基板の処理装置及び処理方法
【課題】この発明は基板を洗浄処理する処理液に含まれるナノバブルを繰り返して使用できる処理装置を提供することにある。
【解決手段】内部に基板が供給される処理槽１と、処理槽の基板にこの基板を洗浄処理するためのナノバブルを含む処理液を供給するナノバブル発生器１１と、ナノバブル発生器によって処理槽の内部の基板に供給されナノバブルのもつ電位によって基板から除去されたナノバブルと逆の電位をもつ微粒子を含む処理液を回収する貯液槽７と、基板を洗浄した処理液に含まれる微粒子とこの微粒子の表面に付着したナノバブルを分離して微粒子を除去し、ナノバブルだけを含む処理液を処理槽に供給するフィルタ装置１８を具備する。
【解決手段】内部に基板が供給される処理槽１と、処理槽の基板にこの基板を洗浄処理するためのナノバブルを含む処理液を供給するナノバブル発生器１１と、ナノバブル発生器によって処理槽の内部の基板に供給されナノバブルのもつ電位によって基板から除去されたナノバブルと逆の電位をもつ微粒子を含む処理液を回収する貯液槽７と、基板を洗浄した処理液に含まれる微粒子とこの微粒子の表面に付着したナノバブルを分離して微粒子を除去し、ナノバブルだけを含む処理液を処理槽に供給するフィルタ装置１８を具備する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はたとえば半導体ウエハや液晶ディスプレイのガラス基板などの基板の回路パターンが形成されたデバイス面を洗浄処理する基板の処理装置及び処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえば、液晶表示装置や半導体装置の製造工程においては、半導体ウエハやガラス基板などの基板の回路パターンが形成された、デバイス面を高い清浄度で洗浄処理することが要求される工程がある。
【０００３】
上記基板のデバイス面を洗浄処理する方式としては、洗浄液中に基板を浸漬するデイップ方式や回転テーブルの保持された基板のデバイス面に向けて洗浄液をノズルから噴射して洗浄するスピン方式などがあり、それぞれの方式は基板の洗浄条件などに応じて適宜、選択的に採用されている。
【０００４】
デイップ方式の１つとして特許文献１に記載された処理装置が知られている。この特許文献１に記載された処理装置は液体を貯留する処理槽を有し、この処理槽の処理液に基板を浸漬する。処理槽内に貯留された処理液にはマイクロバブル発生部で発生させられたマイクロバブルが含まれている。
【０００５】
処理液に含まれるマイクロバブルは全体として広い表面積を有し、しかも通常はマイナスの電位に帯電されているから、基板に付着している、通常はプラスの電位に帯電した微粒子の表面に上記マイクロバブルが吸着される。
【０００６】
それによって、基板に付着した微粒子はマイクロバブルに包み込まれて基板から剥離して除去される。つまり、基板に付着した微粒子はマイクロバブルを含む処理液によって基板から除去することができる。そして、マイクロバブルによって基板から除去された微粒子は、その表面全体にマイクロバブルが付着した状態で洗浄液に含まれて処理槽から排出されることになる。
【特許文献１】特開２００６−１７９７６４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１のようにマイクロバブルによって基板に付着した微粒子を除去するだけでは、除去後の洗浄液には基板から除去された微粒子にマイクロバブルが静電気力で付着した状態にある。
【０００８】
そのため、基板を洗浄した洗浄液は微粒子を含むことになるから、その洗浄液を再利用することができない。その結果、洗浄液は上述したように一度使用する度に廃棄しなければならず、繰り返して利用するということができないから、非常に不経済である。
【０００９】
洗浄液をフィルタに通し、その洗浄液から微粒子を除去して洗浄液を再利用するということが考えられる。しかしながら、洗浄液をフィルタに通して微粒子を除去するようにすると、その微粒子に付着したマイクロバブルも除去されてしまうから、洗浄液の洗浄効果が維持できないということがある。
【００１０】
一方、最近では基板のデバイス面に形成される回路パターンが高密度化し、それによって微細化する傾向にある。回路パターンが微細化すると、その回路パターンの洗浄効果を向上させるためにはマイクロバブルよりもさらに小さな粒径のバブル、すなわち１μｍ以下の粒径のナノバブルによって上記基板を洗浄することが要求される。
【００１１】
その場合も、ナノバブルを含む洗浄液を繰り返して使用することで、基板の洗浄に掛かるランニングコストを低減することが要求されることになる。
【００１２】
この発明は、処理液及び処理液に含まれるナノバブルを繰り返して使用できるようにすることで、コストや生産性の向上を図ることができるようにした基板の処理装置及び処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この発明は、基板に付着した微粒子を洗浄除去する基板の処理装置であって、
上記基板が供給される処理槽と、
この処理槽の基板にナノバブルを含む処理液を供給する処理液供給手段と、
この処理液供給手段によって上記処理槽の上記基板に供給され上記ナノバブルのもつ電位によって上記基板から除去された上記ナノバブルと逆の電位をもつ上記微粒子を含む処理液を回収する貯液槽と、
上記基板を洗浄した上記処理液に含まれる上記微粒子とこの微粒子の表面に付着したナノバブルを分離して上記微粒子を除去し、上記ナノバブルだけを含む処理液を上記処理槽に供給する分離手段と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置にある。
【００１４】
上記処理液供給手段で作られるナノバブルを含む処理液は上記貯液槽に貯留されていて、この貯液槽に貯留された処理液は上記分離手段を通って上記処理槽に供給されて上記貯液槽に回収されることが好ましい。
【００１５】
上記処理液供給手段にはナノバブルを含む上記処理液を作るための気体と液体とが供給されるようになっていて、上記気体と液体との上記処理液供給手段に対する供給は供給制御手段によって制御されることが好ましい。
【００１６】
この発明は、基板に付着した微粒子を洗浄除去する基板の処理装置であって、
内部に上記基板が供給される処理槽と、
この処理槽の基板にナノバブルを含む処理液を供給し上記ナノバブルのもつ電位によって上記基板から上記ナノバブルと逆の電位をもつ上記微粒子を除去する処理液供給手段と、
この処理液供給手段によって上記基板を洗浄した上記処理液に含まれる上記微粒子とこの微粒子の表面に付着したナノバブルを分離して上記微粒子を除去する分離手段と、
この分離手段によって上記微粒子が除去されたナノバブルを含む処理液を貯えて上記処理液供給手段に供給する貯液槽と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置にある。
【００１７】
上記分離手段は、上記ナノバブルが帯電した電位と反発し上記微粒子がもつ電位と引き合う所定の極性の電位に帯電されて上記微粒子が通過するのを阻止するフィルタ部材を有するフィルタ装置であることが好ましい。
【００１８】
フィルタ部材を上記所定の極性の電位に帯電させるイオナイザを有することが好ましい。
【００１９】
この発明は、基板に付着した微粒子を洗浄除去する基板の処理方法であって、
処理槽に上記基板を供給する工程と、
上記処理槽の基板にナノバブルを含む処理液を供給する工程と、
上記処理槽の上記基板に供給され上記ナノバブルのもつ電位によって上記基板に付着した上記ナノバブルと逆の電位をもつ上記微粒子を上記基板から除去する工程と、
上記微粒子とこの微粒子に付着したナノバブルを分離して上記微粒子を除去し、上記ナノバブルだけを含む処理液を上記処理槽に供給する工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法にある。
【発明の効果】
【００２０】
この発明によれば、処理槽から回収された処理液に含まれる微粒子とこの微粒子に付着したナノバブルを分離し、微粒子を除去してナノバブルだけを含む処理液を供給できるようにしたから、処理液及びナノバブルの再利用が可能となり、基板の洗浄処理を効率よく行なうことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、この発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
図１はこの発明の第１の実施の形態の処理装置を示す。この処理装置は処理槽１を備えている。この処理槽１の内部には載置テーブル２が設けられ、この載置テーブル２は処理槽１の下方に設けられた第１の駆動源３によって回転駆動されるようになっている。上記載置テーブル２の上面には半導体ウエハやガラス基板などの基板Ｗが図示しない回路パターンが形成されたデバイス面を上に向けて供給され、たとえば真空吸着などの手段によって保持される。
【００２２】
上記基板Ｗには後述する処理液Ｌが供給される。基板Ｗに供給されてこの基板Ｗのデバイス面を洗浄した処理液Ｌは、上記処理槽１の底部に一端が接続された排液管５に流れる。この排液管５を流れた処理液Ｌは貯液槽７に回収される。
【００２３】
上記貯液槽７にはナノバブル発生器１１から上記処理液Ｌとなるナノバブル水が供給されるようになっている。上記ナノバブル発生器１１には気体供給ポンプ１２と液体供給ポンプ１３がそれぞれ配管１２ａ，１３ａによって接続されている。各配管１２ａ，１３ａにはそれぞれ第１、第２の開閉制御弁１４ａ，１４ｂが設けられている。
【００２４】
上記気体供給ポンプ１２は上記ナノバブル発生器１１に窒素ガスや二酸化炭素ガスなどの気体を所定の圧力で供給し、上記液体供給ポンプ１３は上記ナノバブル発生器１１にイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）や純水などの液体を供給する。
なお、気体と液体はポンプ１２、１３を用いずに、予め所定の圧力に加圧されて図示しないタンク貯えられた気体及び液体を上記ナノバブル発生器１１に供給するようにしてもよい。
【００２５】
上記ナノバブル発生器１１に供給された気体は旋回流となり、上記液体は気体よりも旋回速度の速い旋回流となって気体の周囲に沿って流れる。それによって、気体が液体によって剪断されることで微細径のバブル、つまりナノバブルが発生し、そのナノバブルが液体に混入して処理液Ｌとしてのナノバブル水となる。
【００２６】
上記液体に含まれるバブルの粒径は上記気体と液体との旋回速度によって設定することができ、この実施の形態では液体に剪断された気体によって直径が１μｍ以下のナノバブルが発生するよう、上記ナノバブル発生器１１に供給される気体と液体との旋回速度が設定される。それによって、上記ナノバブル発生器１１から上記貯液槽７に供給されて貯えられる処理液Ｌは上述したようにナノバブルを含む、ナノバブル水となる。
【００２７】
なお、処理液Ｌにはナノバブルだけでなく、マイクロバブルも含まれる。その場合、ナノバブル発生器１１によって作られた処理液Ｌを貯液槽７に供給して所定時間放置しておくことで、その処理液Ｌに含まれるマイクロバブルは浮力によって液面に浮上して除去されることになる。一方、ナノバブルは微細であるために浮力がないから液中を浮遊し、マイクロバブルのように処理液Ｌの液面から大気中に放散されるということがない。
【００２８】
このようにして、上記貯液槽７に貯えられたナノバブルを含む処理液Ｌは、この貯液槽７に一端が接続された給液管１５を通じて上記処理槽１の上方に配置された洗浄ノズル１６に供給される。上記給液管１５には加圧ポンプ１７と分離手段としてのフィルタ装置１８が順次設けられている。
【００２９】
上記洗浄ノズル１６は水平アーム１９の先端に取り付けられている。この水平アーム１９の基端は軸線を垂直にして設けられた回転軸２１の上部に連結されている。この回転軸２１は第２の駆動源２２によって回転駆動される。それによって、上記洗浄ノズル１６は載置テーブル２とともに回転する基板Ｗの上方で円弧運動するようになっている。
なお、この実施の形態では、上記ナノバブル発生器１１と上記洗浄ノズル１６とで処理液供給手段を構成している。
【００３０】
上記フィルタ装置１８は上記給液管１５を流れる処理液Ｌに含まれる汚れ、つまり後述するように基板Ｗから除去された微粒子Ｐ（図２に示す）を通過させることのない大きさのメッシュ状のフィルタ部材２４を有する。
【００３１】
上記フィルタ部材２４はマイナスの電荷の静電気が帯電し易い材料、たとえばフッ素系や塩化ビニル系の樹脂によって微粒子Ｐを吸着して捕捉することができる。さらに、フィルタ部材２４は図１に鎖線で示すイオナイザ２５によってマイナスの電荷が帯電されるようになっている。
【００３２】
それによって、上記微粒子Ｐと異なる電位に帯電された上記フィルタ部材２４は、上記処理液Ｌに含まれる微粒子Ｐを吸着して除去し、フィルタ部材２４と同電位のナノバブルを通過させるようになっている。
【００３３】
なお、フィルタ部材２４をフッ素系や塩化ビニル系の樹脂によって形成すれば、そこに流体が流れて摩擦力が生じることで静電気が発生するから、イオナイザ２５を用いなくとも、上記フィルタ部材２４にマイナスの電位を帯電させることができる。
【００３４】
上述したように、基板Ｗに付着した汚れである、微粒子Ｐにはプラスの電荷が帯電し、ナノバブルｂにはマイナスの電荷が帯電していることが知られている。それによって、基板Ｗに図２に示すようにナノバブルｂを含む処理液Ｌを供給すると、ナノバブルｂが基板Ｗに付着した微粒子Ｐの表面に吸引されてその表面全体を包み込む。
【００３５】
ナノバブルｂに包まれた微粒子Ｐは同図に矢印で示すように基板Ｗから剥離し、ナノバブルｂとともに液中を浮遊することになる。つまり、基板Ｗから微粒子Ｐがナノバブルｂによって除去されるから、その基板Ｗが洗浄されることになる。
【００３６】
ナノバブルｂに包まれた微粒子Ｐを含む処理液Ｌが処理槽１から貯液槽７に回収された後、給液管１５を通じて加圧ポンプ１７によってフィルタ装置１８に供給されると、このフィルタ装置１８のフィルタ部材２４によって処理液Ｌに含まれる微粒子Ｐが捕捉される。
【００３７】
しかも、フィルタ部材２４がマイナスの電位に帯電させられているから、フィルタ部材２４に捕捉された微粒子Ｐはそのフィルタ部材２４に吸着保持される。それによって、微粒子Ｐはフィルタ部材２４によって確実に処理液Ｌから除去されることになる。
【００３８】
処理液Ｌがフィルタ装置１８に供給されてフィルタ部材２４が微粒子Ｐを処理液Ｌから除去すると同時に、微粒子Ｐの表面に静電気力で付着したマイナスの電位のナノバブルｂと、上記フィルタ部材２４に帯電させられたマイナスの電位とが反発し、その反発力によってナノバブルｂが微粒子Ｐから分離される。微粒子Ｐから分離されたナノバブルｂは処理液Ｌとともにフィルタ部材２４を通過する。
【００３９】
それによって、上記給液管１５に接続された洗浄ノズル１６には微粒子Ｐが除去されてナノバブルｂだけが含まれる洗浄液Ｌが供給されることになるから、ナノバブル発生器１１で生成されたナノバブルｂを繰り返して使用することが可能となる。
【００４０】
上記ナノバブル発生器１１に気体と液体を供給する配管１２ａ，１３ａに設けられた第１、第２の開閉制御弁１４ａ，１４ｂは制御装置２７によって開閉が制御される。すなわち、上記貯液槽７に貯えられる処理液Ｌの液面の高さが液面センサ２８によって検出され、その検出信号が上記制御装置２７に出力される。
【００４１】
上記液面センサ２８によって貯液槽７の液面の高さが所定以下になったことが検出されると、その検出信号によってそれまで閉状態にあった上記第１、第２の開閉制御弁１４ａ，１４ｂが開放されて上記ナノバブル発生器１１に所定の圧力に加圧された気体と液体が供給される。上記貯液槽７の液面が所定以下になると上記第１、第２の開閉制御弁１４ａ，１４ｂが閉じられて気体と液体の供給が停止される。
【００４２】
それによって、貯液槽７には常に一定以上の処理液Ｌが貯えられるようになっている。つまり、処理液Ｌがナノバブル発生器１１によって適宜に補充されることで、循環使用される処理液Ｌに含まれるナノバブルｂの量を所定量以上に維持されるから、処理液Ｌによる基板Ｗの洗浄効果が低下するのを防止できる。
なお、上記第１、第２の開閉制御弁１４ａ，１４ｂと制御装置２７とで、上記ナノバブル発生器１１に液体と気体の供給を制御する供給制御手段を構成している。
【００４３】
このような構成の処理装置によれば、基板Ｗが載置された載置テーブル２を回転させるとともに、洗浄ノズル１６を基板Ｗの上方で揺動させ、その洗浄ノズル１６からナノバブルｂを含む処理液Ｌを基板Ｗに供給する。
【００４４】
それによって、処理液Ｌに含まれるマイナスの電位が帯電したナノバブルｂは、図２に示すように基板Ｗの表面に付着したプラスの電位が帯電した微粒子Ｐの表面に吸引されてその微粒子Ｐの表面を包み込むから、微粒子Ｐは基板Ｗの表面から除去されて同図に矢印で示すように基板Ｗの上面から浮上することになる。
【００４５】
基板Ｗから除去された微粒子Ｐはその表面がナノバブルｂによって包まれた状態で処理槽１から貯液槽７に回収される。貯液槽７に回収された微粒子Ｐを含む処理液Ｌは加圧ポンプ１７によってフィルタ装置１８に送られる。
【００４６】
フィルタ装置１８のフィルタ部材２４はイオナイザ２５によってマイナスの電荷が帯電している。そのため、フィルタ装置１８に送られた処理液Ｌに含まれるプラスの電位が帯電した微粒子Ｐはマイナスの電位が帯電した上記フィルタ部材２４に吸着される。
【００４７】
それと同時に、微粒子Ｐの表面に付着したマイナスの電位のナノバブルｂは、同じマイナスの電位が帯電した上記フィルタ部材２４との間に反発力が生じるから、その反発力によって微粒子Ｐから離れ、処理液Ｌに含まれて洗浄ノズル１６へ流れる。
【００４８】
このように、処理液Ｌに含まれるナノバブルｂをフィルタ装置１８によって微粒子Ｐから分離し、その微粒子Ｐをフィルタ部材２４で捕捉し、ナノバブルｂは微粒子Ｐと分けるようにした。
【００４９】
そのため、微粒子Ｐが含まれていない処理液Ｌ及び微粒子Ｐから分けられたナノバブルｂを再利用することができるから、一度使用することで処理液Ｌをそのまま廃棄する場合に比べて経済的である。
【００５０】
図３はこの発明の第２の実施の形態の処理装置を示す。なお、第１の実施の形態と同一部分には同一記号を付して説明を省略する。この第２の実施の形態では、処理槽１から処理液Ｌを貯液槽７に回収する排液管５にフィルタ装置１８が設けられている。上記排液管５には、上記貯液槽７に回収される処理液Ｌを所定の圧力で上記フィルタ装置１８に供給するための加圧ポンプ３１が設けられている。上記貯液槽７には処理液Ｌとなる液体が液体供給ポンプ１２によって配管１２ａを通じて供給される。この配管１２ａには第１の開閉制御弁１４ａが設けられている。
【００５１】
上記貯液槽７に貯えられた処理液Ｌは加圧ポンプ１７によってナノバブル発生器１１に供給される。このナノバブル発生器１１には第２の開閉弁１４ｂが設けられた配管１３ａが接続され、この配管１３ａを通じて気体が気体供給ポンプ１３によって供給される。
【００５２】
上記ナノバブル発生器１１には処理槽１に回収された処理液Ｌが加圧ポンプ１７によって供給され、気体供給ポンプ１３によって気体が供給される。そして、ナノバブル発生器１１では上記処理液Ｌと気体とで新たに処理液Ｌが作られる。つまり、新たな処理液Ｌにはナノバブル発生器１１によって生成された新たなナノバブルｂがさらに補充されるようになっている。
【００５３】
なお、この第２の実施の形態では第１、第２の開閉制御弁１４ａ，１４ｂのうち、第１開閉弁１４ａだけが貯液槽７の液面を検出する液面センサ２８からの検出信号によって開閉制御される。それによって、貯液槽７には一定量以上の処理液Ｌが貯留されるようになっている。
【００５４】
このような構成であっても、第１の実施の形態と同様、使用された処理液Ｌからフィルタ装置１８によって微粒子Ｐを除去し、ナノバブルｂを再使用することができる。つまり、処理液Ｌ及びナノバブルｂを繰り返して使用することができるから経済的である。
【００５５】
しかも、ナノバブルｂを繰り返して使用するとともに、処理液Ｌを洗浄ノズル１６に供給する度に、処理液Ｌにはナノバブル発生器１１で生成されたナノバブルｂが補充される。それによって、処理液Ｌに含まれるナノバブルｂが減少するのを防止できるから、処理液Ｌによる洗浄効果が確実に維持されるということがある。
【００５６】
上記第１、第２の実施の形態では基板Ｗを回転駆動される載置テーブルに供給して洗浄処理するようにしたが、上記基板をローラやコンベアなどによって水平搬送しながら処理槽に供給し、処理槽でその基板の上面にナノバブルを含む処理液を供給して処理する場合であっても、この発明を適用することができる。
【００５７】
その場合、基板に処理液を供給する洗浄ノズルは、基板の搬送方向と交差する幅方向全長にわたって処理液を供給することができる構成や、たとえばパイプに複数のノズルチップが所定間隔で設けられた構成や基板の幅方向に沿って細長いスリットが形成された構成のものなどを用いるようにすればよい。
【００５８】
さらに、この発明は処理液が供給された処理槽に複数の基板を浸漬し、その基板を洗浄する、いわゆるデイップ方式の処理装置にも適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】この発明の第１の実施の形態を示す処理装置の概略的構成図。
【図２】基板から処理液に含まれるナノバブルによって微粒子を除去するときの説明図。
【図３】この発明の第２の実施の形態を示す処理装置の概略的構成図。
【符号の説明】
【００６０】
１…処理槽、２…載置テーブル、７…貯液槽、１１…ナノバブル発生器（処理液供給手段）、１４ａ，１４ｂ…開閉制御弁（供給制御手段）、１６…洗浄ノズル（処理液供給手段）、１８…フィルタ装置（分離手段）、２４…フィルタ部材、２５…イオナイザ、２７…制御装置（供給制御手段）。
【技術分野】
【０００１】
この発明はたとえば半導体ウエハや液晶ディスプレイのガラス基板などの基板の回路パターンが形成されたデバイス面を洗浄処理する基板の処理装置及び処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえば、液晶表示装置や半導体装置の製造工程においては、半導体ウエハやガラス基板などの基板の回路パターンが形成された、デバイス面を高い清浄度で洗浄処理することが要求される工程がある。
【０００３】
上記基板のデバイス面を洗浄処理する方式としては、洗浄液中に基板を浸漬するデイップ方式や回転テーブルの保持された基板のデバイス面に向けて洗浄液をノズルから噴射して洗浄するスピン方式などがあり、それぞれの方式は基板の洗浄条件などに応じて適宜、選択的に採用されている。
【０００４】
デイップ方式の１つとして特許文献１に記載された処理装置が知られている。この特許文献１に記載された処理装置は液体を貯留する処理槽を有し、この処理槽の処理液に基板を浸漬する。処理槽内に貯留された処理液にはマイクロバブル発生部で発生させられたマイクロバブルが含まれている。
【０００５】
処理液に含まれるマイクロバブルは全体として広い表面積を有し、しかも通常はマイナスの電位に帯電されているから、基板に付着している、通常はプラスの電位に帯電した微粒子の表面に上記マイクロバブルが吸着される。
【０００６】
それによって、基板に付着した微粒子はマイクロバブルに包み込まれて基板から剥離して除去される。つまり、基板に付着した微粒子はマイクロバブルを含む処理液によって基板から除去することができる。そして、マイクロバブルによって基板から除去された微粒子は、その表面全体にマイクロバブルが付着した状態で洗浄液に含まれて処理槽から排出されることになる。
【特許文献１】特開２００６−１７９７６４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１のようにマイクロバブルによって基板に付着した微粒子を除去するだけでは、除去後の洗浄液には基板から除去された微粒子にマイクロバブルが静電気力で付着した状態にある。
【０００８】
そのため、基板を洗浄した洗浄液は微粒子を含むことになるから、その洗浄液を再利用することができない。その結果、洗浄液は上述したように一度使用する度に廃棄しなければならず、繰り返して利用するということができないから、非常に不経済である。
【０００９】
洗浄液をフィルタに通し、その洗浄液から微粒子を除去して洗浄液を再利用するということが考えられる。しかしながら、洗浄液をフィルタに通して微粒子を除去するようにすると、その微粒子に付着したマイクロバブルも除去されてしまうから、洗浄液の洗浄効果が維持できないということがある。
【００１０】
一方、最近では基板のデバイス面に形成される回路パターンが高密度化し、それによって微細化する傾向にある。回路パターンが微細化すると、その回路パターンの洗浄効果を向上させるためにはマイクロバブルよりもさらに小さな粒径のバブル、すなわち１μｍ以下の粒径のナノバブルによって上記基板を洗浄することが要求される。
【００１１】
その場合も、ナノバブルを含む洗浄液を繰り返して使用することで、基板の洗浄に掛かるランニングコストを低減することが要求されることになる。
【００１２】
この発明は、処理液及び処理液に含まれるナノバブルを繰り返して使用できるようにすることで、コストや生産性の向上を図ることができるようにした基板の処理装置及び処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この発明は、基板に付着した微粒子を洗浄除去する基板の処理装置であって、
上記基板が供給される処理槽と、
この処理槽の基板にナノバブルを含む処理液を供給する処理液供給手段と、
この処理液供給手段によって上記処理槽の上記基板に供給され上記ナノバブルのもつ電位によって上記基板から除去された上記ナノバブルと逆の電位をもつ上記微粒子を含む処理液を回収する貯液槽と、
上記基板を洗浄した上記処理液に含まれる上記微粒子とこの微粒子の表面に付着したナノバブルを分離して上記微粒子を除去し、上記ナノバブルだけを含む処理液を上記処理槽に供給する分離手段と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置にある。
【００１４】
上記処理液供給手段で作られるナノバブルを含む処理液は上記貯液槽に貯留されていて、この貯液槽に貯留された処理液は上記分離手段を通って上記処理槽に供給されて上記貯液槽に回収されることが好ましい。
【００１５】
上記処理液供給手段にはナノバブルを含む上記処理液を作るための気体と液体とが供給されるようになっていて、上記気体と液体との上記処理液供給手段に対する供給は供給制御手段によって制御されることが好ましい。
【００１６】
この発明は、基板に付着した微粒子を洗浄除去する基板の処理装置であって、
内部に上記基板が供給される処理槽と、
この処理槽の基板にナノバブルを含む処理液を供給し上記ナノバブルのもつ電位によって上記基板から上記ナノバブルと逆の電位をもつ上記微粒子を除去する処理液供給手段と、
この処理液供給手段によって上記基板を洗浄した上記処理液に含まれる上記微粒子とこの微粒子の表面に付着したナノバブルを分離して上記微粒子を除去する分離手段と、
この分離手段によって上記微粒子が除去されたナノバブルを含む処理液を貯えて上記処理液供給手段に供給する貯液槽と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置にある。
【００１７】
上記分離手段は、上記ナノバブルが帯電した電位と反発し上記微粒子がもつ電位と引き合う所定の極性の電位に帯電されて上記微粒子が通過するのを阻止するフィルタ部材を有するフィルタ装置であることが好ましい。
【００１８】
フィルタ部材を上記所定の極性の電位に帯電させるイオナイザを有することが好ましい。
【００１９】
この発明は、基板に付着した微粒子を洗浄除去する基板の処理方法であって、
処理槽に上記基板を供給する工程と、
上記処理槽の基板にナノバブルを含む処理液を供給する工程と、
上記処理槽の上記基板に供給され上記ナノバブルのもつ電位によって上記基板に付着した上記ナノバブルと逆の電位をもつ上記微粒子を上記基板から除去する工程と、
上記微粒子とこの微粒子に付着したナノバブルを分離して上記微粒子を除去し、上記ナノバブルだけを含む処理液を上記処理槽に供給する工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法にある。
【発明の効果】
【００２０】
この発明によれば、処理槽から回収された処理液に含まれる微粒子とこの微粒子に付着したナノバブルを分離し、微粒子を除去してナノバブルだけを含む処理液を供給できるようにしたから、処理液及びナノバブルの再利用が可能となり、基板の洗浄処理を効率よく行なうことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、この発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
図１はこの発明の第１の実施の形態の処理装置を示す。この処理装置は処理槽１を備えている。この処理槽１の内部には載置テーブル２が設けられ、この載置テーブル２は処理槽１の下方に設けられた第１の駆動源３によって回転駆動されるようになっている。上記載置テーブル２の上面には半導体ウエハやガラス基板などの基板Ｗが図示しない回路パターンが形成されたデバイス面を上に向けて供給され、たとえば真空吸着などの手段によって保持される。
【００２２】
上記基板Ｗには後述する処理液Ｌが供給される。基板Ｗに供給されてこの基板Ｗのデバイス面を洗浄した処理液Ｌは、上記処理槽１の底部に一端が接続された排液管５に流れる。この排液管５を流れた処理液Ｌは貯液槽７に回収される。
【００２３】
上記貯液槽７にはナノバブル発生器１１から上記処理液Ｌとなるナノバブル水が供給されるようになっている。上記ナノバブル発生器１１には気体供給ポンプ１２と液体供給ポンプ１３がそれぞれ配管１２ａ，１３ａによって接続されている。各配管１２ａ，１３ａにはそれぞれ第１、第２の開閉制御弁１４ａ，１４ｂが設けられている。
【００２４】
上記気体供給ポンプ１２は上記ナノバブル発生器１１に窒素ガスや二酸化炭素ガスなどの気体を所定の圧力で供給し、上記液体供給ポンプ１３は上記ナノバブル発生器１１にイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）や純水などの液体を供給する。
なお、気体と液体はポンプ１２、１３を用いずに、予め所定の圧力に加圧されて図示しないタンク貯えられた気体及び液体を上記ナノバブル発生器１１に供給するようにしてもよい。
【００２５】
上記ナノバブル発生器１１に供給された気体は旋回流となり、上記液体は気体よりも旋回速度の速い旋回流となって気体の周囲に沿って流れる。それによって、気体が液体によって剪断されることで微細径のバブル、つまりナノバブルが発生し、そのナノバブルが液体に混入して処理液Ｌとしてのナノバブル水となる。
【００２６】
上記液体に含まれるバブルの粒径は上記気体と液体との旋回速度によって設定することができ、この実施の形態では液体に剪断された気体によって直径が１μｍ以下のナノバブルが発生するよう、上記ナノバブル発生器１１に供給される気体と液体との旋回速度が設定される。それによって、上記ナノバブル発生器１１から上記貯液槽７に供給されて貯えられる処理液Ｌは上述したようにナノバブルを含む、ナノバブル水となる。
【００２７】
なお、処理液Ｌにはナノバブルだけでなく、マイクロバブルも含まれる。その場合、ナノバブル発生器１１によって作られた処理液Ｌを貯液槽７に供給して所定時間放置しておくことで、その処理液Ｌに含まれるマイクロバブルは浮力によって液面に浮上して除去されることになる。一方、ナノバブルは微細であるために浮力がないから液中を浮遊し、マイクロバブルのように処理液Ｌの液面から大気中に放散されるということがない。
【００２８】
このようにして、上記貯液槽７に貯えられたナノバブルを含む処理液Ｌは、この貯液槽７に一端が接続された給液管１５を通じて上記処理槽１の上方に配置された洗浄ノズル１６に供給される。上記給液管１５には加圧ポンプ１７と分離手段としてのフィルタ装置１８が順次設けられている。
【００２９】
上記洗浄ノズル１６は水平アーム１９の先端に取り付けられている。この水平アーム１９の基端は軸線を垂直にして設けられた回転軸２１の上部に連結されている。この回転軸２１は第２の駆動源２２によって回転駆動される。それによって、上記洗浄ノズル１６は載置テーブル２とともに回転する基板Ｗの上方で円弧運動するようになっている。
なお、この実施の形態では、上記ナノバブル発生器１１と上記洗浄ノズル１６とで処理液供給手段を構成している。
【００３０】
上記フィルタ装置１８は上記給液管１５を流れる処理液Ｌに含まれる汚れ、つまり後述するように基板Ｗから除去された微粒子Ｐ（図２に示す）を通過させることのない大きさのメッシュ状のフィルタ部材２４を有する。
【００３１】
上記フィルタ部材２４はマイナスの電荷の静電気が帯電し易い材料、たとえばフッ素系や塩化ビニル系の樹脂によって微粒子Ｐを吸着して捕捉することができる。さらに、フィルタ部材２４は図１に鎖線で示すイオナイザ２５によってマイナスの電荷が帯電されるようになっている。
【００３２】
それによって、上記微粒子Ｐと異なる電位に帯電された上記フィルタ部材２４は、上記処理液Ｌに含まれる微粒子Ｐを吸着して除去し、フィルタ部材２４と同電位のナノバブルを通過させるようになっている。
【００３３】
なお、フィルタ部材２４をフッ素系や塩化ビニル系の樹脂によって形成すれば、そこに流体が流れて摩擦力が生じることで静電気が発生するから、イオナイザ２５を用いなくとも、上記フィルタ部材２４にマイナスの電位を帯電させることができる。
【００３４】
上述したように、基板Ｗに付着した汚れである、微粒子Ｐにはプラスの電荷が帯電し、ナノバブルｂにはマイナスの電荷が帯電していることが知られている。それによって、基板Ｗに図２に示すようにナノバブルｂを含む処理液Ｌを供給すると、ナノバブルｂが基板Ｗに付着した微粒子Ｐの表面に吸引されてその表面全体を包み込む。
【００３５】
ナノバブルｂに包まれた微粒子Ｐは同図に矢印で示すように基板Ｗから剥離し、ナノバブルｂとともに液中を浮遊することになる。つまり、基板Ｗから微粒子Ｐがナノバブルｂによって除去されるから、その基板Ｗが洗浄されることになる。
【００３６】
ナノバブルｂに包まれた微粒子Ｐを含む処理液Ｌが処理槽１から貯液槽７に回収された後、給液管１５を通じて加圧ポンプ１７によってフィルタ装置１８に供給されると、このフィルタ装置１８のフィルタ部材２４によって処理液Ｌに含まれる微粒子Ｐが捕捉される。
【００３７】
しかも、フィルタ部材２４がマイナスの電位に帯電させられているから、フィルタ部材２４に捕捉された微粒子Ｐはそのフィルタ部材２４に吸着保持される。それによって、微粒子Ｐはフィルタ部材２４によって確実に処理液Ｌから除去されることになる。
【００３８】
処理液Ｌがフィルタ装置１８に供給されてフィルタ部材２４が微粒子Ｐを処理液Ｌから除去すると同時に、微粒子Ｐの表面に静電気力で付着したマイナスの電位のナノバブルｂと、上記フィルタ部材２４に帯電させられたマイナスの電位とが反発し、その反発力によってナノバブルｂが微粒子Ｐから分離される。微粒子Ｐから分離されたナノバブルｂは処理液Ｌとともにフィルタ部材２４を通過する。
【００３９】
それによって、上記給液管１５に接続された洗浄ノズル１６には微粒子Ｐが除去されてナノバブルｂだけが含まれる洗浄液Ｌが供給されることになるから、ナノバブル発生器１１で生成されたナノバブルｂを繰り返して使用することが可能となる。
【００４０】
上記ナノバブル発生器１１に気体と液体を供給する配管１２ａ，１３ａに設けられた第１、第２の開閉制御弁１４ａ，１４ｂは制御装置２７によって開閉が制御される。すなわち、上記貯液槽７に貯えられる処理液Ｌの液面の高さが液面センサ２８によって検出され、その検出信号が上記制御装置２７に出力される。
【００４１】
上記液面センサ２８によって貯液槽７の液面の高さが所定以下になったことが検出されると、その検出信号によってそれまで閉状態にあった上記第１、第２の開閉制御弁１４ａ，１４ｂが開放されて上記ナノバブル発生器１１に所定の圧力に加圧された気体と液体が供給される。上記貯液槽７の液面が所定以下になると上記第１、第２の開閉制御弁１４ａ，１４ｂが閉じられて気体と液体の供給が停止される。
【００４２】
それによって、貯液槽７には常に一定以上の処理液Ｌが貯えられるようになっている。つまり、処理液Ｌがナノバブル発生器１１によって適宜に補充されることで、循環使用される処理液Ｌに含まれるナノバブルｂの量を所定量以上に維持されるから、処理液Ｌによる基板Ｗの洗浄効果が低下するのを防止できる。
なお、上記第１、第２の開閉制御弁１４ａ，１４ｂと制御装置２７とで、上記ナノバブル発生器１１に液体と気体の供給を制御する供給制御手段を構成している。
【００４３】
このような構成の処理装置によれば、基板Ｗが載置された載置テーブル２を回転させるとともに、洗浄ノズル１６を基板Ｗの上方で揺動させ、その洗浄ノズル１６からナノバブルｂを含む処理液Ｌを基板Ｗに供給する。
【００４４】
それによって、処理液Ｌに含まれるマイナスの電位が帯電したナノバブルｂは、図２に示すように基板Ｗの表面に付着したプラスの電位が帯電した微粒子Ｐの表面に吸引されてその微粒子Ｐの表面を包み込むから、微粒子Ｐは基板Ｗの表面から除去されて同図に矢印で示すように基板Ｗの上面から浮上することになる。
【００４５】
基板Ｗから除去された微粒子Ｐはその表面がナノバブルｂによって包まれた状態で処理槽１から貯液槽７に回収される。貯液槽７に回収された微粒子Ｐを含む処理液Ｌは加圧ポンプ１７によってフィルタ装置１８に送られる。
【００４６】
フィルタ装置１８のフィルタ部材２４はイオナイザ２５によってマイナスの電荷が帯電している。そのため、フィルタ装置１８に送られた処理液Ｌに含まれるプラスの電位が帯電した微粒子Ｐはマイナスの電位が帯電した上記フィルタ部材２４に吸着される。
【００４７】
それと同時に、微粒子Ｐの表面に付着したマイナスの電位のナノバブルｂは、同じマイナスの電位が帯電した上記フィルタ部材２４との間に反発力が生じるから、その反発力によって微粒子Ｐから離れ、処理液Ｌに含まれて洗浄ノズル１６へ流れる。
【００４８】
このように、処理液Ｌに含まれるナノバブルｂをフィルタ装置１８によって微粒子Ｐから分離し、その微粒子Ｐをフィルタ部材２４で捕捉し、ナノバブルｂは微粒子Ｐと分けるようにした。
【００４９】
そのため、微粒子Ｐが含まれていない処理液Ｌ及び微粒子Ｐから分けられたナノバブルｂを再利用することができるから、一度使用することで処理液Ｌをそのまま廃棄する場合に比べて経済的である。
【００５０】
図３はこの発明の第２の実施の形態の処理装置を示す。なお、第１の実施の形態と同一部分には同一記号を付して説明を省略する。この第２の実施の形態では、処理槽１から処理液Ｌを貯液槽７に回収する排液管５にフィルタ装置１８が設けられている。上記排液管５には、上記貯液槽７に回収される処理液Ｌを所定の圧力で上記フィルタ装置１８に供給するための加圧ポンプ３１が設けられている。上記貯液槽７には処理液Ｌとなる液体が液体供給ポンプ１２によって配管１２ａを通じて供給される。この配管１２ａには第１の開閉制御弁１４ａが設けられている。
【００５１】
上記貯液槽７に貯えられた処理液Ｌは加圧ポンプ１７によってナノバブル発生器１１に供給される。このナノバブル発生器１１には第２の開閉弁１４ｂが設けられた配管１３ａが接続され、この配管１３ａを通じて気体が気体供給ポンプ１３によって供給される。
【００５２】
上記ナノバブル発生器１１には処理槽１に回収された処理液Ｌが加圧ポンプ１７によって供給され、気体供給ポンプ１３によって気体が供給される。そして、ナノバブル発生器１１では上記処理液Ｌと気体とで新たに処理液Ｌが作られる。つまり、新たな処理液Ｌにはナノバブル発生器１１によって生成された新たなナノバブルｂがさらに補充されるようになっている。
【００５３】
なお、この第２の実施の形態では第１、第２の開閉制御弁１４ａ，１４ｂのうち、第１開閉弁１４ａだけが貯液槽７の液面を検出する液面センサ２８からの検出信号によって開閉制御される。それによって、貯液槽７には一定量以上の処理液Ｌが貯留されるようになっている。
【００５４】
このような構成であっても、第１の実施の形態と同様、使用された処理液Ｌからフィルタ装置１８によって微粒子Ｐを除去し、ナノバブルｂを再使用することができる。つまり、処理液Ｌ及びナノバブルｂを繰り返して使用することができるから経済的である。
【００５５】
しかも、ナノバブルｂを繰り返して使用するとともに、処理液Ｌを洗浄ノズル１６に供給する度に、処理液Ｌにはナノバブル発生器１１で生成されたナノバブルｂが補充される。それによって、処理液Ｌに含まれるナノバブルｂが減少するのを防止できるから、処理液Ｌによる洗浄効果が確実に維持されるということがある。
【００５６】
上記第１、第２の実施の形態では基板Ｗを回転駆動される載置テーブルに供給して洗浄処理するようにしたが、上記基板をローラやコンベアなどによって水平搬送しながら処理槽に供給し、処理槽でその基板の上面にナノバブルを含む処理液を供給して処理する場合であっても、この発明を適用することができる。
【００５７】
その場合、基板に処理液を供給する洗浄ノズルは、基板の搬送方向と交差する幅方向全長にわたって処理液を供給することができる構成や、たとえばパイプに複数のノズルチップが所定間隔で設けられた構成や基板の幅方向に沿って細長いスリットが形成された構成のものなどを用いるようにすればよい。
【００５８】
さらに、この発明は処理液が供給された処理槽に複数の基板を浸漬し、その基板を洗浄する、いわゆるデイップ方式の処理装置にも適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】この発明の第１の実施の形態を示す処理装置の概略的構成図。
【図２】基板から処理液に含まれるナノバブルによって微粒子を除去するときの説明図。
【図３】この発明の第２の実施の形態を示す処理装置の概略的構成図。
【符号の説明】
【００６０】
１…処理槽、２…載置テーブル、７…貯液槽、１１…ナノバブル発生器（処理液供給手段）、１４ａ，１４ｂ…開閉制御弁（供給制御手段）、１６…洗浄ノズル（処理液供給手段）、１８…フィルタ装置（分離手段）、２４…フィルタ部材、２５…イオナイザ、２７…制御装置（供給制御手段）。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に付着した微粒子を洗浄除去する基板の処理装置であって、
上記基板が供給される処理槽と、
この処理槽の基板にナノバブルを含む処理液を供給する処理液供給手段と、
この処理液供給手段によって上記処理槽の上記基板に供給され上記ナノバブルのもつ電位によって上記基板から除去された上記ナノバブルと逆の電位をもつ上記微粒子を含む処理液を回収する貯液槽と、
上記基板を洗浄した上記処理液に含まれる上記微粒子とこの微粒子の表面に付着したナノバブルを分離して上記微粒子を除去し、上記ナノバブルだけを含む処理液を上記処理槽に供給する分離手段と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置。
【請求項２】
上記処理液供給手段で作られるナノバブルを含む処理液は上記貯液槽に貯留されていて、この貯液槽に貯留された処理液は上記分離手段を通って上記処理槽に供給されて上記貯液槽に回収されることを特徴とする請求項１記載の基板の処理装置。
【請求項３】
上記処理液供給手段にはナノバブルを含む上記処理液を作るための気体と液体とが供給されるようになっていて、上記気体と液体との上記処理液供給手段に対する供給は供給制御手段によって制御されることを特徴とする請求項１記載の基板の処理装置。
【請求項４】
基板に付着した微粒子を洗浄除去する基板の処理装置であって、
内部に上記基板が供給される処理槽と、
この処理槽の基板にナノバブルを含む処理液を供給し上記ナノバブルのもつ電位によって上記基板から上記ナノバブルと逆の電位をもつ上記微粒子を除去する処理液供給手段と、
この処理液供給手段によって上記基板を洗浄した上記処理液に含まれる上記微粒子とこの微粒子の表面に付着したナノバブルを分離して上記微粒子を除去する分離手段と、
この分離手段によって上記微粒子が除去されたナノバブルを含む処理液を貯えて上記処理液供給手段に供給する貯液槽と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置。
【請求項５】
上記分離手段は、上記ナノバブルが帯電した電位と反発し上記微粒子がもつ電位と引き合う所定の極性の電位に帯電されて上記微粒子が通過するのを阻止するフィルタ部材を有するフィルタ装置であることを特徴とする請求項１又は請求項４記載の基板の処理装置。
【請求項６】
フィルタ部材を上記所定の極性の電位に帯電させるイオナイザを有することを特徴とする請求項５記載の基板の処理装置。
【請求項７】
基板に付着した微粒子を洗浄除去する基板の処理方法であって、
処理槽に上記基板を供給する工程と、
上記処理槽の基板にナノバブルを含む処理液を供給する工程と、
上記処理槽の上記基板に供給され上記ナノバブルのもつ電位によって上記基板に付着した上記ナノバブルと逆の電位をもつ上記微粒子を上記基板から除去する工程と、
上記微粒子とこの微粒子に付着したナノバブルを分離して上記微粒子を除去し、上記ナノバブルだけを含む処理液を上記処理槽に供給する工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法。
【請求項１】
基板に付着した微粒子を洗浄除去する基板の処理装置であって、
上記基板が供給される処理槽と、
この処理槽の基板にナノバブルを含む処理液を供給する処理液供給手段と、
この処理液供給手段によって上記処理槽の上記基板に供給され上記ナノバブルのもつ電位によって上記基板から除去された上記ナノバブルと逆の電位をもつ上記微粒子を含む処理液を回収する貯液槽と、
上記基板を洗浄した上記処理液に含まれる上記微粒子とこの微粒子の表面に付着したナノバブルを分離して上記微粒子を除去し、上記ナノバブルだけを含む処理液を上記処理槽に供給する分離手段と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置。
【請求項２】
上記処理液供給手段で作られるナノバブルを含む処理液は上記貯液槽に貯留されていて、この貯液槽に貯留された処理液は上記分離手段を通って上記処理槽に供給されて上記貯液槽に回収されることを特徴とする請求項１記載の基板の処理装置。
【請求項３】
上記処理液供給手段にはナノバブルを含む上記処理液を作るための気体と液体とが供給されるようになっていて、上記気体と液体との上記処理液供給手段に対する供給は供給制御手段によって制御されることを特徴とする請求項１記載の基板の処理装置。
【請求項４】
基板に付着した微粒子を洗浄除去する基板の処理装置であって、
内部に上記基板が供給される処理槽と、
この処理槽の基板にナノバブルを含む処理液を供給し上記ナノバブルのもつ電位によって上記基板から上記ナノバブルと逆の電位をもつ上記微粒子を除去する処理液供給手段と、
この処理液供給手段によって上記基板を洗浄した上記処理液に含まれる上記微粒子とこの微粒子の表面に付着したナノバブルを分離して上記微粒子を除去する分離手段と、
この分離手段によって上記微粒子が除去されたナノバブルを含む処理液を貯えて上記処理液供給手段に供給する貯液槽と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置。
【請求項５】
上記分離手段は、上記ナノバブルが帯電した電位と反発し上記微粒子がもつ電位と引き合う所定の極性の電位に帯電されて上記微粒子が通過するのを阻止するフィルタ部材を有するフィルタ装置であることを特徴とする請求項１又は請求項４記載の基板の処理装置。
【請求項６】
フィルタ部材を上記所定の極性の電位に帯電させるイオナイザを有することを特徴とする請求項５記載の基板の処理装置。
【請求項７】
基板に付着した微粒子を洗浄除去する基板の処理方法であって、
処理槽に上記基板を供給する工程と、
上記処理槽の基板にナノバブルを含む処理液を供給する工程と、
上記処理槽の上記基板に供給され上記ナノバブルのもつ電位によって上記基板に付着した上記ナノバブルと逆の電位をもつ上記微粒子を上記基板から除去する工程と、
上記微粒子とこの微粒子に付着したナノバブルを分離して上記微粒子を除去し、上記ナノバブルだけを含む処理液を上記処理槽に供給する工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２００９−２４６０００（Ｐ２００９−２４６０００Ａ）
【公開日】平成２１年１０月２２日（２００９．１０．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−８７９７８（Ｐ２００８−８７９７８）
【出願日】平成２０年３月２８日（２００８．３．２８）
【出願人】（０００００２４２８）芝浦メカトロニクス株式会社 (907)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１０月２２日（２００９．１０．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年３月２８日（２００８．３．２８）
【出願人】（０００００２４２８）芝浦メカトロニクス株式会社 (907)
【Ｆターム（参考）】
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