【課題】基板が支持部に支持されることに起因する基板の未処理部分をなくすことができ、処理液のミストの発生も防止することができる液処理方法を提供する。
【解決手段】処理液により基板の下面を処理する液処理方法において、回転可能に設けられた、基板を下方より支持する支持部に支持されている基板を、支持部に対する基板の相対角度位置が変わらないように回転させ、回転する基板の下面に処理液を供給し、供給された処理液により基板の下面を処理する第１の処理工程Ｓ１１と、第１の処理工程Ｓ１１の後、支持部を回転させる回転部の回転数を変更することによって、相対角度位置を変更する位置変更工程Ｓ１４と、位置変更工程Ｓ１４の後、支持部に支持されている基板を、相対角度位置が変わらないように回転させ、回転する基板の下面に処理液を供給し、供給された処理液により基板の下面を処理する第２の処理工程Ｓ１５とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板の上面側からガスを供給するとともに基板の下面側から処理液を供給し、供給された処理液により基板の下面を処理する液処理装置において、トッププレートの位置を精度良く位置決めすることができる液処理装置及び液処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの上面側からガスを供給するとともに基板Ｗの下面側から処理液を供給し、供給された処理液により基板Ｗの下面を処理する液処理装置２２において、上面に開口１０５を有する処理容器１００と、処理容器１００内に設けられ、基板Ｗの周縁部ＷＥを支持する支持部７０、７２と、昇降可能に設けられ、下降した状態で開口１０５を塞ぐ天板部１１０と、天板部１１０が下降する際に、処理容器１００に対する天板部１１０の相対位置を所定の位置に位置決めする位置決め機構１３０とを有する。 （もっと読む）

【課題】シリコーンゴム製の粘着シートから取り外した半導体ウェーハに移行物が移行して汚染が生じ、後の工程に不具合が生じるのを有効に防ぐことのできる半導体ウェーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】シリコーンゴム製の粘着シートの平坦な表面に半導体ウェーハＷを着脱自在に粘着保持させ、この半導体ウェーハＷに所定の処理を施した後、粘着シートから半導体ウェーハＷを剥離してその少なくとも粘着シートに粘着していた裏面をプラズマ洗浄装置１０でプラズマ洗浄する。例え粘着シートから半導体ウェーハＷにシリコーンゴムのシロキサンが移行して付着しても、シロキサンを酸素プラズマで分解洗浄するので、半導体ウェーハＷの汚染により、後の製造工程に支障を来たすおそれを排除できる。 （もっと読む）

【課題】基板を清浄な状態で露光装置に搬入することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにより裏面洗浄された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１２により保持されて冷却ユニットＣＰに搬送される。冷却ユニットＣＰにより温度調整された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１により保持されて露光装置に搬送される。露光装置により露光処理された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１３により保持されて露光装置から基板載置部ＰＡＳＳ９に搬送される。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面を荒らすことなく微小な傷を除去することができる基板裏面平坦化方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷの裏面における傷Ｓの位置や大きさが検出され、位置や大きさが検出された傷Ｓへ選択的に多数のガス分子２８が集合して形成されたガス分子２８のクラスター２９が吹き付けられ、ウエハＷの表面に塗布されたフォトレジスト３０が露光される。 （もっと読む）

【課題】複雑な機構を用いることなく液が基板の表面に到達することを阻止した状態で基板の裏面を液処理することができる液処理装置を提供すること。
【解決手段】液処理装置１００は、ウエハ保持部２と、ウエハ保持部２をウエハＷとともに回転させる回転機構３と、ウエハＷの裏面に液を供給する裏面側液供給ノズル６と、排液カップ５１と、裏面側液供給ノズル６からウエハＷ裏面に供給された液がウエハＷ表面側に回り込むことを阻止するように環状に設けられ、ウエハＷから振り切られた液を排液カップ５１に導く仕切り部材３５とを具備する。仕切り部材３５は、ウエハ保持部２およびウエハＷとともに回転するとともに、ウエハＷと連続するように設けられており、ウエハＷの端面に対向する面が、その面とウエハ端面との間に液が保持されない形状を有しており、裏面側液供給ノズル６から供給された液によりウエハＷ裏面のみを液処理可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】基板とそれに対向する対向部材との間の気流の乱れを抑制できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗを水平に保持して回転させるスピンチャック３と、基板Ｗの上面周縁部の一部に向けて処理液を吐出するノズル５と、ノズル５を回転軸線Ｌ２まわりに自転させるノズル回転機構３５と、ノズル５に処理液を供給する処理液供給機構６と、基板Ｗの上面に対向する対向面２６、および対向面２６で開口し、ノズル５が挿入されるノズル挿入孔２９を有する遮断板４とを含む。ノズル５は、ノズル５の下面５ａに形成された吐出口を有している。ノズル５の吐出口は、回転軸線Ｌ２から離れた位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 基板上にエッチング液を液膜状に供給した後に、この基板をリンス処理する場合においても、エッチング液とリンス液とを個別に回収することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 基板処理装置は、ガラス基板１００をその主面が水平方向となる状態で支持するとともに、このガラス基板１００を水平方向に搬送する複数の搬送ローラ９と、ガラス基板１００にエッチング液を供給する処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃと、ガラス基板１００にリンス液を供給する処理・洗浄ユニット１ｄと、各処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ毎に配設された回収トレー７１と、処理・洗浄ユニット１ｃと処理・洗浄ユニット１ｄとの間に配設されたエアナイフ７とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、良好な平坦度及び膜厚均一性を有し、さらに品質の高いエピタキシャルシリコンウェーハを提供することにある。
【解決手段】鏡面研磨されたシリコンウェーハ１０（図１(ａ)）の表面上に、エピタキシャル膜２０を形成した後（図１(ｂ)）、前記シリコンウェーハの裏面のみに対し、研削加工処理、研磨加工処理あるいは化学エッチング処理を施し、エピタキシャル膜２０の形成時に前記シリコンウェーハ１０の裏面端部に付着したシリコン析出物２１を除去する（図１(ｃ)）ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
多層膜成膜した基板を、回転させながら基板に裏面側から処理液を供給する基板処理方法では、基板の回転数を一定にした従来の基板の周辺処理方法では、周辺部の多層膜のエッチングレートの差により、庇（ひさし）が発生し、次工程への汚染拡散の原因となる。
【解決手段】
処理対象の層を変更し、基板処理液を変更するごとに基板の回転数を増加させながらエッチングすることで、外周のエッチング領域を外側に狭めていくエッチング処理が出来、周辺部の庇の発生を防止し、汚染拡散のない周辺洗浄が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 基板を回転させながら所定の処理を施す基板処理装置において、基板を支持部材に均一に押圧させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 スピンベース３０の周縁部には、立設された支持ピン３１０が複数個設けられている。そして、支持ピン３１０に基板Ｗが略水平状態で支持されている。基板Ｗの表面Ｗｆに遮断部材５０を近接して対向配置された状態で、ガス吐出口５０２から所定の角度で基板Ｗにガスを吐出する。これにより、基板Ｗはその上面側に所定の角度で供給されるガスによって、支持ピン３１０に押圧されて確実にスピンベース３０に保持される。 （もっと読む）

【課題】処理液が供給される基板の下面側の雰囲気から、処理液が供給されない基板の上面側への雰囲気の周り込みを防止する共に、上下両面側の雰囲気を分離するために供給されるパージガスの消費量を抑制することが可能な液処理装置を提供する。
【解決手段】水平に保持した基板の下面に処理液を供給する液処理装置２において、囲み部部材４は基板Ｗから飛散した処理液を受け止め、天板部５は水平に保持された基板Ｗの上面に対向するように配置され、ガス供給部５３、５３１は天板部５と基板Ｗとの間に形成される空間に加圧されたガスを供給する。そして気体取り込み口５２は天板部５と基板Ｗとの間に形成される空間内の負圧により、この空間の外部の雰囲気の気体を当該空間内に取り込む。 （もっと読む）

【課題】デバイス領域に対応する裏面に円形凹部を有するウエーハの洗浄装置を提供する。
【解決手段】デバイス領域１７に対応する裏面に円形凹部３１と該円形凹部３１の外周側に環状補強部３３が形成されたウエーハ１１の該円形凹部３１を洗浄するウエーハ洗浄装置であって、回転チャックテーブル４６上に保持したウエーハの該円形凹部３１の底面に当接し回転する円盤状洗浄パッド８４を有する洗浄手段と、該洗浄パッド８４が該環状補強部３３の高さより高く位置づけられ退避位置との間で該洗浄手段を移動する上下駆動手段８０と、該洗浄位置に位置づけられた該洗浄パッド８４を水平揺動させる水平駆動手段７０とを具備し、該水平駆動手段７０によって該洗浄パッド８４が往復移動する距離と該洗浄パッド８４の直径の合計が、該円形凹部３１の半径より大きく直径以下であり、該洗浄パッド８４の中心が該円形凹部３１の中心を通って移動することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＶＯＣ濃度を積極的に増大させてＶＯＣ濃度を平準化させ、ＶＯＣの除去効率を向上させた排ガス処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】基板処理部において、揮発性の有機溶剤によって基板を処理し、前記基板処理部に連結された循環部において、前記基板処理部から排出された前記有機溶剤の揮発成分を前記基板処理部に循環させ、その濃度を増大させるとともに平準化させる。次いで、前記循環部に連結された揮発成分処理部において、平準化された濃度を有する前記有機溶剤の揮発成分を捕獲除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハに対してレジスト膜を形成し、露光後のウエハに対して現像を行う、塗布、現像装置において、例えばレジスト膜形成前のウエハに対して疎水化流体により疎水化処理を行うことによりウエハの裏面の周縁部が疎水化状態になる。このウエハの裏面を洗浄液とブラシとを用いて洗浄するとブラシが削れてウエハの裏面が汚染され、露光に不具合が生じる。そこでウエハの裏面を良好に行える手法を提供する。
【解決手段】露光前のウエハＷを水平保持し、鉛直軸周りに回転させるスピンチャック１０と、回転するウエハＷの裏面５１を、自転しながら洗浄する洗浄ブラシ３０と、洗浄時にウエハＷの裏面５１に洗浄液Ｓを供給する洗浄液ノズル１５と、を用い、少なくともウエハＷの周縁部５２を洗浄するときに、ウエハＷの回転数８０ｒｐｍ以下となるように制御する。 （もっと読む）

【課題】デバイス後工程におけるシリコンウェーハの重金属汚染を防止する。
【解決手段】シリコン基板の裏面を研削することにより厚みを１００μｍ以下とする裏面研削工程Ｓ３１と、研削されたシリコン基板の裏面を研磨する裏面研磨工程Ｓ３２と、シリコン基板の少なくとも裏面を酸水溶液に浸す重金属除去工程Ｓ３３とを備える。本発明によれば、裏面研削工程などで導入される重金属が酸水溶液によって抽出され、これによりシリコンウェーハから重金属が除去されることから、デバイス後工程におけるシリコンウェーハの重金属汚染が防止される。 （もっと読む）

【課題】基板のベベル部および基板裏面を短時間で、しかも良好に洗浄することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】遮断部材５が基板Ｗの表面Ｗｆに近接して対向配置された状態で基板Ｗの上面ベベル部に第１処理液が供給されてベベル洗浄が実行される。このベベル洗浄中に裏面処理ノズル２から第２処理液が基板裏面Ｗｂに供給されて裏面洗浄が実行される。また、遮断部材５の下面周縁部に段差部ＳＴが形成されており、環状部５０ｂに付着した処理液などが基板対向面側に移動しようとしても、当該移動は段差部ＳＴにより阻止される。その結果、基板対向面５０ａと平面領域ＦＰの間に液密層が形成されるのを確実に防止する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の基板を洗浄する際に、基板に十分な薬液を供給すると共に、除去対象物を基板に再付着させることなく除去する。
【解決手段】基板洗浄装置は、薬液カップ１３と、薬液カップ１３内に薬液を供給する第１の吐出口１５と、薬液カップ１３から薬液を排出するための排液口１４とを備える。薬液カップ１３内に、薬液カップ１３の底部から離れて略水平に基板１２が配置される。第１の吐出口１５から供給される薬液が薬液カップ１３内に蓄積されて基板１２の下面と接触することにより、該下面の洗浄を行なう。 （もっと読む）

【課題】近年、半導体集積回路装置の製造プロセスにおいて、窒化シリコン膜等が有する応力に起因する歪を利用したキャリア移動度向上技術が活用されている。これに伴って、ウエハの表側における複雑なデバイス構造上の窒化シリコン膜を高選択で除去するため、熱燐酸によるバッチ方式ウエット処理が必須となっている。これによって、ウエハの裏面の窒化シリコン膜も除去され、一群の歪付与工程の後のプロセスにおいては、ウエハの裏側の表面はポリ・シリコン部材ということとなる。しかし、一般的なウエハの裏面等の洗浄に使用する方法は、裏面が窒化シリコン膜等であることを前提とするものであり、その特性の異なるポリ・シリコン主体の裏面を有するウエハでは洗浄の効果が十分といえない恐れがある。
【解決手段】リソグラフィ工程の前に、ＦＰＭ処理の後ＳＰＭ処理を実行する２工程を含むウエハ裏面に対するウエット洗浄処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面周縁部に形成された上層のみを選択的にエッチング除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面周縁部ＴＲに形成された難溶性層ＵＬに薬液を供給して難溶性層ＵＬをエッチング除去している間、難溶性層ＵＬの基板端面側にリンス液を供給してカバーリンス部ＣＬを形成し、難溶性層ＵＬのエッチング除去により露出してしまった下地層ＤＬをリンス液で覆っている。このため、下地層ＤＬに流れてくる薬液を薄めるとともに洗い流して露出した下地層ＤＬが薬液によりエッチングされるのを抑制することができる。このように難溶性層ＵＬの基板端面側にカバーリンス部ＣＬを設けて露出した下地層ＤＬを保護した状態でエッチング処理を行っているため、基板Ｗの表面周縁部ＴＲに形成された難溶性層ＵＬのみを選択的にエッチング除去することができる。 （もっと読む）