基板処理装置
【課題】状況に応じて減圧手法を使い分けることにより、基板に対してプロセス的に悪影響が及ぶことを防止することができる。
【解決手段】制御部７７は、第１の処理では、排気機構７１を操作して、真空ポンプ６９により高速排気させ、第２の処理では、排気機構７１を操作して、真空ポンプ６９により低速排気させる。第１の処理では基板Ｗが処理槽１内の処理液に浸漬された状態であるので、短時間で減圧されても基板Ｗはプロセス的な悪影響を受け難い。一方、第２の処理では、基板Ｗが処理液から引き上げられ、チャンバ２７内に露出した状態であるので、基板Ｗは急速な減圧によるプロセス的な悪影響を受ける恐れがある。そこで、第２の処理では、低速排気によって徐々に減圧することにより、急速な減圧を抑制して基板
Ｗに対してプロセス的に悪影響が及ぶことを防止できる。
【解決手段】制御部７７は、第１の処理では、排気機構７１を操作して、真空ポンプ６９により高速排気させ、第２の処理では、排気機構７１を操作して、真空ポンプ６９により低速排気させる。第１の処理では基板Ｗが処理槽１内の処理液に浸漬された状態であるので、短時間で減圧されても基板Ｗはプロセス的な悪影響を受け難い。一方、第２の処理では、基板Ｗが処理液から引き上げられ、チャンバ２７内に露出した状態であるので、基板Ｗは急速な減圧によるプロセス的な悪影響を受ける恐れがある。そこで、第２の処理では、低速排気によって徐々に減圧することにより、急速な減圧を抑制して基板
Ｗに対してプロセス的に悪影響が及ぶことを防止できる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板（以下、単に基板と称する）等の基板に対して、処理液により洗浄、エッチング等の処理を行った後、基板を乾燥させる基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の装置として、処理液を貯留する処理槽と、処理槽を囲うチャンバと、基板を支持して処理位置と乾燥位置とにわたって昇降自在のリフタと、チャンバに連通接続された排気管と、排気管に配設された開閉弁と、排気管に配設され、チャンバ内の気体を排出する真空ポンプと、各部を統括制御する制御部とを備えたものがある（例えば、特許文献１，２参照）。
【０００３】
上記のように構成された基板処理装置では、処理槽に処理液を貯留した状態でリフタを処理位置に位置させて、基板に対して処理液による処理（例えば、純水洗浄）を行う。そして、開閉弁を開放して真空ポンプを作動させ、チャンバ内を減圧するとともに、溶剤の蒸気、例えば、イソプロピルアルコール（IPA）の蒸気をチャンバ内に供給する。所定の減圧度に達したら、開閉弁を閉止するとともに真空ポンプを停止させ、チャンバ内を溶剤雰囲気にする。そして、リフタを乾燥位置に上昇させ溶剤蒸気を基板に付着させ、基板に付着している液滴を溶剤で置換させる。その後、基板に付着した溶剤を液滴とともに蒸発させるために、真空ポンプを再始動させるとともに、開閉弁を開放させてチャンバ内をさらに減圧させる。
【特許文献１】特開２００７−１２８５９号公報
【特許文献２】特開２００７−１２８６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、真空ポンプを再始動する際には、既にチャンバ内が減圧されている関係上、真空ポンプがその減圧度より低い減圧度で排気できる状態となってから開閉弁を開放させる必要がある。したがって、開閉弁を開放した際には、チャンバ内が急激に減圧されることになり、減圧手段がある側にパーティクルが集中し、チャンバ内で露出された状態の基板にパーティクルが付着して、プロセス的に悪影響が生じることがある。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、状況に応じて減圧手法を使い分けることにより、基板に対してプロセス的に悪影響が及ぶことを防止することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、処理液により処理された基板を溶剤蒸気により乾燥させる基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽の周囲を囲うチャンバと、基板を支持し、前記処理槽内の処理位置と前記処理槽の上方にあたる乾燥位置とにわたって昇降可能な基板支持機構と、前記チャンバに連通接続された排気管と、前記排気管を介して前記チャンバ内の気体を排気する排気手段と、前記排気管に配設され、排気流量を調整可能な排気機構と、前記基板支持機構を処理位置に移動させた状態における第１の処理では、前記排気機構を操作して高速排気させ、前記基板支持機構を処理位置から乾燥位置に移動させた状態における第２の処理では、前記排気機構を操作して低速排気させる制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。
【０００７】
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、制御手段は、基板支持機構を処理位置に移動させた状態における第１の処理では、排気機構を操作して、排気手段により高速排気させ、基板支持機構を乾燥位置に移動させた状態における第２の処理では、排気機構を操作して、排気手段により低速排気させる。第１の処理では基板が処理槽内の処理液に浸漬された状態であるので、短時間で減圧されても基板はプロセス的な悪影響を受け難い。一方、第２の処理では、基板が処理液から引き上げられ、チャンバ内に露出した状態であるので、基板は急速な減圧によるプロセス的な悪影響を受ける恐れがある。そこで、第２の処理では、低速排気によって徐々に減圧することにより、急速な減圧を抑制して基板に対してプロセス的に悪影響が及ぶことを防止することができる。
【０００８】
また、本発明において、前記排気機構は、複数の制御弁が並設され、前記制御手段は、前記第１の処理において全ての制御弁を開放し、前記第２の処理において各制御弁を順次に開放することが好ましい（請求項２）。複数の制御弁を全て開放すると高速排気が可能となり、各制御弁を順次に開放すると低速排気が可能となる。複数個の制御弁を同時に開放するか、順次に開放してゆくかの簡易な制御で高速排気と低速排気の減圧手法を使い分けることができる。
【０００９】
また、本発明において、前記複数の制御弁は、エアの供給及び排出によって開度を調節可能なエア駆動弁であり、前記制御手段は、前記第２の処理において各制御弁を順次に開放するにあたり、各々の制御弁の開度を徐々に大きくすることが好ましい（請求項３）。各エア制御弁を閉止から開放へ単純に切り替えるのではなく、開度を徐々に大きくしてゆくことにより、階段状に減圧度が低下するのではなく、各階段が傾斜した状態で滑らかに減圧することができる。したがって、圧力変動による悪影響をより抑制できる。
【００１０】
また、本発明において、前記排気機構は、エアの供給及び排出によって開度を調節可能な一つのエア駆動弁を備え、前記制御手段は、第１の処理時には前記エア駆動弁の開度を最大とし、第２の処理時には前記エア駆動弁の開度を徐々に大きくしてゆくことが好ましい（請求項４）。一つのエア駆動弁の開度を徐々に大きくすることにより、圧力変動を滑らかにすることができるので、圧力変動による悪影響をより抑制することができる。
【００１１】
また、本発明において、前記チャンバ内に溶剤蒸気を供給する溶剤蒸気供給手段と、前記チャンバ内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを備え、前記第１の処理は、処理液で基板に処理を行った後、前記溶剤蒸気供給手段から溶剤蒸気を前記チャンバ内に供給するまでの処理であり、前記第２の処理は、前記第１の処理の後、前記不活性ガス供給手段から不活性ガスを供給させつつ、基板に凝縮した溶剤蒸気を蒸発させる処理であることが好ましい（請求項５）。溶剤蒸気供給手段から溶剤蒸気をチャンバ内に供給する第１の処理までは、基板が処理液に浸漬された処理位置にあるので高速排気でもよく、その後に不活性ガス供給手段から不活性ガスを供給させつつ溶剤蒸気を蒸発させる第２の処理は、基板がチャンバ内に露出した状態であるので低速排気にする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る基板処理装置によれば、制御手段は、基板支持機構を処理槽内の処理位置に移動させた状態における第１の処理では、排気機構を操作して、排気手段により高速排気させ、基板支持機構を乾燥位置に移動させた状態における第２の処理では、排気機構を操作して、排気手段により低速排気させる。第１の処理では基板が処理槽内の処理液に浸漬された状態であるので、短時間で減圧されても基板はプロセス的な悪影響を受け難い。一方、第２の処理では、基板が処理液から引き上げられ、チャンバ内に露出した状態であるので、低速排気によって徐々に減圧することにより、急速な減圧によるチャンバ内でのパーティクルの集中が抑制される結果、基板へのパーティクルの付着が抑制されて基板に対してプロセス的に悪影響が及ぶことを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
図１は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。
【００１４】
本実施例に係る基板処理装置は、処理液を貯留する処理槽１を備えている。この処理槽１は、処理液を貯留し、起立姿勢とされた複数枚の基板Ｗを収容可能に構成されている。処理槽１の底部には、複数枚の基板Ｗが整列されている方向（紙面方向）に沿って長軸を有し、処理液を供給するための二本の噴出管７が配設されている。各噴出管７には、供給管９の一端側が接続され、供給管９の他端側は、処理液供給源１５に連通接続されており、その流量が制御弁からなる処理液弁１７で制御される。処理液供給源１５は、フッ化水素酸や、硫酸・過酸化水素水の混合液などの薬液や、純水などを処理液として供給管９に供給する。
【００１５】
処理槽１は、その周囲がチャンバ２７で囲われている。チャンバ２７は、上部に開閉自在の上部カバー２９を備えている。起立姿勢で複数枚の基板Ｗを保持するリフタ３１は、チャンバ２７の上方にあたる「待機位置」と、処理槽１の内部にあたる「処理位置」と、処理槽１の上方であってチャンバ２７の内部にあたる「乾燥位置」とにわたって移動可能に構成されている。
【００１６】
なお、リフタ３１が本発明における基板支持機構に相当する。
【００１７】
上部カバー２９の下方であってチャンバ２７の上部内壁には、一対の溶剤ノズル３３と、一対の不活性ガスノズル３４とが配設されている。溶剤ノズル３３には、供給管３５の一端側が連通接続されている。その他端側は、蒸気発生タンク３７に連通接続されている。この供給管３５には、その上流側から順に、溶剤蒸気の流量を調整するための制御弁からなる蒸気弁３８と、溶剤蒸気を加熱するためのインラインヒータ４０とが配設されている。なお、供給管３５は、従来装置の供給管よりも大径（９．５２ｍｍ程度）で構成され、供給管３５の中における溶剤蒸気の流路抵抗を小さくして溶剤ノズル３３への溶剤蒸気の供給が円滑に行われる。供給管３５が溶剤蒸気を加熱するインラインヒータ４０を備えていることにより、発生された溶剤蒸気が供給管３５で凝縮することを軽減でき、溶剤濃度が低下することを防止できる。
【００１８】
蒸気発生タンク３７は、蒸気発生空間である内部空間を所定温度に温調したり、加熱して溶剤の蒸気を発生させたりする。蒸気発生タンク３７の内部空間には、溶剤を供給するための溶剤供給源４３が連通接続されている。この例では、溶剤としてイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）が利用されている。なお、溶剤としては、ＩＰＡの他に、例えば、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）がある。
【００１９】
不活性ガスノズル３４には、供給管４５の一端側が連通接続されている。供給管４５の他端側は、不活性ガスを供給する不活性ガス供給源４７に連通接続されている。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガス（Ｎ２）が挙げられる。不活性ガスの供給量は、供給管４５に設けられた不活性ガス弁４９によって調整される。不活性ガス弁４９の下流側には、インラインヒータ５０が取り付けられている。このインラインヒータ５０は、不活性ガス供給源４７からの不活性ガスを所定温度に加熱する。
【００２０】
処理槽１の底部には、排出口５７が配設されている。この排出口５７には、ＱＤＲ弁５９が取り付けられている。このＱＤＲ弁５９から処理槽１内の処理液を排出すると、処理液がチャンバ２７内の底部に一旦排出される。チャンバ２７の底部には、排出管６３が取り付けられ、ここには排液弁６５が取り付けられている。
【００２１】
チャンバ２７の一部位には、排気管６７が配設されている。排気管６７の端部には、本発明における排気手段に相当する真空ポンプ６９が取り付けられている。排気管６７には、後述する排気機構７１が取り付けられている。また、チャンバ２７には、減圧状態を解消するための制御弁からなる呼吸弁７３が取り付けられているとともに、内部の圧力を検出するための圧力計７５が配設されている。
【００２２】
上述した処理液弁１７、上部カバー２９、リフタ３１、蒸気発生タンク３７、蒸気弁３８、インラインヒータ４０、不活性ガス弁４９、インラインヒータ５０、ＱＤＲ弁５９、排液弁６５、真空ポンプ６９、排気機構７１などの動作は、本発明における制御手段に相当する制御部７７によって統括的に制御される。制御部７７は、各部を制御するとともに、以下に詳述するように、処理に応じて排気機構７１の操作を行う。
【００２３】
排気機構７１は、３個のエア駆動弁７９を並設されている。各エア駆動弁７９は、同一の構成であるので、以下の説明においては、一つのエア駆動弁７９を例にとって説明する。なお、エア駆動弁７９が本発明における制御弁に相当する。
【００２４】
エア駆動弁７９は、処理液の入口と出口とを有する流路８１が形成された弁箱８３を備えている。流路２７の中央部付近には、弁座８５は、その部分に当接または離間して流路８１を流通する処理液の流れを直接的に制御する弁体８７の外形にほぼ一致するように形成されている。弁体８７には、弁棒８９の一端が連結されている。また、弁箱８３には、弁棒８９を弁座８５側に進退可能に保持する保持部９１が備えられている。この保持部９１にはシリンダ９３が形成されているとともに、ここには弁棒８９の他端に連動連結されたピストン９５が摺動自在に備えられている。ピストン９５は、通常状態では弁体８７が弁座８５に対して当接するように、圧縮コイルバネ９７により付勢されている。
【００２５】
また、保持部９１は、ピストン９５を挟む位置に第１の貫通孔９９と第２の貫通孔１０１を備えている。第１の貫通孔９９は、電磁弁１０３によってエア供給源からエアの供給が制御される。また、第２の貫通孔１０１は、大気に開放されている。この電磁弁１０３は、制御部７７によって制御される。例えば、電磁弁１０３を作動させると、シリンダ９３内おいてピストン９５がエアの供給量に応じて第２の貫通孔１０１側に移動され、その移動量に応じて弁体８７が弁座８５から離間する。その一方、電磁弁１０３の動作を停止させると、ピストン９５が圧縮コイルバネ９７の付勢方向に戻り、弁体８７が弁座８５に当接する。したがって、電磁弁１０３の作動量を調整することにより、エア駆動弁７９を流通する気体の流量をゼロから最大または最大からゼロに一気に調整したり、ゼロから最大または最大からゼロに直線的に調整したりすることができる。
【００２６】
制御部７７は、上述した構成の排気機構７１を、次のように処理に応じて操作する。ここで、図３及び図４を参照する。なお、図３は、高速排気時における排気機構の開度調節及び圧力変化を示した模式図であり、図４は、低速排気時における排気機構の開度調節及び圧力変化を示した模式図である。
【００２７】
まず、第１の処理時には、真空ポンプ６９を最大能力で作動させた状態で、全てのエア駆動弁７９を同時に開放させる高速排気である。具体的には、図３に示すように、ｔ１時点で全エア駆動弁７９の電磁弁１０３を開放させ、その状態を維持させる。すると、チャンバ２７の圧力が大気圧から第１目標圧に向かって急激に下がってゆく。
【００２８】
次いで、第２の処理時には、真空ポンプ６９を最大能力で作動させた状態で、全てのエア駆動弁７９について所定間隔をおいて順に一つずつ開放させてゆく低速排気である。すると、チャンバ２７の圧力が第１目標圧から第２目標圧に向かって階段状に次第に低下してゆく。
【００２９】
但し、第１の処理時における、大気圧から第１目標圧にまで低下する時間Ｔ１は、第１目標圧から第２目標圧にまで低下する時間Ｔ２よりも短い。例えば、時間Ｔ１は１分程度である一方、時間Ｔ２は３分程度である。
【００３０】
上記の第１の処理は、例えば、リフタ３１が処理位置にあって基板Ｗが処理槽１内の処理液に浸漬されて処理が行われ、その後、イソプロピルアルコールの蒸気が溶剤ノズル３３からチャンバ２７内に供給されるまである。この状態では、処理液中に基板Ｗが浸漬されているので、減圧が急激に行われても、基板Ｗに対してプロセス的に悪影響が及び難い。上記の第２の処理は、例えば、第１の処理の後、リフタ３１が乾燥位置に移動されて基板Ｗでのイソプロピルアルコールの置換が行われ、不活性ガスノズル３４から不活性ガスが供給されて基板Ｗに凝縮したイソプロピルアルコールが蒸発される処理である。第２の処理では、基板Ｗが処理液から露出した状態であるので、急激な減圧を行うことにより、基板Ｗにプロセス的に悪影響が及ぶ恐れがあるからである。
【００３１】
次に、図５を参照して、上述した基板処理装置の動作について説明する。なお、図５は、基板処理装置の動作を示すフローチャートである。
【００３２】
ステップＳ１〜Ｓ３
上部カバー２９を開放した状態で、基板Ｗを支持したリフタ３１を待機位置から乾燥位置へと下降させ、上部カバー２９を閉止させる。そして、処理液弁１７を開放させて、薬液を含む処理液を処理槽１に供給する。次いで、リフタ３１を処理位置にまで下降させて、基板Ｗを処理液に浸漬させる。これを所定時間だけ維持させた後、処理液供給源１５から純水だけを処理液として処理槽１に供給させる。なお、処理槽から溢れた処理液は、チャンバ２７の底部に貯留され、排出管６３を通してチャンバ２７外へ排出される。この水洗処理を所定時間だけ行って基板Ｗに対して洗浄を行わせる。
【００３３】
ステップＳ４
水洗処理が終わった後、処理液弁１７を閉止して処理液としての純水の供給を停止させるとともに、ＱＤＲ弁５９を開放して、処理槽１内の純水を急速排水させる。その後、不活性ガス弁４９を開放させて、不活性ガスノズル４３から不活性ガスをチャンバ２７内に供給させ、チャンバ２７内の酸素をパージする。
【００３４】
ステップＳ５，Ｓ６
チャンバ２７内の酸素濃度が低減された後、不活性ガス弁４９及び排液弁６５を閉止するとともに、真空ポンプ６９を作動させる。そして、最大排気が可能となった状態において、図３に示すように排気機構７１を作動させてチャンバ２７内の圧力を大気圧から第１目標圧に向けて減圧を開始させる。第１目標圧に達したか否かは、圧力計７５によって確認する。このとき、排気機構７１は、上述した高速排気となるように制御部７７によって操作されている。高速排気を行うことにより、迅速に減圧環境を作り出すことができ、スループットを向上させることができる。
【００３５】
ステップＳ７，Ｓ８
排気機構７１を停止させてチャンバ２７を第１目標圧で減圧状態とし、リフタ３１を乾燥位置にまで上昇させる。さらに、インラインヒータ４０を加熱状態とするとともに、蒸気弁３８を開放して、所定流量でイソプロピルアルコール蒸気を溶剤ノズル３３からチャンバ２７内に供給させる。これにより、チャンバ２７内がイソプロピルアルコールの蒸気雰囲気とされ、基板Ｗに付着している純水がイソプロピルアルコールによって置換される。
【００３６】
ステップＳ９，Ｓ１０
真空ポンプ６９を作動させ、最大排気が可能となった状態において、図４に示すように排気機構７１を作動させてチャンバ２７内の圧力を第１目標圧から第２目標圧に向けて減圧を開始させる。このとき、排気機構７１は、上述した低速排気となるように制御部７７によって操作されている。このとき、不活性ガス弁４９を調節して、インラインヒータ５０を介して加熱した不活性ガスを所定流量で不活性ガスノズル３４から供給する。
【００３７】
ステップＳ１１，Ｓ１２
不活性ガス弁４９及び真空ポンプ６９を停止させるとともに、呼吸弁７３を開放してチャンバ２７内を大気圧に戻す。そして、上部カバー２９を開放するとともに、リフタ３１を待機位置に上昇させる。
【００３８】
上述したように、制御部７７は、リフタ３１を処理位置に移動させた状態における第１の処理では、排気機構７１を操作して、真空ポンプ６９により高速排気させ、リフタ３１を乾燥位置に移動させた状態における第２の処理では、排気機構７１を操作して、真空ポンプ６９により低速排気させる。第１の処理では基板Ｗが処理槽１内の処理液に浸漬された状態であるので、短時間で減圧されても基板Ｗはプロセス的な悪影響を受け難い。一方、第２の処理では、基板Ｗが処理液から引き上げられ、チャンバ２７内に露出した状態であるので、基板Ｗは急速な減圧によるプロセス的な悪影響を受ける恐れがある。そこで、第２の処理では、低速排気によって徐々に減圧することにより、急速な減圧を抑制して基板
Ｗに対してプロセス的に悪影響が及ぶことを防止することができる。
【００３９】
また、上述したように、二種類の減圧手法を使い分け、急速に減圧が必要なときは高速排気を行うので、スループットを向上させることがない。
【００４０】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００４１】
（１）上述した実施例では、全てのエア駆動弁７９について所定間隔をおいて順に一つずつ開放させてゆく低速排気を行ったが、低速排気では図６に示すようにしてもよい。なお、図６は、変形例に係り、低速排気時における排気機構の開度調節及び圧力変化を示す模式図である。
すなわち、各エア駆動弁７９の開度を全閉から瞬時に全開にするのではなく、全閉から徐々に開度を大きくして全開とする。このようにすることにより、圧力変化を緩やかにすることができ、露出した状態の基板Ｗに及ぶ悪影響をより小さくすることができる。
【００４２】
（２）上述した実施例では、排気機構７１を３個のエア駆動弁７９で構成しているが、二つのエア駆動弁７９であってもよい。また、各エア駆動弁７９の開度を全閉から全開に操作する場合には、上述したエア駆動弁７９に代えて、全閉と全開だけの状態をとりうる電磁式の開閉弁を採用してもよい。
【００４３】
（３）上述した実施例では、排気機構７１を３個のエア駆動弁７９で構成しているが、図７に示すように一つのエア駆動弁７９で構成してもよい。なお、図７は、排気機構の変形例を示す縦断面図である。
すなわち、上述した図２におけるエア駆動弁７９単体で排気機構７１とする。但し、その最大流量は、上述した３個のエア駆動弁７９で構成した場合と同程度となるように、流路８１における流路断面積が大きなものであることが好ましい。さらに、制御部６９は、高速排気の際には図８に示すように、全閉から全開となるようにエア駆動弁７９を操作し、低速排気の際には図９に示すように、全閉から徐々に全開となるようにエア駆動弁７９を操作する。なお、減圧にかける時間Ｔ１と時間Ｔ２との関係は、上述した実施例と同様である。
【００４４】
（４）上述した実施例では、処理槽１を単槽構成としているが、内槽と、内槽から溢れた処理液を回収する外槽を備えた構成としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図２】排気機構を示す縦断面図である。
【図３】高速排気時における排気機構の開度調節及び圧力変化を示した模式図である。
【図４】低速排気時における排気機構の開度調節及び圧力変化を示した模式図である。
【図５】基板処理装置の動作を示すフローチャートである。
【図６】変形例に係り、低速排気時における排気機構の開度調節及び圧力変化を示す模式図である。
【図７】排気機構の変形例を示す縦断面図である。
【図８】高速排気時における排気機構の開度調節及び圧力変化を示した模式図である。
【図９】低速排気時における排気機構の開度調節及び圧力変化を示した模式図である。
【符号の説明】
【００４６】
Ｗ … 基板
１ … 処理槽
２７ … チャンバ
３１ … リフタ
３３ … 溶剤ノズル
３４ … 不活性ガスノズル
３７ … 蒸気発生タンク
３８ … 蒸気弁
４０ … インラインヒータ
６７ … 排気管
６９ … 真空ポンプ
７１ … 排気機構
７７ … 制御部
７９ … エア駆動弁
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板（以下、単に基板と称する）等の基板に対して、処理液により洗浄、エッチング等の処理を行った後、基板を乾燥させる基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の装置として、処理液を貯留する処理槽と、処理槽を囲うチャンバと、基板を支持して処理位置と乾燥位置とにわたって昇降自在のリフタと、チャンバに連通接続された排気管と、排気管に配設された開閉弁と、排気管に配設され、チャンバ内の気体を排出する真空ポンプと、各部を統括制御する制御部とを備えたものがある（例えば、特許文献１，２参照）。
【０００３】
上記のように構成された基板処理装置では、処理槽に処理液を貯留した状態でリフタを処理位置に位置させて、基板に対して処理液による処理（例えば、純水洗浄）を行う。そして、開閉弁を開放して真空ポンプを作動させ、チャンバ内を減圧するとともに、溶剤の蒸気、例えば、イソプロピルアルコール（IPA）の蒸気をチャンバ内に供給する。所定の減圧度に達したら、開閉弁を閉止するとともに真空ポンプを停止させ、チャンバ内を溶剤雰囲気にする。そして、リフタを乾燥位置に上昇させ溶剤蒸気を基板に付着させ、基板に付着している液滴を溶剤で置換させる。その後、基板に付着した溶剤を液滴とともに蒸発させるために、真空ポンプを再始動させるとともに、開閉弁を開放させてチャンバ内をさらに減圧させる。
【特許文献１】特開２００７−１２８５９号公報
【特許文献２】特開２００７−１２８６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、真空ポンプを再始動する際には、既にチャンバ内が減圧されている関係上、真空ポンプがその減圧度より低い減圧度で排気できる状態となってから開閉弁を開放させる必要がある。したがって、開閉弁を開放した際には、チャンバ内が急激に減圧されることになり、減圧手段がある側にパーティクルが集中し、チャンバ内で露出された状態の基板にパーティクルが付着して、プロセス的に悪影響が生じることがある。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、状況に応じて減圧手法を使い分けることにより、基板に対してプロセス的に悪影響が及ぶことを防止することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、処理液により処理された基板を溶剤蒸気により乾燥させる基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽の周囲を囲うチャンバと、基板を支持し、前記処理槽内の処理位置と前記処理槽の上方にあたる乾燥位置とにわたって昇降可能な基板支持機構と、前記チャンバに連通接続された排気管と、前記排気管を介して前記チャンバ内の気体を排気する排気手段と、前記排気管に配設され、排気流量を調整可能な排気機構と、前記基板支持機構を処理位置に移動させた状態における第１の処理では、前記排気機構を操作して高速排気させ、前記基板支持機構を処理位置から乾燥位置に移動させた状態における第２の処理では、前記排気機構を操作して低速排気させる制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。
【０００７】
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、制御手段は、基板支持機構を処理位置に移動させた状態における第１の処理では、排気機構を操作して、排気手段により高速排気させ、基板支持機構を乾燥位置に移動させた状態における第２の処理では、排気機構を操作して、排気手段により低速排気させる。第１の処理では基板が処理槽内の処理液に浸漬された状態であるので、短時間で減圧されても基板はプロセス的な悪影響を受け難い。一方、第２の処理では、基板が処理液から引き上げられ、チャンバ内に露出した状態であるので、基板は急速な減圧によるプロセス的な悪影響を受ける恐れがある。そこで、第２の処理では、低速排気によって徐々に減圧することにより、急速な減圧を抑制して基板に対してプロセス的に悪影響が及ぶことを防止することができる。
【０００８】
また、本発明において、前記排気機構は、複数の制御弁が並設され、前記制御手段は、前記第１の処理において全ての制御弁を開放し、前記第２の処理において各制御弁を順次に開放することが好ましい（請求項２）。複数の制御弁を全て開放すると高速排気が可能となり、各制御弁を順次に開放すると低速排気が可能となる。複数個の制御弁を同時に開放するか、順次に開放してゆくかの簡易な制御で高速排気と低速排気の減圧手法を使い分けることができる。
【０００９】
また、本発明において、前記複数の制御弁は、エアの供給及び排出によって開度を調節可能なエア駆動弁であり、前記制御手段は、前記第２の処理において各制御弁を順次に開放するにあたり、各々の制御弁の開度を徐々に大きくすることが好ましい（請求項３）。各エア制御弁を閉止から開放へ単純に切り替えるのではなく、開度を徐々に大きくしてゆくことにより、階段状に減圧度が低下するのではなく、各階段が傾斜した状態で滑らかに減圧することができる。したがって、圧力変動による悪影響をより抑制できる。
【００１０】
また、本発明において、前記排気機構は、エアの供給及び排出によって開度を調節可能な一つのエア駆動弁を備え、前記制御手段は、第１の処理時には前記エア駆動弁の開度を最大とし、第２の処理時には前記エア駆動弁の開度を徐々に大きくしてゆくことが好ましい（請求項４）。一つのエア駆動弁の開度を徐々に大きくすることにより、圧力変動を滑らかにすることができるので、圧力変動による悪影響をより抑制することができる。
【００１１】
また、本発明において、前記チャンバ内に溶剤蒸気を供給する溶剤蒸気供給手段と、前記チャンバ内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを備え、前記第１の処理は、処理液で基板に処理を行った後、前記溶剤蒸気供給手段から溶剤蒸気を前記チャンバ内に供給するまでの処理であり、前記第２の処理は、前記第１の処理の後、前記不活性ガス供給手段から不活性ガスを供給させつつ、基板に凝縮した溶剤蒸気を蒸発させる処理であることが好ましい（請求項５）。溶剤蒸気供給手段から溶剤蒸気をチャンバ内に供給する第１の処理までは、基板が処理液に浸漬された処理位置にあるので高速排気でもよく、その後に不活性ガス供給手段から不活性ガスを供給させつつ溶剤蒸気を蒸発させる第２の処理は、基板がチャンバ内に露出した状態であるので低速排気にする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る基板処理装置によれば、制御手段は、基板支持機構を処理槽内の処理位置に移動させた状態における第１の処理では、排気機構を操作して、排気手段により高速排気させ、基板支持機構を乾燥位置に移動させた状態における第２の処理では、排気機構を操作して、排気手段により低速排気させる。第１の処理では基板が処理槽内の処理液に浸漬された状態であるので、短時間で減圧されても基板はプロセス的な悪影響を受け難い。一方、第２の処理では、基板が処理液から引き上げられ、チャンバ内に露出した状態であるので、低速排気によって徐々に減圧することにより、急速な減圧によるチャンバ内でのパーティクルの集中が抑制される結果、基板へのパーティクルの付着が抑制されて基板に対してプロセス的に悪影響が及ぶことを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
図１は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。
【００１４】
本実施例に係る基板処理装置は、処理液を貯留する処理槽１を備えている。この処理槽１は、処理液を貯留し、起立姿勢とされた複数枚の基板Ｗを収容可能に構成されている。処理槽１の底部には、複数枚の基板Ｗが整列されている方向（紙面方向）に沿って長軸を有し、処理液を供給するための二本の噴出管７が配設されている。各噴出管７には、供給管９の一端側が接続され、供給管９の他端側は、処理液供給源１５に連通接続されており、その流量が制御弁からなる処理液弁１７で制御される。処理液供給源１５は、フッ化水素酸や、硫酸・過酸化水素水の混合液などの薬液や、純水などを処理液として供給管９に供給する。
【００１５】
処理槽１は、その周囲がチャンバ２７で囲われている。チャンバ２７は、上部に開閉自在の上部カバー２９を備えている。起立姿勢で複数枚の基板Ｗを保持するリフタ３１は、チャンバ２７の上方にあたる「待機位置」と、処理槽１の内部にあたる「処理位置」と、処理槽１の上方であってチャンバ２７の内部にあたる「乾燥位置」とにわたって移動可能に構成されている。
【００１６】
なお、リフタ３１が本発明における基板支持機構に相当する。
【００１７】
上部カバー２９の下方であってチャンバ２７の上部内壁には、一対の溶剤ノズル３３と、一対の不活性ガスノズル３４とが配設されている。溶剤ノズル３３には、供給管３５の一端側が連通接続されている。その他端側は、蒸気発生タンク３７に連通接続されている。この供給管３５には、その上流側から順に、溶剤蒸気の流量を調整するための制御弁からなる蒸気弁３８と、溶剤蒸気を加熱するためのインラインヒータ４０とが配設されている。なお、供給管３５は、従来装置の供給管よりも大径（９．５２ｍｍ程度）で構成され、供給管３５の中における溶剤蒸気の流路抵抗を小さくして溶剤ノズル３３への溶剤蒸気の供給が円滑に行われる。供給管３５が溶剤蒸気を加熱するインラインヒータ４０を備えていることにより、発生された溶剤蒸気が供給管３５で凝縮することを軽減でき、溶剤濃度が低下することを防止できる。
【００１８】
蒸気発生タンク３７は、蒸気発生空間である内部空間を所定温度に温調したり、加熱して溶剤の蒸気を発生させたりする。蒸気発生タンク３７の内部空間には、溶剤を供給するための溶剤供給源４３が連通接続されている。この例では、溶剤としてイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）が利用されている。なお、溶剤としては、ＩＰＡの他に、例えば、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）がある。
【００１９】
不活性ガスノズル３４には、供給管４５の一端側が連通接続されている。供給管４５の他端側は、不活性ガスを供給する不活性ガス供給源４７に連通接続されている。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガス（Ｎ２）が挙げられる。不活性ガスの供給量は、供給管４５に設けられた不活性ガス弁４９によって調整される。不活性ガス弁４９の下流側には、インラインヒータ５０が取り付けられている。このインラインヒータ５０は、不活性ガス供給源４７からの不活性ガスを所定温度に加熱する。
【００２０】
処理槽１の底部には、排出口５７が配設されている。この排出口５７には、ＱＤＲ弁５９が取り付けられている。このＱＤＲ弁５９から処理槽１内の処理液を排出すると、処理液がチャンバ２７内の底部に一旦排出される。チャンバ２７の底部には、排出管６３が取り付けられ、ここには排液弁６５が取り付けられている。
【００２１】
チャンバ２７の一部位には、排気管６７が配設されている。排気管６７の端部には、本発明における排気手段に相当する真空ポンプ６９が取り付けられている。排気管６７には、後述する排気機構７１が取り付けられている。また、チャンバ２７には、減圧状態を解消するための制御弁からなる呼吸弁７３が取り付けられているとともに、内部の圧力を検出するための圧力計７５が配設されている。
【００２２】
上述した処理液弁１７、上部カバー２９、リフタ３１、蒸気発生タンク３７、蒸気弁３８、インラインヒータ４０、不活性ガス弁４９、インラインヒータ５０、ＱＤＲ弁５９、排液弁６５、真空ポンプ６９、排気機構７１などの動作は、本発明における制御手段に相当する制御部７７によって統括的に制御される。制御部７７は、各部を制御するとともに、以下に詳述するように、処理に応じて排気機構７１の操作を行う。
【００２３】
排気機構７１は、３個のエア駆動弁７９を並設されている。各エア駆動弁７９は、同一の構成であるので、以下の説明においては、一つのエア駆動弁７９を例にとって説明する。なお、エア駆動弁７９が本発明における制御弁に相当する。
【００２４】
エア駆動弁７９は、処理液の入口と出口とを有する流路８１が形成された弁箱８３を備えている。流路２７の中央部付近には、弁座８５は、その部分に当接または離間して流路８１を流通する処理液の流れを直接的に制御する弁体８７の外形にほぼ一致するように形成されている。弁体８７には、弁棒８９の一端が連結されている。また、弁箱８３には、弁棒８９を弁座８５側に進退可能に保持する保持部９１が備えられている。この保持部９１にはシリンダ９３が形成されているとともに、ここには弁棒８９の他端に連動連結されたピストン９５が摺動自在に備えられている。ピストン９５は、通常状態では弁体８７が弁座８５に対して当接するように、圧縮コイルバネ９７により付勢されている。
【００２５】
また、保持部９１は、ピストン９５を挟む位置に第１の貫通孔９９と第２の貫通孔１０１を備えている。第１の貫通孔９９は、電磁弁１０３によってエア供給源からエアの供給が制御される。また、第２の貫通孔１０１は、大気に開放されている。この電磁弁１０３は、制御部７７によって制御される。例えば、電磁弁１０３を作動させると、シリンダ９３内おいてピストン９５がエアの供給量に応じて第２の貫通孔１０１側に移動され、その移動量に応じて弁体８７が弁座８５から離間する。その一方、電磁弁１０３の動作を停止させると、ピストン９５が圧縮コイルバネ９７の付勢方向に戻り、弁体８７が弁座８５に当接する。したがって、電磁弁１０３の作動量を調整することにより、エア駆動弁７９を流通する気体の流量をゼロから最大または最大からゼロに一気に調整したり、ゼロから最大または最大からゼロに直線的に調整したりすることができる。
【００２６】
制御部７７は、上述した構成の排気機構７１を、次のように処理に応じて操作する。ここで、図３及び図４を参照する。なお、図３は、高速排気時における排気機構の開度調節及び圧力変化を示した模式図であり、図４は、低速排気時における排気機構の開度調節及び圧力変化を示した模式図である。
【００２７】
まず、第１の処理時には、真空ポンプ６９を最大能力で作動させた状態で、全てのエア駆動弁７９を同時に開放させる高速排気である。具体的には、図３に示すように、ｔ１時点で全エア駆動弁７９の電磁弁１０３を開放させ、その状態を維持させる。すると、チャンバ２７の圧力が大気圧から第１目標圧に向かって急激に下がってゆく。
【００２８】
次いで、第２の処理時には、真空ポンプ６９を最大能力で作動させた状態で、全てのエア駆動弁７９について所定間隔をおいて順に一つずつ開放させてゆく低速排気である。すると、チャンバ２７の圧力が第１目標圧から第２目標圧に向かって階段状に次第に低下してゆく。
【００２９】
但し、第１の処理時における、大気圧から第１目標圧にまで低下する時間Ｔ１は、第１目標圧から第２目標圧にまで低下する時間Ｔ２よりも短い。例えば、時間Ｔ１は１分程度である一方、時間Ｔ２は３分程度である。
【００３０】
上記の第１の処理は、例えば、リフタ３１が処理位置にあって基板Ｗが処理槽１内の処理液に浸漬されて処理が行われ、その後、イソプロピルアルコールの蒸気が溶剤ノズル３３からチャンバ２７内に供給されるまである。この状態では、処理液中に基板Ｗが浸漬されているので、減圧が急激に行われても、基板Ｗに対してプロセス的に悪影響が及び難い。上記の第２の処理は、例えば、第１の処理の後、リフタ３１が乾燥位置に移動されて基板Ｗでのイソプロピルアルコールの置換が行われ、不活性ガスノズル３４から不活性ガスが供給されて基板Ｗに凝縮したイソプロピルアルコールが蒸発される処理である。第２の処理では、基板Ｗが処理液から露出した状態であるので、急激な減圧を行うことにより、基板Ｗにプロセス的に悪影響が及ぶ恐れがあるからである。
【００３１】
次に、図５を参照して、上述した基板処理装置の動作について説明する。なお、図５は、基板処理装置の動作を示すフローチャートである。
【００３２】
ステップＳ１〜Ｓ３
上部カバー２９を開放した状態で、基板Ｗを支持したリフタ３１を待機位置から乾燥位置へと下降させ、上部カバー２９を閉止させる。そして、処理液弁１７を開放させて、薬液を含む処理液を処理槽１に供給する。次いで、リフタ３１を処理位置にまで下降させて、基板Ｗを処理液に浸漬させる。これを所定時間だけ維持させた後、処理液供給源１５から純水だけを処理液として処理槽１に供給させる。なお、処理槽から溢れた処理液は、チャンバ２７の底部に貯留され、排出管６３を通してチャンバ２７外へ排出される。この水洗処理を所定時間だけ行って基板Ｗに対して洗浄を行わせる。
【００３３】
ステップＳ４
水洗処理が終わった後、処理液弁１７を閉止して処理液としての純水の供給を停止させるとともに、ＱＤＲ弁５９を開放して、処理槽１内の純水を急速排水させる。その後、不活性ガス弁４９を開放させて、不活性ガスノズル４３から不活性ガスをチャンバ２７内に供給させ、チャンバ２７内の酸素をパージする。
【００３４】
ステップＳ５，Ｓ６
チャンバ２７内の酸素濃度が低減された後、不活性ガス弁４９及び排液弁６５を閉止するとともに、真空ポンプ６９を作動させる。そして、最大排気が可能となった状態において、図３に示すように排気機構７１を作動させてチャンバ２７内の圧力を大気圧から第１目標圧に向けて減圧を開始させる。第１目標圧に達したか否かは、圧力計７５によって確認する。このとき、排気機構７１は、上述した高速排気となるように制御部７７によって操作されている。高速排気を行うことにより、迅速に減圧環境を作り出すことができ、スループットを向上させることができる。
【００３５】
ステップＳ７，Ｓ８
排気機構７１を停止させてチャンバ２７を第１目標圧で減圧状態とし、リフタ３１を乾燥位置にまで上昇させる。さらに、インラインヒータ４０を加熱状態とするとともに、蒸気弁３８を開放して、所定流量でイソプロピルアルコール蒸気を溶剤ノズル３３からチャンバ２７内に供給させる。これにより、チャンバ２７内がイソプロピルアルコールの蒸気雰囲気とされ、基板Ｗに付着している純水がイソプロピルアルコールによって置換される。
【００３６】
ステップＳ９，Ｓ１０
真空ポンプ６９を作動させ、最大排気が可能となった状態において、図４に示すように排気機構７１を作動させてチャンバ２７内の圧力を第１目標圧から第２目標圧に向けて減圧を開始させる。このとき、排気機構７１は、上述した低速排気となるように制御部７７によって操作されている。このとき、不活性ガス弁４９を調節して、インラインヒータ５０を介して加熱した不活性ガスを所定流量で不活性ガスノズル３４から供給する。
【００３７】
ステップＳ１１，Ｓ１２
不活性ガス弁４９及び真空ポンプ６９を停止させるとともに、呼吸弁７３を開放してチャンバ２７内を大気圧に戻す。そして、上部カバー２９を開放するとともに、リフタ３１を待機位置に上昇させる。
【００３８】
上述したように、制御部７７は、リフタ３１を処理位置に移動させた状態における第１の処理では、排気機構７１を操作して、真空ポンプ６９により高速排気させ、リフタ３１を乾燥位置に移動させた状態における第２の処理では、排気機構７１を操作して、真空ポンプ６９により低速排気させる。第１の処理では基板Ｗが処理槽１内の処理液に浸漬された状態であるので、短時間で減圧されても基板Ｗはプロセス的な悪影響を受け難い。一方、第２の処理では、基板Ｗが処理液から引き上げられ、チャンバ２７内に露出した状態であるので、基板Ｗは急速な減圧によるプロセス的な悪影響を受ける恐れがある。そこで、第２の処理では、低速排気によって徐々に減圧することにより、急速な減圧を抑制して基板
Ｗに対してプロセス的に悪影響が及ぶことを防止することができる。
【００３９】
また、上述したように、二種類の減圧手法を使い分け、急速に減圧が必要なときは高速排気を行うので、スループットを向上させることがない。
【００４０】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００４１】
（１）上述した実施例では、全てのエア駆動弁７９について所定間隔をおいて順に一つずつ開放させてゆく低速排気を行ったが、低速排気では図６に示すようにしてもよい。なお、図６は、変形例に係り、低速排気時における排気機構の開度調節及び圧力変化を示す模式図である。
すなわち、各エア駆動弁７９の開度を全閉から瞬時に全開にするのではなく、全閉から徐々に開度を大きくして全開とする。このようにすることにより、圧力変化を緩やかにすることができ、露出した状態の基板Ｗに及ぶ悪影響をより小さくすることができる。
【００４２】
（２）上述した実施例では、排気機構７１を３個のエア駆動弁７９で構成しているが、二つのエア駆動弁７９であってもよい。また、各エア駆動弁７９の開度を全閉から全開に操作する場合には、上述したエア駆動弁７９に代えて、全閉と全開だけの状態をとりうる電磁式の開閉弁を採用してもよい。
【００４３】
（３）上述した実施例では、排気機構７１を３個のエア駆動弁７９で構成しているが、図７に示すように一つのエア駆動弁７９で構成してもよい。なお、図７は、排気機構の変形例を示す縦断面図である。
すなわち、上述した図２におけるエア駆動弁７９単体で排気機構７１とする。但し、その最大流量は、上述した３個のエア駆動弁７９で構成した場合と同程度となるように、流路８１における流路断面積が大きなものであることが好ましい。さらに、制御部６９は、高速排気の際には図８に示すように、全閉から全開となるようにエア駆動弁７９を操作し、低速排気の際には図９に示すように、全閉から徐々に全開となるようにエア駆動弁７９を操作する。なお、減圧にかける時間Ｔ１と時間Ｔ２との関係は、上述した実施例と同様である。
【００４４】
（４）上述した実施例では、処理槽１を単槽構成としているが、内槽と、内槽から溢れた処理液を回収する外槽を備えた構成としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図２】排気機構を示す縦断面図である。
【図３】高速排気時における排気機構の開度調節及び圧力変化を示した模式図である。
【図４】低速排気時における排気機構の開度調節及び圧力変化を示した模式図である。
【図５】基板処理装置の動作を示すフローチャートである。
【図６】変形例に係り、低速排気時における排気機構の開度調節及び圧力変化を示す模式図である。
【図７】排気機構の変形例を示す縦断面図である。
【図８】高速排気時における排気機構の開度調節及び圧力変化を示した模式図である。
【図９】低速排気時における排気機構の開度調節及び圧力変化を示した模式図である。
【符号の説明】
【００４６】
Ｗ … 基板
１ … 処理槽
２７ … チャンバ
３１ … リフタ
３３ … 溶剤ノズル
３４ … 不活性ガスノズル
３７ … 蒸気発生タンク
３８ … 蒸気弁
４０ … インラインヒータ
６７ … 排気管
６９ … 真空ポンプ
７１ … 排気機構
７７ … 制御部
７９ … エア駆動弁
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液により処理された基板を溶剤蒸気により乾燥させる基板処理装置において、
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽の周囲を囲うチャンバと、
基板を支持し、前記処理槽内の処理位置と前記処理槽の上方にあたる乾燥位置とにわたって昇降可能な基板支持機構と、
前記チャンバに連通接続された排気管と、
前記排気管を介して前記チャンバ内の気体を排気する排気手段と、
前記排気管に配設され、排気流量を調整可能な排気機構と、
前記基板支持機構を処理位置に移動させた状態における第１の処理では、前記排気機構を操作して高速排気させ、前記基板支持機構を処理位置から乾燥位置に移動させた状態における第２の処理では、前記排気機構を操作して低速排気させる制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記排気機構は、複数の制御弁が並設され、
前記制御手段は、前記第１の処理において全ての制御弁を開放し、前記第２の処理において各制御弁を順次に開放することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置において、
前記複数の制御弁は、エアの供給及び排出によって開度を調節可能なエア駆動弁であり、
前記制御手段は、前記第２の処理において各制御弁を順次に開放するにあたり、各々の制御弁の開度を徐々に大きくすることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記排気機構は、エアの供給及び排出によって開度を調節可能な一つのエア駆動弁を備え、
前記制御手段は、第１の処理時には前記エア駆動弁の開度を最大とし、第２の処理時には前記エア駆動弁の開度を徐々に大きくすることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記チャンバ内に溶剤蒸気を供給する溶剤蒸気供給手段と、
前記チャンバ内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを備え、
前記第１の処理は、処理液で基板に処理を行った後、前記溶剤蒸気供給手段から溶剤蒸気を前記チャンバ内に供給するまでの処理であり、
前記第２の処理は、前記第１の処理の後、前記不活性ガス供給手段から不活性ガスを供給させつつ、基板に凝縮した溶剤蒸気を蒸発させる処理であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１】
処理液により処理された基板を溶剤蒸気により乾燥させる基板処理装置において、
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽の周囲を囲うチャンバと、
基板を支持し、前記処理槽内の処理位置と前記処理槽の上方にあたる乾燥位置とにわたって昇降可能な基板支持機構と、
前記チャンバに連通接続された排気管と、
前記排気管を介して前記チャンバ内の気体を排気する排気手段と、
前記排気管に配設され、排気流量を調整可能な排気機構と、
前記基板支持機構を処理位置に移動させた状態における第１の処理では、前記排気機構を操作して高速排気させ、前記基板支持機構を処理位置から乾燥位置に移動させた状態における第２の処理では、前記排気機構を操作して低速排気させる制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記排気機構は、複数の制御弁が並設され、
前記制御手段は、前記第１の処理において全ての制御弁を開放し、前記第２の処理において各制御弁を順次に開放することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置において、
前記複数の制御弁は、エアの供給及び排出によって開度を調節可能なエア駆動弁であり、
前記制御手段は、前記第２の処理において各制御弁を順次に開放するにあたり、各々の制御弁の開度を徐々に大きくすることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記排気機構は、エアの供給及び排出によって開度を調節可能な一つのエア駆動弁を備え、
前記制御手段は、第１の処理時には前記エア駆動弁の開度を最大とし、第２の処理時には前記エア駆動弁の開度を徐々に大きくすることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記チャンバ内に溶剤蒸気を供給する溶剤蒸気供給手段と、
前記チャンバ内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを備え、
前記第１の処理は、処理液で基板に処理を行った後、前記溶剤蒸気供給手段から溶剤蒸気を前記チャンバ内に供給するまでの処理であり、
前記第２の処理は、前記第１の処理の後、前記不活性ガス供給手段から不活性ガスを供給させつつ、基板に凝縮した溶剤蒸気を蒸発させる処理であることを特徴とする基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２００９−４６９５（Ｐ２００９−４６９５Ａ）
【公開日】平成２１年１月８日（２００９．１．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１６６３４６（Ｐ２００７−１６６３４６）
【出願日】平成１９年６月２５日（２００７．６．２５）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１月８日（２００９．１．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年６月２５日（２００７．６．２５）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
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