【課題】供給しようとする液体に対する不都合を生じさせずに、流量制御器における気泡の発生を確実に防止することができる液供給機構を提供すること。
【解決手段】処理液供給機構３は、処理液タンク２１と、処理液供給配管２２と、処理液の通流断面積を変化させる可変オリフィス部を有する流量制御器２７と、可変オリフィス部より前段の一次側の液圧および後段の二次側の液圧を求める圧力検出器２６，２８と、予め記憶された、処理液の液圧と対応する液圧における溶存可能な気体成分の量との関係から、処理液から気泡が発生し始める一次側の液圧と二次側の液圧との差圧ΔＰｓを求め、このΔＰｓの値以下の閾値ΔＰｔを設定し、実際に求められた一次側の液圧と二次側の液圧との差圧ΔＰｅの値がΔＰｔに達したか否かを判断し、ΔＰｅの値がΔＰｔに達したと判断した場合に、処理液の気泡の発生を抑制するように処理液の状態を制御する制御機構３０とを有する。 （もっと読む）

【課題】開口を通過する基板の汚染を、より効果的に防止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】シャッタ機構１９は、開口１７を覆うことができる第１シャッタ２０と、側壁２Ａにおける開口１７の上部分である上部領域ＡＵを覆うことができる第２シャッタ２１と、第１シャッタ２０および第２シャッタ２１を昇降させる第１移動機構３０とを備えている。第１移動機構３０は、第１シャッタ２０および第２シャッタ２１を、第１シャッタ２０が開口１７を閉塞し、第２シャッタ２１が上部領域２ＡＵの大部分を覆う閉状態と、第１シャッタ２０および第２シャッタ２１がパスラインＰＬよりも下方に退避する開状態との間で、鉛直姿勢を維持させつつ昇降させることができる。 （もっと読む）

【課題】不要物の除去を行う際に被処理物に与える影響を抑制することができるとともに生産性の向上を図ることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】被処理物Ｗを収容し大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器６と、前記処理容器内を減圧する減圧手段３と、前記被処理物を収容する空間と連通しプラズマを発生させる空間を有するプラズマ発生室と、前記プラズマを発生させる空間に電磁波を作用させてプラズマを発生させるプラズマ発生手段２と、前記プラズマを発生させる空間にプロセスガスを供給するガス供給手段４と、除去液蒸気を前記被処理物を収容する空間に供給する除去液蒸気供給手段３０と、前記除去液蒸気が凝縮する温度以下となるように前記被処理物の温度を制御する第１の温度制御手段５１と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置１。 （もっと読む）

【課題】装置設計、コスト、メンテナンス等の負担を軽減し、洗浄工程に要する時間を軽減することが可能な、噴射蒸気により被洗浄物の洗浄を行なうスチームジェット用ノズルを提供する。
【解決手段】ノズル本体１０は、蒸気室１２と、空気室１４と、蒸気室１２に通じる蒸気入力口１５と蒸気噴射口１６と蒸気排気口１７と、空気室１４に通じる空気入力口１８とを有し、蒸気室内１２には、噴射用バルブ２０と排気用バルブ３０を有し、空気入力口１８から入力される圧縮空気により、噴射用バルブ２０と排気用バルブ３０を制御し、洗浄処理時には、蒸気入力口１５から入力された蒸気を、蒸気噴射口１６から噴出させ、待機時には、蒸気排気口１７から排気させる。 （もっと読む）

【課題】枚葉式洗浄装置に断続的にオゾン水の供給を繰り返しても安定した濃度のオゾン水を供給可能で、送水ポンプが不要なオゾン水供給装置を提供する。
【解決手段】オゾン水と少なくとも大気圧以上の一定圧のオゾンガスが供給される計量槽と、計量槽の内圧が一定の圧力を超えたときオゾンガスを放出して計量槽の内圧をオゾンガス供給圧より低い一定圧に保つオゾンガス放出手段と、計量槽からオゾン水を供給するオゾン水供給給配管とを有する。 （もっと読む）

【課題】乾燥溶剤の再生手順を工夫することにより、スループットを向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部５１は、第１の貯留タンク１１と第２の貯留タンク１３の一方だけから処理槽５に乾燥溶剤を供給して、処理槽５にて基板Ｗを乾燥処理させる。そして、乾燥溶剤を供給した第１の貯留タンク１５の乾燥溶剤が寿命に達した場合には、基板Ｗの処理が終了した後、第１の貯留タンク１５とは異なる第２の貯留タンク１３だけから処理槽５に乾燥溶剤を供給して、処理槽５にて次の基板Ｗを処理させる。これとともに、制御部５１は、第１の貯留タンク１１から溶剤再生装置３に乾燥溶剤を供給して再生処理を行わせるので、再生処理に伴って基板処理装置の乾燥処理装置１における処理を中断する必要がなく、基板処理装置のスループットを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】真空容器パージ作業時の圧力差による部品の破損を防ぐと共に、真空容器内の処理ガスの残留を抑えることができるプラズマ処理装置およびそのパージ方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の減圧された処理室（Ｖ１）２２６内に側壁の不活性ガス導入用開口２３３から不活性ガスを導入して、処理室処理室（Ｖ１）２２６内を不活性ガスにより所定の圧力にしたのち、処理用ガスを導入する複数の貫通孔２２４に連通する処理用ガスの導入経路２１３、２１６（Ｖ２）に不活性ガスを供給して、複数の貫通孔２２４から処理室（Ｖ１）２２６内に不活性ガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの処理面内で均一な処理を行なうことができる半導体ウェハ処理装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ４に処理を施すための半導体ウェハ処理装置１００であって、半導体ウェハ４を保持するためのウェハカセット１と、ウェハカセット１に配置された半導体ウェハ４の処理面３に対し、その表面が平行に配置された平板状の対向電極５と、処理液７を導入可能な内部空間１８を有し、かつ内部空間１８に半導体ウェハ４、ウェハカセット１および対向電極５を配置可能な処理槽８と、半導体ウェハの処理面３ａ側の処理液７の流速が処理面３ａの裏面３ｂ側の処理液７の流速より速くなるように制御するための処理液供給口６、ポンプ１７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】オゾン水を貯蔵することも、無駄に廃棄することもなく、半導体ウェハを洗浄する技術を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ洗浄システム１０は、洗浄装置１２とオゾン水製造装置４を含んでいる。洗浄装置１２の第１制御部１６は、半導体ウェハをオゾン水で洗浄する洗浄処理の開始時刻に先立って、オゾン水製造装置４が予め定められた濃度のオゾン水を製造するのに要する設定時間前に供給予報信号８をオゾン水製造装置へ送信し、洗浄処理の開始時刻に供給指示信号１４をオゾン水製造装置へ送信する。オゾン水製造装置４の第２制御部６は、洗浄装置１２から供給予報信号８を受信するとバルブ１８を閉じたままガス発生部２を起動し、洗浄装置１２から供給指示信号１４を受信するとバルブ１８を開く。 （もっと読む）

【課題】例えばスピン式のウェットエッチング処理装置等の基板処理装置のチャンバ内を効率的に洗浄する。
【解決手段】基板処理装置の洗浄方法は、遮断板（３０）を回転させながら、遮断板の上方に設けられた洗浄液供給手段（７０）から洗浄液を遮断板に対して吐出させることにより、遮断板から飛散される洗浄液によってチャンバ（５００）内を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハのような基板の全面においる液被覆性が向上して処理中の乾燥を防いでウォータマーク（水のシミ）の発生を低減することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板を回転させながら基板の表面を処理する基板処理装置１０は、基板Ｗの表面Ｓを処理する物理ツール４０を有する物理ツールユニット２３と、基板Ｗの表面Ｓに液体を供給する液供給ノズル４５と、基板Ｗの表面Ｓにガスを供給するガス供給ノズル４６とを有するノズルユニット２１と、物理ツールユニット２３を基板Ｗの表面Ｓに沿って移動させる物理ツールユニット移動機構部２３と、ノズルユニット２１を基板Ｗの表面Ｓに沿って移動させるノズルユニット移動機構部２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板に帯電した電荷を確実に除去することができるようにした帯電除去装置を提供することにある。
【解決手段】基板に帯電した電荷を除去する帯電除去装置であって、
基板が供給される処理槽１と、基板の被処理面の電位レベルを検出する表面電位計３１と、表面電位計が検出する基板の被処理面の電位レベルに応じて所定の電子配置の気体を選択する制御装置２０と、液体及び制御装置によって選択された気体が供給されこれら液体と気体によって微細気泡を含む処理液を生成して上記基板の被処理面に供給するナノバブル発生器１１を具備する。 （もっと読む）

【課題】水濡れしたシリコン材料に対してコンタミを生じさせることがなく、しかも当該シリコン材料を効率的に乾燥させることのできるシリコン用乾燥装置を提供する。
【解決手段】乾燥対象となる水濡れしたシリコン材料を密閉可能に収容するチャンバ１２と、前記チャンバ１２内に熱媒体として供給される清浄空気を加熱する加熱手段１６と、前記洗浄空気の前記チャンバ１２内への流路を開閉する開閉弁１８と、上流端が前記チャンバ１２内部に連通し、減圧開閉弁４４を介して下流側に減圧ポンプ４６が取り付けられた減圧配管系２０と、上流端が前記チャンバ１２内部に連通し、排気開閉弁５２を介して下流側に排気ファン５４が取り付けられた排気配管系２２とで構成されると共に、前記加熱手段１６が、高純度シリコンの塊体からなり、ケーシング１６ａ内に収容される熱交換エレメント１６ｃを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板に付着残留するレジストを確実に除去することができるようにしたレジスト剥離装置を提供することにある。
【解決手段】基板の表面に付着残留するレジストを除去するレジスト剥離装置であって、
硫酸を供給する第１の供給管３２と、オゾンガスを供給する第２の供給管３３と、第１の供給管から供給される硫酸を第２の供給管から供給されるオゾンガスによって霧化させて基板に向けて噴射する上部ノズル体３１と、硫酸とオゾンガスの供給量をそれぞれ制御する第１、第２の開閉弁３８，３９及び制御装置１４を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板を洗浄処理した後、ＩＰＡ等の乾燥用溶剤を用いて乾燥した場合に、スループットを低下させることなく薬液を回収することができる洗浄装置および洗浄方法を提供すること。
【解決手段】ウエハＷを回転させながら、ウエハＷに薬液洗浄を施し、リンス処理を施し、その後ＩＰＡによる乾燥処理を施す洗浄機構１は、排液カップ６および排液配管３１を洗浄するための洗浄液を、ウエハＷに供給されない状態で、排液カップ６に供給する洗浄液供給機構３９を有し、さらに洗浄機構１の各構成部を制御する制御部４０を有し、この制御部４０は、ウエハＷの洗浄処理、その後のリンス処理を実施させた後、ＩＰＡによる乾燥処理を行わせている際に、乾燥処理が実施されているタイミングで洗浄液を排液カップ６に供給させるように制御する。 （もっと読む）

【課題】 所定濃度以上のオゾン水を複数のユースポイントへ効率良く供給することができるオゾン水供給装置を提供する。また、被洗浄物を確実かつ効率良く洗浄することができる洗浄装置を提供する。
【解決手段】 オゾンガス導入管１１及び純水導入管１０に接続され、オゾンガス導入管１１を介して導入されたオゾンガスを、純水導入管１０を介して導入された純水に溶解させる複数の溶解モジュール５と、各溶解モジュール５により生成されたオゾン水をそれぞれユースポイントに供給する複数のオゾン水供給管１２と、純水導入管１０を開閉する開閉弁３１と、オゾンガス導入管１１にオゾンガスを供給するオゾンガス供給装置２０と、オゾンガス導入管１１内のオゾンガス圧力を検知する圧力検知装置２３とを備え、オゾンガス供給装置２０は、圧力検知装置２３の検知に基づいて、オゾンガス導入管１１内のオゾンガス圧力が一定になるようにオゾンガスを供給するオゾン水供給装置。 （もっと読む）

【課題】短時間で多連バルブ内をリンス液で確実に洗い流し、ひいては、高いスループットでウエハを処理すること。
【解決手段】液処理方法は、薬液供給バルブ１１ａと、リンス液供給バルブ１２ａと、排出バルブ１１ｂを有する多連バルブ１０と、多連バルブ１０を経た薬液Ｃおよびリンス液Ｒを被処理体Ｗに向かって案内する洗浄液供給管５を介して、被処理体に薬液およびリンス液を供給して処理する。液処理方法は、薬液供給バルブ１１ａを開状態にして薬液Ｃを被処理体Ｗに供給する薬液供給工程と、当該薬液供給工程の後に行われ、リンス液供給バルブ１２ａと排出バルブ１２ｂの両方を開状態にして、リンス液供給部から供給されるリンス液Ｒの一部を被処理体Ｗに供給するとともに、該リンス液Ｒの残部を多連バルブ１０内で排出路２ｂに向かって流すバルブリンス工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板表面上の処理液を溶剤で置換した後に当該溶剤を基板表面から除去して当該基板表面を乾燥させる基板処理方法および基板処理装置において、基板表面に水滴が付着するのを防止して乾燥性能を高める。
【解決手段】基板表面Ｗｆの上方位置に遮断部材６４が配置されている。この遮断部材６４の中央部にはＩＰＡ液供給路が設けられており、当該ＩＰＡ液供給路に対してＩＰＡ液供給ユニットが接続されており、所定温度にまで加熱された高温の１００％ＩＰＡ液（高温ＩＰＡ液）を基板表面Ｗｆに向けて吐出可能となっている。そして、置換処理を行う際には、高温ＩＰＡ液を基板表面Ｗｆに供給することで基板表面Ｗｆ上のリンス液を置換している。このため、基板表面Ｗｆ上のリンス液が高い置換効率で高温ＩＰＡ液に置換されてスピン乾燥処理前に基板表面Ｗｆ上に残存するリンス液の量を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】急速排水弁における液溜まりを洗浄除去することにより、急速排水弁の構造に起因する処理槽への液漏れを防止して、基板処理のスループットを向上させる。
【解決手段】制御部６１は、処理液に基板Ｗを浸漬させて基板Ｗを処理した後、噴出管７から純水を内槽３に供給して基板Ｗをリンス処理させる。その際に、内槽３から薬液を含む処理液を排出しているので、シール部材１７を含む周辺部には薬液が付着した状態である。制御部６１は、リンス処理を行っている間、エアシリンダ３３を操作して、弁体２３を排出口１３から微小距離だけ離間させて純水を少量だけ排出させるので、その際に、シール部材１７を含む周辺部に付着している薬液が洗い流される。リンス処理において純水の比抵抗が短時間で回復するので、基板Ｗの洗浄処理を短時間で行うことができ、スループットを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板処理部に対する処理液の供給流量を調整するときの調整時間を短縮することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを処理液で処理するための処理ユニット６と、処理ユニット６に処理液を供給するための処理液供給配管１４と、処理液供給配管１４に介装され、開度を変更するためのモータ２４を有するニードルバルブ１５とを備えている。処理液供給配管１４およびニードルバルブ１５は、流体ボックス７内に収容されており、この流体ボックス７によってニードルバルブ１５全体が覆われている。制御部８がモータ２４を制御してニードルバルブ１５の開度を変更することによって、処理ユニット６に対する処理液の供給流量が変更される。 （もっと読む）