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Fターム[5F157BC15]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 洗浄液成分による洗浄 (2,109) | 洗浄液 (1,241) | 速度 (9)

Fターム[5F157BC15]に分類される特許

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【課題】硫酸と過酸化水素水との混合液を用いて被処理基板から汚染物質を除去する処理にあたり、前記混合液による汚染物質の除去能の低下を抑制することが可能な基板処理装置などを提供する。
【解決手段】
処理槽21には、被処理基板Wを浸漬し処理するための硫酸と過酸化水素水との混合液が貯溜され、加熱部412は、処理槽21内の混合液を循環させる循環路410、22に設けられて混合液を加熱し、過酸化水素水供給部420は、循環路410、22における加熱部412の下流側であって、当該循環路410、22の出口の直前位置にて混合液に過酸化水素水を補充供給する。制御部5は、液温検出部25の温度検出値に基づいて処理槽21内の液温を135℃〜170℃の範囲の設定温度に調節すると共に、加熱によって蒸発した混合液を補充するために硫酸供給部430より硫酸を補充供給するように制御信号を出力する。 (もっと読む)


【課題】 物品の表面に付着した脂・汚れ等を超音波を用いて強力に洗浄し且つ強く殺菌させることができる超音波洗浄方法を提供する。更に連続的に洗浄殺菌できる設備の費用とそのランニングコストを廉価にできるようにする。
【解決手段】 酸素と窒素を高濃度に溶存させた洗浄水Wを貯えた洗浄槽2の水面下に発振面が対向するように上下一対の超音波振動子4を配置し、同超音波振動子の発振面間の狭間領域7に酸素と窒素を高濃度に溶存させた洗浄水の一部を邪魔板8で水量・流速を抑えて略50cm/分の流速で流入させる。洗浄槽2の側面を開口し、同開口を介して被洗浄物Aを通過させる搬送コンベヤ3を配置し、同開口から洗浄水を排出させ、同開口の内側に洗浄槽2へ供給する洗浄水を噴出して水カーテンWaを形成して開口からの大量の排水を抑え、又開口から落下した洗浄水を下方で受水槽1で受けてポンプで洗浄槽2へ圧送して洗浄水を循環的に使用する。 (もっと読む)


【課題】基板裏面,基板ベベル及び外周に付着したルテニウム膜を容易に、エッチング残りなくエッチング除去することを目的とする。
【解決手段】基板5表面にルテニウム等の成膜処理を行った後、基板5をローラー4で保持しながら回転させ、コの字型のジグ3で基板5を挟み込み、コの字型のジグ3上部からエッチング液を供給することにより、基板裏面,基板ベベル及び外周に付着したルテニウム膜を容易に、エッチング残りなくエッチング除去することができる。 (もっと読む)


【課題】基板の全面からポリマーを良好に除去することができる、ポリマー除去方法を提供する。
【解決手段】ウエハWの表面の周縁部、周端面および裏面には、ドライエッチング処理時に生じた第1種のポリマーを除去可能な第1ポリマー除去液が供給される。また、ウエハWの表面の中央部(周縁部よりも内側の部分)には、アッシング処理時に生じた第2のポリマーを除去可能な第2ポリマー除去液が供給される。 (もっと読む)


【課題】基板の表面の全域に、処理液を用いた処理を均一に施すことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】下プレート部4に保持されたウエハWに対して、上プレート2の基板上対向面19を対向させる。基板上対向面19には、ウエハWの中心に対向する位置に頂点を有する円錐状の凹部18が形成されている。
ウエハWの上面と上プレート2の基板上対向面19とで挟まれた上処理空間41に処理液が供給されて、上処理空間41が処理液により液密状態にされる。上処理空間41が、ウエハWの中心から周縁部に向かうにつれて徐々に狭くなっているので、ウエハWの上面の全域において、処理液の速度がほぼ等しい。 (もっと読む)


【課題】処理精度及び処理能力を著しく向上できる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基板処理方法は、被処理基板の周縁部の一部が挿入される溝を備えた処理部の該溝内に、被処理基板を挿入して相対的に移動させながら該被処理基板の周縁部を処理する基板処理方法において、前記処理部は、前記溝内に流速30〜1000m/secの処理液を含む気体の高速気流を発生させて、該高速気流を相対的に移動する前記被処理基板の周縁部に接触させて処理する。 (もっと読む)


【課題】シリコンウエハー表面の金属不純物を有効に除去すると共に、シリコンウエハーの表面粗さを改善させなること。
【解決手段】(S1)シリコンウエハーの表面を標準洗浄1に従ってSC‐1洗浄液で洗浄する第1段階;(S2)上記第1段階で洗浄されたシリコンウエハーの表面を、標準洗浄2に従ってSC‐2洗浄液で洗浄する第2段階;(S3)上記第2段階で洗浄されたシリコンウエハーの表面を、フッ酸(HF)溶液で洗浄する第3段階;及び(S4)上記第3段階で洗浄されたシリコンウエハーの表面を、オゾン水を用いて洗浄する第4段階;を含むシリコンウエハーの洗浄方法。 (もっと読む)


【解決手段】基板の上方に洗浄剤が配される。洗浄剤は、液体媒質の中に分散された固体成分を含む。液体媒質の中の固体成分に力が加えられ、固体成分を基板の上に存在する汚染物質に接近させる。固体成分に加えられる力は、液体媒質の中の不混和成分によって作用される。固体成分が汚染物質に十分に接近すると、固体成分と汚染物質との間に相互作用が確立される。次いで、固体成分と相互作用した汚染物質が基板から除去されるように、固体成分は基板から遠ざけられる。 (もっと読む)


本発明は、一般に流体を混合するための方法および機器に関する。より詳細には、本発明は、流体流を形成する近臨界および超臨界の流体へ導入された流体を混合するための方法および機器に関する。流体流中では密度勾配が生成され、それが迅速な混合をもたらす対流速度を誘起する。本発明は、流体の迅速なサイクル時間または迅速な混合が必要でありかつ残渣に対して低い許容度しか許されない、半導体およびウェハー製造のような商業用途などにおいて適用される。

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