、その表面に例えばレジストマスクパターンが形成された基板Ｇは元のキャリア１内に戻される。
【００２２】
次に、この発明に係る基板処理装置について詳細に説明する。
【００２３】
＜第１実施形態＞
図３は、この発明に係る基板処理装置の第１実施形態を示すもので、上記塗布ユニットＵ１に備えられたレジスト塗布処理装置の概略断面図である。
【００２４】
上記レジスト塗布処理装置５は、基板Ｇを水平状態に保持し、鉛直軸回りに回転する保持手段であるスピンチャック１０と、このスピンチャック１０にて保持された基板Ｇの各辺の外方近傍に位置すると共に、基板Ｇの表面と略同一平面の表面を有する略半月形状の気流調整用のプレート１１と、スピンチャック１０にて保持された基板Ｇの表面に処理液である塗布液（レジスト液）を供給（吐出）する処理液供給用の塗布液供給ノズル１２と、スピンチャック１０にて保持された基板Ｇの裏面に洗浄液例えばシンナーを供給（吐出）する洗浄液供給ノズル１３と、各プレート１１を基板Ｇの各辺に対して同時にかつ選択的に接離移動するプレート移動機構２０と、を具備している。
【００２５】
この場合、上記塗布液供給ノズル１２は、第１の開閉弁Ｖ１を介設する塗布液供給管路１２ａを介して塗布液（レジスト液）供給源１２ｂに接続されている。また、洗浄液供給ノズル１３は、第２の開閉弁Ｖ２を介設する洗浄液供給管路１３ａを介して洗浄液（シンナー）供給源１３ｂに接続されている。
【００２６】
上記スピンチャック１０は、回転軸部１４を介して駆動部１５に連結されており、基板Ｇを保持した状態で回転及び昇降可能に構成されている。なお、駆動部１５は、後述する制御手段であるコントローラ３０に電気的に接続されており、コントローラ３０からの制御信号に基づいて、ＯＮ，ＯＦＦ動作及び所定の回転速度に回転する。また、スピンチャック１０は、基板Ｇよりも僅かに大きい四角形の基台１０ａを具備し、この基台１０ａの各辺から外方に突出する延在片１０ｂが形成されており、各延在片１０ｂの上面にはリニアガイド１６を介して上記プレート１１が基板Ｇの辺に対して接離移動可能に配設されている。プレート１１は、基板Ｇの各辺に沿ってかつ各辺と隙間を介して基板Ｇの表面に対して基板Ｇの表面と同一平面上、若しくは、僅かに低い位置例えば３００〜１００μｍ低い位置に設定された平坦な面状部として構成されている。
【００２７】
更に、基台１０ａ上に載置した基板Ｇが動かないようにするために、基板Ｇの外側面に当接し基板Ｇを位置決めするための複数の位置決めピン１７が設けられている。位置決めピン１７は、例えば基板Ｇの各角にそれぞれ２つずつ計８つ配置されている。また、基台１０ａの表面には、基板Ｇの裏面にパーティクルが付着するのを防止するために、基板Ｇの裏面をスピンチャック１０の表面から僅かに浮かせた状態で支持するための基板支持突起１８が例えば基板Ｇの各辺の中心付近に対応する位置に設けられている（図５，図６参照）。
【００２８】
上記プレート移動機構２０は、図４に示すように、スピンチャック１０の回転軸部１４に設けられ、流体例えば空気の給排によってピストン２１を往復動する駆動シリンダ２２と、この駆動シリンダ２２のピストン２１の先端側に装着された略コーン形の昇降カム２３に、一端が図示しないばねの付勢力によって常時摺接係合し、他端がプレート１１に連結する略Ｌ字状の可動連結部材２４とを具備している。
【００２９】
また、駆動シリンダ２２の側面における上端側及び下端側には、第１及び第２の給排ポート２２ａ，２２ｂが設けられており、これら給排ポート２２ａ，２２ｂに接続する給排管路２９ａ，２９ｂに４ポート２位置切換弁２５（以下に切換弁２５という）を介して空気供給源２６が接続されている。
【００３０】
このように構成することにより、例えば、図４（ａ）に示すように、切換弁２５が切り換わって第１の給排ポート２２ａと空気供給源２６とが接続されると、ピストン２１によって区画される上部室２７ａ内に空気が供給されると共に、第２の給排ポート２２ｂが大気側に接続してピストン２１によって区画される下部室２７ｂ内の空気が大気側に排気されることにより、ピストン２１は下降する。ピストン２１の下降に伴って昇降カム２３も下降し、昇降カム２３に摺接係合する可動連結部材２４が中心側に移動する。これにより各プレート１１も中心側に移動して基板Ｇの各辺にプレート１１が接触する（図５（ａ），（ｂ）参照）。また、図４（ｂ）に示すように、切換弁２５が切り換わって第２の給排ポート２２ｂと空気供給源２６とが接続されると、下部室２７ｂ内に空気が供給されると共に、第１の給排ポート２２ａが大気側に接続して上部室２７ａ内の空気が大気側に排気されることにより、ピストン２１は上昇する。ピストン２１の上昇に伴って昇降カム２３も上昇し、昇降カム２３に摺接係合する可動連結部材２４が中心側から離れる方向に移動する。これにより各プレート１１も中心側から離れる方向に移動して基板Ｇの各辺とプレート１１との間に隙間２８が生じる（図６（ａ），（ｂ）参照）。
【００３１】
なお、上記実施形態では、基板Ｇの各辺の側面にプレート１１の側面が接触する場合について説明したが、基板Ｇの辺との間に僅かな隙間を残してプレート１１を近接してもよい。また、図５（ｃ）に示すように、プレート１１の基板Ｇの辺と対向する側面１１ａに、僅かに突出、例えば０．１〜０．５ｍｍ突出する例えば合成樹脂製の突起１１ｂを突設するようにしてもよい。この場合、突起１１ｂは少なくともプレート１１の側面１１ａの両側の２箇所に設ける方がよい。このように、プレート１１の基板Ｇの辺と対向する側面１１ａに突起１１ｂを突設することにより、プレート１１が基板Ｇに衝突する際の衝撃を緩和することができると共に、基板Ｇの寸法誤差によるプレート１１との隙間の不均一を補正することができる。また、プレート１１の側面に突起１１ｂを設けることで、基板Ｇへのゴミの転写や基板Ｇに傷が付くのを防止することができる。
【００３２】
上記のように構成されるレジスト塗布処理装置５において、第１及び第２の開閉弁Ｖ１，Ｖ２と、プレート移動機構２０の切換弁２５は、制御手段であるコントローラ３０に電気的に接続されている。そして、コントローラ３０からの制御信号に基づいて開閉弁Ｖ１，Ｖ２の開閉動作と、プレート移動機構２０によるプレート１１の基板Ｇに対する接離移動とを連動して制御されるように形成されている。
【００３３】
なお、スピンチャック１０の側周方を囲むようにして第１の内カップ４０が設けられており、この第１の内カップ４０の上面はスピンチャック１０の表面と略同じ高さレベルに設定されていると共に、下部外側が下方内側に傾斜している。更に、スピンチャック１０の下方側には、スピンチャック１０の回転軸を囲む円板４１が設けられ、更にこの円板４１の外周を囲むようにして断面形状が山形である第２の内カップ４２が設けられており、この第２の内カップ４２は外径が第１の内カップ４０の外径と略同じに設定されると共に、外周縁が下方側に屈曲して垂下している。更にまた、第１及び第２の内カップ４０，４２を囲むように外カップ４３が設けられている。この外カップ４３は、上面にスピンチャック１０が昇降できるようにスピンチャック１０よりも一回り大きい開口部が形成されると共に、側周面と第１の内カップ４０及び第２の内カップ４２の外周縁との間に吸気路４４をなす隙間が形成されている。
【００３４】
上記外カップ４３の底部は、第２の内カップ４２の外周縁部分と共に屈曲路を形成して気液分離部を構成しており、液体（塗布液の余剰分）は外側室２７を通ってドレイン口４５から排出され、また、気体は内側室２７ａを通って排気口４６から図示しない吸引手段である吸引ポンプにより吸引されて排気されるように構成されている。また、外カップ４３の上方位置には、リング内径が外カップ４３の開口部よりも小さく例えば１５０〜１７０ｍｍに設定されると共に、リング外径が外カップ４３の開口部よりも大きいリングプレート１１が設けられている。このリングプレート１１は図示しない駆動機構により昇降自在に構成されている。
【００３５】
次に、上記レジスト塗布処理装置５を用いて基板Ｇに対する所定の塗布処理例えば基板Ｇの表面に塗布膜を形成する手法について、表１を参照して説明する。
【表１】
【００３６】
まず、リングプレート１１が上方位置に設定された状態にて、スピンチャック１０を外カップ４３の上方まで上昇させ、搬送アーム４からスピンチャック１０に基板Ｇが渡される。次いで、スピンチャック１０が基板Ｇを保持した状態で下降し、更にリングプレート１１が下方位置まで下降する。このとき、コントローラ３０からの制御信号に基づいて、第１及び第２の開閉弁Ｖ１，Ｖ２は閉じており、プレート移動機構２０の切換弁２５は、上述した図４（ｂ）に示す位置に切り換わっており、プレート１１は基板Ｇの辺から離れた開の状態になっている（ステップ１−１）。次に、塗布液供給ノズル１２が基板Ｇの中心部に対向する位置に案内される。この際、コントローラ３０からの制御信号に基づいて、プレート移動機構２０の切換弁２５は、上述した図４（ａ）に示す位置に切り換わって、プレート１１を基板Ｇの辺に向かって移動した閉の状態にすると共に、第１の開閉弁Ｖ１は開いて、塗布液供給ノズル１２から塗布液であるレジスト液を基板Ｇの中心部に向けて例えば５秒間、供給（吐出）する（ステップ１−２，３）。その後、第１の開閉弁Ｖ１は閉じる一方、駆動部１５が駆動して、例えば２秒間、第１の周速度例えば２０００ｒｐｍでスピンチャック１０と共に基板Ｇを一体的に高速回転させ（ステップ１−４）、続いて、例えば２秒間、第２の周速度例えば１０００ｒｐｍでスピンチャック１０と共に基板Ｇを一体的に高速回転させ（ステップ１−５）、続いて、例えば２秒間、第３の周速度例えば５００ｒｐｍでスピンチャック１０と共に基板Ｇを一体的に中速回転させる（ステップ１−６）。これにより、基板Ｇに供給されたレジスト液は基板Ｇが回転することによる遠心力の作用により、基板Ｇの周縁側に向かって広がって行き、更に、基板上の余剰のレジスト液が振り切られる。その後、例えば６０秒間、第４の周速度例えば１００ｒｐｍでスピンチャック１０と共に基板Ｇを一体的に低速回転させることにより、基板Ｇの表面上のレジスト液に含まれるシンナーの蒸発を促進させて、残ったレジスト成分により基板Ｇの表面に例えば厚さ０．６μｍ程度のレジスト膜が形成される（ステップ１−７）。このレジスト膜の形成処理の際には、基板Ｇとプレート１１とが接触又は近接しているので、基板Ｇの内接円より外側の角部の領域には四角い形状の影響が残ることがなく、塗布膜の均一性の低下や処理精度の低下をきたすことがない。
【００３７】
次に、塗布液供給ノズル１２を後退させる一方で、プレート移動機構２０の切換弁２５は、上述した図４（ｂ）に示す位置に切り換わって、プレート１１を基板Ｇの辺から離れた開の状態にする。また、コントローラ３０からの制御信号に基づいて第２の開閉弁Ｖ２が開き、例えば１０秒間、第５の周速度例えば１００ｒｐｍでスピンチャック１０と共に基板Ｇを低速回転させると共に、洗浄液供給ノズル１３から位相をずらして交差するようにして、基板Ｇの裏面に洗浄液を供給（バックリンス）する（ステップ１−８）。続いて、例えば３０秒間、第６の周速度例えば１０００ｒｐｍでスピンチャック１０と共に基板Ｇを一体的に高速回転させ、遠心力により洗浄液を基板Ｇとプレート１１との隙間に供給する（ステップ１−９）。これにより、各洗浄液供給ノズル１３から供給された洗浄液は、各々が対応する基板Ｇの隅部に向かってそれぞれ広がって行くこととなる。そして、周縁に達した洗浄液は、その表面張力の作用により基板Ｇの裏面側に付着した状態で更に外方側に流れ、このとき基板Ｇの隅部の周縁を越えて外方側に膨出した洗浄液はその表面張力により基板Ｇの側面側に回り込みながら流れる。そして、更に基板Ｇの隅部の角にまで達した洗浄液が振り切られる際にも表面張力により側面に回り込むことで、レジスト液の塗布を終えた基板Ｇの側面及び裏面に付着するレジスト成分が除去される。
【００３８】
その後、洗浄を終了し、リングプレート１１を上昇した後、スピンチャック１０を上昇させて、搬送アーム４が基板Ｇを受け取り搬出する。
【００３９】
＜第２実施形態＞
図７は、この発明に係る基板処理装置の第２実施形態を示すもので、上記現像ユニットＵ２に備えられた現像処理装置の概略断面図、図８は、上記現像処理装置の概略平面図である。
【００４０】
上記現像処理装置６は、図７及び図８に示すように、ケーシング５０を有し、このケーシング５０内の中央部には、基板Ｇを回転させるための保持手段である回転基台６０が設けられている。回転基台６０は、基板Ｇよりも僅かに大きく形成されており、この回転基台６０の回転軸部６１を介して下方に設けられたモータ等の駆動部６２に連結し、回転基台６０の中心軸を回転軸として所定の回転速度で回転できるように構成されている。
【００４１】
回転基台６０上には、方形の基板Ｇの外周部を支持して保持するための基板保持部材６３が取り付けられている。また、回転基台６０には、基板Ｇの外側面に当接し基板Ｇを位置決めするための複数の位置決めピン６４が設けられている。位置決めピン６４は、例えば基板Ｇの各角にそれぞれ２つずつ計８つ配置されている。
【００４２】
また、回転基台６０の外方には、第１実施形態と同様に、回転基台６０の各辺から外方に突出する延在片６５が形成されており、各延在片６５の上面にはリニアガイド１６を介して上記プレート１１が基板Ｇの辺に対して接離移動可能に配設されている。プレート１１は、基板Ｇの各辺に沿ってかつ各辺と隙間を介して基板Ｇの表面に対して基板Ｇの表面と同一平面上、若しくは、僅かに高い位置例えば２００〜４００μｍ高い位置に設定された平坦な面状部として構成されている。これにより、基板Ｇの表面からプレート１１の表面に渡る同一平面上に連続した液膜を形成することができる。
【００４３】
上記プレート１１を基板Ｇに対して接離移動するプレート移動機構２０は、第１実施形態と同様に構成されるので、ここでは同一部分に同一符号を付して、説明は省略する。
【００４４】
また、回転基台６０と基板保持部材６３の基板Ｇの外周部に対応する位置には、垂直方向に貫通する貫通孔６６が形成されている。貫通孔６６内には、基板Ｇを支持して昇降させる昇降ピン６７が設けられている。昇降ピン６７は、例えばシリンダ等の昇降駆動部６８によって昇降自在であり、回転基台６０上に突出して基板保持部材６３に対する基板Ｇの受け渡しを行うように構成されている。
【００４５】
回転基台６０の上面中央部には、上方に向けて洗浄液であるリンス液を供給（吐出）し基板Ｇの裏面を洗浄する洗浄液供給ノズルとしての裏面洗浄ノズル７１が設けられている。裏面洗浄ノズル７１は、第３の開閉弁Ｖ３を介設するリンス液供給管路７１ａを介してリンス液供給源７１ｂに接続されている。
【００４６】
また、回転基台６０は、基板Ｇから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するためのカップ５１内に収容されている。カップ５１は、回転基台６０の側方と下方を覆うように、例えば下面が閉鎖され上面が開口した略円筒状に形成されている。カップ５１の下面には、例えば工場の排液部に連通した排出管５２が接続されており、カップ５１において回収した液体を現像処理装置６の外部に排出できる。
【００４７】
また、図７及び図８に示すように、カップ５１のＹ方向負方向（図２の左方向）側には、第１の待機部５３が設けられている。第１の待機部５３には、現像液及びリンス液（リンス液）の供給と吸引を行う処理液供給ノズルである現像ノズル７０が設けられている。現像ノズル７０は、例えば少なくとも基板Ｇの対向辺の寸法と同じかそれよりも長い、Ｘ方向に沿った略正方対形状を有している。現像ノズル７０は、門型のヘッドアーム７３に支持されており、ヘッドアーム７３が取り付けられた例えばボールねじとその回転モータ等からなる水平移動機構７４によって、第１の待機部５３から少なくともカップ５１のＹ方向正方向（図２の右方向）側の端部付近まで水平移動できる。また、現像ノズル７０は、例えばヘッドアーム７３に取り付けられたシリンダなどの昇降機構（図示せず）によって上下方向にも移動できる。現像ノズル７０は、第４の開閉弁Ｖ４を介設する現像液供給管路７０ａを介して現像液供給源７０ｂに接続されている。
【００４８】
また、上記回転基台６０，プレート１１及び基板保持部材６３は、カップ５１内に収容可能に形成されており、カップ５１の外方側の第１の待機部５３と対向する第２の待機部５４には、回転基台６０に保持された基板Ｇに向かって洗浄液であるリンス液例えば純水ＤＷを供給（吐出）する洗浄液供給ノズルであるリンスノズル７２が配設されている。このリンスノズル７２は、例えば回転駆動軸７５に取り付けられたノズルアーム７６の先端部に取り付けられている。リンスノズル７２は、第５の開閉弁Ｖ５を介設するリンス液供給管路７２ａを介してリンス液供給源７２ｂに接続されている。なお、リンス液供給源７２ｂを裏面洗浄ノズル７１のリンス液供給源７１ｂと共通にしてもよい。
【００４９】
上記のように構成される現像処理装置６において、上記第３，第４及び第５の開閉弁Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５と、プレート移動機構２０と、回転基台６０の駆動部６２及び水平移動機構７４は、制御手段であるコントローラ３０に電気的に接続されており、コントローラ３０からの制御信号に基づいて開閉弁Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５の開閉動作と、プレート移動機構２０によるプレート１１の基板Ｇに対する接離移動とを連動して制御されるように、また、回転基台６０を所定の回転数で回転するように形成されている。
【００５０】
次に、上記現像処理装置６を用いて基板Ｇに対する現像処理の手法について、表２を参照して説明する。
【表２】
【００５１】
まず、搬送アーム４によって現像処理装置内に基板Ｇが搬入されると、基板Ｇは、予め上昇していた昇降ピン６７に受け渡され、昇降ピン６７の下降によって基板保持部材６３上に載置される。基板Ｇが基板保持部材６３上に載置されると、吸引口（図示せず）からの吸引により基板Ｇが水平状態に吸着保持される。このとき、コントローラ３０からの制御信号に基づいて、第３〜第５の開閉弁Ｖ３〜Ｖ５は閉じており、プレート移動機構２０の切換弁２５は、上述した図４（ｂ）に示す位置に切り換わっており、プレート１１は基板Ｇの辺から離れた開の状態になっている（ステップ２−１）。その後、プレート移動機構２０の切換弁２５は、上述した図４（ａ）に示す位置に切り換わって、プレート１１を基板Ｇの辺に向かって移動した閉の状態にする。続いて、第１の待機部５３で待機していた現像ノズル７０がＹ方向正方向側に移動し、基板ＧよりＹ方向負方向側のプレート１１上まで移動して、現像ノズル７０に設けられた図示しないリンス液吐出口，現像液吐出口及び現像液吸引口のある下面がプレート１１上に配置される。そして、現像ノズル７０が下降し、スタート位置であるプレート１１の表面に近接される（ステップ２−２）。このとき、コントローラ３０からの制御信号に基づいて駆動部６２，水平移動機構７４が作動し、例えば１秒間、第１の周速度例えば２００ｒｐｍで回転基台６０と共に基板Ｇを一体的に低速回転させると共に、第４の開閉弁Ｖ４が開いて、現像ノズル７０のリンス液吐出口からリンス液の吐出した状態でＹ方向正方向に移動（スキャン）して、例えばプレート１１の表面上から基板Ｇの表面上に渡ってリンス液の液膜を形成される（ステップ２−３）。このようにして、基板Ｇの表面の濡れ性を向上するプリウェット処理が行われる。続いて、現像ノズル７０が再びプレート１１のＹ方向負方向側のスタート位置まで戻される。現像ノズル７０の下面がリンス液の液膜に接触した状態で、今度はリンス液吐出口からリンス液，現像吐出口から現像液を吐出し、現像液吸引口からそのリンス液と現像液を吸引しながらＹ方向正方向側に移動して、基板Ｇの表面の一部の領域に帯状の現像液の流れが形成される（ステップ２−４）。このとき、例えば６０秒間、第１の周速度例えば２００ｒｐｍで回転基台６０と共に基板Ｇを一体的に低速回転させ、この現像液の流れによって基板Ｇの表面が現像される。現像によって生じた溶解生成物は直ちに現像液吸引口から排出される。
【００５２】
現像ノズル７０がプレート１１のＹ方向正方向側の端部付近まで移動すると、第４の開閉弁Ｖ４は閉じて現像液及びリンス液の供給とその吸引が停止され、現像ノズル７０は、第１の待機部５３に戻される（ステップ２−５）。
【００５３】
続いて、第２の待機部５４で待機していたリンスノズル７２が基板Ｇの中心部上方まで移動する。このとき、プレート移動機構２０の切換弁２５は、上述した図４（ｂ）に示す位置に切り換わって、プレート１１を基板Ｇの辺から離れた開の状態にする。また、コントローラ３０からの制御信号に基づいて駆動部６２が作動すると共に、第５の開閉弁Ｖ５が開いて、例えば１０秒間、第２の周速度例えば５００ｒｐｍで回転基台６０と共に基板Ｇを一体的に中速回転させ、リンスノズル７２から回転された基板Ｇ上にリンス液例えば純水ＤＷが供給（吐出）され、基板Ｇが洗浄される（ステップ２−６）。このとき、例えば裏面洗浄ノズル７１からもリンス液である純水ＤＷを供給（吐出）し、基板Ｇの裏面に純水ＤＷを供給（バックリンス）してもよい。続いて、例えば１８０秒間、第３の周速度例えば４００ｒｐｍで回転基台６０と共に基板Ｇを一体的に中速回転させ、裏面洗浄ノズル７１から回転された基板Ｇの裏面に純水ＤＷが供給（吐出）され、基板Ｇの裏面が洗浄（バックリンス）される（ステップ２−７）。このとき、例えばリンスノズル７２からもリンス液である純水ＤＷを供給（吐出）し、基板Ｇの表面を洗浄してもよい。
【００５４】
基板Ｇが所定時間洗浄された後、リンスノズル７２は第２の待機部５４に戻る一方、プレート１１が基板の辺から離れた状態で例えば１０秒間、第３の周速度例えば４００ｒｐｍで回転基台６０と共に基板Ｇを一体的に中速回転する（ステップ２−８）。その後、例えば１８０秒間、第４の周速度例えば１８００ｒｐｍで回転基台６０と共に基板Ｇを一体的に高速回転させ、基板Ｇが乾燥される（ステップ２−９）。基板Ｇが乾燥されると、基板Ｇの吸着が解除され、再び昇降ピン６７によって持ち上げられ、図示しない搬送アームによって基板処理装置の外部に搬出される。
【００５５】
＜その他の実施形態＞
上記実施形態は、この発明に係る基板処理装置（レジスト塗布処理装置５、現像処理装置６）により、レチクル等のガラス基板の処理に関する場合について説明したが、この発明はこれに限らず、例えば、この発明は、ＬＣＤ，ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）等の方形の基板にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】この発明に係る基板処理装置を具備する塗布・現像処理装置を示す概略平面図である。
【図２】上記塗布・現像処理装置の概略斜視図である。
【図３】この発明に係る基板処理装置の第１実施形態を示す概略断面図である。
【図４】この発明におけるプレート移動機構の動作を示す要部断面図である。
【図５】この発明におけるプレートを基板に近接した状態を示す概略平面図（ａ）、その概略側面図（ｂ）及びプレートに突起を設けた場合の近接状態を示す拡大断面図（ｃ）である。
【図６】上記プレートを基板から離した状態を示す概略平面図（ａ）及びその概略側面図（ｂ）である。
【図７】この発明に係る基板処理装置の第２実施形態を示す概略断面図である。
【図８】第２実施形態に係る基板処理装置の概略平面図である。
【符号の説明】
【００５７】
Ｇ ガラス基板（被処理基板）
５ レジスト塗布処理装置
６ 現像処理装置
１０ スピンチャック（保持手段）
１１ プレート
１１ａ 側面
１１ｂ 突起
１２ 塗布液供給ノズル（処理液供給ノズル）
１３ 洗浄液供給ノズル
１５ 駆動部
２０ プレート移動機構
２１ ピストン
２２ 駆動シリンダ
２３ 昇降カム
２４ 可動連結部材
２５ 切換弁
２６ 空気供給源
３０ コントローラ（制御手段）
６０ 回転基台（保持手段）
６２ 駆動部
７０ 現像ノズル（処理液供給ノズル）
７１ 裏面洗浄ノズル（洗浄液供給ノズル）
７２ リンスノズル（洗浄液供給ノズル）
Ｖ１〜Ｖ５ 第１〜第５の開閉弁
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えばレチクルやＬＣＤ用ガラス基板等の角形の基板に処理液を供給して処理を施す基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、例えば、半導体デバイスやレチクル等の基板の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、基板上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理，基板上のレジスト膜に対し所定のパターンの露光を行う露光処理，露光処理後の基板上に現像液を供給して基板上のレジスト膜を現像する現像処理等が行われている。また、レジスト塗布処理や現像処理後に、保持手段にて保持された基板に洗浄液を供給（吐出）して、洗浄処理を行っている。
【０００３】
また、角形の基板を処理する基板処理装置においては、レジスト塗布処理、現像処理及び洗浄処理において、基板を回転させて処理するため、擬似的に円形にするために基板の四方に、基板の表面と略同一平面の表面を有する気流調整用の三日月状のプレートが設けられている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−２７３８４５号公報（段落００１６、図２，図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、この種の基板処理装置においては、基板とプレートとの間には基板サイズの大小や搬送ずれ等を吸収するために隙間が設けられているため、基板の内接円より外側の角部の領域には四角い形状の影響が残り、塗布膜の均一性の低下や処理精度の低下をきたすという問題があった。
【０００５】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、処理液や洗浄液の供給（吐出）のタイミングや時間等を組み込んだ処理レシピに基づいて基板とプレートとの隙間の有無を選択的に行って、角形の基板の回転処理においても、四角い形状の影響をなくすようにした基板処理装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、請求項１記載の発明は、角形の被処理基板を水平状態に保持し、鉛直軸回りに回転する保持手段と、 上記保持手段にて保持された被処理基板の各辺の外方近傍に位置すると共に、被処理基板の表面と略同一平面の表面を有する気流調整用のプレートと、 上記保持手段にて保持された被処理基板の表面に処理液を供給する処理液供給ノズルと、 上記保持手段にて保持された被処理基板の裏面に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルと、を具備する基板処理装置において、 上記各プレートを上記被処理基板の辺に対して選択的に接離移動するプレート移動機構を具備してなる、ことを特徴とする。
【０００７】
このように構成することにより、プレート移動機構の駆動により、保持手段にて保持された被処理基板の各辺の外方近傍に位置する各プレートを、被処理基板の辺に対して選択的に接離移動することができる。例えば、処理液供給ノズルから被処理基板に処理液を供給する処理時には、被処理基板とプレートとの隙間を無くして処理を行うことができ、また、洗浄液供給ノズルから被処理基板に洗浄液を供給する洗浄時には、被処理基板とプレートとの隙間を開けて洗浄処理を行うことができる。
【０００８】
この発明において、上記プレート移動機構は、各プレートを被処理基板の辺に対して選択的に接離移動するものであれば任意のものでよく、例えば、保持手段の回転軸部に設けられ、流体の給排によってピストンを往復動する駆動シリンダと、この駆動シリンダのピストンに一端が係合し、他端がプレートに連結する可動連結部材とを具備する構造にしてもよい（請求項２）。この場合、上記駆動シリンダを被処理基板の各辺に対応して複数個（４個）設けてもよいが、好ましくは、一つの駆動シリンダのピストンに略コーン形の昇降カムを連結し、この昇降カムの側面に可動連結部材の端部を係合する方がよい（請求項３）。
【０００９】
このように構成することにより、駆動シリンダの駆動により往復動するピストンと可動連結部材を介して各プレートを、被処理基板の辺に対して選択的に接離移動することができる。この場合、駆動シリンダのピストンに略コーン形の昇降カムを連結し、この昇降カムの側面に可動連結部材の端部を係合することにより、一つの駆動シリンダの駆動によって複数（４個）のプレートを被処理基板の辺に対して同時にかつ選択的に接離移動することができる（請求項３）。
【００１０】
また、この発明において、上記プレートにおける被処理基板の辺部側面と対向する面に、被処理基板の辺部側面に当接する突起部を突設してもよい（請求項４）。
【００１１】
このように構成することにより、プレートの側面を被処理基板の側面に当接させることなく、プレートを被処理基板に近接することができる。
【００１２】
また、請求項５記載の発明は、請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置において、 上記処理液供給ノズルと処理液供給源とを接続する処理液供給管路に介設される第１の開閉弁と、 上記洗浄液供給ノズルと洗浄液供給源とを接続する洗浄液供給管路に介設される第２の開閉弁と、 上記第１及び第２の開閉弁の開閉動作と、プレート移動機構によるプレート移動とを連動して制御する制御手段と、を更に具備することを特徴とする。
【００１３】
このように構成することにより、処理液供給ノズルから被処理基板に処理液を供給する処理時と、洗浄液供給ノズルから被処理基板に洗浄液を供給する洗浄時におけるプレートの被処理基板に対する接離状態を選択することができる。例えば、処理液供給時には、プレートを被処理基板に当接又は近接した状態で被処理基板に処理液を供給し、また、洗浄処理時や乾燥処理時には、プレートを被処理基板から離した状態で被処理基板に洗浄液を供給し、その後乾燥処理を施すことができる。
【発明の効果】
【００１４】
この発明によれば、上記のように構成されているので、以下のような優れた効果を奏する。
【００１５】
（１）請求項１，２，３記載の発明によれば、処理液供給ノズルから被処理基板に処理液を供給する処理時には、被処理基板とプレートとの隙間を無くして処理を行うことができるので、角形の被処理基板の四角い形状の影響をなくすことができ、処理精度の向上を図ることができる。また、洗浄液供給ノズルから被処理基板に洗浄液を供給する洗浄時には、被処理基板とプレートとの隙間を開けて処理を行うことができるので、洗浄効率の向上を図ることができる。
【００１６】
（２）請求項４記載の発明によれば、プレートの側面を被処理基板の側面に当接させることなく、プレートを被処理基板に近接することができるので、上記（１）に加えて、更にプレートと被処理基板との当接による衝撃を緩和することができると共に、被処理基板の寸法誤差によるプレートとの隙間の不均一を補正することができる。また、プレートの側面に突起部を設けることで、被処理基板へのゴミの転写や被処理基板に傷が付くのを防止することができる。
【００１７】
（３）請求項５記載の発明によれば、処理状態に応じてプレートの被処理基板に対する接離状態を選択することができ、例えば、処理液供給時には、プレートを被処理基板に当接又は近接した状態で被処理基板に処理液を供給し、また、洗浄処理時や乾燥処理時には、プレートを被処理基板から離した状態で被処理基板に洗浄液を供給し、その後乾燥処理を施すことができる。したがって、上記（１），（２）に加えて、更に処理精度の向上及び処理効率の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、この発明の最良の形態について、添付図示に基づいて詳細に説明する。この実施形態では、この発明に係る基板処理装置を、フォトマスク用の被処理基板、例えばレチクル用の角形ガラス基板にレジスト塗布及び現像処理を施す塗布・現像処理装置に適用した場合について説明する。
【００１９】
上記塗布・現像処理装置は、図１及び図２に示すように、キャリアブロックＢ１と、処理ブロックＢ２と、インターフェースブロックＢ３及び露光ブロックＢ４を具備している。
【００２０】
キャリアブロックＢ１は、複数枚のガラス基板Ｇ（以下に基板Ｇという）を収納したキャリア１を載置するキャリア載置部２と、受け渡し手段３を備えている。このキャリアブロックＢ１の奥側には処理ブロックＢ２が接続されている。処理ブロックＢ２には主搬送手段である搬送アーム４が設けられ、この搬送アーム４を取り囲むように例えばキャリアブロックＢ１からみて右側には、この発明に係る基板処理装置を設けた塗布ユニットＵ１及び露光処理後の基板Ｇを現像するための、この発明に係る基板処理装置を設けた現像ユニットＵ２が備えられ、左側には基板Ｇを洗浄するための洗浄ユニットＵ３が備えられ、更に手前側及び奥側には基板Ｇを加熱及び冷却処理するための加熱・冷却ユニット及び基板受け渡し用の受け渡しユニットなどを多段に積層した棚Ｕ４，Ｕ５が備えられている。また、搬送アーム４は、例えば、昇降及び前後に移動自在でかつ鉛直軸周りに回転自在に構成されており、塗布ユニットＵ１，現像ユニットＵ２，洗浄ユニットＵ３及び棚ユニットＵ４，Ｕ５間で基板Ｇの受け渡しが可能なように構成されている。更にまた、処理ブロックＢ２は、インターフェースブロックＢ３を介して例えばレジスト膜が形成された基板Ｇに所定のマスクを用いて露光処理するための露光ブロックＢ４と接続されており、また、このインターフェースブロックＢ３には受け渡し手段３Ａが設けられ、棚ユニットＵ５の棚の一つである受け渡しユニットと、露光ブロックＢ４との間で基板Ｇの受け渡しが可能なように構成されている。
【００２１】
この塗布・現像処理装置の基板Ｇの流れについて簡単に説明すると、先ず外部から基板Ｇが収納されたキャリア１がキャリア載置部２に搬入されると、受け渡し手段３によりキャリア１内から基板Ｇが１枚取り出され、棚ユニットＵ４の棚の一つである受け渡しユニットを介して搬送アーム４に渡され、洗浄ユニットＵ３→加熱ユニット→冷却ユニット→塗布ユニットＵ１に順次搬入されて例えばレジスト膜が形成される。次いで加熱ユニットでプリベーク処理が行われ、冷却ユニットで所定の温度に調整された後、受け渡し手段３Ａを介して露光ブロックＢ４に搬入されて露光が行われる。その後、基板Ｇは加熱ユニットに搬入されて所定の温度でポストエクスポージャーベーク処理が行われ、次いで冷却ユニットで所定の温度に温調された後、現像ユニットＵ２にて現像処理が行われる。このようにして所定の処理が施され、その表面に例えばレジストマスクパターンが形成された基板Ｇは元のキャリア１内に戻される。
【００２２】
次に、この発明に係る基板処理装置について詳細に説明する。
【００２３】
＜第１実施形態＞
図３は、この発明に係る基板処理装置の第１実施形態を示すもので、上記塗布ユニットＵ１に備えられたレジスト塗布処理装置の概略断面図である。
【００２４】
上記レジスト塗布処理装置５は、基板Ｇを水平状態に保持し、鉛直軸回りに回転する保持手段であるスピンチャック１０と、このスピンチャック１０にて保持された基板Ｇの各辺の外方近傍に位置すると共に、基板Ｇの表面と略同一平面の表面を有する略半月形状の気流調整用のプレート１１と、スピンチャック１０にて保持された基板Ｇの表面に処理液である塗布液（レジスト液）を供給（吐出）する処理液供給用の塗布液供給ノズル１２と、スピンチャック１０にて保持された基板Ｇの裏面に洗浄液例えばシンナーを供給（吐出）する洗浄液供給ノズル１３と、各プレート１１を基板Ｇの各辺に対して同時にかつ選択的に接離移動するプレート移動機構２０と、を具備している。
【００２５】
この場合、上記塗布液供給ノズル１２は、第１の開閉弁Ｖ１を介設する塗布液供給管路１２ａを介して塗布液（レジスト液）供給源１２ｂに接続されている。また、洗浄液供給ノズル１３は、第２の開閉弁Ｖ２を介設する洗浄液供給管路１３ａを介して洗浄液（シンナー）供給源１３ｂに接続されている。
【００２６】
上記スピンチャック１０は、回転軸部１４を介して駆動部１５に連結されており、基板Ｇを保持した状態で回転及び昇降可能に構成されている。なお、駆動部１５は、後述する制御手段であるコントローラ３０に電気的に接続されており、コントローラ３０からの制御信号に基づいて、ＯＮ，ＯＦＦ動作及び所定の回転速度に回転する。また、スピンチャック１０は、基板Ｇよりも僅かに大きい四角形の基台１０ａを具備し、この基台１０ａの各辺から外方に突出する延在片１０ｂが形成されており、各延在片１０ｂの上面にはリニアガイド１６を介して上記プレート１１が基板Ｇの辺に対して接離移動可能に配設されている。プレート１１は、基板Ｇの各辺に沿ってかつ各辺と隙間を介して基板Ｇの表面に対して基板Ｇの表面と同一平面上、若しくは、僅かに低い位置例えば３００〜１００μｍ低い位置に設定された平坦な面状部として構成されている。
【００２７】
更に、基台１０ａ上に載置した基板Ｇが動かないようにするために、基板Ｇの外側面に当接し基板Ｇを位置決めするための複数の位置決めピン１７が設けられている。位置決めピン１７は、例えば基板Ｇの各角にそれぞれ２つずつ計８つ配置されている。また、基台１０ａの表面には、基板Ｇの裏面にパーティクルが付着するのを防止するために、基板Ｇの裏面をスピンチャック１０の表面から僅かに浮かせた状態で支持するための基板支持突起１８が例えば基板Ｇの各辺の中心付近に対応する位置に設けられている（図５，図６参照）。
【００２８】
上記プレート移動機構２０は、図４に示すように、スピンチャック１０の回転軸部１４に設けられ、流体例えば空気の給排によってピストン２１を往復動する駆動シリンダ２２と、この駆動シリンダ２２のピストン２１の先端側に装着された略コーン形の昇降カム２３に、一端が図示しないばねの付勢力によって常時摺接係合し、他端がプレート１１に連結する略Ｌ字状の可動連結部材２４とを具備している。
【００２９】
また、駆動シリンダ２２の側面における上端側及び下端側には、第１及び第２の給排ポート２２ａ，２２ｂが設けられており、これら給排ポート２２ａ，２２ｂに接続する給排管路２９ａ，２９ｂに４ポート２位置切換弁２５（以下に切換弁２５という）を介して空気供給源２６が接続されている。
【００３０】
このように構成することにより、例えば、図４（ａ）に示すように、切換弁２５が切り換わって第１の給排ポート２２ａと空気供給源２６とが接続されると、ピストン２１によって区画される上部室２７ａ内に空気が供給されると共に、第２の給排ポート２２ｂが大気側に接続してピストン２１によって区画される下部室２７ｂ内の空気が大気側に排気されることにより、ピストン２１は下降する。ピストン２１の下降に伴って昇降カム２３も下降し、昇降カム２３に摺接係合する可動連結部材２４が中心側に移動する。これにより各プレート１１も中心側に移動して基板Ｇの各辺にプレート１１が接触する（図５（ａ），（ｂ）参照）。また、図４（ｂ）に示すように、切換弁２５が切り換わって第２の給排ポート２２ｂと空気供給源２６とが接続されると、下部室２７ｂ内に空気が供給されると共に、第１の給排ポート２２ａが大気側に接続して上部室２７ａ内の空気が大気側に排気されることにより、ピストン２１は上昇する。ピストン２１の上昇に伴って昇降カム２３も上昇し、昇降カム２３に摺接係合する可動連結部材２４が中心側から離れる方向に移動する。これにより各プレート１１も中心側から離れる方向に移動して基板Ｇの各辺とプレート１１との間に隙間２８が生じる（図６（ａ），（ｂ）参照）。
【００３１】
なお、上記実施形態では、基板Ｇの各辺の側面にプレート１１の側面が接触する場合について説明したが、基板Ｇの辺との間に僅かな隙間を残してプレート１１を近接してもよい。また、図５（ｃ）に示すように、プレート１１の基板Ｇの辺と対向する側面１１ａに、僅かに突出、例えば０．１〜０．５ｍｍ突出する例えば合成樹脂製の突起１１ｂを突設するようにしてもよい。この場合、突起１１ｂは少なくともプレート１１の側面１１ａの両側の２箇所に設ける方がよい。このように、プレート１１の基板Ｇの辺と対向する側面１１ａに突起１１ｂを突設することにより、プレート１１が基板Ｇに衝突する際の衝撃を緩和することができると共に、基板Ｇの寸法誤差によるプレート１１との隙間の不均一を補正することができる。また、プレート１１の側面に突起１１ｂを設けることで、基板Ｇへのゴミの転写や基板Ｇに傷が付くのを防止することができる。
【００３２】
上記のように構成されるレジスト塗布処理装置５において、第１及び第２の開閉弁Ｖ１，Ｖ２と、プレート移動機構２０の切換弁２５は、制御手段であるコントローラ３０に電気的に接続されている。そして、コントローラ３０からの制御信号に基づいて開閉弁Ｖ１，Ｖ２の開閉動作と、プレート移動機構２０によるプレート１１の基板Ｇに対する接離移動とを連動して制御されるように形成されている。
【００３３】
なお、スピンチャック１０の側周方を囲むようにして第１の内カップ４０が設けられており、この第１の内カップ４０の上面はスピンチャック１０の表面と略同じ高さレベルに設定されていると共に、下部外側が下方内側に傾斜している。更に、スピンチャック１０の下方側には、スピンチャック１０の回転軸を囲む円板４１が設けられ、更にこの円板４１の外周を囲むようにして断面形状が山形である第２の内カップ４２が設けられており、この第２の内カップ４２は外径が第１の内カップ４０の外径と略同じに設定されると共に、外周縁が下方側に屈曲して垂下している。更にまた、第１及び第２の内カップ４０，４２を囲むように外カップ４３が設けられている。この外カップ４３は、上面にスピンチャック１０が昇降できるようにスピンチャック１０よりも一回り大きい開口部が形成されると共に、側周面と第１の内カップ４０及び第２の内カップ４２の外周縁との間に吸気路４４をなす隙間が形成されている。
【００３４】
上記外カップ４３の底部は、第２の内カップ４２の外周縁部分と共に屈曲路を形成して気液分離部を構成しており、液体（塗布液の余剰分）は外側室２７を通ってドレイン口４５から排出され、また、気体は内側室２７ａを通って排気口４６から図示しない吸引手段である吸引ポンプにより吸引されて排気されるように構成されている。また、外カップ４３の上方位置には、リング内径が外カップ４３の開口部よりも小さく例えば１５０〜１７０ｍｍに設定されると共に、リング外径が外カップ４３の開口部よりも大きいリングプレート１１が設けられている。このリングプレート１１は図示しない駆動機構により昇降自在に構成されている。
【００３５】
次に、上記レジスト塗布処理装置５を用いて基板Ｇに対する所定の塗布処理例えば基板Ｇの表面に塗布膜を形成する手法について、表１を参照して説明する。
【表１】
【００３６】
まず、リングプレート１１が上方位置に設定された状態にて、スピンチャック１０を外カップ４３の上方まで上昇させ、搬送アーム４からスピンチャック１０に基板Ｇが渡される。次いで、スピンチャック１０が基板Ｇを保持した状態で下降し、更にリングプレート１１が下方位置まで下降する。このとき、コントローラ３０からの制御信号に基づいて、第１及び第２の開閉弁Ｖ１，Ｖ２は閉じており、プレート移動機構２０の切換弁２５は、上述した図４（ｂ）に示す位置に切り換わっており、プレート１１は基板Ｇの辺から離れた開の状態になっている（ステップ１−１）。次に、塗布液供給ノズル１２が基板Ｇの中心部に対向する位置に案内される。この際、コントローラ３０からの制御信号に基づいて、プレート移動機構２０の切換弁２５は、上述した図４（ａ）に示す位置に切り換わって、プレート１１を基板Ｇの辺に向かって移動した閉の状態にすると共に、第１の開閉弁Ｖ１は開いて、塗布液供給ノズル１２から塗布液であるレジスト液を基板Ｇの中心部に向けて例えば５秒間、供給（吐出）する（ステップ１−２，３）。その後、第１の開閉弁Ｖ１は閉じる一方、駆動部１５が駆動して、例えば２秒間、第１の周速度例えば２０００ｒｐｍでスピンチャック１０と共に基板Ｇを一体的に高速回転させ（ステップ１−４）、続いて、例えば２秒間、第２の周速度例えば１０００ｒｐｍでスピンチャック１０と共に基板Ｇを一体的に高速回転させ（ステップ１−５）、続いて、例えば２秒間、第３の周速度例えば５００ｒｐｍでスピンチャック１０と共に基板Ｇを一体的に中速回転させる（ステップ１−６）。これにより、基板Ｇに供給されたレジスト液は基板Ｇが回転することによる遠心力の作用により、基板Ｇの周縁側に向かって広がって行き、更に、基板上の余剰のレジスト液が振り切られる。その後、例えば６０秒間、第４の周速度例えば１００ｒｐｍでスピンチャック１０と共に基板Ｇを一体的に低速回転させることにより、基板Ｇの表面上のレジスト液に含まれるシンナーの蒸発を促進させて、残ったレジスト成分により基板Ｇの表面に例えば厚さ０．６μｍ程度のレジスト膜が形成される（ステップ１−７）。このレジスト膜の形成処理の際には、基板Ｇとプレート１１とが接触又は近接しているので、基板Ｇの内接円より外側の角部の領域には四角い形状の影響が残ることがなく、塗布膜の均一性の低下や処理精度の低下をきたすことがない。
【００３７】
次に、塗布液供給ノズル１２を後退させる一方で、プレート移動機構２０の切換弁２５は、上述した図４（ｂ）に示す位置に切り換わって、プレート１１を基板Ｇの辺から離れた開の状態にする。また、コントローラ３０からの制御信号に基づいて第２の開閉弁Ｖ２が開き、例えば１０秒間、第５の周速度例えば１００ｒｐｍでスピンチャック１０と共に基板Ｇを低速回転させると共に、洗浄液供給ノズル１３から位相をずらして交差するようにして、基板Ｇの裏面に洗浄液を供給（バックリンス）する（ステップ１−８）。続いて、例えば３０秒間、第６の周速度例えば１０００ｒｐｍでスピンチャック１０と共に基板Ｇを一体的に高速回転させ、遠心力により洗浄液を基板Ｇとプレート１１との隙間に供給する（ステップ１−９）。これにより、各洗浄液供給ノズル１３から供給された洗浄液は、各々が対応する基板Ｇの隅部に向かってそれぞれ広がって行くこととなる。そして、周縁に達した洗浄液は、その表面張力の作用により基板Ｇの裏面側に付着した状態で更に外方側に流れ、このとき基板Ｇの隅部の周縁を越えて外方側に膨出した洗浄液はその表面張力により基板Ｇの側面側に回り込みながら流れる。そして、更に基板Ｇの隅部の角にまで達した洗浄液が振り切られる際にも表面張力により側面に回り込むことで、レジスト液の塗布を終えた基板Ｇの側面及び裏面に付着するレジスト成分が除去される。
【００３８】
その後、洗浄を終了し、リングプレート１１を上昇した後、スピンチャック１０を上昇させて、搬送アーム４が基板Ｇを受け取り搬出する。
【００３９】
＜第２実施形態＞
図７は、この発明に係る基板処理装置の第２実施形態を示すもので、上記現像ユニットＵ２に備えられた現像処理装置の概略断面図、図８は、上記現像処理装置の概略平面図である。
【００４０】
上記現像処理装置６は、図７及び図８に示すように、ケーシング５０を有し、このケーシング５０内の中央部には、基板Ｇを回転させるための保持手段である回転基台６０が設けられている。回転基台６０は、基板Ｇよりも僅かに大きく形成されており、この回転基台６０の回転軸部６１を介して下方に設けられたモータ等の駆動部６２に連結し、回転基台６０の中心軸を回転軸として所定の回転速度で回転できるように構成されている。
【００４１】
回転基台６０上には、方形の基板Ｇの外周部を支持して保持するための基板保持部材６３が取り付けられている。また、回転基台６０には、基板Ｇの外側面に当接し基板Ｇを位置決めするための複数の位置決めピン６４が設けられている。位置決めピン６４は、例えば基板Ｇの各角にそれぞれ２つずつ計８つ配置されている。
【００４２】
また、回転基台６０の外方には、第１実施形態と同様に、回転基台６０の各辺から外方に突出する延在片６５が形成されており、各延在片６５の上面にはリニアガイド１６を介して上記プレート１１が基板Ｇの辺に対して接離移動可能に配設されている。プレート１１は、基板Ｇの各辺に沿ってかつ各辺と隙間を介して基板Ｇの表面に対して基板Ｇの表面と同一平面上、若しくは、僅かに高い位置例えば２００〜４００μｍ高い位置に設定された平坦な面状部として構成されている。これにより、基板Ｇの表面からプレート１１の表面に渡る同一平面上に連続した液膜を形成することができる。
【００４３】
上記プレート１１を基板Ｇに対して接離移動するプレート移動機構２０は、第１実施形態と同様に構成されるので、ここでは同一部分に同一符号を付して、説明は省略する。
【００４４】
また、回転基台６０と基板保持部材６３の基板Ｇの外周部に対応する位置には、垂直方向に貫通する貫通孔６６が形成されている。貫通孔６６内には、基板Ｇを支持して昇降させる昇降ピン６７が設けられている。昇降ピン６７は、例えばシリンダ等の昇降駆動部６８によって昇降自在であり、回転基台６０上に突出して基板保持部材６３に対する基板Ｇの受け渡しを行うように構成されている。
【００４５】
回転基台６０の上面中央部には、上方に向けて洗浄液であるリンス液を供給（吐出）し基板Ｇの裏面を洗浄する洗浄液供給ノズルとしての裏面洗浄ノズル７１が設けられている。裏面洗浄ノズル７１は、第３の開閉弁Ｖ３を介設するリンス液供給管路７１ａを介してリンス液供給源７１ｂに接続されている。
【００４６】
また、回転基台６０は、基板Ｇから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するためのカップ５１内に収容されている。カップ５１は、回転基台６０の側方と下方を覆うように、例えば下面が閉鎖され上面が開口した略円筒状に形成されている。カップ５１の下面には、例えば工場の排液部に連通した排出管５２が接続されており、カップ５１において回収した液体を現像処理装置６の外部に排出できる。
【００４７】
また、図７及び図８に示すように、カップ５１のＹ方向負方向（図２の左方向）側には、第１の待機部５３が設けられている。第１の待機部５３には、現像液及びリンス液（リンス液）の供給と吸引を行う処理液供給ノズルである現像ノズル７０が設けられている。現像ノズル７０は、例えば少なくとも基板Ｇの対向辺の寸法と同じかそれよりも長い、Ｘ方向に沿った略正方対形状を有している。現像ノズル７０は、門型のヘッドアーム７３に支持されており、ヘッドアーム７３が取り付けられた例えばボールねじとその回転モータ等からなる水平移動機構７４によって、第１の待機部５３から少なくともカップ５１のＹ方向正方向（図２の右方向）側の端部付近まで水平移動できる。また、現像ノズル７０は、例えばヘッドアーム７３に取り付けられたシリンダなどの昇降機構（図示せず）によって上下方向にも移動できる。現像ノズル７０は、第４の開閉弁Ｖ４を介設する現像液供給管路７０ａを介して現像液供給源７０ｂに接続されている。
【００４８】
また、上記回転基台６０，プレート１１及び基板保持部材６３は、カップ５１内に収容可能に形成されており、カップ５１の外方側の第１の待機部５３と対向する第２の待機部５４には、回転基台６０に保持された基板Ｇに向かって洗浄液であるリンス液例えば純水ＤＷを供給（吐出）する洗浄液供給ノズルであるリンスノズル７２が配設されている。このリンスノズル７２は、例えば回転駆動軸７５に取り付けられたノズルアーム７６の先端部に取り付けられている。リンスノズル７２は、第５の開閉弁Ｖ５を介設するリンス液供給管路７２ａを介してリンス液供給源７２ｂに接続されている。なお、リンス液供給源７２ｂを裏面洗浄ノズル７１のリンス液供給源７１ｂと共通にしてもよい。
【００４９】
上記のように構成される現像処理装置６において、上記第３，第４及び第５の開閉弁Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５と、プレート移動機構２０と、回転基台６０の駆動部６２及び水平移動機構７４は、制御手段であるコントローラ３０に電気的に接続されており、コントローラ３０からの制御信号に基づいて開閉弁Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５の開閉動作と、プレート移動機構２０によるプレート１１の基板Ｇに対する接離移動とを連動して制御されるように、また、回転基台６０を所定の回転数で回転するように形成されている。
【００５０】
次に、上記現像処理装置６を用いて基板Ｇに対する現像処理の手法について、表２を参照して説明する。
【表２】
【００５１】
まず、搬送アーム４によって現像処理装置内に基板Ｇが搬入されると、基板Ｇは、予め上昇していた昇降ピン６７に受け渡され、昇降ピン６７の下降によって基板保持部材６３上に載置される。基板Ｇが基板保持部材６３上に載置されると、吸引口（図示せず）からの吸引により基板Ｇが水平状態に吸着保持される。このとき、コントローラ３０からの制御信号に基づいて、第３〜第５の開閉弁Ｖ３〜Ｖ５は閉じており、プレート移動機構２０の切換弁２５は、上述した図４（ｂ）に示す位置に切り換わっており、プレート１１は基板Ｇの辺から離れた開の状態になっている（ステップ２−１）。その後、プレート移動機構２０の切換弁２５は、上述した図４（ａ）に示す位置に切り換わって、プレート１１を基板Ｇの辺に向かって移動した閉の状態にする。続いて、第１の待機部５３で待機していた現像ノズル７０がＹ方向正方向側に移動し、基板ＧよりＹ方向負方向側のプレート１１上まで移動して、現像ノズル７０に設けられた図示しないリンス液吐出口，現像液吐出口及び現像液吸引口のある下面がプレート１１上に配置される。そして、現像ノズル７０が下降し、スタート位置であるプレート１１の表面に近接される（ステップ２−２）。このとき、コントローラ３０からの制御信号に基づいて駆動部６２，水平移動機構７４が作動し、例えば１秒間、第１の周速度例えば２００ｒｐｍで回転基台６０と共に基板Ｇを一体的に低速回転させると共に、第４の開閉弁Ｖ４が開いて、現像ノズル７０のリンス液吐出口からリンス液の吐出した状態でＹ方向正方向に移動（スキャン）して、例えばプレート１１の表面上から基板Ｇの表面上に渡ってリンス液の液膜を形成される（ステップ２−３）。このようにして、基板Ｇの表面の濡れ性を向上するプリウェット処理が行われる。続いて、現像ノズル７０が再びプレート１１のＹ方向負方向側のスタート位置まで戻される。現像ノズル７０の下面がリンス液の液膜に接触した状態で、今度はリンス液吐出口からリンス液，現像吐出口から現像液を吐出し、現像液吸引口からそのリンス液と現像液を吸引しながらＹ方向正方向側に移動して、基板Ｇの表面の一部の領域に帯状の現像液の流れが形成される（ステップ２−４）。このとき、例えば６０秒間、第１の周速度例えば２００ｒｐｍで回転基台６０と共に基板Ｇを一体的に低速回転させ、この現像液の流れによって基板Ｇの表面が現像される。現像によって生じた溶解生成物は直ちに現像液吸引口から排出される。
【００５２】
現像ノズル７０がプレート１１のＹ方向正方向側の端部付近まで移動すると、第４の開閉弁Ｖ４は閉じて現像液及びリンス液の供給とその吸引が停止され、現像ノズル７０は、第１の待機部５３に戻される（ステップ２−５）。
【００５３】
続いて、第２の待機部５４で待機していたリンスノズル７２が基板Ｇの中心部上方まで移動する。このとき、プレート移動機構２０の切換弁２５は、上述した図４（ｂ）に示す位置に切り換わって、プレート１１を基板Ｇの辺から離れた開の状態にする。また、コントローラ３０からの制御信号に基づいて駆動部６２が作動すると共に、第５の開閉弁Ｖ５が開いて、例えば１０秒間、第２の周速度例えば５００ｒｐｍで回転基台６０と共に基板Ｇを一体的に中速回転させ、リンスノズル７２から回転された基板Ｇ上にリンス液例えば純水ＤＷが供給（吐出）され、基板Ｇが洗浄される（ステップ２−６）。このとき、例えば裏面洗浄ノズル７１からもリンス液である純水ＤＷを供給（吐出）し、基板Ｇの裏面に純水ＤＷを供給（バックリンス）してもよい。続いて、例えば１８０秒間、第３の周速度例えば４００ｒｐｍで回転基台６０と共に基板Ｇを一体的に中速回転させ、裏面洗浄ノズル７１から回転された基板Ｇの裏面に純水ＤＷが供給（吐出）され、基板Ｇの裏面が洗浄（バックリンス）される（ステップ２−７）。このとき、例えばリンスノズル７２からもリンス液である純水ＤＷを供給（吐出）し、基板Ｇの表面を洗浄してもよい。
【００５４】
基板Ｇが所定時間洗浄された後、リンスノズル７２は第２の待機部５４に戻る一方、プレート１１が基板の辺から離れた状態で例えば１０秒間、第３の周速度例えば４００ｒｐｍで回転基台６０と共に基板Ｇを一体的に中速回転する（ステップ２−８）。その後、例えば１８０秒間、第４の周速度例えば１８００ｒｐｍで回転基台６０と共に基板Ｇを一体的に高速回転させ、基板Ｇが乾燥される（ステップ２−９）。基板Ｇが乾燥されると、基板Ｇの吸着が解除され、再び昇降ピン６７によって持ち上げられ、図示しない搬送アームによって基板処理装置の外部に搬出される。
【００５５】
＜その他の実施形態＞
上記実施形態は、この発明に係る基板処理装置（レジスト塗布処理装置５、現像処理装置６）により、レチクル等のガラス基板の処理に関する場合について説明したが、この発明はこれに限らず、例えば、この発明は、ＬＣＤ，ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）等の方形の基板にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】この発明に係る基板処理装置を具備する塗布・現像処理装置を示す概略平面図である。
【図２】上記塗布・現像処理装置の概略斜視図である。
【図３】この発明に係る基板処理装置の第１実施形態を示す概略断面図である。
【図４】この発明におけるプレート移動機構の動作を示す要部断面図である。
【図５】この発明におけるプレートを基板に近接した状態を示す概略平面図（ａ）、その概略側面図（ｂ）及びプレートに突起を設けた場合の近接状態を示す拡大断面図（ｃ）である。
【図６】上記プレートを基板から離した状態を示す概略平面図（ａ）及びその概略側面図（ｂ）である。
【図７】この発明に係る基板処理装置の第２実施形態を示す概略断面図である。
【図８】第２実施形態に係る基板処理装置の概略平面図である。
【符号の説明】
【００５７】
Ｇ ガラス基板（被処理基板）
５ レジスト塗布処理装置
６ 現像処理装置
１０ スピンチャック（保持手段）
１１ プレート
１１ａ 側面
１１ｂ 突起
１２ 塗布液供給ノズル（処理液供給ノズル）
１３ 洗浄液供給ノズル
１５ 駆動部
２０ プレート移動機構
２１ ピストン
２２ 駆動シリンダ
２３ 昇降カム
２４ 可動連結部材
２５ 切換弁
２６ 空気供給源
３０ コントローラ（制御手段）
６０ 回転基台（保持手段）
６２ 駆動部
７０ 現像ノズル（処理液供給ノズル）
７１ 裏面洗浄ノズル（洗浄液供給ノズル）
７２ リンスノズル（洗浄液供給ノズル）
Ｖ１〜Ｖ５ 第１〜第５の開閉弁
【特許請求の範囲】
【請求項１】
角形の被処理基板を水平状態に保持し、鉛直軸回りに回転する保持手段と、
上記保持手段にて保持された被処理基板の各辺の外方近傍に位置すると共に、被処理基板の表面と略同一平面の表面を有する気流調整用のプレートと、
上記保持手段にて保持された被処理基板の表面に処理液を供給する処理液供給ノズルと、
上記保持手段にて保持された被処理基板の裏面に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルと、を具備する基板処理装置において、
上記各プレートを上記被処理基板の辺に対して選択的に接離移動するプレート移動機構を具備してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の基板処理装置において、
上記プレート移動機構は、保持手段の回転軸部に設けられ、流体の給排によってピストンを往復動する駆動シリンダと、この駆動シリンダのピストンに一端が係合し、他端がプレートに連結する可動連結部材とを具備する、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２記載の基板処理装置において、
上記駆動シリンダのピストンに略コーン形の昇降カムを連結し、この昇降カムの側面に可動連結部材の端部を係合してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１又は２記載の基板処理装置において、
上記プレートにおける被処理基板の辺部側面と対向する面に、被処理基板の辺部側面に当接する突起部を突設してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置において、
上記処理液供給ノズルと処理液供給源とを接続する処理液供給管路に介設される第１の開閉弁と、
上記洗浄液供給ノズルと洗浄液供給源とを接続する洗浄液供給管路に介設される第２の開閉弁と、
上記第１及び第２の開閉弁の開閉動作と、プレート移動機構によるプレート移動とを連動して制御する制御手段と、を更に具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１】
角形の被処理基板を水平状態に保持し、鉛直軸回りに回転する保持手段と、
上記保持手段にて保持された被処理基板の各辺の外方近傍に位置すると共に、被処理基板の表面と略同一平面の表面を有する気流調整用のプレートと、
上記保持手段にて保持された被処理基板の表面に処理液を供給する処理液供給ノズルと、
上記保持手段にて保持された被処理基板の裏面に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルと、を具備する基板処理装置において、
上記各プレートを上記被処理基板の辺に対して選択的に接離移動するプレート移動機構を具備してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の基板処理装置において、
上記プレート移動機構は、保持手段の回転軸部に設けられ、流体の給排によってピストンを往復動する駆動シリンダと、この駆動シリンダのピストンに一端が係合し、他端がプレートに連結する可動連結部材とを具備する、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２記載の基板処理装置において、
上記駆動シリンダのピストンに略コーン形の昇降カムを連結し、この昇降カムの側面に可動連結部材の端部を係合してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１又は２記載の基板処理装置において、
上記プレートにおける被処理基板の辺部側面と対向する面に、被処理基板の辺部側面に当接する突起部を突設してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置において、
上記処理液供給ノズルと処理液供給源とを接続する処理液供給管路に介設される第１の開閉弁と、
上記洗浄液供給ノズルと洗浄液供給源とを接続する洗浄液供給管路に介設される第２の開閉弁と、
上記第１及び第２の開閉弁の開閉動作と、プレート移動機構によるプレート移動とを連動して制御する制御手段と、を更に具備することを特徴とする基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２００８−２１８５３５（Ｐ２００８−２１８５３５Ａ）
【公開日】平成２０年９月１８日（２００８．９．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−５０９５９（Ｐ２００７−５０９５９）
【出願日】平成１９年３月１日（２００７．３．１）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年９月１８日（２００８．９．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年３月１日（２００７．３．１）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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