【課題】処理室内に複数のノズル支持アームを進出させることができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、処理室２０と、基板保持部２１に保持された基板Ｗに対して流体を供給するためのノズル８２ａと、ノズル８２ａを支持するノズル支持アーム８２と、処理室２０に隣接して設けられ、当該処理室２０から退避したノズル支持アーム８２が待機するためのアーム待機部８０と、を備えている。液処理装置１０において、ノズル支持アーム８２ｐ〜８２ｕは複数設けられており、ノズル支持アーム８２ｐ、８２ｒ、８２ｔはノズル支持アーム８２ｑ、８２ｓ、８２ｕと高さレベルが異なるようになっている。 （もっと読む）

【課題】剥離処理により被処理基板と支持基板の剥離処理を行う際に発生するパーティクルが、当該剥離装置の外部に拡散することを抑制する。
【解決手段】剥離システム１は、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ又は重合ウェハＴを搬入出する搬入出ステーション２と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ及び重合ウェハＴに所定の処理を行う剥離処理ステーション３と、搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３との間に設けられた搬送ステーション７とを有している。剥離処理ステーション３は、重合ウェハＴを剥離する剥離装置３０と、第１の洗浄装置３１と、第２の洗浄装置３３とを有している。搬送ステーション７内の圧力は、剥離装置３０内の圧力、第１の洗浄装置３１内の圧力及び第２の洗浄装置３３内の圧力に対して陽圧である。 （もっと読む）

【課題】チャンバー内のダクトから遠い位置にあるミストもダクト側に運ぶことができ、従来よりも効率よくチャンバー内を排気する。
【解決手段】チャンバー４０内の保持テーブル１０上にワークＷを保持し、保持テーブル１０を回転させた状態でワークＷの上面に洗浄水Ｃを供給するスピンナ洗浄装置において、保持テーブル１０の外周側面１２に形成した複数の羽１３によって保持テーブル１０の外周周囲に該外周周囲に沿った空気の流れを発生させ、この空気の流れによってチャンバー４０内におけるダクト５０の反対側のミストもダクト５０側に導く。 （もっと読む）

【課題】基板の乾燥後にリフトピンに処理液が残ることを防止することができ、かつ、基板の下面を効率良く処理することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置は、基板（Ｗ）の周縁を保持する保持プレート（３０）と、基板を下方から支持するリフトピン（２２）を有するリフトピンプレート（２０）と、保持プレートを回転させる回転駆動部（３９）と、保持プレートおよびリフトピンプレートの貫通穴を通る処理流体供給管（４０）と、基板の下面に処理流体を吐出するノズル（６０）と、処理流体供給管、ノズルおよびリフトピンプレートを連動させて昇降させる昇降機構（４４，４６，５０，５２）を備える。ノズルは、基板の中央部に対向する位置から基板の周縁部に対向する位置の間に配列されている複数の吐出口（６１）を有する。 （もっと読む）

【課題】基板を良好に撥水処理することができる基板液処理装置及び基板液処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板（２）を撥水処理液で撥水処理する基板液処理装置（１）及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体において、混合タンク（５３）の内部で撥水処理液を加水分解させることなく希釈できる第１の希釈液と撥水処理液とを混合して第１の希釈撥水処理液を生成し、第１の希釈撥水処理液で基板（２）を撥水処理することにした。また、混合タンク（５３）から第１の希釈撥水処理液を供給する第１供給流路（５４）の中途部に撥水処理液を希釈する第２の希釈液を供給し、第１の希釈撥水処理液を第２の希釈液で希釈して第２の希釈撥水処理液を生成し、第２の希釈撥水処理液で基板（２）を撥水処理することにした。 （もっと読む）

【課題】処理液により処理した後、基板をリンス処理する際に、処理液が基板に残留することを防止でき、処理時間を短縮できる液処理方法及び液処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理液により処理する液処理装置１０において、基板を保持する基板保持部３０、４０と、基板保持部３０、４０に保持されている基板に処理液を供給する処理液供給部７０と、基板にリンス液を供給するリンス液供給部８０と、基板のみが吸収する波長領域の光を発光し、発光した光を基板に照射する発光素子１１２とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板上のパターンにダメージを与えることなくパターンが形成されていない部分を良好に洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板表面Ｗｆに対し、侵入防止液を供給し、その後凝固対象液を基板表面Ｗｆに供給することにより、パターン間隙内部およびパターン近傍にＨＦＥを残留させる。その後、ＨＦＥは液体のままの状態を維持しながら、凝固対象液を凝固して、パターン間隙内部および近傍の領域を除いた基板表面Ｗｆを凍結洗浄する。パターン間隙内部およびパターン近傍については液体のＨＦＥが残留しているため、凝固対象液が凝固することにより生ずる力を受け流すことが可能となり、その力をパターンに直接伝えることがないため、パターンへのダメージを生ずることなくパターンが形成されていない基板表面Ｗｆ等の領域を洗浄することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ表面および近傍の不純物を除去して高清浄化する半導体ウエハの洗浄方法を得ること。
【解決手段】実施の形態にかかる半導体ウエハの洗浄方法は、酸化膜を形成する第１の薬液を用いて半導体ウエハを洗浄する第１洗浄工程（Ｓ１０１）と、前記第１洗浄工程の後に、フッ酸（ＨＦ）を含む溶液で前記半導体ウエハを洗浄する第２洗浄工程（Ｓ１０３）と、前記第２洗浄工程の後に、フッ酸（ＨＦ）と酸化剤を含む溶液で前記半導体ウエハを洗浄する第３洗浄工程（Ｓ１０５）と、前記第３洗浄工程の後に、酸化膜を形成する第２の薬液を用いて前記半導体ウエハを洗浄する第４洗浄工程（Ｓ１０７）と、前記第４洗浄工程の後に、フッ酸（ＨＦ）を含む溶液で前記半導体ウエハを洗浄する第５洗浄工程（Ｓ１０９）とを有する。 （もっと読む）

【課題】処理液の消費量を低減しつつ、基板の主面全域に処理液を供給することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗの上面および下面に非接触で当該基板Ｗを水平に保持するスピンチャックと、スピンチャックに保持された基板Ｗの上面および下面に処理液を供給する処理液供給機構と、スピンチャックに保持された基板Ｗを取り囲む環状部材４とを備えている。環状部材４は、基板Ｗの上面周縁部を取り囲む上側環状親水面２９と、基板Ｗの下面周縁部を取り囲む下側環状親水面３０とを含む。 （もっと読む）

【課題】回転する被処理基板の下面側に供給された処理液の上面側への回り込みを効果的に抑制できる液処理装置を提供する。
【解決手段】回転基体２１は、被処理基板Ｗを水平に保持した状態で回転させ、処理液供給部２４３からは回転している被処理基板Ｗの下面に処理液が供給される。囲み部材３は回転する被処理基板Ｗを囲むように設けられ、振り切られた処理液をその下面にてガイドし、当該囲み部材３の下面側に、各々内縁側から外方に向かって伸びると共に周方向に沿って配列された複数のガイド溝部３２は、被処理被処理基板Ｗの周縁部に到達した処理液を毛管作用により外方側に引き出して、その上面側への処理液の回り込みを抑える。 （もっと読む）

【課題】金属を電気科学的腐食から保護しながら、良好な洗浄結果を生じる、多金属マイクロエレクトロニックデバイスのための良好な洗浄組成物を提供すること。
【解決手段】本発明は、多金属マイクロエレクトロニックデバイスを洗浄するために適切なマイクロエレクトロニックフォトレジスト洗浄組成物、および引き続いて水を使用するすすぎ工程が存在する場合に、実質的または有意なあらゆる電気化学的腐食を起こさずに、多金属マイクロエレクトロニックデバイスを洗浄することに関する。本発明はまた、このような多金属マイクロエレクトロニックデバイスを、本発明の組成物を用いて洗浄するための方法に関する。 （もっと読む）

【課題】形成した微細パターンの乾燥工程での倒壊を防止する。
【解決手段】 被加工物に対して、第１パターンの形成領域と、前記第１パターンの形成領域に隣接して前記第１パターンに比べて少なくともパターン幅が広いかアスペクト比が小さい第２パターンの形成領域とを設ける構成の半導体装置の製造方法であって、最表面に第１の接触角を有する第１膜を配置した前記第１パターンと、最表面に前記第１の接触角よりも小さい第２の接触角を有する第２膜を配置した前記第２パターンを形成する工程と、前記第１パターンおよび第２パターンの形成領域を薬液により洗浄し、リンス液でリンスする工程と、リンスした前記第１パターン及び第２パターンを乾燥させる工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ裏面側の空間において上昇気流や乱流の発生を防止し、ウェーハの裏面の汚れを防止することが可能なウェーハ洗浄装置を提供する。
【解決手段】ウェーハ洗浄装置１０は、回転可能に軸支されると共に中心部に開口１１ａを有するステージ１１と、ステージ１１上においてウェーハ１を支持する複数のガイドピン１４と、ステージ１１の開口１１ａ内に設けられ、ウェーハ１の裏面に処理液又はガスを供給する複数の裏面洗浄ノズル１６と、開口１１ａ内において裏面洗浄ノズル１６を保持するノズル保持部材１７とを備えている。ノズル保持部材１７の上部は、ステージ１１の開口１１ａに装入されており、ノズル保持部材１７の上面１７ａはステージ１１の上面１１ｂと実質的に面一か又は上面よりも上方に位置し、裏面洗浄ノズル１６の先端はノズル保持部材１７を貫通してノズル保持部材１７の上面１７ａに露出している。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスパターンに形成されたホール内をより高い洗浄能力で洗浄する。
【解決手段】ホールや溝が形成されたパターン面を有するウェハを一枚ずつ洗浄する本発明の半導体洗浄装置では、ウェハスピンベース７に固定されたウェハ２上のパターン面に２流体ノズル１からミスト化した薬液を吐出してから、ＤＩＷノズル５によりウェハ２のパターン面を純水で洗う。その後、該パターン面の全面にＩＰＡノズル６によりイソプロピルアルコールを塗布する。しかる後、ウェハ２を、そのパターン面が重力方向下向きになるように反転させ、ウェハ２を回転した状態において２流体ノズル８より該重力方向下向きのパターン面に向けて、ミスト化したイソプロピルアルコールを吐出する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造において、表面に凹凸パターンを形成されたウェハの少なくとも凹部表面にケイ素元素を含むウェハのパターンの倒れを防止しながらウェハを洗浄する方法に関し、効率的に洗浄することが可能な撥水性保護膜形成剤、及び、該剤を含む撥水性保護膜形成用薬液、及び、該薬液を用いたウェハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】上記ウェハの洗浄において、前記ウェハの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための撥水性保護膜形成剤であり、前記剤が下記一般式［１］で表されるケイ素化合物であることを特徴とする。
【化】
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【課題】基板の表面にパーティクルが発生することを抑制することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理方法においては、まず、基板Ｗが薬液処理される。次に、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗにリンス液が供給されてリンス処理工程が行われる。その後、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗを乾燥する乾燥処理工程が行われる。乾燥処理工程は、基板Ｗの中心部にリンス液を供給しながら、基板Ｗの回転数をリンス処理工程時の基板Ｗの回転数より低い第１の回転数まで低下させる工程と、基板Ｗの回転数を第１の回転数まで低下させる工程の後、リンス液を供給するリンス液供給位置を、基板Ｗの中心部から周縁部に向けて移動させる工程と、リンス液供給位置を移動させる工程の後、基板に乾燥液を供給する工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】基板に付着するリンス液に起因する基板の処理不良を防止することができる基板洗浄方法および基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗが回転するとともに、気液供給ノズル４５３の液体ノズル４５３ａが回転する基板Ｗの中心部ＷＣの上方の位置まで移動する。この状態で、液体ノズル４５３ａから回転する基板Ｗにリンス液が吐出される。気液供給ノズル４５３が基板Ｗの外方位置に向かって移動する。ガスノズル４５３ｂが回転する基板Ｗの中心部ＷＣの上方位置に到達することにより、気液供給ノズル４５３が一時的に停止する。気液供給ノズル４５３が停止した状態で、回転する基板Ｗ上の中心部ＷＣに一定時間不活性ガスが吐出される。その後、気液供給ノズル４５３が再び基板Ｗの外方位置に向かって移動する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、剥離液の残渣を除去できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上に開口を有するレジストマスクを形成する工程と、該基板のうち該開口により露出した部分に所定の処理を施す工程と、アリールスルホン酸を含む剥離液を用いて該レジストマスクを剥離する工程と、リンス液を用いて該剥離液の残渣を除去する工程と、該基板上に膜を形成する工程と、を備える。そして、該リンス液の溶解度パラメータは１２．９８から２３．４３までのいずれかの値であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】流路を切替えるための駆動機構の個数を削減することができる流路切替え装置を提供すること。また被処理体を処理する処理流体の専用排出路を切替えるための駆動機構の個数を削減することができる液処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷに対して複数種別の処理流体を互いに異なるタイミングで供給して処理を行う液処理ユニット３から当該液処理ユニット３の雰囲気を排気路３５、流路切替え部５を介して、複数の専用排出路（接続用流路）６１〜６３に排気する。前記流路切替え部５は、外筒５１とその内部に設けられた回転筒５３を備え、前記回転筒５３の３つの開口部５３ａ〜５３ｃは、当該回転筒５３を回転する間に、互いに対応する外筒５１の３つの接続口５１ａ〜５１ｃと回転筒５１の開口部５１ａ〜５１ｃとの組の一つが重なり合って連通しかつ他の組については連通しない状態が各組の間で順番に起こるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】載置部４２には、パターンの形成された面を上面として、当該上面が液体により濡れた状態で被処理基板Ｗが横向きに載置され、基板搬送機構４１は、載置台４２からこの被処理基板Ｗを受け取って、液槽３２内の液体中に浸漬するにあたり、前記パターンの形成領域の上端が当該液体に接触した時点において、このパターン形成領域の上端の板面に液体が残るように当該被処理基板Ｗを縦向きの状態に変換してから液体に浸漬する。処理容器３１では、この液槽３２を内部に格納した状態で、当該液槽３２内の液体を超臨界状態の流体に置換することにより、被処理基板Ｗを乾燥する処理が行われる。 （もっと読む）