【課題】基板処理装置の基板処理部に所定流量・所定濃度の処理液を精度良く供給すること。
【解決手段】本発明では、処理液供給部(24)から供給される処理液を使用して複数個の基板処理部(11〜22)で基板(２)を処理する基板処理装置(１)において、各基板処理部(11〜22)に基板（２）を順次搬送し、１個の基板処理部(11〜22)で使用する処理液の流量が処理液供給部(24)で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部(24)で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部(11〜22)に基板（２）が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部(11〜22)で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することにした。 （もっと読む）

【課題】洗浄槽に純水を安定して供給でき、かつ、設備の大型化やコストアップを抑えることができるフープ洗浄乾燥装置を提供する。
【解決手段】洗浄槽３に設けられたノズル２７に、フープ洗浄用に純水を収容する水タンク３２をバルブ４６を介して接続し、水タンク３２に水圧送用の圧気を供給するための圧気供給手段５３を接続し、洗浄槽３に、フープ洗浄後に洗浄槽３内の水を排出すると共に、フープ乾燥時に洗浄槽３内の空気を排出するための排気排水口３４を形成し、排気排水口３４に気液分離器９を介して空気吸引手段４２を接続し、空気吸引手段４２と水タンク３２を同一のケーシング４７内に収容してユニット化したものである。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の適切な終点を検知することが可能な、プラズマ処理を行う方法を提供する。
【解決手段】工程Ｓ１０８では、エッチング残さを除去するためのプラズマアッシングを開始する。プラズマアッシングの開始によりチャンバ内の圧力が上昇して、チャンバ内の圧力を調整するためにＣＶバルブの開度が調整される。工程Ｓ１０９では、エッチング装置では、ＣＶバルブの開度を示す信号の変化を検知するために、この信号の微分演算又は差分演算を行う。微分演算を行う場合には、工程Ｓ１１０では、エッチング装置では、プラズマ処理の終点を検知するために、この微分値の判定を行う。プラズマ処理の終点では、反応物の生成が減少するので、ＣＶバルブの開度を示す信号に変化が生じてアッシングが終点に近づくとチャンバ内の圧力が減少し、微分値は大きく変化する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの洗浄処理に用いる液体の不必要な使用を抑える。
【解決手段】洗浄装置１は、貯留槽１０に貯留されている薬液を処理槽２０に送液してウェハＷの洗浄処理を行い、使用した薬液を回収ライン９０で貯留槽１０に回収し、その回収で不足する分を供給ライン３０から補充する。この供給ライン３０から補充される薬液流量を検出部４１で検出し、演算部４２によって単位時間当たりの積算流量を求め、それを判定部４３によって閾値と比較して、供給ライン３０からの薬液補充量を監視する。これにより、貯留槽１０への薬液の回収不足、薬液から析出した結晶物による回収溝２４ａの閉塞を早期に発見し、不必要な薬液補充を抑えることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング後の所定の膜の表面に残存するエッチング残渣またはアッシング残渣をその膜にダメージを与えずに確実に除去することができる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板にドライエッチングを施した後に所定の膜の表面に残存するエッチング残渣、またはエッチング残渣をアッシングした後にその膜の表面に残存するアッシング残渣を除去する基板処理方法は、基板表面に液体状の有機酸を形成し、液体状の有機酸によりＣＦポリマーを分解するとともに液体状の有機酸にその分解物を溶解させる第１工程と、その後、基板をアニールして、有機酸および有機酸に溶解したＣＦポリマーの溶解物を気化させて基板から除去する第２工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】表面に酸化銅が形成された銅膜を有する基板に対し、有機酸にてドライクリーニングを施して酸化銅を除去する際に、その終点を簡便にかつ高精度で、迅速に検出することができる終点検出方法を提供すること。
【解決手段】処理室内に有機酸ガスを導入してドライ洗浄処理を行っている際の処理室内のガスまたは処理室から排出されたガスの分析を行って、酸化銅が形成されている際と酸化銅が除去された際との所定のガス成分の濃度変化に基づいて終点を検出する。 （もっと読む）

【課題】この発明は、洗浄処理に使用される洗浄液の損失が少なくて済み、消費量及びコストの低減を図ることができる被処理物洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】被処理物洗浄装置１により被処理物Ａを浸漬洗浄処理する際に、第１処理槽１Ｂ内に放出されたフッ素系溶剤Ｃの蒸気Ｃａを、第２処理槽２Ｂより下方に配置された冷却ジャケット３の冷却作用によって沸点より低い温度に冷却する。被処理物Ａを、第１処理槽１Ｂ内の第２処理槽２Ｂに貯留されたフッ素系溶剤Ｃに浸漬して浸漬洗浄処理する。浸漬洗浄処理から蒸気洗浄処理へ移行する際に、被処理物Ａを第２処理槽２Ｂに収容したまま位置を変更せずに、第２処理槽２Ｂに貯留されたフッ素系溶剤Ｃを蒸気Ｃａに入れ替えて蒸気洗浄処理する。蒸気洗浄処理から浸漬洗浄処理へ戻る際に、第２処理槽２Ｂに放出された蒸気Ｃａをフッ素系溶剤Ｃに入れ替えて浸漬洗浄処理する。 （もっと読む）

【課題】装置稼働状態を適正に監視するための真空ポンプの排気能力や真空配管系の異常をオンライン状態で簡便に監視することができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】処理室３ａ内の基板８を対象としてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置１において、処理室３ａ内部の到達真空度を計測する第１の真空センサ１５に加えて、排気配管系１２において処理室３ａと真空ポンプ１４とを断接する真空バルブ１３と真空ポンプ１４との間に第２の真空センサ１７を設け、真空バルブ１３を閉にした状態での第２の真空センサ１７の計測結果に基づいて、真空ポンプ１４の排気能力の異常や、真空排気配管１２ｂの真空リークなどの異常の有無を、制御部２２によって検出する。 （もっと読む）

【課題】第１および第２ガードの昇降状況に応じて、処理液のミストを基板の周辺から効率よく排除することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷの周縁部に対向して第１回収口９２が形成される。この状態で、ウエハＷから飛散する処理液は、上位置にある中ガード３４の内壁によって受け止められる。中ガード３４が上位置にあるので、中排気口２８が開状態にあり、かつ上排気口２９が閉状態にある。排気桶３０内に、第１回収口９２から、中ガード３４と内ガード３３との間、中ガード３４とカップ３１との間および中排気口２８を通って排気室２５内に至る第２排気経路Ｐ２が形成される。一方、上排気口２９が閉状態にあるので、中ガード３４と外ガード３５との間および上排気口２９を通って排気室２５内に至る経路Ｔ３は実質上閉じている。 （もっと読む）

【課題】処理液のミストを基板の周辺から効率よく排除させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】有底円筒状の排気桶３０内には、排気桶３０内に固定的に収容された第１カップ３１および第２カップ３２と、互いに独立して昇降可能な第１ガード３３、第２ガード３４、第３ガード３５および第４ガード３６とが収容されている。ウエハＷの周縁部に対向して第２回収口９３が形成された状態では、排気桶３０内には、第２回収口９３から上端部６３ｂと上端部３５ｂとの間、第３ガード３５の下端部３５ａと外側回収溝６８との間および排気桶３０内を通って排気口３７に至る第３排気経路Ｐ３が形成される。 （もっと読む）

【課題】微細構造を有する半導体製造や液晶基板の製造途上において、高清浄な洗浄を可能とし、かつ洗浄効果の高い洗浄装置を得る。
【解決手段】洗浄カップ１上に設けられたノズル５内で、加圧されたガスと液体とを混合、噴射して、洗浄カップ１内に保持された被洗浄物上の汚染物の除去を行う洗浄装置であって、ノズル５にはガス供給ライン７と液体供給ライン１２とが接続され、液体供給ライン１２は、少なくとも以下の部品、第１の開閉弁１４、液体用フィルタ１３、流量計１５が設けられ、上記部品とそれらをつなぐ配管が、ノズル５の接続口の下方に位置して設けられており、液体供給ライン１２は、ノズル５側より第１の開閉弁１４、液体用フィルタ１３、流量計１５の順に配置されている。 （もっと読む）

【課題】合流した流体のパラメータの正確な制御を行うことができ、かつ、流量比が大きく異なる流体を合流させる場合でも、大流量の流体の流れが小流量の流体の流れの妨げになるのを抑制できるミキシングバルブを提供する。
【解決手段】ミキシングバルブは、貫通するように形成された主流路４と、主流路４に連通する連通流路５、６と、連通流路５、６に各々連通する弁室２、３と、各々の弁室２、３に連通する副流路９、１０が設けられた本体１と、弁室２、３の、連通流路５、６に通じる開口部の周辺を弁座７、８として開閉動作する弁体２３、２４と、弁体２３、２４を駆動する駆動部１１、１２と、を有し、連通流路５、６が、主流路４の軸線方向に互いに同じ位置で主流路４に連通しており、且つ連通流路５、６の長さが互いに等しくなっている。 （もっと読む）

【課題】基板表面のパターンが破壊されるのを防止することができ、また、ウォータマークの発生を防止することができる半導体装置の製造方法及び基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板を回転させながら基板表面を洗浄する洗浄工程を有する半導体装置の製造方法において、前記洗浄工程は、前記基板に対して洗浄液を供給して前記基板表面を洗浄する工程（ステップＳ１６）と、前記基板に対して純水を含むリンス水を供給して前記洗浄後の前記基板表面をリンスする工程（ステップＳ１８）と、前記リンス後の前記基板を乾燥させる工程（ステップＳ２２）と、を有し、前記基板表面をリンスする工程では、前記リンス水にＨＦを添加する。 （もっと読む）

【課題】プリディスペンスに要する時間の短縮、および加熱または冷却される第１流体の消費量の低減を図ることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】硫酸過水ノズル４に接続される硫酸供給配管１４の上流端は、処理液キャビネット２内の循環配管２２に分岐接続されている。処理液キャビネット２内において、硫酸供給配管１４には、第１配管継手３０が介装されている。また、処理室１内のノズルアーム１０の先端部において、硫酸供給配管１４には、硫酸過水ノズル４に近接して配置された第２配管継手３１が介装されている。第１および第２配管継手３０，３１の間において、循環配管２２および硫酸供給配管１４は、循環配管２２内に硫酸供給配管１４が挿通されることにより二重配管構造を形成している。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて基板へのパーティクルの付着可能性を低減することができ、清浄に基板を洗浄することのできる基板洗浄方法及び基板洗浄装置並びに基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、半導体ウエハＷの周縁部を支持する基板支持機構２を具備している。半導体ウエハＷの表面側に設けられた噴射機構４は、常温常圧で気体の洗浄体、例えば、二酸化炭素の少なくとも一部を、固体又は液体の微粒子として噴射ノズル３から半導体ウエハＷの表面に噴射する。半導体ウエハＷの裏面側の加熱機構６は、加熱された気体を気体ノズル５から半導体ウエハＷの裏面に向けて供給し、噴射ノズル３の噴射位置に対応する部位を局所的に加熱する。 （もっと読む）

【課題】膜厚を考慮して部分液交換を行うことにより、処理レートを一定の範囲に保持することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部２５は、カウンタ３７で計数された基板Ｗの枚数のうち、厚膜のものに相当する基板Ｗの枚数が通常ライフカウントに達したことに基づき、部分液交換を実施しながら基板Ｗを処理させる。つまり、燐酸溶液の劣化度合いが大きな厚膜のものに相当する基板Ｗの処理枚数を基準にして部分液交換を実施するので、燐酸溶液のエッチングレートを一定の範囲に保持することができる。 （もっと読む）

【課題】従来のガス溶解水に比べて格段に高い洗浄効果を発揮する電子材料用洗浄水を提供する。
【解決手段】溶存ガスとして酸素とアルゴンとを含むガス溶解水よりなる電子材料用洗浄水であって、溶存酸素濃度が８ｍｇ／Ｌ以上であり、溶存酸素ガス量と溶存アルゴンガス量との合計に対して２体積％以上の溶存アルゴンガスを含む電子材料用洗浄水。この電子材料用洗浄水を用いて電子材料を洗浄する方法。酸素／アルゴンガス溶解水よりなる本発明の電子材料用洗浄水は、溶存ガス量が少なく、また、使用する薬品量も少ないものであっても高い洗浄効果を得ることができることから、安全に容易かつ安価に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 剥離及び洗浄工程で基板への損傷を最小に抑え、低コストで低ダメージ、環境に優しいプロセスを実現することができる対象物処理装置及び方法を提供すること。
【解決手段】 処理対象面を有する対象物に対して、剥離／洗浄／加工のいずれかを含む処理を行うための対象物処理装置に、大気圧または減圧雰囲気で前記対象物を載置するステージ部と、純水を所定値に加圧した加圧温水をノズル部に供給する加圧温水供給部と、処理対象面に対し、加圧温水または加圧温水と薬液との混合物を噴出するノズル部とを設ける。 （もっと読む）

【課題】ライフカウントを使い分けることにより、基板に対して適切な処理を行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部５１は、排液管４１から燐酸溶液を全て排出させ、処理槽１に供給部３１から新たな燐酸を供給して全液交換を行った後は、初回ライフカウントが経過した時点で部分液交換を行わせ、その後は、通常ライフカウントが経過するごとに部分液交換を行って基板Ｗを処理させる。このように初回ライフカウントと通常ライフカウントとを使い分けることにより、燐酸溶液の状態に応じて基板Ｗへの処理を行わせることができるので、基板Ｗに対して適切な処理を行わせることができる。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板を洗浄処理する処理液に含まれるナノバブルを繰り返して使用できる処理装置を提供することにある。
【解決手段】内部に基板が供給される処理槽１と、処理槽の基板にこの基板を洗浄処理するためのナノバブルを含む処理液を供給するナノバブル発生器１１と、ナノバブル発生器によって処理槽の内部の基板に供給されナノバブルのもつ電位によって基板から除去されたナノバブルと逆の電位をもつ微粒子を含む処理液を回収する貯液槽７と、基板を洗浄した処理液に含まれる微粒子とこの微粒子の表面に付着したナノバブルを分離して微粒子を除去し、ナノバブルだけを含む処理液を処理槽に供給するフィルタ装置１８を具備する。 （もっと読む）