【課題】洗浄によりウェハに付着した水分を完全に除去し、当該基板を水分を除去した状態で成膜装置に搬送する。
【解決手段】 洗浄装置３に隣接して水分除去装置４を設ける。水分除去装置４では、ウェハＷに高温ガスを供給してウェハＷに付着した水分を完全に除去する。水分除去装置４と成膜装置５、６との間の搬送部７は、ケーシング２１で覆う。ケーシング２１内には、乾燥気体を供給し、搬送部７内を乾燥雰囲気にする。水分除去装置４で水分の除去されたウェハＷを、乾燥雰囲気内を通して成膜装置５、６に搬送する。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物表面に金属不純物やパーティクルあるいは純水中の不純物が付着するのを抑制し、清浄な洗浄を行うことで、半導体装置の特性や歩留りを向上できる洗浄乾燥装置を得る。
【解決手段】本発明に係る洗浄乾燥装置は、洗浄液で被洗浄物表面を酸化する処理を行う第１の処理槽と、該第１の処理槽で酸化された被洗浄物表面を希釈塩酸水溶液で洗浄する処理を行う第２の処理槽と、該第２の処理槽で洗浄された被洗浄物表面を乾燥する処理を行う乾燥処理部とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】片面エッチングのための方法及び装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置（１００）は、真空室（１１０）を有し、穿孔ベルト（１２０）がこの真空室に対して配置されている。そして、エッチング室（１３０）は、真空室に関し、穿孔ベルトの反対側に配置される。エッチング室は開口部（１３２）を有し、ここを通ってエッチング剤が放出される。真空室は、エッチング剤からウェーハ（１４０）の背面（１４４）を保護する圧力差を生じるよう構成される。使用においては、ウェーハの背面は穿孔ベルトに対して配置される。ウェーハ（１４２）の前面は放出されたエッチング剤に露出される。圧力差は、ベルトに対してウェーハの背面を保護し、及び／又は、穿孔ベルトを通してウェーハの前側に配置されないエッチング剤を抽出する。 （もっと読む）

【課題】 １つの工程装備にインシャワー、吸入および乾燥工程を行えるようにし、基板を塗布または剥皮したり洗浄工程を行ったりする際に時間と空間的な効率性を高めることができるインシャワー、吸入および乾燥工程を行う工程装置を提供する。
【解決手段】 インシャワー、吸入および乾燥工程を行う工程装置は、インシャワーナイフ、エアナイフを含むナイフユニットおよびナイフユニットが取付けられて基板上にナイフユニットを移送することができるフレームを含む。 （もっと読む）

【課題】流体混合ノズルを用いて疎水性ウェハの処理を行うことができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理液を供給する処理液供給手段６６と，不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段６７と，前記処理液に前記不活性ガスを混合し、不活性ガスによって圧力を加えられた処理液を基板に吐出する二流体混合ノズル６５を備え，前記処理液によって基板を処理する基板処理装置であって，前記処理液供給手段６６に，前記処理液の表面張力を低下させる流体と前記処理液とを混合する流体混合手段１２を備えた。 （もっと読む）

半導体ウエハ容器を洗浄し乾かすための装置は、汚れた容器を受け入れて、デッキアセンブリにそれを供給する、固定具を備えたロードポートを含んでいる。キャリアーは、さらにハンドリングのために容器を受け入れる。第１先端部を備えたロボットは、容器のドアを外し、キャリアーの一部にそれを置く。ロボットは、キャリアーに係合し、処理室内への挿入のためキャリアー及び容器を持ち上げる第２先端部を含んでいる。処理室は、少なくとも一つのレセプタクルを備えたローターを含んでいる。スピニングローターは、高圧及び低圧領域の両方を作成する。処理液は、容器とキャリアーに供給される。すすぎ工程後、ローターが回転している間、容器及びキャリアーが乾かされる。その後、ロボットは、処理室から容器及びキャリアーの両方を取り除き、容器にドアを再び組み立てる。
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酸化に対して高安定性を有する初期状態水素終端化シリコンウェーハ表面を製造するための方法が提供される。プロセスの工程２０に従って、シリコンウェーハは陰イオン界面活性剤を伴う高純度加熱希フッ化水素酸で処理される。その後の工程３０において、水は室温で超純粋でｉｎ ｓｉｔｕですすがれて、次にその後の乾燥工程４０で乾燥される。代替的には、シリコンウェーハは工程２２で希フッ化水素酸で処理され、工程３２で水素ガス化水ですすがれて、工程４２で乾燥される。当該方法により製造されるシリコンウェーハは、３日より長い間、通常のクリーンルーム環境中で安定であり、そして８日より長い間、有意の酸化物再成長を伴わずに継続することが実証されている。 （もっと読む）

【課題】 効率の良い半導体基板処理装置及び半導体基板を処理するための方法の提供すること。
【解決手段】 半導体基板処理装置には、半導体基板支持体と、半導体基板支持体の上に位置する分配ヘッドと、液体容器と、搬送サブシステムが含まれる。半導体基板は半導体基板支持体上に載置されてもよく、第１半導体処理液がその上に分配される。第１半導体処理液を除去するためにウエハを半導体基板支持体によってスピンさせてもよい。半導体基板を第２半導体処理液に浸漬させてもよい液体容器に搬送サブシステムが半導体基板を搬送させてもよい。その後、半導体基板が第２半導体処理液の表面と接触している半導体基板の表面に蒸気を送るとともに半導体基板が第２半導体処理液から取り出されてもよい。 （もっと読む）