【課題】 材料ガスの分圧が変動したとしても、混合ガスにおける材料ガスの濃度を一定に保つことができ、応答性の良い材料ガス濃度制御システムを提供する
【解決手段】 材料Ｌを収容するタンク１３と、収容された材料Ｌを気化させるキャリアガスを前記タンク１３に導入する導入管１１と、前記タンク１３から気化した材料ガス及び前記キャリアガスの混合ガスを導出する導出管１２とを具備した材料気化システム１に用いられるものであって、前記導出管１２上に設けられた第１バルブ２３と、前記混合ガスにおける材料ガスの濃度を測定する濃度測定部ＣＳと、前記濃度測定部ＣＳで測定された材料ガスの測定濃度が、予め定めた設定濃度となるように前記第１バルブ２３の開度を制御する濃度制御部ＣＣとを具備した。 （もっと読む）

【課題】基板の処理中に異常が生じた場合に当該基板に損傷が加わることを抑制または防止できる枚葉型の基板処理装置および異常処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、１枚の基板を保持して回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持された基板に薬液を供給する薬液ノズルと、スピンチャックに保持された基板にリンス液を供給するリンス液ノズルと、基板処理装置の異常を検知する異常検知手段と、異常処理手段としてのメイン制御部とを備えている。基板の薬液処理中に基板処理装置に異常が生じると、異常検知手段により異常が検知され（ステップＳ４１）、メイン制御部によりリンス液ノズルが制御されて、異常処理の一工程としてのリンス処理が基板に行われる。これにより、基板表面から薬液が排除される。 （もっと読む）

【課題】 材液量計などの検出器を用いることなく、タンク内の材料が減少していることを推定し、新しく設定された設定濃度に安定するまでにかかる時間が長くなるという不具合を防ぐことができる材料ガス濃度制御システムを提供する。
【解決手段】 導出管１２上に設けられた第１バルブ２３と、前記混合ガスにおける材料ガスの濃度を測定する濃度測定部２１と、前記タンク内の圧力を測定する圧力測定部２２と、前記濃度測定部２２で測定された材料ガスの測定濃度が、予め定めた設定濃度となるように前記第１バルブ２３の開度を制御する濃度制御部ＣＣと、前記材料液の貯留量を推定する材料液量推定部２４５とを具備し、前記濃度制御部ＣＣが、予め定めた設定圧力を、前記測定濃度と設定濃度との偏差が小さくなる向きに変更する設定圧力設定部２４３と、前記圧力測定部２２で測定された測定圧力が前記設定圧力となるように前記第１バルブ２３の開度を制御する第１バルブ制御部２４２とを具備した。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の状況に応じて温調度合いを変えることにより、乾燥不良を防止しつつも消費電力を抑制できる。
【解決手段】制御部６５は、チャンバ１１内の測定圧力に応じた限界濃度データと測定温度とに基づいて処理ガスの限界濃度を求め、この限界濃度に対応する温度よりも若干高くなるようにチャンバヒータ７１及び槽ヒータ６３を操作する。したがって、チャンバ１１内の圧力が低下するにつれてチャンバヒータ７１及び槽ヒータ６３の温度を下げてゆくことができるので、処理ガス中の有機溶剤蒸気がチャンバ１１及び処理槽１に結露することを防止しつつも、チャンバヒータ７１及び槽ヒータ６３への供給電力を必要最小限にできる。その結果、基板Ｗの乾燥不良を抑制しつつも消費電力を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】洗浄手順が簡単である上に洗浄効果も高く安全に洗浄することができるチャンバ洗浄方法を提供する。
【解決手段】希塩酸蒸気ＰＳＭがチャンバ１９内を満たすので、チャンバ１９内に用いられているフッ素樹脂から金属成分が溶出する。バブリングを停止するとともに希塩酸蒸気ＰＳＭをチャンバ１９外へ排出し、チャンバ１９内に付着している希塩酸蒸気ＰＳＭの凝結分を洗浄除去する。希塩酸ＰＳを貯留した容器７１をチャンバ１９内に導入して、バブリングさせるだけで洗浄ができ、手順を大幅に簡単化できる。その上、希塩酸蒸気ＰＳＭによって洗浄するので、従来では洗浄できなかった部位の洗浄をも行うことができ、洗浄効果を向上させることができる。さらに、チャンバ１９に大量の塩酸を貯留する場合に比較して、希塩酸ＰＳの漏洩の恐れが極めて少なくなるので、安全に洗浄を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】装置価格の上昇を抑えつつ処理時間を短縮することのできるプラズマ洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマ洗浄装置１は、基板５０を搬送する搬送機構１５を備えた前チャンバ２と、主チャンバ入口１４に繋がっており、基板５０をプラズマ洗浄する高周波電極２５等を備えると共に、搬送機構１８を備えた主チャンバ３と、主チャンバ出口１７に繋がって、搬送機構２１を備えた後チャンバ４と、主チャンバ３に接続される主真空ポンプ７と、前チャンバ２および後チャンバ４に共通して接続される副真空ポンプ６とを備え、主真空ポンプ７によって真空引きされた主チャンバ３に前チャンバ２から基板５０を搬送するとき、および主チャンバ３から後チャンバ４に基板５０を搬送するときには、前チャンバ２、後チャンバ４を副真空ポンプ６で予め真空引きしておくものである。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ−ＣＭＰ後洗浄におけるパーティクルのウェハへの再付着によるポイゾニング不良発生の課題に対して、その不良を抑制し効率よくＣｕ配線構造を形成することにある。
【解決手段】上層配線と、下層配線と、上層配線と下層配線とを接続するビアとを含む多層配線構造の半導体装置の製造方法において、トレンチの形成後に、低誘電率膜の上面に銅を含む導電性膜を成膜する工程と、上記導電性膜を化学的機械的研磨して上記トレンチに下層配線を形成する工程と、上記化学的機械的研磨後に、上記基板を洗浄する工程と、上記低誘電率膜の上面にアンモニアプラズマによる還元処理を実行し、その上に拡散防止膜を形成する工程とを含み、上記洗浄工程は、少なくとも２段階の洗浄を行ない、第１段目は、有機酸洗浄薬液を用いてブラシスクラブ洗浄を行ない、第２段目は、有機アルカリ洗浄薬液を用いて洗浄を行なう。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板に付着してレジストを能率用句確実に除去できるようにしたレジスト剥離装置を提供することにある。
【解決手段】基板の表面に付着残留するレジストを除去するレジスト除去装置であって、基板に硫酸を供給する第１の供給部３５と、基板に供給される硫酸を霧化させるオゾンガスを供給する第２の供給部３６と、オゾンガスによって霧化された硫酸に過熱水蒸気を供給して反応熱を生じさせる第３の供給部３７を具備する。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置の通常運転時には排出ガスから処理ガス成分を回収する負荷を軽減し、異常発生時には安全性を確保する。
【解決手段】被処理物９を搬入開口１３から処理槽１０の内部に搬入し、処理空間１９に配置する。供給系３０から処理ガスを処理空間１９に供給し、被処理物９を表面処理する。その後、被処理物９を搬出開口１４から搬出する。第１排気系４０で処理槽１０の内部からガスを排出する。再利用部５０によって、排出ガスから処理ガス成分を回収し、供給系３０に送る。異常時には、第２排気系６０によって処理槽１０内のガスを第１排気系４０より大きな流量で排出する。 （もっと読む）

【課題】液処理後の液残りを少なくしてウォーターマーク等のしみの発生を抑制することができ、かつウエハ等の転倒を防止でき、スループットの向上を図れるようにする。
【解決手段】半導体ウエハＷを垂直に保持した状態で搬送する搬送手段を具備する基板処理装置において、搬送手段であるウエハボート５は、ウエハの下端部を支持する下側保持体２０と、ウエハの転倒時に該ウエハの下部側端部を保持する左右一対の上側保持体３０とを具備し、下側保持体は、ウエハの下端部を直接支持する保持溝２１を有する保持溝部２２と、該保持溝部に隣接して設けられ、保持溝によるウエハの支持が解かれた際にウエハを保持する転倒防止溝２３を有する転倒防止溝部２４と、を一体に形成してなる。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成されたパターン倒壊を抑制するとともに基板表面へのＩＰＡ等有機溶媒由来の汚染物質付着を防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を回転させながら基板表面を洗浄する洗浄工程を有する半導体装置の製造方法において、前記洗浄工程は、前記基板に対して洗浄液を供給して前記基板表面を洗浄する工程と、前記基板に対してリンス水を供給して前記洗浄後の前記基板表面をリンスする工程と、前記リンス後の前記基板を乾燥させる工程と、を有し、前記基板表面をリンスする工程では、前記リンス水に有機溶媒を混合してなる有機溶媒混合リンス水を使用し、前記有機溶媒は蒸留または濾過がなされた後に前記リンス水に混合される。 （もっと読む）

【課題】低流速で高い霧化効率を得て、微細な電気配線を有するデバイスに対してダメージを与えず、気体使用量を削減できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、気体と液体を混合させて液体を基板Ｗに吐き出すことで基板を処理する基板処理装置であって、基板Ｗに対して液体を吐き出す中央通路を有する内筒３１と、内筒３１の周囲に配置されて気体を吐き出す外周リング状通路３４を有する外筒３３とを有する供給ノズル３０を備え、液体を吐き出す内筒３１の出口部４３には、出口部４３において液体を拡散するために、内筒３１の外周面側が内筒３１の内周面側に比べて、内筒３１の中心軸ＣＬに平行に突出するように傾斜する傾斜面４４が形成されており、傾斜面４４の形成角度θは、内筒３１の中心軸ＣＬに対して直交する方向に対して、０度＜形成角度θ≦３０度の範囲で形成されている。 （もっと読む）

【課題】処理液の温度を再現性よく精密に調整することが可能な処理液供給装置を提供すること。
【解決手段】本発明の処理液供給装置は、処理ノズル３０には、タンク１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃからの処理液をノズル吐出口３２Ａ、３２Ｂ、３２Ｃに導く往路配管３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃと、往路配管３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃに導かれた処理液をタンク１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃに戻す復路配管４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃと、往路配管３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ内の処理液の流路をノズル吐出口３２Ａ、３２Ｂ、３２Ｃ又は復路配管４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃに切り換えるバルブ５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃとを有し、バルブ５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃの切り換えによって、ノズル吐出口３２Ａ、３２Ｂ、３２Ｃから処理液を吐出させないときには、往路配管３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃの処理液を復路配管４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃを経由してタンク１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃに戻すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】極めて低い濃度に精度良く調整された薬液を、基板に供給することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】混合部材１３には、集合導入管（低濃度薬液流通管）１５と、アンモニア導入管１６、過水導入管１７、塩酸導入管１８および高濃度ふっ酸導入管（高濃度薬液流通管）１９が接続されている。集合導入管１５は大流量の処理液が流通するラインである。集合導入管１５は、低濃度ふっ酸配管３３を介して、タンク３８と循環路３６を構成する循環配管３９の途中部に接続されている。循環配管３９とタンク３８とによって循環路３６が構成されている。循環配管３９の途中部には、温度調節ユニット４１が介装されている。 （もっと読む）

【課題】高濃度の処理ガスを用いる場合であっても、濃度計を用いることなく処理ガスの濃度を求めることができる基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】制御部６９は、記憶部７１に予め記憶してある、有機溶剤の飽和蒸気圧曲線に基づく圧力ごとの温度対濃度の露点情報と、圧力計５６からの測定圧力と、温度計５７からの測定温度とに基づき、処理ガス中における有機溶剤の濃度を算出濃度として算出する。この算出濃度は、表示部７３に表示される。したがって、濃度計を用いることなく処理ガス中におけるイソプロピルアルコールの濃度を求めることができ、装置のオペレータに知らせることができる。また、強い減圧力のポンプ及び処理ガスの採取部を必要としないので、構成を簡単化することができて装置コストを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】流量計により安定して正確な流量検出が可能な液供給機構および液処理装置を提供すること。
【解決手段】処理液供給機構は、薬液を吐出するノズル孔１６ａを有する表面洗浄用ノズル５と、表面洗浄用ノズル５に薬液を供給する薬液供給配管２１と、ノズル孔１６ａと薬液供給配管２１をつなぐ薬液流路１９ａと、薬液供給配管２１に設けられた流量計３４と、薬液供給配管２１における流量計３４の下流に位置する分岐部３６から分岐し、ノズル孔１６ａ、薬液流路１９ａ、薬液供給配管２１の分岐部３６より下流側部分の薬液を抜液する抜液配管３７と、薬液の供給と抜液とを切り替える開閉バルブ３３，３８とを有する。 （もっと読む）

【課題】フープのドアを傷付けることなく仮置台に係止でき、フープをフープ本体とドアとに分離して繰り返し洗浄しても、ドアへの繰り返しダメージを抑制できるフープ洗浄乾燥装置を提供する。
【解決手段】前面に開口部を有するフープ本体２ａとフープ本体２ａの開口部にロック・アンロック可能に装着されたドア２ｂとを有するフープ２を、フープ本体２ａとドア２ｂとに分離して洗浄乾燥するフープ洗浄乾燥装置１であって、フープ２をフープ本体２ａとドア２ｂとに分離するために仮置きする仮置台５に、ドア２ｂを吸着する吸着手段１４と、ドア２ｂに形成された凹部２ｂ１に挿入される位置決めピン１５と、ドア２ｂとフープ本体２ａとのロック・アンロックを切り換えるべく、ドア２ｂに形成されたラッチ穴２ｂ２に挿入された状態で回転されるラッチ１６とを設け、位置決めピン１５がラッチ１６よりも仮置台５から突出している。 （もっと読む）

【課題】各薬液供給源に設けられるバルブの設置スペースを小さくすることができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体を提供する。
【解決手段】ウエハＷの処理を行う処理部１０に接続された第１のライン２２に第２のライン４４の上流側端部および下流側端部がそれぞれ接続されている。第２のライン４４から複数の第３のライン（過酸化水素水供給ライン４２、アンモニア水供給ライン４８、塩酸供給ライン５２およびフッ酸供給ライン５６）が分岐している。これらの第３のラインには、第２のライン４４からの分岐箇所にそれぞれバルブ４２ａ、４８ａ、５２ａ、５６ａが介設されている。各第３のラインにはそれぞれ薬液供給源（過酸化水素水供給源４１、アンモニア水供給源４６、塩酸供給源５０およびフッ酸供給源５４）が接続されている。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の基板処理部に所定流量・所定濃度の処理液を精度良く供給すること。
【解決手段】本発明では、処理液供給部(24)から供給される処理液を使用して複数個の基板処理部(11〜22)で基板(２)を処理する基板処理装置(１)において、各基板処理部(11〜22)に基板（２）を順次搬送し、１個の基板処理部(11〜22)で使用する処理液の流量が処理液供給部(24)で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部(24)で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部(11〜22)に基板（２）が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部(11〜22)で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することにした。 （もっと読む）

【課題】クリーニング処理開始前の被処理体の処理枚数に関係なく、ジャストエッチの時点を自動的に確実に把握することにより、エッチング処理の適正な終点時点を決定することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理チャンバー１６と、所定の処理が施される被処理体Ｗを載置する載置台２０と、処理チャンバーへ必要なガスを供給するガス供給手段４０と、途中に真空ポンプが介設されて処理チャンバー内の雰囲気を真空引きする排気系６とを有す処理装置において、排気ガス中に含まれるパーティクル数を計測するために前記排気系に設けられたパーティクル計測手段８と、処理チャンバー内にクリーニングガスを流してクリーニング処理を行う時にパーティクル計測手段の計測値に基づいてクリーニング処理の終点時点を決定するクリーニング終点決定手段１４とを備える。 （もっと読む）