本発明の目的は、ウエハの損傷を低減することができ、ガスの使用量を低減することができるウエハ乾燥装置およびこれを用いたウエハ乾燥方法を提供することである。本発明は、ウエハ乾燥装置およびこれを用いたウエハ乾燥方法に関する。当該装置は、側面に第１の回転軸が固定され、上部に移動可能な第２の回転軸が形成され、下部に第１の排水口が形成されているチャンバと、上記第１の回転軸と上記第２の回転軸に固定され、ウエハを実装するカセットが端部に固定されるチルトアームと、上記カセットにＩＰＡ／窒素ガスを供給する第１のノズルと、上記第２の回転軸を第１の方向または第２の方向に移動させるスクリューと、上記スクリューを回転させる駆動モータと、を備える。 （もっと読む）

物体の統合されたクリーニングのための方法及び装置は、同じプロセスチャンバにおける一連の湿式クリーニング及び真空乾燥を含む。本発明の統合されたクリーニングプロセスは、部材の移動を排除することができ、システム信頼性を高める。クリーニングされた物体を脱気及び汚染除去するために、真空汚染除去を提供することができる。１つの実施の形態において、クリーナシステムは、例えばスループットを高めるために、様々な移動を、ロボットによって行われる統合された移動に組み合わせる。例えば、統合されたロボット移動は、閉鎖された容器をインプットロードポートから取り上げ、蓋及び本体を一緒に移動させ、次いで、本体及び蓋を別々に、クリーニングされるためにクリーナの適当な位置へ配置することを含む。
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【課題】基板の検出時間を短縮することができ、このことにより基板の処理のスループットを向上させることができる基板処理システム、基板検出装置および基板検出方法を提供する。
【解決手段】基板処理システム１は、処理前の状態のウエハＷの検出を行う第１の検出部４０と、処理後の状態のウエハＷの検出を行う第２の検出部５０とを備えている。第１の検出部４０は、収納容器８０の各収納部分８２にそれぞれ処理前の状態のウエハＷが収納されているか否かを検出するとともに各収納部分８２に収納された処理前の状態の各ウエハＷの収納状態を検出するようになっている。第２の検出部５０は、収納容器８０の各収納部分８２にそれぞれ処理後の状態のウエハＷが収納されているか否かを一括して検出するようになっている。 （もっと読む）

【課題】複数のバッチ式洗浄処理槽を有する洗浄処理装置の洗浄処理効率を向上させることができる半導体基板洗浄生産管理システムを提供する。
【解決手段】洗浄管理装置２は、洗浄処理装置１で処理予定の複数の仕掛かりロットについて仕掛かりロット情報を取得するとともに、その時点での洗浄処理装置１の装置稼動情報を取得する検知部２１を備える。シミュレーション部２２は、検知部２１が取得した情報に基づいて洗浄処理装置１において各仕掛かりロットのいずれかに対する洗浄処理を開始する場合の、当該仕掛かりロットの各洗浄処理槽４への割り当てをシミュレーションし、当該シミュレーション結果に基づいて仕掛かりロットの処理完了時間または不処理時間を仕掛かりロットごとに算出する。処理順決定部２３は、各仕掛かりロットの処理完了時間または不処理時間が最短の仕掛かりロットを次処理ロットに決定する。 （もっと読む）

【課題】薬液が所要の洗浄能力を維持していない状態になった場合に、これを即時に認識して不具合発生を防止することができるとともに、薬液交換のタイミングの最適化を図ることができる洗浄処理装置および洗浄処理方法を提供する。
【解決手段】薬液洗浄槽６内の薬液の劣化度合いを示すパラメータを計測する計測器２１〜２３を備える。判定部２４３は、薬液の劣化度合いを示すパラメータの計測結果が予め設定された許容範囲内であるか否かに基づいて薬液交換の要否を判定する。判定の結果が薬液交換要である場合、判定部２４３は薬液交換を実施する。また、薬液の劣化度合いを示すパラメータの計測結果が予め設定された許容範囲外であり、かつ先の薬液交換の実行時点からの経過時間が予め設定された規定時間未満である場合には、判定部２４３は、薬液交換をすることなく報知部２８に異常発生の報知を指示する。 （もっと読む）

【課題】基板の処理品質を向上させつつ基板の処理コストを十分に低減できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理槽４から引き上げられる基板Ｗに気体供給ダクト６２から気体が供給され、基板Ｗの乾燥処理が行われる。気体供給ダクト６２は、主管１４１および２つの分岐配管１４２ａ，１４２ｂからなる配管１４０を介してドライエア発生装置１１０およびファンユニット１２０と接続されている。ドライエア発生装置１１０は分岐配管１４２ａを通して気体供給ダクト６２にドライエアを供給し、ファンユニット１２０は分岐配管１４２ｂを通して気体供給ダクト６２に大気を供給する。各分岐配管１４２ａ，１４２ｂには、制御バルブ１３０ａ，１３０ｂが介挿されている。制御バルブ１３０ａ，１３０ｂの開閉状態に応じてドライエアおよび大気のいずれか一方が気体供給ダクト６２に供給され、基板Ｗの乾燥処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】ロットの追い越し配置を可能にして処理効率を向上させることができる基板処理装置のスケジュール作成方法を提供する。
【解決手段】計画開始位置ＰＳＰ１〜ＰＳＰ３から、レシピに基づいて各ブロックを配置する。基板待機部ＣＷＳを使用するブロックＢから次のブロックＣまでの間に待機時間が生じる場合には、第２のロットの計画開始位置ＰＳＰ２を時間的に後にずらした調整計画開始位置ＭＳＰ２を求める。制御部は、調整計画開始位置ＭＳＰ２を含む計画開始位置ＰＳＰ１，３の時間的に早いロットの順に、ブロックの配置を開始する。これにより、計画開始位置ＰＳＰ３のままの短時間の処理を行うレシピを採用した第３のロットを、調整計画開始位置ＭＳＰ２の第２のロットよりも時間的に前に配置してスケジュールする追い越しができ、基板処理装置における処理効率を向上できる。 （もっと読む）

【課題】処理槽から引き上げられた被処理体から立ち上る処理液の蒸気が、搬送駆動部の設けられた隔壁の他方側に侵入することを防止すること。
【解決手段】処理装置は、間隙２５を有する隔壁２８と、隔壁２８の一方側に配置され、被処理体Ｗｇを処理する処理液Ｃ１が貯留された処理槽３１と、隔壁２８の間隙２５を通過可能な支持部２１と、隔壁２８の他方側に設けられ支持部２１を移動させる搬送駆動部２３と、を有する搬送機構と、を備えている。隔壁２８の間隙２５には、間隙２５を覆う遮蔽部１２が設けられている。遮蔽部１２は、可塑性を有し、上下方向に延在する複数の延在遮蔽部１３を有している。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの端部に形成された薄膜または異物を、確実にかつ効率的に除去することができるウェハ端部処理装置を提供する。
【解決手段】ウェハ端部処理装置において、複数枚のウェハを起立状態にて互いに平行にかつウェハの中心を同軸上に配列させて支持するとともに、ウェハの中心を回転中心として複数のウェハを同時に回転駆動させるウェハ支持回転ユニットと、ウェハ支持回転装置により回転される複数のウェハの端部に接触しながら洗浄液を供給して、洗浄液により端部の薄膜または異物を除去する洗浄液供給ユニットと、洗浄液供給ユニットにより複数のウェハの端部に供給された洗浄液を除去する洗浄液除去ユニットとを備えさせ、複数枚のウェハを起立状態の姿勢にて端部にて対する処理を同時的に行う。 （もっと読む）

【課題】基板を洗浄処理した後、ＩＰＡ等の乾燥用溶剤を用いて乾燥した場合に、スループットを低下させることなく薬液を回収することができる洗浄装置および洗浄方法を提供すること。
【解決手段】ウエハＷを回転させながら、ウエハＷに薬液洗浄を施し、リンス処理を施し、その後ＩＰＡによる乾燥処理を施す洗浄機構１は、排液カップ６および排液配管３１を洗浄するための洗浄液を、ウエハＷに供給されない状態で、排液カップ６に供給する洗浄液供給機構３９を有し、さらに洗浄機構１の各構成部を制御する制御部４０を有し、この制御部４０は、ウエハＷの洗浄処理、その後のリンス処理を実施させた後、ＩＰＡによる乾燥処理を行わせている際に、乾燥処理が実施されているタイミングで洗浄液を排液カップ６に供給させるように制御する。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる際に用いられる半導体基板の表面処理剤を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面処理剤は、半導体基板上に形成され、少なくともそれぞれの一部にシリコンを含む膜を有し、表面が洗浄及び改質され、表面にヒドロキシル基を有する複数の凸形状パターンに対して供給されるものであって、前記ヒドロキシル基と反応する加水分解基を含み、前記シリコンを含む膜の表面に、前記シリコンを含む膜よりも水に対する濡れ性の低い撥水性保護膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】排気中の処理流体濃度を低減させ、基板処理装置に接続した排気設備へ流れ込む処理流体が低減し、排気設備への負担を軽減させること。
【解決手段】本発明では、基板処理装置（１）において、基板（２）を処理するための基板処理部（２１）と、基板（２）を処理する処理流体を基板処理部（２１）に供給するための処理流体供給部（２２）と、噴霧ノズル（４８，４９）から処理流体を溶解する溶媒を基板処理部（２１）より排出された排気に向けて噴霧することによって排気中の処理流体濃度を低減させるための排気処理部（２３）とを設けることにした。また、前記排気処理部（２３）は、内部に排気を分散させるための多孔状の分散板（５２、５３、５４）を設けることにした。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理方法を提供する。
【解決手段】薬液を用いて半導体基板を洗浄し、純水を用いて前記薬液を除去し、前記半導体基板表面に撥水性保護膜を形成し、純水を用いて前記半導体基板をリンスし、前記半導体基板を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】ウエハを薬液により洗浄する際、配管ラインの一部が帯電している状態でウエハ処理を開始した場合に、薬液がウエハに吐出され、配管内の帯電部分とウエハ間の電位差によって薬液が導線となって電流が流れ、ウエハにダメージが生じることにより歩留まりが発生するのを防ぐ。
【解決手段】薬液を半導体ウエハ１に吐出して洗浄する際、半導体ウエハ１に薬液を吐出する前にノズル１１を半導体ウエハ１外に移動し、半導体ウエハ１外で数秒薬液を吐出してから、半導体ウエハ１上にノズル１１を移動し薬液を吐出することで、帯電による半導体ウエハ１上のパターンの損傷を防ぎ、半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための基板洗浄方法および基板洗浄装置において、高いスループットを得られ、しかもパーティクル等を効果的に除去することのできる技術を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面Ｗｆ（パターン形成面）については、凍結洗浄技術によってパーティクル等の除去を行う。一方、基板裏面については、回転する基板下面中心に向けて凝固点近傍温度まで冷却されたＤＩＷと、ＤＩＷの凝固点温度よりも低温の冷却ガスとを吐出する。こうして冷やされたＤＩＷが基板裏面Ｗｂに沿って流れる際に、基板に付着したパーティクル等を除去する。 （もっと読む）

【課題】支持部材の先端部を基板の下面に当接して基板を略水平姿勢で支持しながら支持部材に押し付けて保持した基板に対して所定の処理を施す基板処理装置および方法において基板保持力を高める。
【解決手段】基板Ｗの保持モードとして、第１保持モードと第２保持モードが設けられている。第１保持モードでは、基板裏面Ｗｂを支持ピンＰＮで支持しながら基板表面Ｗｆに窒素ガスを供給して基板Ｗを支持ピンＰＮに向けて押圧力Ｆａで押圧するのみであるが、第２保持モードでは、上記押圧力Ｆａに加え、基板裏面Ｗｂより基板Ｗに吸引力Ｆｂを与えている。このように、吸引力Ｆｂを付加した分だけ基板Ｗの保持力を高めることができ、基板Ｗを高速回転させる際にも安定して基板Ｗを保持することができ、その結果、基板処理を良好に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたパターンの倒壊を抑制することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数のパターンが隣接して形成された基板を処理する基板処理装置であって、薬液に対する耐性を有し、前記基板を前記薬液により洗浄するための第１のチャンバと、前記第１のチャンバの上方または下方に配置され、前記第１のチャンバよりも高い耐圧性を有し、前記基板を超臨界乾燥するための第２のチャンバと、前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとの間に設けられ、開閉可能なゲート部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工場における製造ラインへの搬入を搬入経路を限定されることなく容易に行うことができると共に各部の交換作業を容易に行うことができるフープ洗浄乾燥装置を提供する。
【解決手段】フープ２の搬入搬出を行うための載置部３を有するロードポート部４と、上記フープ２の洗浄及び乾燥を行う洗浄室５を有する洗浄部６と、該洗浄部６と上記ロードポート部４との間に設けられ上記フープ２の搬送を行う搬送ロボット７を有する搬送部８とを備えたフープ洗浄乾燥装置１であって、上記ロードポート部４、洗浄部６及び搬送部８上記ロードポート部、洗浄部及び搬送部がそれぞれ独立した架台１０，１１，１２を有するユニットに形成されている。 （もっと読む）

【課題】ノズルの稼働率を向上させて処理ユニットのスループットを向上させる。
【解決手段】現像処理ユニット１においては、ノズル２１を共用する複数個の現像処理セット１０のそれぞれにおいて１枚の基板Ｗに対する現像処理が行われる。進入領域Ｋ（現像処理ユニット１に対する基板Ｗの搬出入を行う搬送機構のハンドが現像処理ユニット１内に進入する領域）の上方には、現像処理セット１０間にわたって移動経路Ｌ２１が形成されている。制御部９１は、移動経路Ｌ２１に沿ってノズル２１を移動させることによって、ノズル２１を現像処理セット１０の間で移動させる。この構成によると、搬送機構が現像処理ユニット１に対する基板の搬出入を行っている間であってもそのハンドとの干渉を考慮せずにノズル２１を現像処理セット１０間で自由に移動させることができるので、ノズルの稼働率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】洗浄・乾燥時間の短縮が図れると共に、乾燥縞の欠陥除去を図れるようにした現像処理方法及び現像処理装置を提供する。
【解決手段】露光された半導体ウエハＷの表面に現像液を供給して現像を行った後に、ウエハの表面に純水を供給して洗浄を行う現像処理方法において、ウエハを水平に保持したスピンチャックを鉛直軸回りに回転させながらウエハの中心部上方からリンスノズル５８より純水を供給すると同時に、リンスノズルに隣接するディフューザ５３によりウエハの回転により生じる気流Ａを純水の液膜Ｆに誘導拡散し、リンスノズルとディフューザとを平行状態にしてウエハの中心部からウエハの外周縁に向かって径方向に同時に移動させて、ウエハの洗浄及び乾燥を行う。 （もっと読む）