【課題】ウエーハ基板全面に亘る感光液の均一塗布方法を提供する。
【解決手段】感光液Ｌを塗布有効領域Ｔにおいて噴霧しつつ、回転する基板１の回転中心Ｏ上を通る直線移動軌跡Ｘ１に沿って移動するノズル７を用いて、基板上の隣接する塗布有効領域Ｔの外縁Ｅが互いに接するように感光液Ｌを噴霧塗布する方法であって、基板１を二分割し、一方の半円を塗布するとき、直線移動軌跡上における基板１の回転中心Ｏから半径ｗ／２だけ離間した点Ｑを中心とした領域Ｔの中心点Ｐの塗布軌跡Ｋである円弧上を直線移動軌跡に投影した速度でノズル７を半円Ｒ１部分の塗布時間の間だけ直線移動軌跡上を加減速移動させ、且つ、このノズル７の加減速に合わせてノズル７に対する基板１の回転速度が一定となるようにし、他の半円を塗布するとき、基板１の回転速度を等速とすると共にノズル７の中心点Ｐが半円部分から他の部分に切り替わる時点まで停止させる。 （もっと読む）

【課題】塗布液の有効利用及び塗布液膜の均一化を図れるようにした塗布処理方法及び塗布処理装置を提供すること。
【解決手段】半導体ウエハＷを低速の第１の回転数で回転させて、ウエハの中心部に純水ＤＩＷを供給して純水の液溜りを形成し、その後、ウエハを上記第１の回転数の状態で、ウエハの中心部に水溶性の塗布液ＴＡＲＣを供給し、該塗布液と上記純水とを混合する。その後、ウエハを上記第１の回転数より高速の第２の回転数で回転させて塗布液膜を形成する。塗布液と純水とを混合する工程と塗布液膜を形成する工程の時間比率を１：３〜３：１の範囲内に制御して塗布液ＴＡＲＣの吐出量を設定する。 （もっと読む）

【課題】基板周縁部領域におけるレジスト膜厚の不均一を抑制して、良好なパターニングを行うことができる成膜装置、及び、その成膜方法を提供する。
【解決手段】膜厚均一化部２０は、基板１の周縁部領域１ａに形成された材料膜２ｘの盛り上がり２ａに対して、気流ＦＷを吹き付けるための吹き付けノズル２１を備えている。吹き付けノズル２１は、基板１の周縁部領域１ａの材料膜２ｘに対して、所定の流量の気流ＦＷを、基板１に対して所定の角度を有して斜めに、かつ、基板１の内方から外方に向けて吹き付けるように設置されている。 （もっと読む）

【課題】基板のエッジ領域の膜厚が、内側領域の膜厚に比べて厚くなる膜厚の盛りあがり現象の発生を抑制できる技術を提供する。
【解決手段】スピンチャック４１に保持された基板Ｗの側方周囲を取り囲む円環板状の部材であって、その外周とカップ４３の内壁との間に排気手段と連通する平面視で円環状の微小間隙Ｋ１を形成するとともに、その内周と基板Ｗの端面との間に排気手段と連通する平面視で円環状の微小間隙Ｋ２を形成する部材（側方整流部材４５）を設ける。被処理基板Ｗの周囲には、基板Ｗの表面から側方整流部材４５の上面に沿って流れ、微小間隙Ｋ１を通って排気される気流ＡＲ１と、基板Ｗの表面に沿って流れ、微小間隙Ｋ２を通って排気される気流ＡＲ２とが形成される。その結果、基板Ｗのエッジ領域付近に形成される気流が安定し、膜厚の盛りあがりが生じにくくなる。 （もっと読む）

【課題】塗布液の塗布時に発生する気泡を抑制して塗布液膜の均一化及び歩留まりの向上を図れるようにした塗布処理方法及び塗布処理装置を提供すること。
【解決手段】半導体ウエハＷを低速の第１の回転数で回転させて、ウエハの中心部に純水ＤＩＷを供給して純水の液溜りを形成し、その後、ウエハを上記第１の回転数の状態で、ウエハの中心部に水溶性の塗布液ＴＡＲＣを供給し、該塗布液と上記純水とを混合する。その後、ウエハを上記第１の回転数より高速の第２の回転数で回転させて塗布液膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】塗膜全体にわたって均一で、高品質な塗膜を形成することができる感光性樹脂組成物及びそれを用いた表示装置等を提供することを目的とする。
【解決手段】染料（Ａ）、バインダー樹脂（Ｂ）、感光剤（Ｃ）、硬化剤（Ｄ）及び溶剤（Ｅ）を含み、前記溶剤（Ｅ）が、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル及びジアセトンアルコールからなる群から選ばれる少なくとも２種の溶剤を含む溶剤であるポジ型感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】処理室内部の雰囲気が外部に漏洩することを確実に防止することができるとともに、処理室内のメンテナンスを外部から容易に行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】塗布処理室２１は、縦フレームＦａを含むフレームにより形成された開口部２１ｚを有する。フレームには開口部２１ｚを開閉可能にメンテナンス用扉Ｄが設けられる。開口部２１ｚを取り囲むように、フレームに溝付きトリム５０１が設けられる。溝付きトリム５０１は、開口部２１ｚがメンテナンス用扉Ｄにより閉塞された状態でメンテナンス用扉Ｄに接触することによりメンテナンス用扉Ｄに対向する溝５０１ｇを有する。開口部２１ｚがメンテナンス用扉Ｄにより閉塞された状態で、溝付きトリム５０１の溝５０１ｇとメンテナンス用扉Ｄとにより形成された空間の雰囲気が吸引ユニットにより吸引される。溝５０１ｇの内側の空間が外部に対して陰圧に保たれる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エッジリンス液の飛散の影響が小さく、種々の基板の載置状態に対して、基板のエッジ位置から一定の距離を有する位置に的確にエッジリンス液を供給し、基板の外周部から一定の幅でレジストを除去することができるエッジリンス方法及びエッジリンス機構を提供することを目的とする。
【解決手段】回転するステージ４０上に載置された基板の外周部上に、所定位置に設けられたノズル１０からエッジリンス液を供給して塗布されたレジストを除去するエッジリンス方法であって、
前記ステージ４０上で回転する前記基板のエッジ位置を検出するエッジ位置検出工程と、
該エッジ位置検出工程で検出された前記エッジ位置に基づいて、前記ノズル１０から供給される前記エッジリンス液が、前記エッジ位置から一定の距離を有する位置に供給されるように前記ステージ４０をスキャン移動させるエッジリンス液供給工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い段差パターンを有する基板の表面に、適切なカバレッジ性を有してレジストを塗布することができるレジスト塗布方法を提供することを目的とする。
【解決手段】段差を有する基板Ｗの表面に、レジスト８０、８１を滴下して塗布するレジスト塗布方法であって、
前記基板Ｗを所定の回転速度で回転させ、前記レジスト８０、８１の滴下位置を、前記基板Ｗの外周側から中央に移動させながら供給するレジスト供給工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】 半導体ウェーハＷ等の下面周縁部のみを吸着しても撓みが発生し難い回転処理装置を提供する。
【構成】 吸引チャック５の上部形状は周縁部が内側部よりも高くなった皿状をなし、周縁部の上面には半導体ウェーハＷの製品とならない外縁部分を吸着するための吸引溝９が形成されている。この吸引溝９上に半導体ウェーハＷの下面周縁部の製品にならない部分が載置されるようにする。そして、吸引溝９を介して半導体ウェーハＷの下面周縁部を吸引する。吸引溝９は平面視で円形状をなすように形成されているため、半導体ウェーハＷの下面周縁部の全周が吸引され、撓みが発生し難い。 （もっと読む）

【課題】長期間保管した後においても、表面張力が増加せず、ストリエーションの発生等の問題を生じることのない塗布膜形成用組成物及びこれを用いたレジストパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】レジスト膜に直接接する被膜を形成するための塗布膜形成用組成物であって、少なくとも（ａ）膜形成成分、（ｂ）酸性成分、及び（ｃ）界面活性剤を含有し、且つ前記塗布膜形成用組成物の調製直後からの表面張力の経時変化量が６０℃において、０．２０ｍＮ／ｍ・ｄａｙ以下である塗布膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において、フォトレジスト膜の良好なパターン形成が可能であり、良好なドライエッチング耐性を有するエッチングマスク用金属酸化物含有膜を形成でき、保存安定性が良好であり、剥離プロセスで使用される溶液で剥離が可能な金属酸化物含有膜形成用組成物、金属酸化物含有膜形成基板、更にパターン形成方法を提供する
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において成膜される金属酸化物含有膜を形成するための熱硬化性金属酸化物含有膜形成用組成物であって、少なくとも、（Ａ）加水分解性ケイ素化合物と、加水分解性金属化合物とを加水分解縮合することにより得られる金属酸化物含有化合物、（Ｂ）熱架橋促進剤、（Ｃ）炭素数が１〜３０の１価又は２価以上の有機酸、（Ｄ）３価以上のアルコール、（Ｅ）有機溶剤とを含むことを特徴とする熱硬化性金属酸化物含有膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】撥液性とアルカリ溶解性に優れた液浸露光用レジスト保護膜材料の提供。
【解決手段】下式（ａ１）で表される化合物の環化重合により形成された繰り返し単位（Ａ１）、好ましくは下式（ａ２）で表される化合物の環化重合により形成された繰り返し単位（Ａ２）を含む液浸露光用レジスト保護膜組成物。ただし、Ｚ：式−Ｃ（ＣＦ_３）_２ＯＨ で表される基を１つ以上有する炭素数３から２０の有機基。ｎ：０、１または２。Ｒ：水素原子または炭素数１〜２０の１価有機基であって、２個のＲは同一であってもよく異なっていてもよい。
ＣＦ_２＝ＣＦＣＦ_２ＣＨ（Ｃ（Ｏ）ＯＺ）（ＣＨ_２）_ｎＣＲ＝ＣＨＲ （ａ１）
ＣＦ_２＝ＣＦＣＦ_２ＣＨ（Ｃ（Ｏ）ＯＺ）ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２ （ａ２） （もっと読む）

【課題】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において、フォトレジスト膜の良好なパターン形成が可能であり、良好なドライエッチング耐性を有するエッチングマスク用ケイ素含有膜を形成でき、保存安定性が良好であり、剥離プロセスで使用される溶液で剥離が可能なケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜形成基板、更にパターン形成方法を提供する
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において成膜されるケイ素含有膜を形成するための熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物であって、少なくとも、（Ａ）酸を触媒として用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、（Ｂ）熱架橋促進剤、（Ｃ）炭素数が１〜３０の１価又は２価以上の有機酸、（Ｄ）３価以上のアルコール、（Ｅ）有機溶剤、を含むことを特徴とする熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜との良好なマッチング特性を有するレジスト下層膜を形成することが可能なレジスト下層膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】本発明に係るレジスト下層膜形成用組成物は、下記一般式（１）で示される繰返し単位を有するシロキサンポリマー成分を含有することを特徴とする。
（式（１）中、Ｒ^１は、水素原子又は１価の有機基であり、Ｒ^２は、電子吸引性基を有する１価の有機基である。繰返しにおける複数のＲ^１同士又はＲ^２同士は互いに異なっていてもよい。ａは、０又は１である。） （もっと読む）

【課題】基板の中央部と周縁部との膜厚のばらつきをより抑制することが可能な成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置は、スプレーノズル６がガラス基板４に液体を噴射する際に、制御部９が、ガラス基板４の周辺部Ａから中央部Ｂまでは、スプレーノズル６を加速させながら移動させる。また、スプレーノズル６が中央部Ｂに達すると、制御部９は、ガラス基板４の中央部Ｂでは、スプレーノズル６を等速度で移動させる。さらに、制御部９は、中央部Ｂから周辺部Ｃまでは、スプレーノズル６の移動速度を中央部Ｂでの等速度から減速させる。 （もっと読む）

【課題】微粒子パターンを単層で、かつ位置選択的に形成可能な微粒子パターンの形成方法および基板の加工方法を提供する。
【解決手段】基板上に光開裂によりラジカル重合を開始しうる重合開始部位を有するシランカップリング剤（Ｂ１）を成膜してシランカップリング剤層を形成する工程、前記シランカップリング剤層上に表面がラジカル重合性官能基で修飾された微粒子（Ａ１）からなる微粒子層を形成する工程、前記微粒子層にマスクを通して露光し、露光部位の最下部の微粒子（Ａ１）を光ラジカル重合によりシランカップリング剤（Ｂ１）と結合させて基板上に固定する工程、前記微粒子層の基板に固定されていない微粒子を除去する工程を有する微粒子パターンの形成方法。上記の方法を用いて形成された微粒子パターンをエッチングマスクとして、下地基板を加工するする基板の加工方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、円筒状のワークを横置きにしてワークの内表面を加工する場合であっても、ワークの撓みを抑制して良好に加工を行うことを目的とする。
【解決手段】円筒内表面の加工装置（レーザ照射装置６）は、ワーク３の両端を回転可能に支持するワーク支持台（中空支持軸６４ａおよびベアリング台６４ｂ）と、ワーク３を回転させる駆動装置（モータ、ベルト６４ｃおよびプーリ６４ｄ）と、前記ワーク支持台に形成される孔６４ｆから通されてワーク３内においてワーク３の軸方向に延びるヘッド支持軸（ヘッドガイド軸６２およびヘッド駆動軸６３ｂ）と、前記ヘッド支持軸に沿って移動しながら、ワーク３の内表面にレーザ光を照射するヘッド６１と、を備えて構成されている。 （もっと読む）

【課題】基板面内において塗布液を均一に塗布しつつ、塗布液の供給量を低減する。
【解決手段】ウェハＷの中心部に純水Ｐを供給する（図６（ａ））。その後、純水Ｐの中心部に、純水Ｐよりも表面張力が低い溶剤Ｑを供給する。溶剤Ｑは、純水Ｐよりも拡散方向後方でウェハＷの同心円状に拡散する（図６（ｂ））。その後、ウェハＷを回転させながら、溶剤Ｑの中心部にレジスト液Ｒを供給する（図６（ｃ））。レジスト液Ｒは、純水Ｐと溶剤Ｑに先導されてウェハＷの同心円状に拡がり（図６（ｄ））、ウェハＷ上の全面に拡散する（図６（ｅ））。 （もっと読む）

【課題】塗布液をスピンコーティング法によって基板へ塗布するにあたって、基板裏面側へのパーティクルの付着を減らし、このパーティクルを洗浄するための溶剤の使用量を抑えることである。
【解決手段】カップ１０内のスピンチャック１１に保持されたウエハＷの周縁部裏面と対向するように、縦断面が山形の塗布液の跳ね返り防止用のガイド部２を設け、このガイド部２の内側に連続してカップ１０の下方側外部空間と区画する水平面２２を形成する。この水平面２２とウエハＷとの間の裏側空間２３はウエハＷの回転により雰囲気が負圧となる空間であり、前記水平面２２に開口部２５を形成する。そして、ウエハＷの回転数に基づいてシャッター６により開口部２５の開口量を調整し、またカップ１０の底部に接続された排気路中のダンパの開度を制御する。 （もっと読む）