【課題】装置の省スペースを実現しつつ、基板の端面の汚染に起因した問題（欠陥の発生、トラックや露光装置へのクロスコンタミネーション等）を回避できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板の端面を洗浄する端面洗浄処理ユニットＥＣを備える洗浄処理部９３を、インデクサブロック９に配置する。インデクサブロック９に設けられたインデクサロボットＩＲは、カセットＣから取り出した未処理基板Ｗを、処理部である反射防止膜用処理ブロック１０に搬送する前に洗浄処理部９３に搬送する。洗浄処理部９３においては、基板Ｗの端面および裏面を洗浄する。すなわち、端面および裏面が汚れた基板Ｗが処理部に搬入されることがないので、基板の端面や裏面の汚染に起因した問題を回避できる。 （もっと読む）

【課題】基板を支持する基板支持部材上の汚染物質を除去する枚葉式基板処理装置及び基板処理装置の洗浄方法を提供する。また、高温の薬液による基板支持部材の熱変形を最小化できる枚葉式基板処理装置及び基板処理装置の洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板支持部材２００に上向離隔された状態で支持された基板Ｗの下面に薬液を噴射して基板Ｗを処理し、基板支持部材２００の上面に洗浄液を噴射して基板支持部材２００上に残留する薬液を除去する。基板支持部材２００の熱変形は、一連の反復的な基板処理工程後、常温状態の洗浄液を用いて基板支持部材２００を洗浄することで最小化することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面のデバイス形成領域に影響を与えることなく、基板の表面の周縁領域から汚染を確実に除去することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】スピンチャック３により回転されるウエハＷの表面の周縁領域４０にブラシ２１が当接されることにより、その周縁領域４０に付着する汚染を掻き取ることができる。ウエハＷの表面の周縁領域４０には、ブラシ接触位置Ｐ１に対してウエハＷの回転方向下流側に間隔Ｌ５を隔てたＤＩＷ着液位置Ｐ６に、第２表面ＤＩＷノズル５７からのＤＩＷが供給される。ブラシ２１により掻き取られた汚染を、ＤＩＷにより洗い流すことができる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の適切な回転数による処理を最適にし、膜厚の均一化を図り、膜質の低下を抑制し、かつ、ミストの基板への再付着を防止すること。
【解決手段】ウエハＷを保持するスピンチャック４０と、スピンチャック４０を回転駆動するモータ４１と、ウエハにレジスト液を供給するレジストノズル４２と、スピンチャックを収容する上端が開口した処理容器４３と、処理容器の底部から排気する排気手段４４と、を具備する基板処理装置において、処理容器の内周側に配設され、ウエハの表面側の気流を排気手段側に流す多翼遠心ファン５０と、モータと多翼遠心ファンの駆動電源５１ａとに接続され、ウエハの回転数に対応して多翼遠心ファンの回転数を制御するコントローラと、を具備する。コントローラからの制御信号により多翼遠心ファンを回転して、ウエハの回転により生ずるウエハ表面上の周方向に流れる乱気流を、放射方向に流れる層気流に補正する。 （もっと読む）

【課題】基板上の微細パターンを損傷させることなく、効率の高い基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】単数枚または複数枚の基板を１バッチとし、１バッチの基板をウェットエッチング液に浸漬する工程と、超音波洗浄する工程と、乾燥する工程とを備えるバッチ式ディップ処理方式による基板の洗浄方法であって、超音波洗浄工程は、大気圧下における溶存ガスの飽和度が６０％〜１００％である洗浄水を用い、超音波の周波数が５００ｋＨｚ以上、超音波の出力が０．０２Ｗ／ｃｍ²〜０．５Ｗ／ｃｍ²である。 （もっと読む）

ディスク状物体のウェット処理用装置が開示されており、該装置は該ディスク状物体を保持、回転するスピンチャックと、該ディスク状物体の第１面の第１周辺領域の方へ向けられた処理液を分配する内側エッジノズルと、を具備しており、該第１面は該スピンチャックに面しており、該第１周辺領域は１ｃｍより大きく、該ディスク状物体の半径（ｒａ）より小さい内側半径（ｒｉ）を有する該第１面の領域として規定され、該内側エッジノズルは、該スピンチャック上に置かれた時の該ディスク状物体と該スピンチャックとの間に静止した仕方で位置付けられ、該内側エッジノズルは、該ディスク状物体の第１面に対し処理液を供給するために、静止した仕方で配置され、該スピンチャックを中央で貫通する中央パイプを通して供給を行っている。 （もっと読む）

【課題】プロセスレシピファイルを容易に作成することができる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】定義ファイル記憶部１１には、予め定める基準プロセスレシピ中の所定のステップにおける所定の条件を入力可能なウィザード画面をディスプレイ２に表示させるためのシナリオファイルと、基準プロセスレシピ中の各ステップに対応して用意され、それぞれ対応するステップにおける各条件を規定する部分レシピファイルとが記憶されている。ウィザード画面表示制御部１３は、シナリオファイルに基づいて、ウィザード画面をディスプレイ２に表示させる。ウィザード画面で条件が入力されると、レシピファイル作成処理部１４は、ウィザード画面での入力に基づいて、プロセスレシピファイルを作成し、そのプロセスレシピファイルをレシピファイル記憶部１２に保存する。 （もっと読む）

【課題】被処理体の表面上に処理流体が滞留するのを防止して表面処理の均一性を向上させることができる高圧処理装置を提供する。
【解決手段】回転軸Ｊ回りに回転駆動される基板Ｗに対して噴出管５から噴出されるＳＣＣＯ2が基板Ｗの表面に平行に供給される。噴出管５は回転軸Ｊに平行な回動軸Ｋ回りに回動自在に設けられており、コントローラ４からの制御指令に基づき、サーボモータ７３が作動することで噴出管５が回動駆動される。これにより、噴出管５からのＳＣＣＯ2の噴出方向が変更可能となっている。このため、基板Ｗの表面処理のプロセス条件に応じてＳＣＣＯ2の噴出方向を自在に調整することができ、基板Ｗの表面上におけるＳＣＣＯ2の滞留を防止して表面処理の均一性を向上させることができる。 （もっと読む）

【解決手段】プロキシミティヘッドを形成及び使用するシステム並びに方法。プロキシミティヘッドは、ヘッド表面を含み、該ヘッド表面は、第１のゾーンと、第２のゾーンと、内部戻りゾーンとを含む。第１のゾーンは、第１の平坦な表面領域と、複数の第１の個別穴とを含む。複数の第１の個別穴の各穴は、複数の第１の導管のうちの対応する１本に接続されている。複数の第１の個別穴は、ヘッド表面内にあり、第１の平坦な表面領域に広がっている。複数の第１の個別穴の少なくとも一部分は、第１の列に配置される。第２のゾーンは、第２の平坦な表面領域と、複数の第２の個別穴とを含む。複数の第２の個別穴の各穴は、複数の第２の導管のうちの対応する１本に接続されている。複数の第２の個別穴は、ヘッド表面内にあり、第２の平坦な表面領域に広がっている。内部戻りゾーンは、複数の内部戻り個別穴を含む。内部戻りゾーンは、第１のゾーンと第２のゾーンとの間にそれらに隣接して位置している。複数の内部戻り個別穴の各穴は、複数の内部戻り導管のうちの対応する１本に接続されている。複数の内部戻り個別穴は、ヘッド表面内にあり、ヘッド表面に広がっている。複数の内部戻り個別穴の少なくとも一部分は、内部戻り列に配置される。第１の列と内部戻り列は、実質的に平行である。複数の内部戻り個別穴の各穴の縁の第１の部分は、ヘッド表面内に入り込んでいる。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部の所定範囲を精度良く良好に処理できるようにすること。
【解決手段】本発明では、基板（ウエハＷ）の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理装置(1)において、基板(W)の周縁部を処理するための周縁処理装置(4)と、周縁処理装置(4)に対して相対的に回転する基板(W)を保持するための基板保持装置(3)とを有し、周縁処理装置(4)は、基板(W)の周縁部に処理液を供給する処理液供給部(9)と、基板(W)に向けてガスを噴出するガス噴出部(10)とを有し、ガス噴出部(10)を処理液供給部(9)よりも基板(W)の周縁部に対して内側に隣設した。そして、基板(W)を周縁処理装置(4)に対して相対的に回転させ、処理液供給部(9)から基板(W)の周縁部に処理液を供給するとともに、処理液供給部(9)よりも基板(W)の内側に隣設したガス噴出部(10)から基板(W)に向けてガスを噴出して、基板(W)の周縁部の処理を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】ワンバス方式の基板洗浄装置において、薬液の種類に応じた最適な閾値を使用して比抵抗値のチェックを行い、リンス処理の終了動作を適正化できる技術を提供する。
【解決手段】本発明の基板洗浄装置では、リンス処理時に行われる比抵抗値のチェックに使用される閾値を、レシピ設定画面４２ａ上で工程毎に個別に設定できる。このため、リンス処理の直前に使用される薬液の種類に応じて各閾値を設定すれば、各工程のリンス処理において最適な閾値を使用して比抵抗値をチェックできる。また、これにより、各工程のリンス処理を適正に終了させることができる。 （もっと読む）

【課題】洗浄対象の膜の材料にかかわらず簡易に高い洗浄効果を得ることが可能な基板処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】被処理基板１の表面上に洗浄液を供給しながら回転させることで乾燥させる基板処理方法であって、回転中の被処理基板の表面上に洗浄液を供給する洗浄液供給位置を被処理基板上で移動させる際に、被処理基板の表面上の少なくとも一部の領域において、被処理基板の表面上における所定の箇所における水位を計測し、計測された水位に基づいて、洗浄液を供給する位置を移動させるときの洗浄液供給位置の移動速度又は被処理基板の回転速度、あるいは洗浄液供給位置の移動速度及び被処理基板の回転速度を制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】精密研磨した直後のＳｉＣ単結晶基板を用いて洗浄し、洗浄後のＳｉＣ単結晶基板表面の重金属の残留を極めて少なく出来るＳｉＣ単結晶基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】研磨剤２、および軟質な研磨パッド３を用いてＳｉＣ単結晶基板１の表面研磨を行う研磨工程（ａ）と、前記ＳｉＣ単結晶基板を複数枚集めて一つのトレイ４にセットし洗浄ロットを用意する洗浄準備工程（ｂ）と、前記洗浄ロットを薬液６へ浸漬させ、超音波洗浄する第一の超音波洗浄工程（ｃ）と、前記洗浄ロッドを酸と酸化剤と水からなる洗浄液８を用いて所定の温度にて洗浄を行う主洗浄工程（ｄ）と、ＳｉＣ単結晶基板１の表面に付着している洗浄液８をリンス液１１に置換するリンス工程（ｅ）と、前記洗浄ロットを超音波洗浄用の薬液１１へ浸漬させ超音波洗浄する第二の超音波洗浄工程（ｆ）と、前記洗浄ロットを乾燥する乾燥工程（ｇ）と、から成るＳｉＣ単結晶基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
ＩＰＡ等の有機溶剤を使用して乾燥する場合において、残留異物を低減し、ウオータマーク（水しみ）等の染みの発生を抑制することができる蒸気乾燥装置を提供することにある。
【解決手段】
この発明は、凝縮されたディスクを下側チャンファ部からのみ滴下するような速度で冷却エリアに引き上げることで、ウオータマークや異物の残留を下側チャンファ部に移動させて冷却乾燥に入る。さらに、下側チャンファ部を蒸気エリアに再浸漬することで下側チャンファ部に移動したウオータマークや異物の残留部部に対してドレーンにより下側チャンファ部の残留異物を流し落としかつ下側チャンファ部にできるであろうウオータマークの痕跡を除去して、再引き上げをしてディスクを乾燥する。 （もっと読む）

【課題】枚葉式フラットパネル洗浄システムの設計手直しを無くすため、仕様打ち合わせ時点で、主制御盤の大きさに関し、精度の高い寸法情報が得られる主制御盤設計システム、主制御盤設計方法及びそのプログラムを提供する。
【解決手段】主制御盤の大きさを設計するための計算を行う複数の計算手段の計算処理と、計算処理結果を基に主制御盤の大きさを決定する決定手段の決定処理とを行う処理手段１０と、主制御盤の大きさを設計するための条件を入力するための入力手段１４と、処理手段１０が入力条件に基づいて計算処理を行うための、ファイルデータを記憶する記憶手段１２と、処理手段１０の処理結果を基に、主制御盤の大きさを表示する出力手段１６とを具備する。 （もっと読む）

【課題】、予め設定した複数の処理時間を参照することにより、処理液の劣化等を考慮した場合であっても効率的なスケジューリングを行うことができる基板処理装置のスケジュール作成方法を提供する。
【解決手段】制御部３７は、まず処理液のライフタイムに応じてそれぞれ異なる複数の処理時間ごとに、処理液を使用するリソースの使用タイミングを配置した処理ブロックを予め作成する。次いで、処理液を使用するリソースが使用されるタイミングに応じて、予め作成してある複数の処理ブロックの中から一つの処理ブロックだけを選択的に配置する。したがって、処理液の劣化等を考慮した場合であっても効率的なスケジューリングを行うことができる。また、処理時間を使用履歴に応じて自動的に変えるので、スケジュールを短縮することができ、装置の稼働率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板にウォーターマークが発生することを防止でき，かつ，低コストを図ることができる基板処理方法，記録媒体及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数種類の薬液を用いて基板Ｗを処理した後，基板Ｗを乾燥させる方法であって，第一の薬液で処理する第一の薬液処理工程と，前記第一の薬液処理工程の後に第二の薬液で処理する第二の薬液処理工程と，前記第二の薬液処理工程の後に基板Ｗを乾燥させる乾燥処理工程とを行い，少なくとも前記乾燥処理工程において，基板Ｗの周囲の湿度を前記第一の薬液処理工程時よりも低減させる。 （もっと読む）

【課題】基板を支持するユニットを提供する。
【解決手段】基板支持ユニットは、工程時に基板に旋回流を供給して基板をチャックプレート上から浮揚及び回転させる工程を行う。したがって、本発明は、基板を非接触方式でチャックプレートから浮揚させて支持し、工程速度で回転させる。 （もっと読む）

【課題】ウォーターマークの発生を抑制することができる液処理装置を提供すること。
【解決手段】洗浄処理装置１は、ウエハＷを保持するスピンチャック５９と、ウエハＷに処理液および乾燥ガスを吐出口から吐出方向に吐出する吐出ノズル７５と、吐出口よりも上流側で吐出ノズル７５に接続された吐出ノズルへ処理液を供給する処理液供給機構と、吐出口よりも上流側で吐出ノズル７５に接続された吐出ノズルへ乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給機構と、吐出口よりも上流側で吐出ノズルに接続され、ウエハＷに処理液を吐出させた後で乾燥ガスを吐出する前に、吐出ノズルの内部に残留する処理液を吐出方向と逆方向に吸引する処理液吸引機構１０３ａと、処理液吸引機構に接続され、処理液供給機構と乾燥ガス供給機構から処理液および前記乾燥ガスの一方が吐出ノズルへ供給されるように、処理流体を切り替える開閉バルブ１０２ａ・１０２ｂ・１０２ｄとを具備する。 （もっと読む）

【課題】未処理のウエハの戻し作業が生ずる事態を防止して、ロットごとの液処理を行うことにより生産効率を高めることを可能とした液処理装置を提供すること。
【解決手段】基板Ｗが収納されたキャリアＣを搬入出するキャリア搬入出部５と、キャリアＣを複数保管可能なキャリアストック部６と、キャリアＣを搬送するキャリア搬送装置１２と、検査／搬入出ステージ１５と処理部７との間で基板Ｗを搬送する基板搬送部３と、キャリアＣ内の基板Ｗを検査する基板検査装置１８と、一括して処理される複数のキャリアＣのうち、一のキャリアを基板検査装置１８に搬送し、液処理可能ならば一のキャリアをキャリアストック部６へ戻し、他のキャリアを基板検査装置１８に搬送し、液処理可能ならば一のキャリア及び他のキャリア内の複数の基板Ｗを、検査／搬入出ステージ１５から搬出するように制御する制御部９０と、を具備する。 （もっと読む）