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Fターム[5F157CF14]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 構成要素細部 (6,182) |  (243)

Fターム[5F157CF14]に分類される特許

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【課題】改良されたシール手段を有する処理チャンバーを開示する。
【解決手段】処理チャンバー101は下部要素150と上部要素110とシール付勢器とを有する。シール付勢器は処理空間140を維持するために下部要素150に対して上部要素110を維持するように構成されている。シール付勢器はさらに処理空間140内で発生する処理圧力に対して非線形に変化するシール付勢空洞115内のシール圧力を発生させるように構成されている。一つの実施形態において、シール付勢器は上部要素110および下部要素150の一方に対して負ではない最終的な力を閾値以上において最小化するように構成されている。P1がシール圧力であり、P2が処理圧力であり、A1がシール付勢空洞の断面積であり、A2が処理空間の断面積であるとした場合に、最終的な力は、式P1*A1−P2*A2に従う。 (もっと読む)


【課題】 ドライエア等の乾燥用気体の基板への供給による基板の乾燥不良を抑制できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板Wを支持しつつ、処理槽1内部の処理位置と処理槽1上方にある乾燥位置とにわたって昇降自在であるリフタ15、供給部23の近傍を通過させて処理槽1へ搬入させる際に、制御部47により、第1制御弁35,第2制御弁41が閉、第3制御弁45が開に切り替わる。これにより、供給部23へのドライエアの供給を停止させ、分岐配管43へドライエアを供給させているので、洗浄処理前に基板Wがドライエアにさらされることはなく、基板の乾燥不良が抑制される。 (もっと読む)


【課題】電子密度分布を均一に制御し、プラズマ処理を被処理体に施すことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体Wが収容された筒状の処理室12内に処理ガスを供給してプラズマを生成し、生成したプラズマにて被処理体Wにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に、前記処理室12内の略中央部に光を照射する第1光照射手段と、前記処理室12内の周壁側の領域に光を照射する第2光照射手段とを備える。 (もっと読む)


【課題】 基板へのダメージを抑制しつつ、基板の表面に対して超音波による洗浄処理を施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 基板処理装置1は、基板Wを水平に保持して回転させるスピンチャック10と、スピンチャック10に保持された基板Wの上面に第1処理液(HFE)、第2処理液(気体溶存水)をそれぞれ供給する第1処理液供給ノズル20、第2処理液供給ノズル17を備えている。スピンチャック10に保持された基板Wの上面にHFEおよび気体溶存水が供給され、基板Wの上面にHFEの液膜が形成され、さらにその上層に気体溶存水の液膜が形成される。この状態で気体溶存水とHFEの液膜に超音波振動が付与される。これにより、気体溶存水の液膜でのみ発生したキャビテーションによる衝撃エネルギーがHFEの液膜で緩和されつつ、基板Wの洗浄処理が施される。 (もっと読む)


【課題】基板のダメージを抑制または防止しつつ、不要になった膜を基板から除去することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置1は、ウエハWを保持するスピンチャック7と、光を照射することで活性化する光活性化成分を含む処理液をスピンチャック7に保持されたウエハWに供給する薬液供給ユニット22と、スピンチャック7に保持されたウエハWに供給される光活性化成分を含む処理液に光を照射する照射ユニット4とを含む。 (もっと読む)


【課題】液の使用量を低減することができるとともに、被処理体間での処理の程度のバラツキを抑制することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置10は、主配管20と、主配管に接続した液供給機構40と、主配管に設けられた主開閉弁22と、主配管から分岐した複数の分岐管25と、各分岐管と接続した複数の処理ユニット50と、を有する。液供給機構は、主配管上に設けられた混合器43と、第1液を供給する第1液供給管41bと、第2液を供給する第2液源42aと、を有し、第1液と第2液とを混合器内で混合してなる混合液を、主配管に一側から供給する。主開閉弁は、処理ユニット内で被処理体が処理されている際、主配管を液供給機構に対して他側から閉鎖する。 (もっと読む)


【課題】異なる温度の二つの液を、それぞれ、所望の温度で吐出することができる処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置10は、第1の液を吐出する吐出開口30aを有した第1供給ライン30と、第2の液を吐出する吐出開口45aを有した第2供給ライン45と、第1および第2の供給ラインの吐出開口を支持する支持部材60を有した処理ユニット50と、を有する。支持部材は、前記仕切り部材63を有する。第1および第2供給ラインの一方が仕切り部材の一側を延び、他方が仕切り部材の他側を延びている。 (もっと読む)


【課題】被処理体の処理に用いられる液の温度変動を抑制することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置10は、循環ライン20と、循環ラインから分岐した複数の供給ライン30と、各供給ラインに対応して設けられた複数の処理ユニット50と、循環ラインから各供給ラインに流れ込んだ液を循環ラインへ戻す複数の戻しライン35と、を有する。処理ユニットは、各供給ラインから吐出される温度調節された液を用いて被処理体を処理するように構成されている。戻しラインは、複数の供給ラインのうちの最下流側の供給ラインとの接続位置よりも下流側の位置において循環ラインに接続している。 (もっと読む)


【課題】被処理体の処理に用いられる液の温度変動を抑制することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置10は、液供給機構15と、液供給装置に接続され温度調節された液を吐出する吐出開口30aを有した供給ライン30と、供給ラインの吐出開口を支持しする処理ユニット50と、供給ラインに供給された液を液供給機構へ戻す戻しライン35と、処理ユニットでの被処理体の処理に用いられる液の供給および供給停止を切り替える液供給切り替え弁38aと、を有する。液供給切り替え弁38aは、供給ライン30上に設けられ、供給ライン30から戻しライン35を介して液供給機構15へ戻る液の経路上に、位置している。 (もっと読む)


【課題】この発明は基板を処理する処理液の濃度を求めることができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】薬液を希釈液で希釈した処理液によって基板を処理する基板の処理装置であって、
基板に供給された処理液の厚さを測定する撮像カメラ7と、測定された処理液の厚さと処理時間の関係から処理液に含まれる薬液の濃度を判定する制御装置8を具備する。 (もっと読む)


【課題】新たな手法を用いて基板の表面から膜を除去する液処理装置等を提供する。
【解決手段】第1の膜の上層に第2の膜が形成された基板から、第1の膜及び第2の膜を除去する液処理装置3において、第1の薬液供給部51は基板Wに第1の膜を溶解させるための前記第1の薬液を供給し、第2の薬液供給部51は前記第2の膜の強度を低下させるための第2の薬液を供給し、衝撃供給部としての機能を兼ねる流体供給部52は第2の膜に物理的衝撃を与えて当該第2の膜を破壊すると共に破壊された第2の膜の破片を流し去るための流体を供給する。制御部7は第2の薬液を供給し、次いで前記流体供給部52から流体を供給した後、第1の薬液を供給するように各部を制御する。 (もっと読む)


【課題】VOC濃度を積極的に増大させてVOC濃度を平準化させ、VOCの除去効率を向上させた排ガス処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】基板処理部において、揮発性の有機溶剤によって基板を処理し、前記基板処理部に連結された循環部において、前記基板処理部から排出された前記有機溶剤の揮発成分を前記基板処理部に循環させ、その濃度を増大させるとともに平準化させる。次いで、前記循環部に連結された揮発成分処理部において、平準化された濃度を有する前記有機溶剤の揮発成分を捕獲除去する。 (もっと読む)


【課題】処理部から排出される排液を回収して再利用するにあたりより多くの量の排液を回収することができ、このため純水の使用量を低減することができるのでコストを低減することができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体を提供する。
【解決手段】排出部40の下流側には第1の排液ライン42bおよび第2の排液ライン44bが分岐して接続され、第1の排液ライン42bおよび第2の排液ライン44bからそれぞれ処理液供給部30に排液が回収液として互いに独立して送られる。排出部40から第1の排液ライン42bまたは第2の排液ライン44bへの排液の流れの切り替えを行う切り替え部41が設けられている。処理液供給部30は、第1の排液ライン42bから送られた回収液および第2の排液ライン44bから送られた回収液を選択的に処理部10に供給する。 (もっと読む)


【課題】スラリーのような固形分を含んだ薬液であっても、生産に寄与しない使用を抑え且つ効率よく供給できる薬液供給装置および薬液供給方法を提供する。
【解決手段】本発明の薬液供給装置は、順次に交換して設置される先後のドラム1,2などから希釈・供給ユニット6への薬液受入量と、この希釈・供給ユニット6の薬液を生産設備8へ供給する薬液供給量とを基に、制御ユニット20により、現ドラム1(あるいは2)と生産設備8との間の全薬液中における先の薬液容器からの薬液の残存率を演算するとともに、この演算値が前記先の薬液の残存率について予め決めた閾値以下となるようにドレインバルブ13を通じて薬液ドレイン量を制御する。 (もっと読む)


【課題】液化炭酸ガスの蒸留過程における加熱および冷却に必要なエネルギーを、相互に交換して利用することにより、工程全体に必要なエネルギーを低減することのできる炭酸ガス洗浄装置および炭酸ガス洗浄方法を提供する。
【解決手段】クリーニングブロックAの蒸発器4および凝縮器5を用いた炭酸ガスの蒸留操作により、洗浄槽1から回収された液化炭酸ガスに混入した不純物を除去して、この蒸留後の液化炭酸ガスを洗浄に再使用する炭酸ガス洗浄装置において、炭酸ガス蒸留工程の蒸発器4に温熱を供給する温熱供給手段の一部である加熱用熱交換器12と、同じ炭酸ガス蒸留工程の凝縮器5に冷熱を供給する冷熱供給手段の一部である冷却用熱交換器13と、圧縮機10および膨張弁11を備えたヒートポンプを構築し、このヒートポンプ内の作動流体を通じて、上記蒸発器4側で必要な熱量(温熱)と、上記凝縮器5側で必要な熱量(冷熱)とを輸送・交換する。 (もっと読む)


【課題】構成を簡素化し、コストを削減しながら、複数の処理部に処理液を安定して供給可能な処理液供給装置および処理液供給方法を提供する。
【解決手段】薬液キャビネット1は、基板Wに処理液による処理を施すための複数の基板処理部5に処理液を供給する。薬液キャビネット1は、複数の成分液供給源11〜15と、成分液を導く複数の成分液供給路21〜25と、これらの成分液供給路21〜25によって導かれた成分液を合流させて混合することにより処理液を生成する混合部70と、混合部70から複数の基板処理部5に処理液を分配する処理液分配路71とを備えている。成分液供給路21〜25には、それぞれ自動流量調整弁51〜55が介装されている。成分液供給源11〜15と自動流量調整弁51〜55との間には、成分液レギュレータ31〜35が介装されており、成分液供給路21〜25の成分液供給圧力を等圧に制御する。 (もっと読む)


【課題】処理槽を洗浄している間に異常が発生した場合に、安全を確実に確保できる技術を提供する。
【解決手段】処理槽10を洗浄している間に異常検知部96が異常を検知した場合に、リカバー制御部97が、比抵抗計14から取得した計測値に基づいて処理槽10が純水状態であるか否かを判定し、処理槽10が純水状態でない場合には、比抵抗回復処理を行って、処理槽10を薬液状態から純水状態に移行させる。一方、処理槽10が純水状態である場合には、基板処理装置1をスローリーク状態とする。 (もっと読む)


【課題】有機溶剤を含んだ二酸化炭素を超臨界状態の洗浄剤として、この洗浄剤を洗浄チャンバー内に配された被洗浄物に接触させることにより、前記被洗浄物の洗浄を行う洗浄方法及び洗浄装置において、洗浄時間の短縮化を図ること。
【解決手段】界面活性剤と有機溶剤と超臨界状態の二酸化炭素を混合し、混合流体を被洗浄物に接触させて洗浄する洗浄方法において、前記混合を管内混合手段で行い、該管内混合手段の直後に被洗浄物を配置するとともに、前記混合流体においての重量割合は、二酸化炭素に占める有機溶剤の重量割合を20%以下とし、かつ界面活性剤の重量比率を有機溶剤と略同重量としたことを特徴とする洗浄方法及び洗浄装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】生産性を著しく損なうことなく、処理液の成分濃度を補正することができる処理液供給装置および処理液供給方法を提供する。
【解決手段】処理液投入管25に介装された混合部26には、成分液供給管31,32,33からの成分液(第1薬液、第2薬液および純水)が供給される。これらの成分液混合部26で混合された後に、処理液槽10に投入される。処理液槽10の処理液14の成分濃度は、成分濃度測定器20によって測定される。いずれかの成分濃度の不足が検出されると、処理液槽10内の液面を補給停止液面高まで上昇させるために補給すべき処理液の総量(補給総量)が求められる。この補給総量に基づき、不足成分の濃度を補正できるように各成分液の個別補給量が求められる。この個別補給量の比に等しい流量比で、複数の成分液が混合部26で混合されて、処理液投入管25から処理液槽10に供給される。 (もっと読む)


【課題】開口を通過する基板の汚染を、より効果的に防止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】シャッタ機構19は、開口17を覆うことができる第1シャッタ20と、側壁2Aにおける開口17の上部分である上部領域AUを覆うことができる第2シャッタ21と、第1シャッタ20および第2シャッタ21を昇降させる第1移動機構30とを備えている。第1移動機構30は、第1シャッタ20および第2シャッタ21を、第1シャッタ20が開口17を閉塞し、第2シャッタ21が上部領域2AUの大部分を覆う閉状態と、第1シャッタ20および第2シャッタ21がパスラインPLよりも下方に退避する開状態との間で、鉛直姿勢を維持させつつ昇降させることができる。 (もっと読む)


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