【課題】基板を洗浄するのに使用された薬液を再生する基板処理装置及び薬液再生方法 が提供される。
【解決手段】本発明の基板処理装置１は基板の上の異物を洗浄する洗浄チャンバー２と、上記基板を洗浄するのに使用された第１薬液及び第２薬液を含む混合液を回収して再生する再生ユニット３と、を含み、再生ユニット３は、洗浄チャンバー２で回収された上記混合液を分離する分離ユニット３０と、分離ユニット３０と洗浄チャンバー２とを連結し、上記混合液が分離ユニット３０へ流入するようにする回収ライン７００と、一側が分離ユニット３０に連結され、分離ユニット３０で蒸発した混合液が排気される減圧ライン７１０と、減圧ライン７１０に設置され、分離ユニット３０の内部の圧力を低くする減圧ユニット４０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】処理液から金属イオンを除去でき、小型化による設置スペースの減少とコストの低減が可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗの処理に用いた処理液Ｌ中から金属イオンを除去することができ、基板処理装置１は、基板Ｗに処理液Ｌを供給する基板処理機構部２と、基板Ｗの処理に用いた処理液Ｌを回収する貯留槽３と、貯留槽３内に配置されて基板Ｗの処理に用いた処理液Ｌから金属イオンを除去する処理液再生部５と、処理液再生部５により金属イオンを除去した処理液Ｌを基板処理機構部２に送る送液部２９を備える。 （もっと読む）

【課題】基板処理機構部に対して外付け接続するだけで、処理液から金属イオンを除去して、金属イオンの除去後に処理液の濃度を調整して基板処理機構部に循環して送ることができ、小型化による設置スペースの減少とコストの低減が可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板処理機構部２に接続されて基板Ｗの処理に用いた処理液Ｌを回収する貯留槽３と、貯留槽３内に配置されて基板Ｗの処理に用いた処理液Ｌから金属イオンを除去する処理液再生部５と、処理液再生部５により金属イオンを除去した処理液Ｌの濃度を補正する濃度補正貯留部５１，５２と、濃度が補正された処理液Ｌを、濃度補正貯留部５１，５２から基板処理機構部２に送る送液部７１を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面に生じるパーティクルを低減する。
【解決手段】本実施形態によれば、半導体基板の超臨界乾燥装置は、半導体基板を収容し、密閉可能なチャンバ２１０と、チャンバ２１０の内部を加熱するヒータ２１２と、チャンバ２１０に二酸化炭素を供給する供給部と、チャンバ２１０から二酸化炭素を排出する排出部と、チャンバ２１０を回転させる回転部２７０と、を備えている。回転部２７０は、チャンバ２１０を水平方向に対して９０°以上１８０°以下回転させる。 （もっと読む）

【課題】大面積の基板上のＣｕ膜若しくはＣｕ合金膜をウェットエッチングすることによって配線等とする際に、Ｃｕ膜にダメージを与えないように剥離し、なおかつ、Ｃｕ膜の上に堆積させる層との間の接着力を低下させないフォトレジストの剥離液を用いた剥離液リサイクルシステムを提供する。
【解決手段】主剤と極性溶媒と水からなる混合液およびレジスト成分からなる剥離液を繰り返し使用し、剥離液中のレジスト濃度が所定の値に達したら、剥離液の一部を排出管から排出し、新たな剥離液の供給を受けるレジスト剥離装置と、廃液タンクと、廃液タンク中の剥離液を蒸留する蒸留再生装置と、前記分離液中の主剤と極性溶媒の組成比率を調べる成分検査装置と、分離液の主剤と極性溶媒および水の比率が予め決められた比率になるように不足分の主剤と極性溶媒および水を追加して、混合液を調製する調合装置と混合液を貯留する供給タンクを有する。 （もっと読む）

【課題】過硫酸含有硫酸溶液を用いた電子材料の洗浄を廃液を伴うことを短時間かつ効果的に行うことを可能にする。
【解決手段】７０質量％以上の硫酸溶液を電解する電解部１１と、電解部１１で電解されて得られた過硫酸含有硫酸溶液を送液する送りラインと、送りラインで送液される過硫酸含有硫酸溶液が収容される洗浄槽２１と、オゾンを生成するオゾン生成部（オゾン発生器２８）と、オゾン生成部で生成されたオゾンを洗浄槽２１内の過硫酸含有硫酸溶液に供給するオゾン供給部（オゾン供給管２６、バブリングノズル２７）を備える電子材料洗浄装置１を用いて、電解して得られた過硫酸含有硫酸溶液が収容されている洗浄槽に電子材料１００を浸漬して洗浄を行うとともに、洗浄中に洗浄槽２１内の過硫酸含有硫酸溶液にオゾンガスを供給することでオゾンの分解を促し、優れた酸化力を得る。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に生じるパーティクルを低減すると共に、半導体デバイスの電気的特性の劣化を防止する。
【解決手段】本実施形態によれば、半導体基板の超臨界乾燥方法は、金属膜が形成された半導体基板を、表面がアルコールで濡れた状態でチャンバ内に導入する工程と、前記チャンバ内に二酸化炭素の超臨界流体を供給する工程と、前記チャンバ内の温度を７５℃以上かつ前記アルコールの臨界温度未満の所定温度にして、前記半導体基板上の前記薬液を前記超臨界流体に置換する工程と、前記チャンバ内の温度を前記所定温度に維持しながら、前記チャンバから前記超臨界流体及び前記アルコールを排出し、前記チャンバ内の圧力を下げる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】過硫酸を含む硫酸溶液を洗浄液として、循環利用して電子材料を洗浄する際に、洗浄排液の廃棄と循環とを効果的に選り分けることを可能にする。
【解決手段】過硫酸を含む硫酸溶液を洗浄液として電子材料に供給することにより該電子材料に前記洗浄液を接触させて該電子材料を枚葉式で洗浄し、洗浄排液を系内に循環させ過硫酸を再生して前記洗浄液として再利用する洗浄方法において、前記電子材料ごとの洗浄開始から洗浄終了までの間に、前記洗浄開始から、第１のタイミングまでは、前記洗浄排液を系内に循環させ、前記第１のタイミング後、第２のタイミングまでは、前記洗浄排液を系外に廃棄し、前記第２タイミング後、洗浄終了まで、前記洗浄排液を系内に循環させることで、レジスト濃度の高い時間帯の洗浄排液は系外に廃棄し、それ以外の時間帯の洗浄排液は系内に循環し再利用することが可能になり、効果的な選り分けが可能になる。 （もっと読む）

【課題】酸化性物質を含む硫酸溶液に水溶液を混合して電子材料を洗浄する際に、水溶液使用量、廃液処理量、硫酸濃度の低下を招く課題を解決する。
【解決手段】過硫酸物質を含む硫酸濃度７０質量％以上の硫酸溶液を洗浄液として電子材料に供給することにより前記洗浄液を前記電子材料に接触させて前記電子材料を洗浄する枚葉式の電子材料洗浄方法において、前記洗浄液に水溶液を混合させて、混合直後に該洗浄液を前記電子材料に接触させる第１洗浄工程と、該第１洗浄工程の後に、前記洗浄液に前記水溶液を混合させることなく前記洗浄液を前記電子材料に接触させる第２洗浄工程とを含むことで、洗浄効果を良好に維持したままで、水溶液使用量、廃液使用量、硫酸濃度の低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面のフォトレジスト膜などの有機物または金属粒子などを除去する洗浄工程を簡略化し、半導体装置の製造コストを低減する。
【解決手段】ＳＰＭ洗浄、ＡＰＭ洗浄およびＨＰＭ洗浄を行わず、過硫酸生成装置を用いて生成された過硫酸を含む硫酸溶液を用いて半導体ウエハの表面を洗浄し、フォトレジスト膜などの有機物または金属粒子などを除去した後に、半導体ウエハを純水洗浄し、乾燥させる。これにより、過酸化水素水の補充を必要とするＳＰＭ洗浄を行う場合に比べて高いレジスト除去性能を維持し、また、少ない工程で洗浄を完了することができる。 （もっと読む）

【課題】洗浄液としてのキレート過水液の濃度変化を抑制することが可能であり、その結果、使用するキレート過水液の材料費を低減することが可能な基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１Ａは、循環路と、濃度センサ２１と、制御部２６とを備える。循環路は、キレート過水液１００を用いてガラス基板２００の洗浄を行なう洗浄槽１０と、キレート過水液１００を一時的に貯留する貯留槽１６と、これら洗浄槽１０および貯留槽１６を接続する送り管１８および戻し管１５とを含んでいる。濃度センサ２１は、キレート過水液１００の濃度を検出するためのものであり、送り管１８に設けられている。制御部２６は、濃度センサ２１によって検出された濃度情報に基づいて所定量の純水を貯留槽１６に供給することでキレート過水液１００の濃度管理を行なう。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ表面を処理するプロセスで使用した使用済み薬液において、前記プロセスに必要な薬液中の成分を簡易に調整し、リサイクル処理後の薬液でも未使用薬液と同等のプロセス性能を得ることが可能な薬液リサイクル方法および該方法に用いる装置を提供する。
【解決手段】本発明の薬液リサイクル方法は、シリコンウェーハ４０２表面を処理するプロセスで使用する薬液のリサイクル方法であって、前記プロセスで使用した後の使用済み薬液を限外ろ過フィルター１で限外ろ過して、ろ過後薬液を得る工程と、吸光光度計３により該ろ過後薬液の吸光度または透過率を測定して、前記ろ過後薬液に含まれる成分の濃度を求める工程と、求められた前記濃度の情報に基づき、前記ろ過後薬液の成分濃度を調整して調整後薬液を得る工程と、該調整後薬液を前記プロセスで使用する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理液を効率的に利用しつつ処理性能を向上させることのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。
【解決手段】
処理液を基板Ｐの表面に向けて吐出して基板Ｐの全幅にわたって処理液を吹付ける第１ノズルユニット１０と、第１ノズルユニット１０より基板Ｐの搬送方向の下流側に当該第１ノズルユニット１０と向き合うように配置され、処理液を基板Ｐの表面に向けて吐出して当該基板の全幅にわたって処理液を吹付ける第２ノズルユニット２０とを有し、相互に向き合う第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０から吐出される処理液が基板Ｐの表面上でぶつかりあって基板Ｐの幅方向に延びる処理液の盛り上がり部分Ｍが形成されるように第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０からの処理液の吐出方向が設定された構成となる。 （もっと読む）

【課題】酸性処理液とアルカリ性処理液とにより生成される生成物が付着することを防止し、排気効率を向上させることができる液処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による液処理装置１０は、被処理体Ｗに、酸性処理液またはアルカリ性処理液を供給する液処理部４０と、液処理部４０に連結された主排気ダクト６４と、主排気ダクト６４に、排気方向下流側から順にそれぞれ連結され、液処理部４０内の雰囲気を排出する複数の個別排気ダクト６１、６２、６３と、主排気ダクト６４と複数の個別排気ダクト６１、６２、６３の各々との間に設けられた複数の排気開閉弁７１、７２、７３と、を備えている。主排気ダクト６４は、分岐部６４ｂを有し、液処理部４０と主排気ダクト６４の分岐部６４ｂとの間に、洗浄流体を噴出する洗浄流体噴出部８０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】アミン系剥離液使用により蓄積するレジスト樹脂、炭酸アンモニウム塩、溶解金属を連続的に除去し、剥離液の再生装置、方法を提供する。
【解決手段】剥離装置１内で循環する使用済み剥離液２を配管経路３を通じて電解槽４の陽極ドラム５およびカチオン交換膜６間に導入する。一方で電解槽４には陽極ドラム５に対向する陰極７が、カチオン交換膜６を介して設置されており、陰極７は再生済みの剥離液８によって満たされている。陽極と陰極間の電気伝導は陽イオンの移動による電気伝導が可能となっているので電気的には隔離されていない。陽極ドラム５及び陰極には、電気給手段として電源９が接続されている。陰極及び陽極間に直流電流を通電することで、使用済み剥離液に含まれるレジスト樹脂を陽極ドラム５の表面上に電着でき、剥離液中からレジスト樹脂を除去できる。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の硫酸再生装置における供給槽および蒸発槽での突沸を防止すること。
【解決手段】基板処理装置は、被処理基板Ｗを硫酸を用いて処理する基板処理部６０と、基板処理部６０で用いられた廃硫酸を再生するための硫酸再生装置１と、を備えている。硫酸再生装置１は、廃硫酸を収容する蒸発槽１５ａ，１５ｂと、蒸発槽１５ａ，１５ｂ内の廃硫酸を加熱する加熱部１７ａ，１７ｂと、蒸発槽１５ａ，１５ｂに廃硫酸を供給する供給槽１０と、供給槽１０と蒸発槽１５ａ，１５ｂとを連結する供給管１２ａ，１２ｂと、供給槽１０から蒸発槽１５ａ，１５ｂへ供給される廃硫酸の量を調整するための流量調整部１３ａ，１３ｂと、を備えている。蒸発槽１５ａ，１５ｂには、蒸発槽１５ａ，１５ｂ内の圧力を減圧する第一減圧部２４が設けられている。供給槽１０には、供給槽１０内の圧力を蒸発槽１５ａ，１５ｂ内の圧力よりも高くする圧力調整部１１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ、被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】基板保持部３４は液体により表面が濡れた状態の被処理基板Ｗを横向きに保持した状態で処理容器３１内に搬入し、このとき前記基板保持部３４と一体に形成され蓋部材３４１が処理容器３１の開口部３１１を塞ぐ。雰囲気形成部７１１、３９は前記処理容器内を超臨界流体の雰囲気とした後、姿勢変換機構６が処理容器３１の姿勢を変換して、当該処理容器３１内の被処理基板Ｗを縦に向ける。これにより被処理基板Ｗの上面の液体が流下して排出部から排出され、その後、排気部７３１より超臨界流体を排出することにより処理容器３１内を減圧して当該超臨界流体を気体とし、乾燥された被処理基板を得る。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストを除去するための溶液を均一に混合して定量を基板に提供する。
【解決手段】薬液供給ユニットは本体、第１供給管、第２供給管、及び回転防止部材を含む。本体は薬液を受け入れる円形断面を有する内部空間及び内部空間と連結されて薬液を下方に吐き出す吐出口を有する。第１供給管は本体の側面に備わって内部空間と接線形態で連結され、第１薬液が内部空間に沿って回転するように第１薬液を内部空間に供給する。第２供給管は本体を貫通して本体の中心側と隣接する端部を有し、第１薬液と混合するように第２薬液を内部空間に供給する。回転防止部材は吐出口に配置し、第１薬液と第２薬液の混合薬液が回転しながら吐き出すことを防ぐために混合薬液の回転を減少させる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された半導体デバイス等へのダメージを抑制し、基板の表面から、異物を除去することができる、基板の洗浄方法及び基板の洗浄装置を提供する。
【解決手段】被処理基板上に、第１の洗浄液による第１の洗浄液層と、第１の洗浄液層上に形成され第１の洗浄液よりも比重の小さい第２の洗浄液による第２の洗浄液層とを形成し、第２の洗浄液層に超音波を印加して被処理基板を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、処理時間の短縮を図ることができる洗浄方法、洗浄システム、及び微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】希釈硫酸溶液を電気分解して酸化性物質を含む酸化性溶液を生成し、高濃度の無機酸溶液と、前記酸化性溶液と、を洗浄対象物の表面に、個別に、順次または略同時に供給すること、を特徴とする洗浄方法が提供される。 （もっと読む）