【課題】フットプリントを縮小すると共に処理ラインの長さを短縮し、装置コストの低減および生産性の向上を実現する。
【解決手段】被処理基板Ｇを水平方向に搬送すると共に、前記基板の幅方向に長い吐出口を有するノズルから前記塗布液を吐出し、前記基板上に塗布膜を形成する塗布処理手段６と、前記塗布膜が形成された前記基板を第１の加熱温度で加熱する第１の加熱処理手段１１と、前記第１の加熱処理手段により加熱された前記基板を、前記第１の加熱温度よりも高い第２の加熱温度で加熱する第２の加熱処理手段１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基板上に塗布印刷を用いて所望の特性を有する膜を形成することができる膜の形成方法および形成装置を提供する。
【解決手段】プラスチック基板上に塗布組成物を塗布した塗布膜からなるパターンが形成された部材を作製する工程１、部材に超音波を照射して塗布膜の乾燥および／または改質を行う工程２を備え、溶液状態の塗布膜に化学作用を及ぼして、デバイスに用いられる配線膜、電極膜、絶縁膜などの所定の膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】良質な薄膜を製造することができる。
【解決手段】液滴吐出ヘッド３００によって基板１１に吐出された機能性インク膜３０２にレーザ光を照射して加熱すると溶媒が蒸発して溶液が乾燥する。リアルタイムレーザ制御装置６００によって機能性インク膜３０２の乾燥状態を検出する。そして、機能性インク膜３０２の乾燥状態に対する最適なレーザ光照射条件の関係の特性データと照合しながら検出した機能性インク膜３０２の乾燥状態に対応する最適なレーザ光照射条件を決定する。 （もっと読む）

【課題】 ノズルから吐出された液滴に変質等が生じないように吐出空間の雰囲気を置換することが可能なデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】 デバイスの製造方法は、基板をチャンバ内に搬入して載置台に載置する工程と、待機位置において封止部材により液滴吐出ノズルを隔離した状態で、チャンバの内部を減圧する減圧工程と、ガス供給機構からチャンバ内にパージガスを導入してチャンバ内部の雰囲気を置換するとともに大気圧状態に戻す雰囲気置換工程と、封止部材による液滴吐出ノズルの隔離を解除し、液滴吐出ノズルを吐出位置に移動させて被処理体へ向けて前記液滴を吐出する吐出工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】担持体上に形成したポリシラザン膜を転写することにより、基板表面に良好な膜を形成することのできる技術を提供する。
【解決手段】ポリシラザン材料を含む塗布液が表面に塗布されてなる薄膜Ｒを担持するシートフィルムＦを処理チャンバ１内に収容し、処理チャンバ１内を排気する。加熱ヒータ５４１によってシートフィルムＦを所定温度に加熱しつつ、処理チャンバ１内に酸素を含む硬化促進ガスを導入して薄膜Ｒの粘度を増大させる。その後、ガスの供給を停止するとともに処理チャンバ１内を再び排気することで硬化促進ガスを除去し、硬化の進行を抑制する。この状態で、シートフィルムＦ上の薄膜Ｒと基板Ｗとを密着させ加圧することで、薄膜Ｒを基板Ｗに転写する。 （もっと読む）

【課題】機能材料層の厚さ分布を高精度かつ短時間で制御可能な技術を提案する。
【解決手段】実施形態に係わるステージ装置は、被処理基板１３の下面側に配置され、上下方向に駆動される複数の高さ制御素子を備える高さ制御ユニット１２と、高さ制御ユニット１２を制御する制御ユニット１５とを備える。制御ユニット１５は、被処理基板１３の上面を複数のエリアに区分し、かつ、複数の高さ制御素子の各々の高さをデータ値に基づいて制御することにより各エリアの高さを独立に設定する。 （もっと読む）

【課題】ロールから引き出す連続した基板に半導体の結晶膜を成長させるには、高気密の大気遮断機構が必要である。結晶を成長させるために、それを７００℃以上の高温で可能にさせる第１の課題がある。また半導体ｐｎ接合を切断すると切断面にそれが現れてリークパスとなる。切断してもｐｎ接合端面が切断面に現れない製造方法が第２の課題である。第１、第２の課題を同時に解決する必要がある
【解決手段】シリコン基板を使わないで金属基板の上に半導体膜を積層して、安価で堅牢な太陽電池を製作する。そのために、鉄板をリング状の突起で押さえて機密なＣＶＤ反応室を作り半導体シリコン膜を成長させる第１の発明をした。鉄板を切断するとき接合の端が外部に露出しないように接合を絶縁膜で分離して膜を積層する第２の発明をした。高温で塗布材料を印刷する本発明によれば、鉄板の上の結晶半導体の太陽電池の連続製造が可能である。 （もっと読む）

【課題】組成が均一であり且つ安価に製造することが可能な、半導体粒子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】銅イオン源と、亜鉛イオン源と、錫イオン源と、イオン同士の結合反応を抑制する配位子と、水とを混合して、カチオン混合液を作製するカチオン混合液作製工程と、作製したカチオン混合液と、硫黄イオン源とを混合して、前駆体溶液を作製する前駆体溶液作製工程と、作製した前駆体溶液を容器に入れ、前駆体溶液が収容された容器を密閉する密閉工程と、密閉された容器内で水熱合成反応を生じさせる水熱合成反応工程と、を有する半導体粒子の製造方法とし、Ｘ線回折で単一相のピークが観察され、且つ、一次粒子の粒径が１００ｎｍ以下である、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、及び、Ｓを含有する半導体粒子とする。 （もっと読む）

【課題】ｐｎ接合のＩ−Ｖ特性を向上させる半導体材料を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体材料は、酸化亜鉛の結晶を含有する粒子を備え、酸化亜鉛の結晶子の大きさが５〜５０ｎｍであり、酸化亜鉛の結晶における窒素の含有率が５００〜１００００質量ｐｐｍである。 （もっと読む）

【課題】印刷したエレクトロニクスの簡略化した製造、処理量、装置のコスト及び寸法の軽減、必要な硬化エネルギの量の減少、硬化過程中に放出される揮発性有機化合物減少を実現する硬化方法及びシステムを提供する。
【解決手段】少なくとも１つの堆積層を有する基板を支持する平坦な支持面と、少なくとも１つの堆積層を硬化させる少なくとも１つの硬化装置と、全体的な硬化過程を制御する制御システムとを含む硬化システムが提供される。硬化装置は、少なくとも１つのレーザと、レンズモジュールと、選択随意的な変調器とを含む。硬化する間、レーザから放出された光ビームは、１）レーザ光の焦点合わせしたビームを堆積層の所望の照射領域まで導くようにＸ−Ｙビームの偏向モジュールの位置を制御すること、２）レーザの位置をＸ−Ｙテーブルを介して制御すること、又は３）基板の位置をＸ−Ｙテーブルを介して制御することにより堆積層に向けることができる。 （もっと読む）

【課題】ステージ上面に気密に貼り付けられたシートを、ステージ上面から容易に剥がすこと。
【解決手段】本実施の形態に係るステージ６０２は、シートＳの外周領域を保持する第一の保持面６５２と、シートＳの内側領域に対応して設けられた凹部６２２の内底面において、シートＳの内側領域を保持する第二の保持面６５３と、凹部６２２の内周面にて、シートＳと第二の保持面６５３と共に閉空間６５７を形成する側面６５４と、閉空間６５７からエアを吸引する吸引口８１３とが形成され、吸引口８１３からのエアの吸引により、第一の保持面６５２に保持されたシートＳを引き伸ばしつつ、第二の保持面６５３に保持させる構成とした。 （もっと読む）

【課題】 シートフィルム上に薄膜を形成する薄膜形成システムにおいて、塗布後の薄膜の基板への転写ずれを防止するのに適した技術を提供する。
【解決手段】 塗布ユニット２０ではリング体ＲＦの位置設定部９８が塗布前シートフィルム位置決め手段２１９で位置決めされたシートフィルムＦの表面に薄膜Ｒが形成される。薄膜Ｒは下部リングＲｄｗの仮想中心ＦＣを中心とした塗布領域を形成する。塗布ユニット２０から搬出されたリング体ＲＦはセンターロボット７０により転写ユニット４０に搬入される。転写ユニット４０は、リング体ＲＦの位置設定部９８を塗布ユニット２０内と同じ向きで位置決めするための塗布後シートフィルム位置決め手段４３９を有し、リング体ＲＦを転写ユニット４０内でシートフィルムＦの仮想中心ＦＣと基板Ｗの中心を一致させる。その結果、転写された薄膜Ｒはその塗布領域の中心が基板Ｗの中心と一致する。 （もっと読む）

【課題】１つの実施形態は、例えば、ＣＶＤ装置による成膜処理に対する新規な前処理を行うことができる基板処理装置及び成膜システムを提供することを目的とする。
【解決手段】１つの実施形態によれば、ＣＶＤ装置による成膜処理を行う基板の前処理を行なうための基板処理装置であって、前記基板を保持する基板ステージが配された基板処理室と、前記基板処理室内で前記基板ステージを介して前記基板を加熱する加熱部と、前記基板処理室内で、前記加熱部により加熱された前記基板の表面を酸化する酸化処理部と、前記基板処理室内で、前記酸化処理部により酸化された前記基板の表面に有機溶剤を塗布する塗布処理部とを備えたことを特徴とする基板処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】スループットの低下を抑制しつつ、処理室内壁に付着した副生成物を除去することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、前記処理室内に設けられ基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に基板が保持された状態で、前記処理室内に第１のガスを導入する第１のガス導入部と、前記基板保持部に基板が保持されてない状態で、前記処理室内に第２のガスを導入する第２のガス導入部と、前記第１のガスを処理室に導入している間及び前記第２のガスを処理室に導入している間、前記処理室内にマイクロ波を供給するマイクロ波供給部とから基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】エッチング形成したパターンが倒壊しないように埋め込み絶縁膜を形成する。
【解決手段】所定のパターンにエッチング加工した被加工物に対してパターン間に絶縁膜を埋め込み形成する半導体装置の製造方法である。前記被加工物のエッチング加工された前記パターン間のエッチング残渣を第１の薬液により洗浄する工程と、前記第１の薬液による洗浄の後前記被加工物をリンス液でリンスする工程と、前記リンスの後前記被加工物に絶縁膜形成用の塗布液を塗布する工程とを備える。前記第１の薬液による洗浄から前記塗布液の塗布までを、前記被加工物が前記パターン間で液体を保持した状態を維持するように同一の処理室内で実施することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 トレンチの内部に酸化障壁となる膜を形成しなくても、トレンチの内部に埋め込まれた埋め込み材料に空隙が発生することを抑制することが可能なトレンチの埋め込み方法を提供すること。
【解決手段】 少なくともトレンチ６の側壁に酸化膜７が形成されている半導体基板１を加熱し、半導体基板１の表面にアミノシラン系ガスを供給して半導体基板１上にシード層８を形成し、シード層８が形成された半導体基板１を加熱し、シード層８の表面にモノシランガスを供給してシード層８上にシリコン膜９を形成し、シリコン膜９が形成された半導体基板１のトレンチ６を、焼成することで収縮する埋め込み材料１０を用いて埋め込み、トレンチ６を埋め込む埋め込み材料１０を、水及び／又はヒドロキシ基を含む雰囲気中で焼成するとともに、シリコン膜９、及びシード層８をシリコン酸化物に変化させる。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を抑制または防止することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板に疎水化剤が供給され、当該基板の表面が疎水化される（Ｓ１０４，Ｓ１０８）。その後、基板が乾燥される（Ｓ１１０）。処理対象の基板は、疎水化されてから乾燥するまで水が接触しない状態に保たれる。 （もっと読む）

【課題】 シートフィルム上に薄膜を形成する塗布装置および塗布方法において、吸着による塗布膜厚ムラを防止するのに適した技術を提供する。
【解決手段】 シートフィルムＦの一面の周縁を吸引して吸着する真空チャックにて基材を保持するステージ３４０と、ステージ３４０保持されたシートフィルムＦの表面に薄膜材料を塗布する塗布ノズル３４３と、塗布された薄膜材料をシートフィルムＦの表面に広げるためにステージ３４０を回転する回転機構とを具備する塗布ユニット３４において、塗布手ノズル３４３より薄膜材料が塗布される前にシートフィルムＦを保持した状態でステージ３４０を回転することでステージ３４０の中央部３４１ａとシートフィルムＦとの間に残留する空気を排気した状態で吸着状態を達成する。 （もっと読む）

【課題】低エネルギー消費で硫黄ドープシリコン膜を製造する。
【解決手段】光重合性のケイ素化合物と環状硫黄を混合した混合物を用意する工程と、混合物に光照射処理を行ってケイ素化合物をラジカル化するとともに第１の加熱処理を行って環状硫黄をラジカル化し、ラジカル化したケイ素化合物を、ラジカル化した硫黄と結合させる工程と、を行って硫黄変成ケイ素化合物を製造する。混合物の環状硫黄とケイ素化合物の混合比は、混合物に含まれる硫黄原子の数がケイ素原子の数に対して１／１０００００以上１／３以下となる混合比にする。硫黄変性ケイ素化合物を含んだ溶液を不活性雰囲気で基板上に塗布した後に第２の加熱処理を行って、硫黄変性ケイ素化合物を分解するとともに硫黄変性ケイ素化合物に含まれるケイ素原子を他のケイ素原子または硫黄原子と結合させて硫黄ドープシリコン膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】電子装置製造の際に使用される加熱処理装置における雰囲気によって、製造される電子装置の特性が悪影響を受けることを見出し、当該悪影響を軽減することである。
【解決手段】加熱処理装置の内表面を酸化物不働態膜によって覆うと共に、当該内表面の表面粗さを中心平均粗さＲａで１μｍ以下にする。このような加熱処理装置では、熱硬化性樹脂を硬化する処理の際、熱硬化性樹脂の分解、解離等による熱硬化性樹脂の劣化を軽減できる。 （もっと読む）