【課題】ウェハー裏面のパーティクルに対して、ウェハーのダメージを抑えながら十分な洗浄効果を得ることが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】ウェハーｗ裏面に接触させる薬液を溜める薬液溜め１２と、この薬液溜め１２の壁面を構成するとともに、ウェハー裏面に対して摺動させるブラシ１１と、薬液溜め内に設置され、前記ウェハー裏面にキャビテーションを発生させるために前記薬液に超音波を照射する超音波照射機構１３と、薬液溜め１２内に薬液を供給する薬液供給機構１４と、薬液溜め１２の上方に設置され、ウェハーｗを保持し、回転させる機構１７、１８、１９を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法において、簡便な手法で半導体基板の端面と裏面側の周縁部とをクリーニングすること。
【解決手段】シリコン基板５０の縁部を保持する工程と、シリコン基板５０の裏面Aの周縁部Rにブラシ１２を摺接させることにより、シリコン基板５０の裏面Aに付着している堆積物を除去する工程とを有し、上記の堆積物を除去する工程において、ブラシ１２の一部をシリコン基板５０の裏面Aからはみ出させる半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】 裏面研削加工された半導体基板のエッジ周面に固着するシリコン研削屑を除去できる洗浄機器の提供。
【解決手段】 洗浄機器１の中央部に洗浄液貯水槽１３を設け、この貯水槽の中央部に起立して設けられた回転スピンドル１８の周囲に支持フランジ２９を設け、この支持フランジより遊星回転軸２８を前記回転スピンドルに平行して起立して設け、半導体基板の外周縁から中心点に至る距離の直径の基板面拭い具２０を遊星回転軸２８の上方に設け、前記回転スピンドル１を回転駆動させることによりこの基板面拭い具２０を遊星回転させて半導体基板ｗの外周縁から中心点に至る面を遊星回転洗浄する。 （もっと読む）

【課題】研削後のウェーハの保護フィルムを洗浄する洗浄ユニットと、搬送ユニットの吸引部を洗浄する他の洗浄ユニットとを備えた比較的小型のクリーニング装置を提供する。
【解決手段】搬送ユニット（３５）の吸引部（３６）によりウェーハ（２０）の裏面（２２）が吸引されるときに、ウェーハの表面（２１）に貼付けられた保護フィルム（３）を洗浄する第一洗浄手段（５０）と、ウェーハを吸引していないときの搬送ユニットの吸引部を洗浄する第二洗浄手段（６０）と、第一洗浄手段を第二洗浄手段に対して相対的に昇降させる昇降手段（４６）とを具備するクリーニング装置（４０）が提供される。第一洗浄手段の第一洗浄部材（５５）はスポンジまたはブラシであり、第二洗浄手段の第二洗浄部材（６５）は砥石であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】良品率を向上し、かつ半導体製造装置への処理液・洗浄液による汚染を防ぐこと。
【解決手段】リブウェハ１００を、おもて面を下にしてウェハ保持機構２０に保持させ、リブウェハ１００の中央部３の中心付近を回転の中心Ｏとして回転させる。そして、この状態で、リブウェハ１００の裏面側のリブ部４の表面の内周端部にエッチング液５０を滴下する位置に設置されたノズル１０から、エッチング液５０を滴下する。このようにして、リブウェハ１００におけるリブ部４の表面の内周端部を選択的にエッチングして、リブ部４の内周側の側壁に傾斜面または曲面を形成する。そして、リブウェハ１００に洗浄液を滴下した後に、バッチ式乾燥装置または枚葉式乾燥装置によって、リブウェハ１００を回転させて、乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に液体が付着することを防止しつつ基板の裏面を十分に洗浄することが可能な基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗの裏面洗浄処理時には、スピンチャック６００により基板Ｗが回転するとともに、気体供給管４２０を通して遮断板５２５と基板Ｗとの間にＮ_２ガスが供給される。その状態で、洗浄ブラシ６３０がモータ６３５によって回転しながら基板Ｗの裏面に接触する。基板Ｗと洗浄ブラシ６３０との接触部分には、洗浄ノズル６３３から純水が供給される。これにより、基板Ｗの裏面の全体が洗浄ブラシ６３０により洗浄され、基板Ｗの裏面に付着する汚染物が取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】基板の上面に対向し近接して押付部材を配置し基板の処理を行う場合に、高温の処理液を使用するときでも、基板の面内温度の均一性を高め、押付部材の下面と基板上面とで挟まれる空間における温度の上昇を抑えることができる装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗの上面に対向し近接して配置される雰囲気遮断板のプレート部６０の内部に、その中央領域から周辺領域の気体噴出口８０に向かって気体を流通させる気体通路８４を形成し、気体通路の途中を部分的に狭隘にし、その狭隘通路部分１２６とプレート部の下面側とを連通させる吸引細孔１２８を形成して、気体通路にエジェクタ部１１６を設け、吸引細孔の、プレート部の下面に開口する吸い込み口１３０を、気体噴出口よりプレート部下面の中心寄りに配置する。 （もっと読む）

【課題】本発明はプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関する。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置は、チャンバと、前記チャンバ内の上部に設けられた上部電極と、前記チャンバ内の下部に前記上部電極と対向配置されて前記基板のベベルエッチング工程で前記基板のベベルが露出するように支持する下部電極と、前記上部電極と下部電極との間に設けられて前記基板の裏面エッチング工程で前記基板裏面の中央領域を露出するように支持する基板支持部と、前記基板の裏面エッチング工程で前記基板支持部を移動させて前記基板を前記基板支持部から分離させる移動部材と、を含む。 （もっと読む）

【課題】クリーンルーム内での半導体ウエハの製造工程に対して、イオナイザーの使用を伴う清浄ガスの吹き付けによる有害パーティクルの付着防止工程を加えても、腐食性のある反応生成不純物が生成され難い半導体装置の製造方法および吹き付けエアーの有害パーティクル除去装置を提供すること。
【解決手段】微粒子エアーフィルター５およびケミカルエアーフィルター６を通過するクリーンルーム外空気または窒素ガスを主体とするエアーにコロナ放電型イオナイザー８を機能させてイオン化し、その後、イオン化されたエアーをクリーンルーム１内の半導体製造のための作業ブース４内の作業ワーク１４に吹き付ける工程を有する半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】基板洗浄装置において基板の生産性を向上させること。
【解決手段】基板洗浄装置２は、洗浄部材５０により基板６を洗浄する位置から離れて設けられ、その下面がブラシ部と接触して当該ブラシ部を洗浄する洗浄面として形成されたブラシ洗浄体５と、洗浄部材を、基板を洗浄する領域とブラシ洗浄体によりブラシ部が洗浄される領域との間で移動させる移動手段と、ブラシ洗浄体の下面に洗浄部材のブラシ部を押し当て、ブラシ洗浄体と洗浄部材とを相対的に回転させるための手段と、ブラシ洗浄体とブラシ部材とを相対的に回転させているときにブラシ洗浄体の下面とブラシ部との間に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ブラシにより基板を洗浄処理する基板処理装置の高さを低減すること。
【解決手段】シーソー部材９１は、支持部材９０を支点として揺動可能であって、支点９３に対して一方側に力点部９６を有し、支点９３に対して他方側に作用点部９７を有している。押圧用アクチュエータ９２は、力点部９６の下方に配置されており、ブラシ２０を基板に押し付けるための押し付け力を当該力点部９６に与えて、シーソー部材９１を揺動させる。前記押し付け力は、作用点部９７からブラケット８２および回転シャフト４５等を介してブラシ２０に伝達される。
【効果】押圧用アクチュエータ９２をシーソー部材９１の下方に配置することにより、ハウジング３２の高さが低減されており、これによって、基板処理装置の高さが低減されている。 （もっと読む）

【課題】多機能化に伴い大型化するスピンコータのロータ部材２２の、安定的回転を確保し、さらに、スピンコータ１の鉛直方向における短尺化により、工場内の容積効率向上を実現する。
【解決手段】筒状の固定部材４５の外周側に、環状に形成されたステータコイル２８を固定して構成したステータ部材２１と、前記ステータ部材２１の内周側に回転可能に、回転体４１を支持し、この回転体４１の側面であって、前記ステータタコイル２８を囲み、複数の永久磁石２９を接近するように配置して、前記回転体４１と共に回転するロータ部材２２を形成し、前記ステータ部材２１と前記ロータ部材２２を合わせて偏平状かつ環状の電動機２０（例えばモータ）を形成し、前記回転体４１の上面に基板支持部材２３を配置し、前記基板支持部材２３に支持された薄板状被処理物（ウエハ１４）の裏面に処理液３２を噴射するようにパイプ３５を配設した。 （もっと読む）

処理システムが、基板の底面を露出させるように、それぞれが基板を支持するように構成された複数のチャックと、連続的な経路に沿って複数のチャックを案内するように構成されたトラックと、トラックがそれぞれのチャックを処理装置上で案内するとき、各基板の底面を処理するように構成され、トラックがそれぞれのチャックを処理装置上で案内するとき、各基板の底面に接触するように配置された流体メニスカスを含む処理装置とを含む。
（もっと読む）

【課題】基板の主面の周縁部におけるエッチング液の滞留を防止または抑制して、基板の主面に対して均一なエッチング処理を施すことができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷの周縁部上の処理位置に刷毛部材７が配置される。カーボンファイバにより形成された弾性線状体１６が、ウエハＷ上のフッ硝酸の液膜に接触する。可撓性を有する弾性線状体１６は、フッ硝酸の液膜に接触すると、その先端部がウエハＷの回転半径方向外方側に向く湾曲線状に弾性変形する。弾性変形後の弾性線状体１６が、そのフッ硝酸をウエハＷ外に向けて案内する。 （もっと読む）

【課題】露光前のウェハの裏面全面を効率よく洗浄する。
【解決手段】処理容器１１０の一の側面には、搬送機構１０１の搬送アーム１２０に保持されたウェハＷを搬入出させる搬入出口１１１が形成されている。処理容器１１０内には、搬送アーム１２０に保持されたウェハＷの裏面の付着物を静電気によって捕集するために帯電可能な帯電部材１３０と、当該ウェハＷの裏面に気体を噴射できる気体噴射ノズル１４０が設けられている。処理容器１１０の底面であって、帯電部材１３０の周囲には、処理容器１１０内の雰囲気を排気する排気口１５０が形成されている。処理容器１１０内であって、搬入出口１１１側の内側面には、ウェハＷの裏面の付着物を検査する検査機構１６０が設けられている。 （もっと読む）

本発明は反応空間を提供するチャンバと、前記チャンバ内部に設けられるステージと、前記ステージに対向して前記チャンバ内部に設けられるプラズマ遮蔽部と、前記ステージと前記プラズマ遮蔽部の間に基板を支持する支持台と、前記ステージに備えられ、前記基板の一面に反応ガス又は非反応ガスを供給する第１供給口と、前記プラズマ遮蔽部に備えられ、前記基板の他面に反応ガスを供給する第２供給口及び非反応ガスを供給する第３供給口と、を含む基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
このような本発明は単一チャンバ内で基板のエッジ領域及び背面領域にプラズマ処理を個別的に行うことができる。従って、装置の設置空間が減り、生産ラインの空間活用性を高めることができる。そして、チャンバ移動による大気露出がないので基板汚染が少なく、チャンバ移動による待機時間がないので全体的な工程時間を節約できる。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ状の物品の一方の表面上の、縁部側の所定の部分を、或る液体で処理し、しかも、（ウエハの外縁から測定して）２ｍｍより多い縁部領域を処理する可能性を示すこと。
【解決手段】 洗浄ガスの大部分をウエハ状の物品（Ｗ）の縁部領域でウエハ状の物品（Ｗ）から導き出すガス排出装置（４）が周囲に設けられ、また、第２の主面上の液体が縁部付近の所定の部分を濡らし、続いて、液体がウエハ状の物品（Ｗ）から除去される。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に対する処理を均一に行うことができるとともに処理液がウエハに再付着したりウエハの端縁付近の気流が乱されたりすることを抑制することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】支持部２０により支持される被処理基板Ｗを、略垂直方向に延びる軸を中心として回転させる。支持部２０上にある被処理基板Ｗの上面に向かってガスを下方に噴射するとともにこの被処理基板Ｗの上方領域からガスを上方に吸引することによって支持部２０上にある被処理基板Ｗを当該支持部２０に向かって押圧する。被処理基板Ｗを回転させ、この被処理基板Ｗを支持部２０に向かって押圧させながら、被処理基板Ｗの下面に対して下方からエッチング液や洗浄液等の処理液を供給する。 （もっと読む）

リアクタ内の支持台座部上に保持されたウェハの背面から、弓状側方ガス注入ノズルを利用してポリマーを除去する。弓状側方ガス注入ノズルは、ウェハ縁部に適合した曲率でリアクタ側壁部を貫通して延び、また遠隔プラズマ源からプラズマ副生成物を供給される。
（もっと読む）

例えばハードディスク媒体基板などの電子基板、当該ハードディスク媒体の製造に用いられるインプリント型（imprint mold）、または読取り／書込みヘッド組立部品（read/write head assembly part）の表面および／または斜面からサブミクロン粒子を除去するための洗浄溶液ならびに方法。当該洗浄溶液は、ポリカルボキシレートポリマーまたはエトキシル化ポリアミンを含む。当該方法は、ポリカルボキシレートポリマーまたはエトキシル化ポリアミンを含む洗浄溶液と当該基板の表面を接触させる工程を含む。当該方法における任意の付加的な工程は、音波エネルギーを当該洗浄溶液に適用することおよび／または当該表面をすすぎ溶液に音波エネルギーを適用するか、あるいは適用することなく、当該すすぎ溶液により当該表面をすすぐことを含む。 （もっと読む）