【課題】処理液を用いた処理を、安定的に基板に施すことができる基板処理装置を提供すること、および、このような基板処理装置に適用可能な処理液成分補充方法を提供すること。
【解決手段】薬液キャビネット制御部７２は、処理ユニット４〜７の薬液バルブ３３の開時間を取得し、その薬液バルブ３３に関する累積開時間を算出するとともに、４つの処理ユニット４〜７の４つの薬液バルブ３３の累積開時間の合計を算出する。薬液バルブ３３の累積開時間の合計が予め定める時間に到達すると、成分補充ユニット３は予め定める量の第１成分、第２成分および第３成分を、それぞれ、薬液タンク４０に補充する。
【効果】薬液タンクに溜められている薬液の濃度をほぼ一定に保つことができる。 （もっと読む）

【課題】フッ化水素（ＨＦ）を含む処理ガスにより表面処理する際、被処理物の取り替え等で一時停止した後、ガス状態の安定化工程を省き直ちに処理を再開可能にし、タクト時間を短縮する。
【解決手段】表面処理の実行時には、複数の生成部１０を用いて所要の流量及びフッ化水素濃度の処理ガスを生成し、噴出路画成部２０の噴出路２３，２４，２５に通して被処理物Ｗに噴き付ける。選択手段５１にて一時停止モードを選択すると、フッ化水素を生成する生成部１０の数を減らし、表面処理実行時より小さい流量で、かつ表面処理実行時と略同じフッ化水素濃度の処理ガスを噴出路２３〜２５に通す。 （もっと読む）

【課題】高濃度の炭酸水を簡易かつ迅速に製造することができる炭酸水の製造装置及び製造方法と、この製造装置で製造された炭酸水で電子材料部材を洗浄する方法を提供する。
【解決手段】原水を、原水配管１１を経由して脱気膜モジュール１の液相室１ｂに供給する。真空ポンプ３を作動させて気相室１ｃ内を減圧する。原水に溶解している溶存ガスが、気体透過膜１ａを透過し、気相室及び排気配管１３を経由して系外に排出される。脱気水は、脱気水配管１２を経由して炭酸ガス溶解膜モジュール２の液相室２ｂ内に流入する。また、炭酸ガス供給器４から、炭酸ガス配管１５を経由して気相室１ｃに炭酸ガスを供給する。所定量の炭酸ガスが、気体透過膜２ａを透過し、液相室２ｂ内の脱気水に溶解する。この炭酸ガスを溶解させた脱気水は、炭酸水配管１４から流出する。 （もっと読む）

【課題】別の処理ユニットからのケミカル雰囲気の進入を抑制できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板を保持する基板保持部４２、及び基板に処理液を供給する供給ノズル６１と、この供給ノズル６１を待機位置から基板保持部４２の上方に旋回させるシャフト６３とを有する処理液供給部４１を備えた複数の基板処理部２２と、基板処理部２２の各々を互いに独立して収容する複数のチャンバ４３と、待機位置の各々に設けられ、供給ノズル６１から吐出される処理液を受ける排液ポート８２と、排液ポート８２の各々が接続され、複数の基板処理部２２で共有される主排液配管８１と、排液ポート８２と主排液配管８１との間の各々に設けられ、主排液配管８１からの気体の進入を防ぐ進入防止弁８５と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】瞬時にベーパーを生成して基板上に供給して基板を乾燥でき、しかも腐食されることなく、クリーンな洗浄及び乾燥ができるベーパー乾燥装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを支持する洗浄装置と、複数種類の処理液を選択的に供給する処理液供給ユニット３１と、一端側が前記処理液供給ユニット３１に接続され、他端側に前記洗浄装置に接続されるベーパー供給管２６を有し、前記処理液供給ユニット３１から供給された処理液を流通する流通路を有する石英ガラス管１４と、前記石英ガラス管１４の内側に前記流通路と隔離された状態に設けられたロッドヒーター２７と、前記石英ガラス管１４の外側に設けられ、前記ロッドヒーター２７を加熱し、輻射熱によって前記流通路を流通する前記処理液を加熱あるいは気化して前記ベーパー供給管２６に導く加熱手段としてのハロゲンランプ２８を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数種類の液体を用いる基板処理方法において、液体を用いた処理の後に基板上に残留している当該液体を、次に使用される液体によって迅速かつより確実に置換することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理方法は、処理液によって基板Ｗを処理する工程と、基板上に置換液を供給し、基板上に残留する処理液を置換液で置換する工程と、を備える。置換する工程に用いられる置換液は、処理液の表面張力よりも小さい表面張力を有し、かつ、処理液の密度と同一の密度を有する。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を精度よく処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の基板を洗浄する基板処理装置は、固定アーム１９によって水平姿勢で保持された基板Ｗの下面を覆う下部板２１と、この下部板２１に対向配置されて基板Ｗの上面を覆う上部板３１とを備えて構成される処理部３３を、上下方向に複数積層し、さらに、固定アーム１９等を縦軸芯Ｐ周りに回転させる電動モータ１１と、下部板２１に対して上部板３１を上下方向に接離させて、下部板２１と上部板３１との間隔であるギャップＧを可変する昇降機構２３と、を備えている。この基板処理装置によれば、下部板２１に対して上部板３１を上昇または下降させることで、下部板２１と上部板３１との間隔であるギャップＧを可変する。これにより、固定アーム１９に基板Ｗを保持させる動作や、
基板の処理をそれぞれ適切に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】排気を分散させることによって乾燥不良を防止することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】真空ポンプによって排気機構７５を介してチャンバ内の気体を排出するが、排気機構７５はチャンバ内の気体を複数箇所から排気するので、チャンバ内において排気が偏りにくい。したがって、溶剤ノズルによってチャンバ内に形成された溶剤蒸気雰囲気が偏ることを防止でき、処理液から露出された基板Ｗに付着している液滴が偏って引かれることを防止できる。その結果、基板の乾燥不良を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】基板上にエッチング処理により形成された凹部に露出する低誘電率絶縁膜から水分を脱離させた上で新たな水分を吸収し難くすることができるとともに，エッチング処理などにより凹部に露出する金属層に形成された不所望の金属化合物を除去する。
【解決手段】ウエハを所定の温度に加熱しつつ，このウエハ上に水素ラジカルを供給することによって，凹部に露出した金属層の表面をクリーニングするとともに，低誘電率絶縁膜を脱水する水素ラジカル処理工程（ステップＳ１３０）と，水素ラジカル処理が施されたウエハに所定の処理ガスを供給することによって，凹部に露出した低誘電率絶縁膜を疎水化する疎水化処理工程（ステップＳ１５０）とを有し，水素ラジカル処理工程と疎水化処理工程とを大気に晒すことなく連続して行う。 （もっと読む）

【課題】状況に応じて減圧手法を使い分けることにより、基板に対してプロセス的に悪影響が及ぶことを防止することができる。
【解決手段】制御部７７は、第１の処理では、排気機構７１を操作して、真空ポンプ６９により高速排気させ、第２の処理では、排気機構７１を操作して、真空ポンプ６９により低速排気させる。第１の処理では基板Ｗが処理槽１内の処理液に浸漬された状態であるので、短時間で減圧されても基板Ｗはプロセス的な悪影響を受け難い。一方、第２の処理では、基板Ｗが処理液から引き上げられ、チャンバ２７内に露出した状態であるので、基板Ｗは急速な減圧によるプロセス的な悪影響を受ける恐れがある。そこで、第２の処理では、低速排気によって徐々に減圧することにより、急速な減圧を抑制して基板
Ｗに対してプロセス的に悪影響が及ぶことを防止できる。 （もっと読む）

【課題】間隙空間内を流通する洗浄液の流速にかかわらず、洗浄液に超音波振動を十分に付与して基板表面を良好に洗浄することができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板表面Ｗｆに対向して近接部材２１の下面２１１が離間配置される。そして、基板表面Ｗｆと下面２１１とで挟まれた間隙空間ＳＰに洗浄液が供給されるとともに、近接部材２１を介して洗浄液に超音波振動が付与される。また、近接部材２１が基板表面Ｗｆに沿って移動するが、基板Ｗに対する近接部材２１の相対移動に応じてノズル３１からの洗浄液の吐出流量が変更されて間隙空間ＳＰを流通する洗浄液の流速が変化する。間隙空間ＳＰへの洗浄液の供給は近接部材２１の側面２１２に向けてノズル３１から洗浄液を吐出することで側面２１２から間隙空間ＳＰに洗浄液を回り込ませることで行われる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ乾燥時にウェーハ表面にウォータマークが形成されないようにすると共に、ウェーハの乾燥効率及び品質性能を向上させる。
【解決手段】排水制御水引き乾燥装置１は、ウェーハ３上面が液体２の水面に極力近接するようにウェーハ３を保持する保持部材５と、ウェーハ３上面中央部の上方に設けられた供給ノズル７と、椀型の水槽４の底面中央部に形成された排水口１７と、排水口１７の下流側に設置された流量制御弁１９を具備する。ウェーハ３上面中央部に供給ノズル７からＩＰＡ蒸気及び／又は窒素ガスを吹き付けて表面張力を低下させた後、排水口１７から液体２を排出させることにより、水面を低下させながらウェーハ３表面を蒸発乾燥させる。又、ＩＰＡ蒸気および窒素ガスＮ２の圧力と流速、並びに、排水口１７からの排水速度は可変調整可能に構成する。 （もっと読む）

【課題】洗浄薬液の混合比を正確に求め、必要量の薬液補充を行うことにより薬液濃度を制御して、被エッチング膜に対するエッチング量を容易に制御する。
【解決手段】薬液交換時において、薬液槽１に供給される薬液２１，２２，２３の供給流量を、それぞれの薬液流量計３１，３２，３３により測定する。測定された流量にて演算部７において供給時間が計算され、供給流量と供給時間の積分値から各薬液の総投入量を算出する。各薬液の総投入量から混合比を求めて薬液濃度を算出する。このとき算出された濃度が設定濃度と異なる場合、所望する薬液濃度となるように各薬液の補充量を演算部７で算出し、補充量を供給時間を可変させることにより調整する。演算部７で算出された供給時間にわたり、補充する薬液のみミキシングバルブ４を開いて薬液槽１に薬液を供給し、薬液濃度を調整する。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部の所定範囲を精度良く良好に処理できるようにすること。
【解決手段】本発明では、基板（ウエハＷ）の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理装置(1)において、基板(W)の周縁部を処理するための周縁処理装置(4)と、周縁処理装置(4)に対して相対的に回転する基板(W)を保持するための基板保持装置(3)とを有し、周縁処理装置(4)は、基板(W)の周縁部に処理液を供給する処理液供給部(9)と、基板(W)に向けてガスを噴出するガス噴出部(10)とを有し、ガス噴出部(10)を処理液供給部(9)よりも基板(W)の周縁部に対して内側に隣設した。そして、基板(W)を周縁処理装置(4)に対して相対的に回転させ、処理液供給部(9)から基板(W)の周縁部に処理液を供給するとともに、処理液供給部(9)よりも基板(W)の内側に隣設したガス噴出部(10)から基板(W)に向けてガスを噴出して、基板(W)の周縁部の処理を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】ウェーハが洗浄装置のスピンナーテーブルに保持された状態が長くなった場合においても、ウェーハを容易に搬出できるようにする。
【解決手段】ウェーハを吸引保持する保持面２５０ｄを有し回転可能なスピンナーテーブル２５０と、保持面２５０ｄに吸引力を伝達する吸引源２５２と、スピンナーテーブル２５０に保持されたウェーハに洗浄水を供給する洗浄水供給ノズル２５１とを少なくとも備えた洗浄装置２５において、保持面２５０ｄにおいては吸引源２５２に連通する細孔が開口し、吸引源２５２は、スピンナーテーブル２５０の回転時に作用する第一の吸引力とスピンナーテーブル２５０の停止時に作用する第二の吸引力とを選択する切り替え部を有する。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦレジスト膜等の難剥離性膜を容易に除去することができる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ＡｒＦレジスト膜を伴ったウエハからこのＡｒＦレジスト膜を除去する処理方法である。ＡｒＦレジスト膜に紫外線照射処理を施し、次にＡｒＦレジスト膜にオゾンガスと水蒸気を供給して処理することにより、このＡｒＦレジスト膜を水溶性に変性させる。その後、水溶性に変性したＡｒＦレジスト膜に純水を供給することにより、ＡｒＦレジスト膜を基板から剥離する。チャンバに水蒸気とオゾンを供給する際には、チャンバ内に収容されたウエハに結露が生じないように、チャンバへ水蒸気を一定流量で供給しながら、水蒸気に対するオゾンの供給量を減少させる。 （もっと読む）

【課題】純水使用量を節減しつつ研磨後のウェハに処理速度を高めた洗浄処理を施し、複数の洗浄処理槽を洗浄処理プロセス等に応じて、より最適な配列に入れ替え並べ替えることを可能とした装置構成の洗浄装置を提供する。
【解決手段】それぞれ複数の洗浄処理槽２ａ〜２ｄ，２ｅ〜２ｈを備えた洗浄ライン２Ａ，２Ｂを下層及び上層の２段に構成するとともに、下層及び上層の各洗浄処理槽２ａ〜２ｈに対し、被処理ウェハを搬入する機能及び処理されたウェハを搬出する機能を持つ中央搬送手段６と、下層及び上層の各洗浄ライン２Ａ，２Ｂにおいて隣合う洗浄処理槽へウェハを順次搬送する槽間搬送手段１６と、上層の洗浄ライン２Ｂにおける精密洗浄を行う洗浄処理槽で使用した純水を、下層の洗浄ライン２Ａにおける粗洗浄を行う洗浄処理槽に当該粗洗浄用の洗浄水として導入する導入手段とを具備する洗浄装置を提供するものである。 （もっと読む）

【課題】遠心分離による半導体基板の洗浄乾燥時において半導体基板表面にウォータマークが形成されないようにする。
【解決手段】回転盤１１と共に回転する半導体基板１２に洗浄水Ｗを吹き付ける洗浄ノズル２０、２１を備え、回転盤１１及び洗浄ノズル２０、２１は開閉可能な上カバー４を有するチャンバ２内に設置し、上カバー４には半導体基板１２に窒素ガスＮ２を吹き付ける窒素ガス供給ノズル２２を設け、チャンバ２内に窒素ガスＮ２を充満・増圧させた状態で半導体基板１２を洗浄乾燥させる。又、窒素ガスＮ２は半導体基板１２の上面中央部に吹き付け可能とし、窒素ガスＮ２の圧力又は流速は可変調整可能にする。更に、チャンバ２の下底部には開度調整可能な開閉弁６付きのドレーン５を設ける。 （もっと読む）

【課題】処理ムラをなくすると共に処理槽内に持ち込まれたゴミなどを効率よく排出して処理効率をよくした基板処理装置を提供すること。
【解決手段】上方を開口させ内部に処理液供給管４１〜４４が配設された有底の処理槽２と、処理液供給管へ処理液を供給する制御手段６とを備え、処理槽２は、対向する一対の第１、第２側壁２ｂ、２ｃを有し、これらの第１、第２側壁の底側壁に、上下段に第１、第２及び第３、第４処理液供給管４１〜４４をそれぞれ固定する。制御手段６は、第１乃至第４処理液供給管を第１と第４処理液供給管４１、４４を組み合わせた第１組と、第２と第３処理液供給管４２、４３を組み合わせた第２組とに分けて、いずれか一方の組の各処理液供給管に処理液を供給して、処理槽内に第１方向の渦流を連続して生成する。 （もっと読む）

【課題】 基板表面に形成される被膜のうち、基板の端縁部表面の端縁部被膜に処理液を吐出して、端縁部被膜を除去するときに、ピンホール発生頻度を低減することができるとともに、被膜除去性が充分に発揮できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 端縁部被膜１６に向けて処理液の吐出を開始する処理液吐出初期工程および処理液の吐出を停止する処理液吐出終期工程において、処理液供給管６内を流れる処理液をバイパス配管１０に分岐して流して、処理液吐出ノズル５から吐出する処理液吐出流量が小さくなるように設定し、ピンホール発生頻度を低減する。また処理液吐出中期工程において、処理液吐出流量が大きくなるように設定し、端縁部被膜１６を完全に除去する。 （もっと読む）