【課題】被洗浄物（ウエハ）を洗浄した際に生じた異物が被洗浄物（ウエハ）の表面に再付着し難い洗浄装置、洗浄方法及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】内槽１１と外槽４とが上下２層に配置され、内槽１１に被洗浄物（ウエハ１）を浸漬させ、内槽１１の底面１１ａ側から上方に洗浄液３を噴出させつつ洗浄を行う洗浄装置１０であって、内槽１１の底面１１ａを中央が窪んだすり鉢状に形成するとともに、洗浄液を噴出する洗浄液供給口１２を内槽１１の底面１１ａの周辺側に設ける。被洗浄物から脱落した沈殿性の異物８は底面１１ａの中央の窪んだ部分に集まり、洗浄液３を噴出しても巻き上がり難くなり、被洗浄物への異物の再付着を防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板と基板の表面に対向配置される遮断部材と間にそれらの周囲の雰囲気が進入するのを防止する基板処理装置を提供する。
【解決手段】スピンチャック３の上方には、処理カップ５の開口１６を閉塞するための蓋部材１７が、遮断板２２を取り囲むように設けられている。蓋部材１７と遮断板２２の上面との間には、ダウンフロー導路３１が形成されている。ウエハＷの処理時には、処理室２内にクリーンエアのダウンフローが形成されるとともに、排気液溝３７内が強制的に排気されている環境下において、空隙４７を介してダウンフロー導路３１に取り込まれたクリーンエアのダウンフローは、スピンチャック３に保持されたウエハＷの側方に導かれる。そして、クリーンエアの気流がウエハＷの側方を包囲するように形成される。 （もっと読む）

【課題】所定の供給対象に安定した温度で処理液を供給することができる処理液供給装置およびそれを備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】薬液供給装置１２は、同種の薬液が貯留された第１および第２タンク１３，１４と、第１ヒータ１７が介装された薬液供給管１５と、薬液回収管１６とを備えている。第１タンク１３から処理ユニット２に供給された薬液は、薬液回収管１６を介して第２タンク１４に回収される。第２タンク１４は、薬液移送配管２４を介して第１タンク１３に連結されている。薬液移送配管２４には、第２ヒータ２５および第２ポンプ２６が介装されている。第２タンク１４に回収された薬液は、第２ヒータ２５による温度調節を受けた後、第２ポンプ２６によって第１タンク１３に移送される。 （もっと読む）

【課題】洗浄効果および洗浄幅を安定させることができ、基板の表面、周端面および裏面を同時に洗浄することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハＷを回転させるためのスピンチャックと、ウエハＷの周縁部を洗浄するための表面洗浄ブラシ２８、周端面洗浄ブラシ２９および裏面洗浄ブラシ３０とを備えている。表面洗浄ブラシ２８、周端面洗浄ブラシ２９および裏面洗浄ブラシ３０は、ウエハＷが回転された状態で、それぞれ、ウエハＷの表面の周縁領域７、周端面９および裏面の周縁領域８に対して一定の押し付け圧で垂直に同時に押し付けられる。 （もっと読む）

【課題】ドライアイススノーのパルス噴射制御が可能で炭酸ガスの消費量を節減できるドライアイススノー洗浄装置を提供する。
【解決手段】加圧液化炭酸ガスを断熱膨張させることにより形成されたドライアイススノーを噴射ノズル１から被洗浄物に対して噴射して洗浄をする装置であって、加圧液化炭酸ガスの供給を開閉する炭酸ガス供給弁８と、上記炭酸ガス供給弁８から供給された液化炭酸ガスを断熱膨張させるオリフィス３と、上記オリフィス３から噴射ノズル１に至る流通管２とを備え、上記炭酸ガス供給弁８の弁座からオリフィス３までの流路の内容積を０．５８ｃｍ^３以下となるよう設定した。 （もっと読む）

【課題】被処理体を持ち上げる部材に洗浄液が残ることを防止することによって、被処理体の裏面に洗浄液が付着することを防止し、かつ、不活性ガス供給部内に洗浄液が流入することを防止するとともに、被処理体に不活性ガスを効率よく供給すること。
【解決手段】液処理装置は、被処理体Ｗを保持し中空になった保持プレート１と、保持プレート１に固定連結され中空になった回転軸２と、回転軸２を回転駆動する回転駆動部４０と、保持プレート１の中空内に配置され、本体２５と被処理体Ｗを支持するリフトピン２１とを有するリフトピンプレート２０と、を備えている。回転軸２の中空内には、洗浄液を供給する洗浄液供給部１１と不活性ガスを供給する不活性ガス供給部１０が延在している。リフトピンプレート２０は傾斜面２５ａ，２５ｂを有し、不活性ガス供給部１０の先端が、洗浄液供給部１１の先端よりも高い位置に位置している。 （もっと読む）

【課題】処理液から引き上げられる複数の基板の全面を短時間で効率的に乾燥させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板移動機構３０が基板Ｗを保持する保持部３１を洗浄液が貯留された内槽４０内に移動させる。その後、内槽４０内の洗浄液をリンス液ＲＬで置換する。続いて、基板移動機構３０が基板Ｗを内槽４０の上方へ引き上げる。このとき、ドライエア供給ダクト６２から基板ＷにドライエアＤＦを供給する。基板Ｗの引き上げ時において、保持部３１に当接する基板Ｗの部分ｙ１，ｙ２，ｙ３が処理槽４上方の所定の高さに引き上げられることにより、基板移動機構３０による基板Ｗの引き上げ動作を停止する。そして、バルブＶ１を閉塞状態にし、バルブＶ２を開放状態にする。これにより、内槽４０内の全てのリンス液ＲＬが処理液排出管４２から図示しない工場の排出設備に送られる。 （もっと読む）

【課題】薬液の劣化を抑え、気化効率が高くキャリアガスの流量を少なくすることができる気化装置、及びこの気化装置を備えることにより気化された処理ガスの漏洩のリスクを低減させた基板処理装置、基板処理方法を提供すること。
【解決手段】気化プレート３１の表面に多数の溝部３６を形成し、毛細管現象により薬液であるＨＭＤＳ液をこれら溝部３６を介して気化面の上に広げ、この状態でキャリアガスを気化面に供給してＨＭＤＳ液を気化させ処理ガスを得ている。従って気化を行わないときには、貯留されたＨＭＤＳ液がキャリアガスに接触するといったことがないので、ＨＭＤＳ液の劣化が抑えられる。また小型化を図ることができる上、気化効率が高いのでキャリアガスが少なくて済む。また気化装置３を小型化できることから、処理容器２２の側に置くことができ、処理ガスの配管を短くする、若しくは無くすことができるので、処理ガスの漏れが抑えられる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された絶縁膜や金属膜などの膜減りを生じることなく、その基板の表面からポリマーを良好に除去することができる、ポリマー除去方法およびポリマー除去装置を提供する。
【解決手段】基板の周囲の雰囲気が窒素ガス雰囲気に置換された後、その窒素ガス雰囲気下において、基板の表面にポリマーをエッチング作用により除去するためのふっ酸ベーパが供給される。そして、そのふっ酸ベーパの供給と並行して、基板が回転されるとともに加熱される。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成された厚膜等の被乾燥物を乾燥むらなく短時間で乾燥させることができる基板の乾燥方法及び乾燥炉を提供する。
【解決手段】溶剤を含む被乾燥物が表面に形成された基板を、その被乾燥物形成面側を上方にして乾燥炉内に略水平に設置し、ガス供給手段から出力される溶剤ガスを加熱し、その加熱溶剤ガスを基板下部から供給して基板上の被乾燥物を乾燥させ、被乾燥物の上方近傍の溶剤ガスの溶剤濃度を測定し、溶剤濃度が所定の濃度となるように溶剤ガス供給手段の出力溶剤濃度を制御する。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化を抑制しつつ、複数の供給対象に対して安定した流量で液体を供給することができる液体供給装置およびこれを備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】処理液供給装置８は、液体がそれぞれ収容された第１タンク２９および第２タンク３０を備えている。第１タンク２９内の液体は、第１連結配管３３、第１バルブ３９、送液室３１を介して、複数の送液配管３２から複数の供給対象に供給される。また、第２タンク３０内の液体は、第２連結配管３４、第２バルブ４０、送液室３１を介して、複数の送液配管３２から複数の供給対象に供給される。第１タンク２９から各送液配管３２に至るまでの経路、および第２タンク３０から各送液排気管３２に至るまでの経路における流路断面積は、複数の送液配管３２の流路断面積の総和よりも大きくされている。 （もっと読む）

【課題】ＭＦＣ内に設けられている機器の異常を検出することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ＭＦＣ２４１の上流側には、不活性ガスを供給する不活性ガス供給ライン３０８、不活性ガスの供給を遮断する第１遮断バルブ３００、処理ガスを供給する処理ガス供給ライン３１０及び処理ガスの供給を遮断する第２遮断バルブ３０２が設けられ、ＭＦＣ２４１の下流側には、処理室２０１に接続されるガス供給管２３２、ガス供給管２３２への供給を遮断する第３遮断バルブ３０４、排気可能な排気ベントライン３１８及び排気ベントライン３１８への供給を遮断する第４遮断バルブ３０６が設けられている。主制御部は、これらの遮断バルブが閉じられた状態でＭＦＣ２４１が閉状態から開状態に移行した結果、当該移行時間が予め設定された時間を超えている場合、ＭＦＣ２４１は異常であると判定する。 （もっと読む）

【課題】混合槽で生成される処理液の混合比率を一定に保つ。
【解決手段】まず排出弁２３，２４，２５を開弁し、供給弁２６〜３１を閉弁して、原料液体Ａ，Ｂ，Ｃを排出弁２３，２４，２５から外部に排出する。その後、ＬＦＣ２０，２１，２２が検出する原料液体Ａ，Ｂ，Ｃの流量が全て所定の流量に達した後に、排出弁２３，２４，２５を閉弁し、供給弁１７，２９，３１を開弁して、供給弁１７，２９，３１を通して原料液体Ａ，Ｂ，Ｃを第２の混合槽３に供給する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に対する洗浄効果を向上させることができるとともに、洗浄液の液滴の噴霧の際における被処理基板に対するダメージを軽減することができる二流体ノズル、基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】二流体ノズル２０は、洗浄液および液滴生成用ガスが混合することにより生成される洗浄液の液滴が流れる流路２０ｈと、流路２０ｈから送られる洗浄液の液滴が外部に噴霧される吐出口２０ｊと、を備えている。流路２０ｈの少なくとも一部分は湾曲しており、流路２０ｈの湾曲した部分における径方向外側には排出口２０ｉが設けられている。排出口２０ｉは、流路２０ｈの湾曲した部分における径方向外側を流れる洗浄液の液滴を当該流路２０ｈから排出するようになっている。 （もっと読む）

【課題】弗酸処理によって半導体基板上に形成された酸化膜を除去する際に、ウォーターマークの発生や異物の付着を効果的に防止しうる半導体基板の処理方法を提供する。
【解決手段】半導体基板を弗酸処理して酸化膜を除去する工程と、半導体基板の表面を親水化する工程とを有し、半導体基板の表面を親水化する工程は、過酸化水素水を投入した処理槽内で半導体基板を処理する工程と、処理槽内にアンモニア水を更に投入して半導体基板をアンモニア過酸化水素水で処理する工程とを有し、半導体基板の表面を親水化する工程の後に、半導体基板を塩酸過酸化水素水で処理する工程を更に有する。 （もっと読む）

【課題】処理液バルブのリーク故障や吸引手段の故障を検出して、基板処理不良を抑制する。
【解決手段】この基板処理装置は、基板Ｗに処理液を吐出するノズル１２と、ノズル１２に接続された処理液供給管２５と、処理液供給管２５に介装された第１および第２処理液バルブ２８Ａ，２８Ｂとを備えている。第１処理液バルブ２８Ａとノズル１２との間に設定された分岐位置３６には、処理液吸引管３２が処理液供給管２５に分岐接続されている。処理液吸引管３２には吸引装置３４が接続されており、その途中部には吸引バルブ３３が介装されている。処理液供給管２５は、分岐位置３６とノズル１２との間において、鉛直方向に沿う液面検出部４０を有している。この液面検出部４０に設定された液面検出位置４２には、液面センサ４１が配置されている。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体が基板洗浄空間内に形成する渦の中心位置を変更することができる基板洗浄装置及び基板洗浄方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、洗浄空間Ｓを規定する内壁２５に対して所定の角度αで当該洗浄空間Ｓ内に超臨界流体を吐出させる３つ以上の流体吐出部２１と、流体吐出部２１にそれぞれ超臨界流体を供給するための供給流路と、供給流路から分流されて各流体吐出部２１から吐出される超臨界流体の流量を制御する吐出流量制御手段３０と、を備え、吐出流量制御手段３０は、一部の流体吐出部２１から第１の流量で超臨界流体が吐出されると共にそれ以外の流体吐出部２１から第１の流量よりも小流量の第２の流量で超臨界流体が吐出され、且つ、第１の流量が分流される流体吐出部２１が順次移行するように、供給流路１１における超臨界流体の分流の流量を調整することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レジストの剥離処理における処理むらやパーティクルの集中による傷が生じ難い基板洗浄装置及び基板洗浄方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、主流路１２と、洗浄空間Ｓにそれぞれ連通される第１連通路３０及び第２連通路３５と、切り換え手段Ｓｗとを使用し、主流路１２の他端部１２ｂから第２連通路３５を通じて洗浄空間Ｓ内に超臨界流体が供給され且つ洗浄空間Ｓ内から第１連通路３０を通じて主流路１２の一端部１２ａに超臨界流体が排出される第１連通状態と、主流路１２の他端部１２ｂから第１連通路３０を通じて洗浄空間Ｓ内に超臨界流体が供給され且つ洗浄空間Ｓ内から第２連通路３５を通じて主流路１２の一端部１２ａに超臨界流体が排出される第２連通状態と、に切り換え手段Ｓｗを切り換えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】所定の液供給地点に基板が到達する以前に、ミスト状の処理液が基板に付着することを抑制し、これによって基板の品質向上を図る。
【解決手段】基板処理装置１は、処理室１０を備え、この処理室１０内で基板Ｓを搬送しながら当該基板Ｓにリンス液を供給して洗浄処理を施すように構成される。処理室１０内には、搬入されてきた基板Ｓの上面全幅に亘って搬送方向上流側から下流側に向かって垂直方向に対して斜め方向にリンス液を吐出する液ナイフ１６と、当該液ナイフ１６から吐出されるリンス液の軌道よりも上流側の位置であって、かつ基板Ｓの搬送経路の下方に配置され、前記搬送方向上流側へのミスト状処理液の拡散を防止する遮蔽板１７とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】オゾン水混合液供給装置及び方法、並びにこれを具備する基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明によるオゾン水混合液供給装置は、処理液供給ライン及びオゾン水供給ライン夫々から処理液及びオゾン水の供給を受けこれを混合して予め設定された濃度範囲内のオゾン水混合液を製造する混合ラインと、混合ラインから製造するオゾン水混合液を処理ユニットに分配させる分配ラインと、を有する。混合ラインには、混合バルブ及びスタティックミキサを設ける。本発明は、混合タンクのような混合容器なしにインライン混合方式で予め設定のオゾン水混合液を製造及び供給する。 （もっと読む）