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Fターム[5F157CF14]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 構成要素細部 (6,182) |  (243)

Fターム[5F157CF14]に分類される特許

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【課題】 枚葉式の回転式基板処理装置において、使用した薬液の回収率を高める。装置価格を引き下げる。振動を抑える。薬液と廃液の雰囲気分離を行う。
【解決手段】 基板1を水平に支持して回転させる回転機構10の周囲に、基板1から飛散する液体を受けるカップ20を設ける。カップ20に、筒状で昇降式の上段液体ガイド30及び下段液体ガイド40を組み合わせる。上段液体ガイド30は、下方の待機位置で下段液体ガイド40に重なって、両ガイド間に形成される液体導入口を閉じ、待機位置から上方への回収位置へ移動して、基板1から飛散する第1の液体をカップ20の外へ導く。下段液体ガイド40は、待機位置から上方への回収位置へ移動して、基板1から飛散する第2の液体をカップ20内へ導く。 (もっと読む)


基板処理用の高圧流体に化学物質を導入する方法及びシステム(100)について説明する。特に、本方法は、2種類以上の流体の混合を促進するために、高圧流体の容積全体にわたって化学物質を供給する工程を有する。その一方で、高圧流体は、高圧処理システム(110)を循環する。
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膜除去システム(200、201)中の基板(178、265)を処理するための方法及びシステムである。本方法は、膜除去システム(200、201)の基板チャンバ(250)内にミクロフィーチャ(170)の側壁(183)上の誘電体膜(182)及び誘電体膜(182)の一部を覆うフォトレジスト膜(184)を有するミクロフィーチャを有する基板(178、265)を提供する段階と、フォトレジスト膜(184)によって覆われていない誘電体膜(182)の部分(186)を除去するため超臨界CO処理を用いた第一の膜除去プロセスを実施する段階と、を含む。第一の膜除去プロセスの後、フォトレジスト膜(184)を除去するため超臨界CO処理を用いた第二の膜除去プロセスが実行されてよい。他の実施形態では、第一の膜除去プロセスまたは第二の膜除去プロセスの一つを実行するため湿式処理が用いられてよい。
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