【課題】リソースの使用が延長されたことを判別できるようにすることにより、スケジュールに起因して処理が停止するのを防止して、装置の稼働率が低下するのを防止できる。
【解決手段】制御部２５は、単バッチのスケジュールにて、温水ユニットＨＤＩＷを使用する処理工程からロットが払い出されるタイミングに合わせて、温水ユニットＨＤＩＷの仮想リソースの使用終了時を表す仮想終了マークを付加しておく。全体スケジュールを作成する際に、払出が時間的に後ろにずれる場合には仮想リソースの仮想終了マークも時間的に後ろにずらし、仮想リソースの使用を仮想終了マークまで延長しておく。その結果、その後に配置される単バッチのスケジュールは、温水ユニットＨＤＩＷの仮想リソースによって排他される。リソースの競合によりアラームが発生して処理が停止するのを防止でき、装置稼働率の低下を防止できる。 （もっと読む）

【課題】縦向きの半導体基板を処理するモジュール式半導体基板洗浄システムを提供する。
【解決手段】このシステム１１は、メガソニックタンク式洗浄機１５および後続のスクラバ１７，１９を含むことができる複数の洗浄モジュールを特徴としている。入力モジュール１３は、横向きの基板を受け取って縦向きに回転させ、出力モジュール２３は、縦向きの基板を受け取って横向きに回転させる。各モジュール（入力、洗浄および出力）は、基板支持体２５を有し、隣接するモジュールの基板支持体が等間隔で離間するように配置されている。これらのモジュールは、複数の基板ハンドラ３３を有するオーバヘッド搬送機構３１によって連結されている。これらの基板ハンドラは、その下方にあるモジュールの基板支持体と同じ距離（Ｘ）で離間されている。 （もっと読む）

【課題】基板から液体を確実に除去することが可能な基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２において、リンス液供給ノズル６６０は、リンス液供給管６６１ａを介して脱気モジュールＤＭに接続されている。脱気モジュールＤＭはリンス液供給管６６１ｂを介してリンス液供給源Ｒ２に接続されている。脱気モジュールＤＭにおいて、リンス液の脱気処理が行われる。脱気処理後のリンス液が、リンス液供給管６６１ａを通してリンス液供給ノズル６６０に供給される。基板Ｗの乾燥処理時に、リンス液供給ノズル６６０から基板Ｗ上にリンス液が供給される。それにより、基板Ｗ上にリンス液の液層が形成される。 （もっと読む）

【課題】安全処理部において異常が生じてもロットに対して過剰処理が行われることを防止できる。
【解決手段】第１のロットがペア内処理であるので、第２処理部の仮想リソースＰＢ２を使用する。また、第２のロットの処理が非ペア内処理であるので、第１処理部の仮想リソースＰＢ１を薬液処理部ＣＨＢ１における処理期間にわたって使用し、第２処理部をまたいだ処理期間にわたって、第２処理部の仮想リソースＰＢ２を使用する。仮想リソースＰＢ１，ＰＢ２の重複を排除して各リソースａ〜ｉの使用タイミングを決定すると、純水洗浄処理部ＯＮＢ２で異常が発生しても第２のロットに対して過剰処理が行われることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板上でのパターン倒れを防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、洗浄処理部５ａ〜５ｄを有する。洗浄処理部５ａ〜５ｄは、スピンベース２２、チャック回転駆動機構２４、チャンバ３１、真空ポンプ３３、蒸気供給管３４および液体供給ノズル４６を備える。チャンバ３１がスピンベース２２から離間した位置に設定されかつスピンベース２２が回転されている状態で、スピンベース２２上の基板Ｗに液体供給ノズル４６から薬液およびリンス液が供給される。スピンベース２２が停止されかつチャンバ３１がスピンベース２２に密着した位置に設定されている状態で、真空ポンプ３３によりチャンバ３１内が排気されるとともに蒸気供給管３４からチャンバ３１内にＩＰＡの蒸気が供給される。 （もっと読む）

【課題】枚葉方式で基板を薬液処理した後にリンス処理し乾燥処理する場合に、スループットおよびメンテナンス性を向上させることができるシステムを提供する。
【解決手段】基板Ｗを１枚ずつ薬液およびリンス液で処理する薬液処理部３８およびリンス処理部４０を連接して処理ユニット１４ａ〜１４ｃを構成し、１つの装置ベース上に複数の処理ユニット、基板搬送部２２および乾燥ユニット１６を設ける。処理ユニット１４ａ〜１４ｃにおいて基板Ｗを薬液処理部３８で薬液処理した後にリンス処理部４０でリンス処理する一連の処理を処理単位とし、１枚の基板に対し一連の処理を複数回行うときは、１つの処理ユニットから別の処理ユニットへ基板を順次搬送して、処理ユニットの設置数に対応する回数以内で適宜必要とする回数だけ処理単位を繰り返してから、基板を乾燥ユニット１６へ搬送して乾燥処理する （もっと読む）

【課題】安全処理部におけるメンテナンスを考慮してスケジューリングすることにより、ロットに対する過剰処理を防止することができる。
【解決手段】乾燥処理部ＬＰＤにてメンテナンスＭ１が行われる場合には、仮想リソースＶＩＬの使用を一連の処理工程Ｐ２〜Ｐ５に対して排他することができるので、乾燥処理部ＬＰＤのメンテナンスＭ１に並行して薬液処理部ＣＨＢ１のリソースが使用されることを防止できる。その結果、乾燥処理部ＬＰＤにおけるメンテナンスＭ１が時間的に後ろに延びた場合であっても、ロットに対する過剰処理を防止することができる。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、デバイスの製造に関する。一実施形態として、基板洗浄及び集積回路用のキャップ層の無電解析出の方法を提供する。この方法は、金属及び誘電体ダマシンメタライゼーション（金属化）層を含む表面を有する基板上で実行される。この方法は、基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に基板の表面をさらす工程と、キャップ層を析出させるのに十分な無電解析出溶液に基板表面をさらす工程と、を備える。本発明の別の実施形態として、基板を洗浄するための溶液及び無電解析出を実現するための溶液を提供する。 （もっと読む）

【課題】処理液の再利用を好適に図ることができ，しかも排気量を低減させることができる，基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウェハＷを洗浄するウェハ洗浄装置５であって，ＡＰＭ及び純水を供給する供給ノズル３４と，ウェハＷを保持するスピンチャック３１と，スピンチャック３１を収納する容器３０とを備え，容器３０は内処理室４２と外処理室４３を備え，スピンチャック３１に対して容器３０を昇降自在に構成し，内処理室４２にＡＰＭ及び室内雰囲気を排出する第１の排出回路５０を接続し，外処理室４３に純水及び室内雰囲気を排出する第２の排出回路５１を接続し，ＡＰＭを供給ノズル３４から再びウェハＷの表面に供給するように構成した。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の基板の帯電を抑制することができる基板洗浄方法を提供すること。
【解決手段】基板を所定の薬液で処理する工程と、基板を略水平姿勢で回転させながら、純水を基板へ供給してリンス処理する工程と、基板を前記リンス処理時よりも高速で回転させて乾燥させる工程とを有する基板洗浄方法において、リンス処理工程では、基板の単位面積あたりの処理時間が同じになるように、純水の基板への供給ポイントの移動速度を、基板の外周部よりも中心部で速くする。 （もっと読む）

【課題】被処理体を持ち上げる部材に洗浄液が残ることを防止することによって、被処理体の裏面に洗浄液が付着することを防止し、かつ、不活性ガス供給部内に洗浄液が流入することを防止するとともに、被処理体に不活性ガスを効率よく供給すること。
【解決手段】液処理装置は、被処理体Ｗを保持し中空になった保持プレート１と、保持プレート１に固定連結され中空になった回転軸２と、回転軸２を回転駆動する回転駆動部４０と、保持プレート１の中空内に配置され、本体２５と被処理体Ｗを支持するリフトピン２１とを有するリフトピンプレート２０と、を備えている。回転軸２の中空内には、洗浄液を供給する洗浄液供給部１１と不活性ガスを供給する不活性ガス供給部１０が延在している。リフトピンプレート２０は傾斜面２５ａ，２５ｂを有し、不活性ガス供給部１０の先端が、洗浄液供給部１１の先端よりも高い位置に位置している。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化を抑制しつつ、複数の供給対象に対して安定した流量で液体を供給することができる液体供給装置およびこれを備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】処理液供給装置８は、液体がそれぞれ収容された第１タンク２９および第２タンク３０を備えている。第１タンク２９内の液体は、第１連結配管３３、第１バルブ３９、送液室３１を介して、複数の送液配管３２から複数の供給対象に供給される。また、第２タンク３０内の液体は、第２連結配管３４、第２バルブ４０、送液室３１を介して、複数の送液配管３２から複数の供給対象に供給される。第１タンク２９から各送液配管３２に至るまでの経路、および第２タンク３０から各送液排気管３２に至るまでの経路における流路断面積は、複数の送液配管３２の流路断面積の総和よりも大きくされている。 （もっと読む）

【課題】処理槽の上方に乾燥処理部を備えた処理装置において、乾燥処理部に薬液雰囲気が流入することを防止でき、さらに、乾燥処理部から処理ガスを確実に排気できる基板処理装置、基板処理方法、記録媒体およびソフトウエアを提供する。
【解決手段】基板処理装置１は基板Ｗを処理液によって処理する処理槽３と、処理槽３の上方に配置された乾燥処理部６と、処理槽３と乾燥処理部６との間で基板Ｗを移動させる移動機構８とを備えている。乾燥処理部６は、移動機構８によって基板Ｗが処理槽３内に移送されたとき、外気と連通する状態と、外気と遮断した状態とをとることができる。乾燥処理部６は制御部６５によって外気と連通する状態と、外気と遮断した状態とに切り換えられる。 （もっと読む）

【課題】洗浄槽及び乾燥槽を薄型化することができ、これにより洗浄装置及び乾燥装置の占める面積を小さくするとともに、洗浄及び乾燥に用いる流体の量を減少させることができ、さらにウオーターマークがつきにくい洗浄装置及び乾燥装置を提供する。
【解決手段】洗浄槽内の洗浄用流体により、前記洗浄槽に配設された板状の被処理物を洗浄またはリンスする洗浄装置であって、前記洗浄槽は、一側壁と装置躯体が当接することによって扁平ボックス状に構成されて内部空間が密閉され、前記一側壁は、前記洗浄槽において被処理物の表面又は裏面が臨む面であり、かつ、洗浄槽内に臨む面に隙間形成部材を配してなり、前記被処理物は、前記隙間形成部材に接触しつつ起立した状態で保持され、洗浄槽の一側壁と、一側壁に対向する側壁との間で両側壁から離間した位置で洗浄されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理と洗浄処理を行うだけでなく、さらに半導体ウェハー表面の有機物質の洗浄または改質処理をも一つの装置で行える回路基板の製造装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハー２０の処理面に各種薬液または洗浄液を窒素ガスと共に噴射する流体噴射機構２４と、処理面に紫外線を放射する紫外線照射ランプ３０と、上部が上下に分離可能で下部がロータ１２に固定され、さらに側部に流体抜き隙間３８を有する内側タンク３２と、上部が上下に分離可能な外側タンク４０と、内側タンク３２および外側タンク４０の各上部とを上方に持ち上げる昇降機構５６と、内側タンク３２と外側タンク４０との間の空間を減圧化する真空ポンプ５８とを備えている。流体噴射機構２４と紫外線照射ランプ３０は、中空回転軸１４の回転軸心とは異なる位置に回転軸心を有する切替用中空回転軸６２に連結されている。 （もっと読む）

【課題】複数の処理チャンバ全体を積層方向に関して小型化できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ハウジング２の内部の収容空間に、第１処理チャンバ１０、第２処理チャンバ２０および第３処理チャンバ３０が、下方から順に積層されている。第１処理チャンバ１０の上方には、第１蓋１１を介して、第２処理チャンバ２０が積層されている。第１蓋１１および第２処理チャンバ２０が、一体的に、第１処理チャンバ１０に対して相対的に昇降する。第２処理チャンバ２０の上方には、第２蓋２１を介して、第３処理チャンバ３０が積層されている。第２蓋２１および第３処理チャンバ３０が、一体的に、第２処理チャンバ２０に対して相対的に昇降する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面にウォーターマークが形成されることを防止することができる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】
本発明の基板洗浄装置は、基板Ｗを水平に保持する基板保持機構１と、基板保持機構１に保持された基板Ｗを回転させる回転機構２と、基板Ｗに洗浄液を供給する液供給ノズル４と、基板Ｗの周囲に配置され、基板Ｗとほぼ同一速度で回転する回転カバー３とを備える。この回転カバー３は、基板Ｗを囲む内周面を有し、内周面は、その下端から上端まで、径方向内側に傾斜している。 （もっと読む）

【課題】容器内の複数の基板を取り出して所定の処理を行い、処理後の基板を容器内に戻す一連の処理を繰り返し行う際に、スループットを向上させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】洗浄処理装置は、一連の搬送動作を制御する制御部４０を有し、制御部４０は、一のウエハの基板を処理装置内に投入している状態において、フープ搬送装置１２およびウエハ出し入れステージ１５が空いているタイミングで、次のロットの未処理基板を収容したフープをウエハ出し入れステージ１５に搬送し、トータルの搬送時間が適切になるように、フープ搬送装置１２の動作タイミング、ウエハ出し入れステージ１５での操作のタイミング、およびウエハ移載装置１９の動作タイミングを個別に調整した搬送スケジュールを作成するスケジュール作成部５４を有する。 （もっと読む）

【課題】純水の除去率を向上させることにより、基板に形成された微細パターンの倒壊を防止することができる。
【解決手段】制御部９７は、基板Ｗを純水で洗浄する純水洗浄処理を行わせ、ＩＰＡを注入して純水をＩＰＡで置換する置換処理を行わせる。その後、油水分離フィルタ５１によって処理液中の純水を除去する分離除去処理を行わせ、ミキシングバルブ３３から供給配管１１にＨＦＥを注入して置換促進処理を行わせ、ミキシングバルブ３３から供給配管１１に少量のＩＰＡを注入して仕上げ処理を行わせた後、リフタ７を上方位置に移動させる。仕上げ処理では、基板Ｗの微細パターンの奥に入り込んだ純水を少量のＩＰＡで引き出すことができるので、基板Ｗの微細パターン中に純水が残留するのを防止できる。その結果、基板Ｗに形成されている微細パターンの倒壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、シリコンウエハーの洗浄方法に関するものである。
【解決手段】本発明は、（Ｓ１１）シリコンウエハーの表面を標準洗浄１に従うＳＣ‐１洗浄液で洗浄する段階；（Ｓ１２）上記（Ｓ１１）段階で洗浄されたシリコンウエハーの表面を脱イオン水を用いてリンスする段階；（Ｓ１３）上記（Ｓ１２）段階でリンスされたシリコンウエハーの表面を塩酸、オゾン水及び脱イオン水を含んでなる洗浄液を用いて洗浄する段階；（Ｓ１４）上記（Ｓ１３）段階で洗浄されたシリコンウエハーの表面を脱イオン水を用いてリンスする段階；及び（Ｓ１５）上記（Ｓ１４）段階でリンスされたシリコンウエハーを乾燥させる段階；を含んで行うことを特徴とする。本発明によれば、洗浄工程とともにシリコンウエハーの表面に強い酸化力を持つ物質を用いて安定した表面酸化膜を形成することで、時間が経過しても外部の不純物がシリコンウエハーの表面に吸着されるなどの問題を解決することができ、かつ工程が簡単で安全に行える長所がある。 （もっと読む）