基板処理装置及び基板処理方法
【課題】処理液を効率的に利用しつつ処理性能を向上させることのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。
【解決手段】
処理液を基板Ｐの表面に向けて吐出して基板Ｐの全幅にわたって処理液を吹付ける第１ノズルユニット１０と、第１ノズルユニット１０より基板Ｐの搬送方向の下流側に当該第１ノズルユニット１０と向き合うように配置され、処理液を基板Ｐの表面に向けて吐出して当該基板の全幅にわたって処理液を吹付ける第２ノズルユニット２０とを有し、相互に向き合う第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０から吐出される処理液が基板Ｐの表面上でぶつかりあって基板Ｐの幅方向に延びる処理液の盛り上がり部分Ｍが形成されるように第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０からの処理液の吐出方向が設定された構成となる。
【解決手段】
処理液を基板Ｐの表面に向けて吐出して基板Ｐの全幅にわたって処理液を吹付ける第１ノズルユニット１０と、第１ノズルユニット１０より基板Ｐの搬送方向の下流側に当該第１ノズルユニット１０と向き合うように配置され、処理液を基板Ｐの表面に向けて吐出して当該基板の全幅にわたって処理液を吹付ける第２ノズルユニット２０とを有し、相互に向き合う第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０から吐出される処理液が基板Ｐの表面上でぶつかりあって基板Ｐの幅方向に延びる処理液の盛り上がり部分Ｍが形成されるように第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０からの処理液の吐出方向が設定された構成となる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、搬送される基板の表面に処理液を吹付けることによって当該基板の表面を処理する基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶パネルの製造等において、半導体ウェーハやガラス基板等の基板の表面に処理液を吹付けることによって当該基板の表面を処理する基板処理装置が用いられる。この基板処理装置として、例えば、液晶パネルの製造に用いられ、ガラス基板の表面に付着したレジストを剥がし落とすレジスト剥離装置が提案されている（特許文献１参照）。このレジスト剥離装置は、搬送されるガラス基板の被処理表面にレジスト剥離液（処理液）をシャワーノズルから連続的に供給して当該ガラス基板の被処理表面上にレジスト剥離液の層を形成する。そして、被処理表面上にレジスト剥離液の層が形成されたガラス基板の裏面に対して超音波ノズルから液体が超音波シャワーになって吹き付けられる。
【０００３】
このようなレジスト剥離装置では、超音波シャワーによる振動がガラス基板を介して被処理表面上のレジスト剥離液の層に伝播して当該レジスト剥離液の層全体が超音波振動し得るので、レジスト剥離液とレジストとの反応が促進される。その結果、ガラス基板の被処理表面上に付着したレジストの剥離及び溶解が促進され、ガラス基板の被処理表面上に付着したレジストを剥離、除去することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−７０１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ガラス基板の被処理面上に単にレジスト剥離液（処理液）がシャワーノズルから供給されるだけなので、ガラス基板の被処理面上に形成されるレジスト剥離液の層内では、被処理表面に接する部分と表層の部分とが入れ替わるような流れが生じ難い。このため、レジスト剥離液の被処理表面に接する部分では溶解したレジストの濃度が高くなった状態が比較的長い時間維持され、レジストの剥離性能（溶解性能）が低下してしまう傾向にある。
【０００６】
また、ガラス基板の被処理面上に剥離液供給ノズルからレジスト剥離液を供給し、当該ガラス基板の進行方向下流側で、前記被処理面上のレジスト剥離液を強制的に吸引するようにしたレジスト剥離装置も提案されている（特許文献１の実施の形態３参照）。このようなレジスト剥離装置によれば、ガラス基板の被処理面上に供給されるレジスト剥離液が強制的に除去されて、被処理面はレジスト剥離液供給ノズルから供給される新しいレジスト剥離液が常に接した状態になるので、常にその新しいレジスト剥離液にてレジストを剥離することができるようになる。しかし、この場合は、ガラス基板の被処理面上を流れるレジスト剥離液の層内では、その表層部分がレジストの剥離に有効に利用されず、多くのレジスト剥離液がレジスト剥離に十分寄与することなく回収されてしまい、レジスト剥離液（処理液）の効率的な利用が図られない。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、処理液を効率的に利用しつつ処理性能を向上させることのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る基板処理装置は、搬送される基板の表面に処理液を吹付けることによって該基板の表面を処理する基板処理装置であって、前記基板の搬送方向を横切って当該基板の幅方向に延び、処理液を前記基板の表面に向けて吐出して当該基板の全幅にわたって処理液を吹付ける第１ノズルユニットと、前記基板の搬送方向を横切って当該基板の幅方向に延び、前記第１ノズルユニットより前記基板の搬送方向の下流側に当該第１ノズルユニットと向き合うように配置され、処理液を前記基板の表面に向けて吐出して当該基板の全幅にわたって処理液を吹付ける第２ノズルユニットとを有し、相互に向き合う前記第１ノズルユニット及び前記第２ノズルユニットから吐出される処理液が前記基板の表面上でぶつかりあって当該基板の幅方向に延びる処理液の盛り上がり部分を形成する構成となる。
【０００９】
このような構成により、対向する第１ノズルユニット及び第２ノズルユニットからの処理液のぶつかりにより多数のバブルが混在して撹拌されつつある処理液が盛り上がった部分として基板の表面に留めおかれた状態になる。そして、その基板の表面に盛り上がった部分として留めおかれる処理液中では、多数のバブルが混在して撹拌されることにより、基板の表面に接する処理液が頻繁に入れ替わる状態となって、当該基板の表面の処理がなされる。
【００１０】
前記第１ノズルユニットからの処理液の吐出方向及び前記第２ノズルユニットからの処理液の吐出方向のそれぞれは、前記基板の表面に垂直となる基準方向に対して２０度〜８０度の範囲内の角度に設定することができる。前記第１ノズルユニットからの処理液の吐出方向の前記基準方向に対する角度と前記第２ノズルユニットからの処理液の吐出方向の前記基準方向に対する角度とは、同じであっても、異なっていてもよい。
【００１１】
本発明に係る基板処理装置において、前記第２ノズルユニットからの処理液の噴出方向の前記基準方向に対する角度を、前記第１ノズルユニットからの処理液の噴出方向の前記基準方向に対する角度よりも大きく設定することができる。
【００１２】
このような構成により、第１ノズルユニットより基板の搬送方向の下流側に位置する第２ノズルユニットから吐出する処理液が基板の表面のより近くから斜めに当該基板の表面に吹き付けられて、その処理液の吹き付け力の基板の表面に沿った力成分が比較的大きくなるので、第１ノズルユニットから吹き付けられる処理液が基板の搬送とともにその基板の表面に引き連れられても、その流れを第２ノズルユニットからの処理液にて阻止して処理液をより有効に盛り上げることができるようになる。
【００１３】
また、本発明に係る基板処理装置において、前記第１ノズルユニット及び第２ノズルユニットのそれぞれは、前記基板の幅方向に所定の間隔をもって配置される複数のノズル孔が形成され、前記第２ノズルユニットの中央部に形成されたノズル孔からの処理液の吐出方向の前記基準方向に対する角度は、前記第２ノズルユニットの両端部に形成されたノズル孔からの処理液の吐出方向の前記基準方向に対する角度より大きい構成とすることができる。
【００１４】
このような構成により、第１ノズルユニットより基板の搬送方向の下流側に位置する第２ノズルユニットの中央部に形成されたノズル孔から吐出する処理液が基板の表面のより近くから斜めに当該基板の表面に吹き付けられて、その処理液の吹き付け力の基板の表面に沿った力成分が比較的大きくなるので、対向する第１ノズルユニット及び第２ノズルユニットからの処理液が基板の表面上の処理液の盛り上がった部分に継続して供給される際に、その基板の表面に留めおかれた状態の処理液が当該盛り上がった部分の延びる方向に流れて基板の幅方向の両側縁から流れ出すことによってその盛り上がり部分の基板の幅方向の中央部が高くなる傾向を、有効に維持することができるようになる。
【００１５】
また、本発明に係る基板処理装置において、前記基板は、幅方向の一方縁部が低く、幅方向の他方縁部が高くなるように傾いて搬送され、前記第１ノズルユニット及び第２ノズルユニットのそれぞれは、前記基板の幅方向に所定の間隔をもって配置される複数のノズル孔が形成され、前記第２ノズルユニットの、前記基板の前記一方縁部側の端部に形成されたノズル孔からの処理液の吐出方向の前記基準方向に対する角度は、前記第２ノズルユニットの、前記基板の他方縁部の端部に形成されたノズル孔からの処理液の吐出方向の前記基準方向に対する角度より大きい構成とすることができる。
【００１６】
このような構成により、第１ノズルユニットより基板の搬送方向の下流側に位置する第２ノズルユニットの、基板の一方縁部側の端部に形成されたノズル孔からの吐出する処理液が傾斜して搬送される基板の表面のより近くから斜めに当該基板の表面に吹き付けられて、その処理液の吹き付け力の基板の表面に沿った力成分が比較的大きくなるので、対向する第１ノズルユニット及び第２ノズルユニットからの処理液が傾斜して搬送される基板の表面上の処理液の盛り上がった部分に継続して供給される際に、その基板の表面に留めおかれた状態の処理液が前記処理液受け部に向けて流れてその盛り上がり部分の、前記基板の一方縁部側が高くなる傾向を、有効に維持することができるようになる。
【００１７】
本発明に係る基板処理方法は、搬送される基板の表面に処理液を吹付けることによって該基板の表面を処理する基板処理方法であって、前記基板の搬送方向を横切って当該基板の幅方向に延び、処理液を前記基板の表面に向けて吐出して当該基板の全幅にわたって処理液を吹付ける第１ノズルユニットと、前記基板の搬送方向を横切って当該基板の幅方向に延び、前記第１ノズルユニットより前記基板の搬送方向の下流側に当該第１ノズルユニットと向き合うように配置され、処理液を前記基板の表面に向けて吐出して当該基板の全幅にわたって処理液を吹付ける第２ノズルユニットとのそれぞれから吐出される処理液が前記基板の表面でぶつかりあって当該基板の幅方向に延びる処理液の盛り上がり部分を形成する構成となる。
【００１８】
このような構成により、対向する第１ノズルユニット及び第２ノズルユニットからの処理液のぶつかりにより多数のバブルが混在して撹拌されつつある処理液が盛り上がった部分として基板の表面に留めおかれた状態になる。そして、この基板の表面に盛り上がった部分として留めおかれる処理液中では、多数のバブルが混在して撹拌されることにより、基板の表面に接する処理液が頻繁に入れ替わる状態となって、当該基板の表面の処理がなされる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法によれば、対向する第１ノズルユニット及び第２ノズルユニットからの処理液のぶつかりにより多数のバブルが混在して撹拌されつつある処理液が盛り上がった部分として基板の表面に留めおかれた状態になり、この基板の表面に盛り上がった部分として留めおかれる処理液中では、多数のバブルが混在して撹拌されることにより、基板の表面に接する処理液が頻繁に入れ替わる状態となって、当該基板の表面の処理がなされるので、前記留めおかれて盛り上がった処理液のなかでより新しい処理液が基板表面に接する機会が増大する。これにより、処理液を基板の表面上を単純に流してしまうことなく効率的に利用しつつ処理性能を向上させることができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置を示す正面図である。
【図２】図１に示す基板処理装置の基板搬送方向（Ａ方向）の上流側から見た状態を示す側面図である。
【図３】図１に示す基板処理装置を上方から見た状態を示す平面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置の基板搬送方向（Ａ方向）の上流側から見た状態を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
【００２２】
本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置は、図１乃至図３に示すように構成される。この基板処理装置１００は、例えば、液晶パネルの製造工程においてガラス基板に付着したレジストを剥離するレジスト剥離装置である。図１は、基板処理装置１００を基板搬送方向（Ａ方向）に直交する基板幅方向（Ｂ方向）から見た状態を示し、図２は、基板処理装置１００を基板搬送方向（Ａ方向）の上流側から見た状態を示し、図３は、基板処理装置１００を上方から見た状態を示している。
【００２３】
図１乃至図３において、この基板処理装置１００では、レジスト剥離処理の対象となるガラス基板（以下、単に基板という）Ｐがその裏面側の両端部に当接する搬送ローラ１１、１１によって水平に維持されつつ搬送されるようになっている。基板Ｐの搬送方向（Ａ方向）を垂直に横切って当該基板Ｐの幅方向（Ｂ方向）に延びる第１ノズルユニット１０が、基板Ｐの表面の上方の所定高さ位置に設けられている。第１ノズルユニット１０は、基板Ｐの幅方向（Ｂ方向）に所定間隔にて並ぶ複数のノズル体１０１、１０２、１０３、１０４を有しており、複数のノズル体１０１、１０２、１０３、１０４の先端に形成されたノズル孔１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ、１０４ａから吐出する処理液（レジスト剥離液）が基板Ｐの表面にその全幅にわたって吹き付けられるようになっている（特に図２及び図３参照）。また、第１ノズルユニット１０の基板Ｐの搬送方向（Ａ方向）の下流側に所定距離Ｌａ（特に図１参照）を隔てて第１ノズルユニット１０に向き合うように第２ノズルユニット２０が配置されている。第２ノズルユニット２０もまた、基板Ｐの幅方向（Ｂ方向）に所定間隔にて並ぶ複数のノズル体２０１、２０２、２０３、２０４を有しており、複数のノズル体２０１、２０２、２０３、２０４の先端に形成されたノズル孔２０１ａ、２０２ａ、２０３ａ、２０４ａから吐出する処理液（レジスト剥離液）が基板Ｐの表面にその全幅にわたって吹き付けられるようになっている（特に図３参照）。
【００２４】
相互に向き合う第１ノズルユニット１０（ノズル体１０１〜１０４）及び第２ノズルユニット２０（ノズル体２０１〜２０４）から吐出される処理液が基板Ｐの表面上でぶつかりあって基板Ｐの幅方向（Ｂ方向）に延びる処理液の盛り上がり部分Ｍが形成されるように第１ノズルユニット１０（ノズル孔１０１ａ〜１０４ａ）及び第２ノズルユニット２０（ノズル孔２０１ａ〜２０４ａ）からの処理液の吐出方向が設定される。具体的には、第１ノズルユニット１０の各ノズル孔１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ、１０４ａ（ノズル体１０１〜１０４）からの処理液の吐出方向は、基板Ｐの表面に垂直となる基準方向Ｓに対して２０度〜８０度の範囲内の角度θαに設定され、第２ノズルユニット２０の各ノズル孔２０１ａ、２０２ａ、２０３ａ、２０４ａ（ノズル体２０１〜２０４）からの処理液の吐出方向もまた、前記基準方向Ｓに対して２０度〜８０度の範囲内の角度θβに設定される。
【００２５】
前記第１ノズルユニット１０からの処理液の吐出方向の前記基準方向Ｓに対する角度θαと前記第２ノズルユニット２０からの処理液の吐出方向の前記基準方向Ｓに対する角度θβとは、同じであっても、異なっていてもよいが、第１ノズルユニット１０と第２ノズルユニット２０との間隔Ｌａ、第１ノズルユニット１０の各ノズル孔１０１ａ〜１０４ａ及び第２ノズルユニット２０の各ノズル孔２０１ａ〜２０４ａそれぞれの基板Ｐ表面からの高さ位置Ｌｂ、及び前記各ノズル孔から吐出する処理液の吐出量（例えば、時間当たりの量）等ととともに、相互に向き合う第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０から吐出される処理液が基板Ｐの表面上でぶつかりあって形成される処理液の盛り上がり部分Ｍが所望の幅Ｌｃ及び所望の高さＬｄになるように設定される。
【００２６】
搬送ローラ１１、１１によって搬送される基板Ｐの下方には、基板Ｐ表面から流れ出す処理液を受ける処理液受け部１２が設けられている。処理液受け部１２は、送通管１３を介して貯液槽１５に接続されている。
【００２７】
なお、図１乃至図３には示されていないが、この基板処理装置１００は、第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０に処理液を供給する処理液供給機構を有している。なお、貯液槽１５に溜まった処理液を浄化する機構、及び浄化された処理液を前記処理液供給機構に戻して新たな処理液として利用する機構を設けてもよい。また、処理液がノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０に供給される経路、例えば、貯液槽１５の底部等に、その処理液を加熱する加熱機構を設けることもできる。
【００２８】
前述したような構造の基板処理装置１００では、搬送ローラ１１、１１によって基板Ｐが搬送されて当該基板Ｐが第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０の設けられた処理領域（レジスト剥離処理領域）を通過する際に、第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０から吐出する処理液が基板Ｐの表面（被処理面）に吹き付けられる。このとき、相互に向かい合う第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０からの処理液のぶつかりによって多数のバブルが混在して撹拌されつつある処理液が盛り上がった部分Ｍとして基板Ｐの表面に溜めおかれた状態となる。この基板Ｐの表面に盛り上がった部分Ｍとして留めおかれる処理液中では、多数のバブルが混在して撹拌されることにより、基板Ｐの表面に接する処理液が頻繁に入れ替わる状態となって、基板Ｐの表面に付着したレジストが処理液により剥離され、処理液中に溶解されていく（レジスト剥離処理）。
【００２９】
第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０から継続して処理液が基板Ｐの表面上に形成された処理液の盛り上がった部分Ｍをめがけて吹付けられるので、基板Ｐの表面に盛り上がった部分Ｍとして留めおかれる処理液中では、前述した処理液の撹拌とともに、その盛り上がった部分Ｍの延びる方向（基板Ｐの幅方向（Ｂ方向））への流れが生じている。レジストの溶解によって処理能力の低下した処理液は、その流れによって基板Ｐの両側縁から流れ出し、処理液受け部１２に流入する。また、基板Ｐの表面から剥離されて処理液中に溶解しきれずに残ったレジスト片も、前記盛り上がった部分Ｍとして留めおかれた処理液の流れに従ってその処理液とともに基板Ｐの両側縁から流れ出して、処理液受け部１２に流入する。
【００３０】
処理液受け部１２に流入したレジスト片や処理液は、送通管１３を通って進み、貯液槽１５に溜められる。貯液槽１５に貯められた処理液は、再度、レジスト剥離処理の利用に供される。処理液を浄化する機構を備えていれば、貯液槽１５に貯められた処理液は、浄化された後に再度、レジスト剥離処理の利用に供されることになる。
【００３１】
このような基板処理装置１００によれば、対向する第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０からの処理液のぶつかりにより多数のバブルが混在して撹拌されつつある処理液が盛り上がった部分Ｍとして基板Ｐの表面に留めおかれた状態になり、この基板Ｐの表面に盛り上がった部分Ｍとして留めおかれる処理液中では、多数のバブルが混在して撹拌されることにより、基板Ｐの表面に接する処理液が頻繁に入れ替わる状態となるので、前記留めおかれて盛り上がった処理液のなかでレジストの融け込みの無いあるいは少ないより新しい処理液が基板Ｐ表面に接する機会が増大する。これにより、処理液を基板Ｐの表面上を単純に流してしまうことなく効率的に利用しつつレジスト剥離の処理性能を向上させることができるようになる。
【００３２】
また、基板Ｐの下方には処理液受け部１２が設けられているので、使用済みの処理液が基板Ｐの両側縁から流れ出しても、その使用済みの処理液を処理液受け部１２によって受けることができる。そして、その処理液受け部１２にて受けた使用済み処理液が送通管１３を通して貯液槽１５に効果的に回収できるので、処理液の劣化を防止でき、その回収された使用済み処理液をそのまま、または浄化して再度の利用に供することができる。
【００３３】
処理液がノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０に供給される経路においてその処理液を加熱する加熱機構を設け、第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０から加熱された処理液が基板Ｐの表面に吹き付けられる場合、基板Ｐの表面に盛り上がって留めおかれた処理液の保温作用によって、比較的高い温度を維持しつつ処理液によるレジスト剥離の処理がなされるようになるので、その処理効果を更に向上させることができるようになる。
【００３４】
前述した基板処理装置１００において、第１ノズルユニット１０に対して基板Ｐｎｏ搬送方向の下流側に配置した第２ノズルユニット２０からの処理液の噴出方向の前記基準方向Ｓに対する角度θβを、第１ノズルユニット１０からの処理液の噴出方向の前記基準方向Ｓに対する角度θαよりも大きく設定することができる。この場合、第２ノズルユニット２０から吐出する処理液が基板Ｐの表面のより近くから斜めに当該基板Ｐの表面に吹き付けられて、その処理液の吹き付け力の基板Ｐの表面に沿った力成分が比較的大きくなるので、第１ノズルユニット１０から吹き付けられる処理液が基板Ｐの搬送とともにその基板Ｐの表面に引き連れられても、その流れを第２ノズルユニット２０からの処理液にて阻止して処理液をより有効に盛り上げることができるようになる。
【００３５】
また、第２ノズルユニット１０において基板Ｐの幅方向（Ｂ方向）に所定の間隔をもって配置される複数のノズル孔２０１ａ〜２０４ａのうち、中央部に形成されたノズル孔２０２ａ、２０３ａ（図３参照）からの処理液の吐出方向の前記基準方向Ｓに対する角度θβ（２０２ａ、２０３ａ）を、その両端部に形成されたノズル孔２０１ａ、２０４ａからの処理液の吐出方向の前記基準方向Ｓに対する角度θβ（２０１ａ、２０４ａ）より大きく設定することができる。なお、第２ノズルユニット１０において、各ノズル体２０１〜２０４を基板に対する取り付け角度が調整できるように設け、各ノズル孔からの処理液噴射角度が調整できるように構成するとよい。この場合、第２ノズルユニット２０の中央部に形成されたノズル孔２０２ａ、２０３ａから吐出する処理液が基板Ｐの表面のより近くから斜めに当該基板Ｐの表面に吹き付けられて、その処理液の吹き付け力の基板Ｐの表面に沿った力成分が比較的大きくなるので、対向する第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０からの処理液が基板Ｐの表面上の処理液の盛り上がった部分Ｍに継続して供給される際に、その基板Ｐの表面に留めおかれた状態の処理液が当該盛り上がった部分Ｍの延びる方向に流れて基板Ｐの幅方向の両側縁から流れ出すことによってその盛り上がり部分Ｍの基板の幅方向（Ｂ方向）の中央部が高くなる傾向を、有効に維持することができるようになる。
【００３６】
本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置は、図４に示すように構成される。この基板処理装置１００は、基板が、幅方向（Ｂ方向）の一方縁部が低く、幅方向（Ｂ方向）の他方縁部が高くなるように傾いて搬送される点で前述した第１の実施の形態に係る基板処理装置と相違する。
【００３７】
図４において、基板Ｐがその裏面側の両端部に当接する搬送ローラ１１、１１によって、その幅方向（Ｂ方向）の一方縁部が低く、その他方縁部が高くなるように傾いて搬送される。基板Ｐの搬送方向（Ａ方向）に垂直に横切って基板Ｐの表面に平行にその幅方向（Ｂ方向）に延び、図１に示すものと同様の構造となる第１ノズルユニット１０が、基板Ｐの表面の垂直上方の所定高さ位置に設けられている。図４には示されていないが、第１ノズルユニット１０と基板Ｐに対する相対的な位置関係及びその構造が図２及び図３に示すものと同様となる第２ノズルユニット２０が設けられている。
【００３８】
第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０それぞれの構造が、図１乃至図３に示すものと同様であり、また、第１ノズルユニット１０と第２ノズルユニット２０との基板Ｐに対する相対的な位置関係が図１乃至図３に示すものと同様であるので、前述したように、相互に向き合う第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０から吐出される処理液が基板Ｐの表面上でぶつかりあって所望の幅Ｌｃ及び基板Ｐ表面からの所望の高さＬｄとなる処理液の盛り上がり部分Ｍが形成される。そして、基板Ｐの下方には、基板Ｐ表面から流れ出す処理液を受ける処理液受け部１２が設けられている。この処理液受け部１２から延びる送通管１３が貯液槽１５（図示略）に至っている。
【００３９】
このような本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置１００では、本発明の第１の実施の形態の場合と同様に、相互に向かい合う第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０からの処理液のぶつかりによって多数のバブルが混在して撹拌されつつある処理液が盛り上がった部分Ｍとして傾斜した基板Ｐの表面に溜めおかれた状態となる。そして、その盛り上がった部分Ｍとして留めおかれる処理液中において、多数のバブルが混在して撹拌されることにより、基板Ｐの表面に接する処理液が頻繁に入れ替わる状態となるので、前記留めおかれて盛り上がった処理液のなかでレジストの融け込みの無いあるいは少ないより新しい処理液が基板Ｐ表面に接する機会が増大するようになる。これにより、処理液を基板Ｐの表面上を単純に流してしまうことなく効率的に利用しつつレジスト剥離の処理性能を向上させることができるようになる。
【００４０】
また、基板Ｐの下方には処理液受け部１２が設けられているので、前記盛り上がった部分Ｍとして留めおかれた処理液中に生じる高い側から低い側への流れによって、使用済みの処理液が基板Ｐの低い一方縁部から流れ出しても、その使用済み処理液を処理液受け部１２によって受けることができる。そして、その処理液受け部１２にて受けられた使用済み処理液が送通管１３を通して貯液槽１５に効果的に回収できるので、処理液の劣化を防止でき、その回収された使用済み処理液をそのまま、または浄化して再度の利用に供することができる。
【００４１】
本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置１００において、第２ノズルユニット２０の、基板Ｐの低くなる一方縁部側の端部に形成されたノズル孔２０１ａからの処理液の吐出方向の基準方向Ｓ（基板Ｐの表面に垂直な方向）に対する角度は、第２ノズルユニット２０の逆側の端部に形成されたノズル孔２０４ａからの処理液の吐出方向の前記基準方向Ｓに対する角度より大きく設定することができる。なお、第２ノズルユニット１０において、各ノズル体２０１〜２０４を基板に対する取り付け角度が調整できるように設け、各ノズル孔からの処理液噴射角度が調整できるように構成するとよい。この場合、第２ノズルユニット２０の、基板Ｐの低くなる一方縁部側の端部に形成されたノズル孔２０１ａからの吐出する処理液が傾斜して搬送される基板Ｐの表面のより近くから斜めに当該基板Ｐの表面に吹き付けられて、その処理液の吹き付け力の基板の表面に沿った力成分が比較的大きくなるので、対向する第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０からの処理液が傾斜して搬送される基板Ｐの表面上の処理液の盛り上がった部分Ｍに継続して供給される際に、その基板Ｐの表面に留めおかれた状態の処理液が処理液受け部１２に向けて流れてその盛り上がり部分Ｍの、前記基板Ｐの一方縁部側が高くなる傾向を、有効に維持することができるようになる。
【００４２】
なお、本発明の第１及び第２の実施の形態に係る基板処理装置１００の第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０のそれぞれは、ノズル孔（１０１ａ〜１０４ａ、２０１ａ〜２０４ａ）を４つ有する構造であるが、ノズル孔（ノズル体）の数は限定するものではなく、処理すべき基板Ｐの形状に合わせて適宜設定される。
【００４３】
また、前述した基板処理装置１００は、液晶パネルの製造過程で用いられるガラス基板の表面に付着したレジストを剥離するためのものであったが、これに限定されず、半導体ウェーハ等の他の基板に処理液を吹き付けて処理するものであってもよい。
【符号の説明】
【００４４】
１０ 第１ノズルユニット
１０１、１０２、１０３、１０４ ノズル部
１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ、１０４ａ ノズル孔
１１ 搬送ローラ
１２ 処理液受け部
１３ 送通管
１５ 貯液槽
２０ 第２ノズルユニット
２０１、２０２、２０３、２０４ ノズル部
１００ 基板処理装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は、搬送される基板の表面に処理液を吹付けることによって当該基板の表面を処理する基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶パネルの製造等において、半導体ウェーハやガラス基板等の基板の表面に処理液を吹付けることによって当該基板の表面を処理する基板処理装置が用いられる。この基板処理装置として、例えば、液晶パネルの製造に用いられ、ガラス基板の表面に付着したレジストを剥がし落とすレジスト剥離装置が提案されている（特許文献１参照）。このレジスト剥離装置は、搬送されるガラス基板の被処理表面にレジスト剥離液（処理液）をシャワーノズルから連続的に供給して当該ガラス基板の被処理表面上にレジスト剥離液の層を形成する。そして、被処理表面上にレジスト剥離液の層が形成されたガラス基板の裏面に対して超音波ノズルから液体が超音波シャワーになって吹き付けられる。
【０００３】
このようなレジスト剥離装置では、超音波シャワーによる振動がガラス基板を介して被処理表面上のレジスト剥離液の層に伝播して当該レジスト剥離液の層全体が超音波振動し得るので、レジスト剥離液とレジストとの反応が促進される。その結果、ガラス基板の被処理表面上に付着したレジストの剥離及び溶解が促進され、ガラス基板の被処理表面上に付着したレジストを剥離、除去することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−７０１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ガラス基板の被処理面上に単にレジスト剥離液（処理液）がシャワーノズルから供給されるだけなので、ガラス基板の被処理面上に形成されるレジスト剥離液の層内では、被処理表面に接する部分と表層の部分とが入れ替わるような流れが生じ難い。このため、レジスト剥離液の被処理表面に接する部分では溶解したレジストの濃度が高くなった状態が比較的長い時間維持され、レジストの剥離性能（溶解性能）が低下してしまう傾向にある。
【０００６】
また、ガラス基板の被処理面上に剥離液供給ノズルからレジスト剥離液を供給し、当該ガラス基板の進行方向下流側で、前記被処理面上のレジスト剥離液を強制的に吸引するようにしたレジスト剥離装置も提案されている（特許文献１の実施の形態３参照）。このようなレジスト剥離装置によれば、ガラス基板の被処理面上に供給されるレジスト剥離液が強制的に除去されて、被処理面はレジスト剥離液供給ノズルから供給される新しいレジスト剥離液が常に接した状態になるので、常にその新しいレジスト剥離液にてレジストを剥離することができるようになる。しかし、この場合は、ガラス基板の被処理面上を流れるレジスト剥離液の層内では、その表層部分がレジストの剥離に有効に利用されず、多くのレジスト剥離液がレジスト剥離に十分寄与することなく回収されてしまい、レジスト剥離液（処理液）の効率的な利用が図られない。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、処理液を効率的に利用しつつ処理性能を向上させることのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る基板処理装置は、搬送される基板の表面に処理液を吹付けることによって該基板の表面を処理する基板処理装置であって、前記基板の搬送方向を横切って当該基板の幅方向に延び、処理液を前記基板の表面に向けて吐出して当該基板の全幅にわたって処理液を吹付ける第１ノズルユニットと、前記基板の搬送方向を横切って当該基板の幅方向に延び、前記第１ノズルユニットより前記基板の搬送方向の下流側に当該第１ノズルユニットと向き合うように配置され、処理液を前記基板の表面に向けて吐出して当該基板の全幅にわたって処理液を吹付ける第２ノズルユニットとを有し、相互に向き合う前記第１ノズルユニット及び前記第２ノズルユニットから吐出される処理液が前記基板の表面上でぶつかりあって当該基板の幅方向に延びる処理液の盛り上がり部分を形成する構成となる。
【０００９】
このような構成により、対向する第１ノズルユニット及び第２ノズルユニットからの処理液のぶつかりにより多数のバブルが混在して撹拌されつつある処理液が盛り上がった部分として基板の表面に留めおかれた状態になる。そして、その基板の表面に盛り上がった部分として留めおかれる処理液中では、多数のバブルが混在して撹拌されることにより、基板の表面に接する処理液が頻繁に入れ替わる状態となって、当該基板の表面の処理がなされる。
【００１０】
前記第１ノズルユニットからの処理液の吐出方向及び前記第２ノズルユニットからの処理液の吐出方向のそれぞれは、前記基板の表面に垂直となる基準方向に対して２０度〜８０度の範囲内の角度に設定することができる。前記第１ノズルユニットからの処理液の吐出方向の前記基準方向に対する角度と前記第２ノズルユニットからの処理液の吐出方向の前記基準方向に対する角度とは、同じであっても、異なっていてもよい。
【００１１】
本発明に係る基板処理装置において、前記第２ノズルユニットからの処理液の噴出方向の前記基準方向に対する角度を、前記第１ノズルユニットからの処理液の噴出方向の前記基準方向に対する角度よりも大きく設定することができる。
【００１２】
このような構成により、第１ノズルユニットより基板の搬送方向の下流側に位置する第２ノズルユニットから吐出する処理液が基板の表面のより近くから斜めに当該基板の表面に吹き付けられて、その処理液の吹き付け力の基板の表面に沿った力成分が比較的大きくなるので、第１ノズルユニットから吹き付けられる処理液が基板の搬送とともにその基板の表面に引き連れられても、その流れを第２ノズルユニットからの処理液にて阻止して処理液をより有効に盛り上げることができるようになる。
【００１３】
また、本発明に係る基板処理装置において、前記第１ノズルユニット及び第２ノズルユニットのそれぞれは、前記基板の幅方向に所定の間隔をもって配置される複数のノズル孔が形成され、前記第２ノズルユニットの中央部に形成されたノズル孔からの処理液の吐出方向の前記基準方向に対する角度は、前記第２ノズルユニットの両端部に形成されたノズル孔からの処理液の吐出方向の前記基準方向に対する角度より大きい構成とすることができる。
【００１４】
このような構成により、第１ノズルユニットより基板の搬送方向の下流側に位置する第２ノズルユニットの中央部に形成されたノズル孔から吐出する処理液が基板の表面のより近くから斜めに当該基板の表面に吹き付けられて、その処理液の吹き付け力の基板の表面に沿った力成分が比較的大きくなるので、対向する第１ノズルユニット及び第２ノズルユニットからの処理液が基板の表面上の処理液の盛り上がった部分に継続して供給される際に、その基板の表面に留めおかれた状態の処理液が当該盛り上がった部分の延びる方向に流れて基板の幅方向の両側縁から流れ出すことによってその盛り上がり部分の基板の幅方向の中央部が高くなる傾向を、有効に維持することができるようになる。
【００１５】
また、本発明に係る基板処理装置において、前記基板は、幅方向の一方縁部が低く、幅方向の他方縁部が高くなるように傾いて搬送され、前記第１ノズルユニット及び第２ノズルユニットのそれぞれは、前記基板の幅方向に所定の間隔をもって配置される複数のノズル孔が形成され、前記第２ノズルユニットの、前記基板の前記一方縁部側の端部に形成されたノズル孔からの処理液の吐出方向の前記基準方向に対する角度は、前記第２ノズルユニットの、前記基板の他方縁部の端部に形成されたノズル孔からの処理液の吐出方向の前記基準方向に対する角度より大きい構成とすることができる。
【００１６】
このような構成により、第１ノズルユニットより基板の搬送方向の下流側に位置する第２ノズルユニットの、基板の一方縁部側の端部に形成されたノズル孔からの吐出する処理液が傾斜して搬送される基板の表面のより近くから斜めに当該基板の表面に吹き付けられて、その処理液の吹き付け力の基板の表面に沿った力成分が比較的大きくなるので、対向する第１ノズルユニット及び第２ノズルユニットからの処理液が傾斜して搬送される基板の表面上の処理液の盛り上がった部分に継続して供給される際に、その基板の表面に留めおかれた状態の処理液が前記処理液受け部に向けて流れてその盛り上がり部分の、前記基板の一方縁部側が高くなる傾向を、有効に維持することができるようになる。
【００１７】
本発明に係る基板処理方法は、搬送される基板の表面に処理液を吹付けることによって該基板の表面を処理する基板処理方法であって、前記基板の搬送方向を横切って当該基板の幅方向に延び、処理液を前記基板の表面に向けて吐出して当該基板の全幅にわたって処理液を吹付ける第１ノズルユニットと、前記基板の搬送方向を横切って当該基板の幅方向に延び、前記第１ノズルユニットより前記基板の搬送方向の下流側に当該第１ノズルユニットと向き合うように配置され、処理液を前記基板の表面に向けて吐出して当該基板の全幅にわたって処理液を吹付ける第２ノズルユニットとのそれぞれから吐出される処理液が前記基板の表面でぶつかりあって当該基板の幅方向に延びる処理液の盛り上がり部分を形成する構成となる。
【００１８】
このような構成により、対向する第１ノズルユニット及び第２ノズルユニットからの処理液のぶつかりにより多数のバブルが混在して撹拌されつつある処理液が盛り上がった部分として基板の表面に留めおかれた状態になる。そして、この基板の表面に盛り上がった部分として留めおかれる処理液中では、多数のバブルが混在して撹拌されることにより、基板の表面に接する処理液が頻繁に入れ替わる状態となって、当該基板の表面の処理がなされる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法によれば、対向する第１ノズルユニット及び第２ノズルユニットからの処理液のぶつかりにより多数のバブルが混在して撹拌されつつある処理液が盛り上がった部分として基板の表面に留めおかれた状態になり、この基板の表面に盛り上がった部分として留めおかれる処理液中では、多数のバブルが混在して撹拌されることにより、基板の表面に接する処理液が頻繁に入れ替わる状態となって、当該基板の表面の処理がなされるので、前記留めおかれて盛り上がった処理液のなかでより新しい処理液が基板表面に接する機会が増大する。これにより、処理液を基板の表面上を単純に流してしまうことなく効率的に利用しつつ処理性能を向上させることができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置を示す正面図である。
【図２】図１に示す基板処理装置の基板搬送方向（Ａ方向）の上流側から見た状態を示す側面図である。
【図３】図１に示す基板処理装置を上方から見た状態を示す平面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置の基板搬送方向（Ａ方向）の上流側から見た状態を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
【００２２】
本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置は、図１乃至図３に示すように構成される。この基板処理装置１００は、例えば、液晶パネルの製造工程においてガラス基板に付着したレジストを剥離するレジスト剥離装置である。図１は、基板処理装置１００を基板搬送方向（Ａ方向）に直交する基板幅方向（Ｂ方向）から見た状態を示し、図２は、基板処理装置１００を基板搬送方向（Ａ方向）の上流側から見た状態を示し、図３は、基板処理装置１００を上方から見た状態を示している。
【００２３】
図１乃至図３において、この基板処理装置１００では、レジスト剥離処理の対象となるガラス基板（以下、単に基板という）Ｐがその裏面側の両端部に当接する搬送ローラ１１、１１によって水平に維持されつつ搬送されるようになっている。基板Ｐの搬送方向（Ａ方向）を垂直に横切って当該基板Ｐの幅方向（Ｂ方向）に延びる第１ノズルユニット１０が、基板Ｐの表面の上方の所定高さ位置に設けられている。第１ノズルユニット１０は、基板Ｐの幅方向（Ｂ方向）に所定間隔にて並ぶ複数のノズル体１０１、１０２、１０３、１０４を有しており、複数のノズル体１０１、１０２、１０３、１０４の先端に形成されたノズル孔１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ、１０４ａから吐出する処理液（レジスト剥離液）が基板Ｐの表面にその全幅にわたって吹き付けられるようになっている（特に図２及び図３参照）。また、第１ノズルユニット１０の基板Ｐの搬送方向（Ａ方向）の下流側に所定距離Ｌａ（特に図１参照）を隔てて第１ノズルユニット１０に向き合うように第２ノズルユニット２０が配置されている。第２ノズルユニット２０もまた、基板Ｐの幅方向（Ｂ方向）に所定間隔にて並ぶ複数のノズル体２０１、２０２、２０３、２０４を有しており、複数のノズル体２０１、２０２、２０３、２０４の先端に形成されたノズル孔２０１ａ、２０２ａ、２０３ａ、２０４ａから吐出する処理液（レジスト剥離液）が基板Ｐの表面にその全幅にわたって吹き付けられるようになっている（特に図３参照）。
【００２４】
相互に向き合う第１ノズルユニット１０（ノズル体１０１〜１０４）及び第２ノズルユニット２０（ノズル体２０１〜２０４）から吐出される処理液が基板Ｐの表面上でぶつかりあって基板Ｐの幅方向（Ｂ方向）に延びる処理液の盛り上がり部分Ｍが形成されるように第１ノズルユニット１０（ノズル孔１０１ａ〜１０４ａ）及び第２ノズルユニット２０（ノズル孔２０１ａ〜２０４ａ）からの処理液の吐出方向が設定される。具体的には、第１ノズルユニット１０の各ノズル孔１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ、１０４ａ（ノズル体１０１〜１０４）からの処理液の吐出方向は、基板Ｐの表面に垂直となる基準方向Ｓに対して２０度〜８０度の範囲内の角度θαに設定され、第２ノズルユニット２０の各ノズル孔２０１ａ、２０２ａ、２０３ａ、２０４ａ（ノズル体２０１〜２０４）からの処理液の吐出方向もまた、前記基準方向Ｓに対して２０度〜８０度の範囲内の角度θβに設定される。
【００２５】
前記第１ノズルユニット１０からの処理液の吐出方向の前記基準方向Ｓに対する角度θαと前記第２ノズルユニット２０からの処理液の吐出方向の前記基準方向Ｓに対する角度θβとは、同じであっても、異なっていてもよいが、第１ノズルユニット１０と第２ノズルユニット２０との間隔Ｌａ、第１ノズルユニット１０の各ノズル孔１０１ａ〜１０４ａ及び第２ノズルユニット２０の各ノズル孔２０１ａ〜２０４ａそれぞれの基板Ｐ表面からの高さ位置Ｌｂ、及び前記各ノズル孔から吐出する処理液の吐出量（例えば、時間当たりの量）等ととともに、相互に向き合う第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０から吐出される処理液が基板Ｐの表面上でぶつかりあって形成される処理液の盛り上がり部分Ｍが所望の幅Ｌｃ及び所望の高さＬｄになるように設定される。
【００２６】
搬送ローラ１１、１１によって搬送される基板Ｐの下方には、基板Ｐ表面から流れ出す処理液を受ける処理液受け部１２が設けられている。処理液受け部１２は、送通管１３を介して貯液槽１５に接続されている。
【００２７】
なお、図１乃至図３には示されていないが、この基板処理装置１００は、第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０に処理液を供給する処理液供給機構を有している。なお、貯液槽１５に溜まった処理液を浄化する機構、及び浄化された処理液を前記処理液供給機構に戻して新たな処理液として利用する機構を設けてもよい。また、処理液がノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０に供給される経路、例えば、貯液槽１５の底部等に、その処理液を加熱する加熱機構を設けることもできる。
【００２８】
前述したような構造の基板処理装置１００では、搬送ローラ１１、１１によって基板Ｐが搬送されて当該基板Ｐが第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０の設けられた処理領域（レジスト剥離処理領域）を通過する際に、第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０から吐出する処理液が基板Ｐの表面（被処理面）に吹き付けられる。このとき、相互に向かい合う第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０からの処理液のぶつかりによって多数のバブルが混在して撹拌されつつある処理液が盛り上がった部分Ｍとして基板Ｐの表面に溜めおかれた状態となる。この基板Ｐの表面に盛り上がった部分Ｍとして留めおかれる処理液中では、多数のバブルが混在して撹拌されることにより、基板Ｐの表面に接する処理液が頻繁に入れ替わる状態となって、基板Ｐの表面に付着したレジストが処理液により剥離され、処理液中に溶解されていく（レジスト剥離処理）。
【００２９】
第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０から継続して処理液が基板Ｐの表面上に形成された処理液の盛り上がった部分Ｍをめがけて吹付けられるので、基板Ｐの表面に盛り上がった部分Ｍとして留めおかれる処理液中では、前述した処理液の撹拌とともに、その盛り上がった部分Ｍの延びる方向（基板Ｐの幅方向（Ｂ方向））への流れが生じている。レジストの溶解によって処理能力の低下した処理液は、その流れによって基板Ｐの両側縁から流れ出し、処理液受け部１２に流入する。また、基板Ｐの表面から剥離されて処理液中に溶解しきれずに残ったレジスト片も、前記盛り上がった部分Ｍとして留めおかれた処理液の流れに従ってその処理液とともに基板Ｐの両側縁から流れ出して、処理液受け部１２に流入する。
【００３０】
処理液受け部１２に流入したレジスト片や処理液は、送通管１３を通って進み、貯液槽１５に溜められる。貯液槽１５に貯められた処理液は、再度、レジスト剥離処理の利用に供される。処理液を浄化する機構を備えていれば、貯液槽１５に貯められた処理液は、浄化された後に再度、レジスト剥離処理の利用に供されることになる。
【００３１】
このような基板処理装置１００によれば、対向する第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０からの処理液のぶつかりにより多数のバブルが混在して撹拌されつつある処理液が盛り上がった部分Ｍとして基板Ｐの表面に留めおかれた状態になり、この基板Ｐの表面に盛り上がった部分Ｍとして留めおかれる処理液中では、多数のバブルが混在して撹拌されることにより、基板Ｐの表面に接する処理液が頻繁に入れ替わる状態となるので、前記留めおかれて盛り上がった処理液のなかでレジストの融け込みの無いあるいは少ないより新しい処理液が基板Ｐ表面に接する機会が増大する。これにより、処理液を基板Ｐの表面上を単純に流してしまうことなく効率的に利用しつつレジスト剥離の処理性能を向上させることができるようになる。
【００３２】
また、基板Ｐの下方には処理液受け部１２が設けられているので、使用済みの処理液が基板Ｐの両側縁から流れ出しても、その使用済みの処理液を処理液受け部１２によって受けることができる。そして、その処理液受け部１２にて受けた使用済み処理液が送通管１３を通して貯液槽１５に効果的に回収できるので、処理液の劣化を防止でき、その回収された使用済み処理液をそのまま、または浄化して再度の利用に供することができる。
【００３３】
処理液がノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０に供給される経路においてその処理液を加熱する加熱機構を設け、第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０から加熱された処理液が基板Ｐの表面に吹き付けられる場合、基板Ｐの表面に盛り上がって留めおかれた処理液の保温作用によって、比較的高い温度を維持しつつ処理液によるレジスト剥離の処理がなされるようになるので、その処理効果を更に向上させることができるようになる。
【００３４】
前述した基板処理装置１００において、第１ノズルユニット１０に対して基板Ｐｎｏ搬送方向の下流側に配置した第２ノズルユニット２０からの処理液の噴出方向の前記基準方向Ｓに対する角度θβを、第１ノズルユニット１０からの処理液の噴出方向の前記基準方向Ｓに対する角度θαよりも大きく設定することができる。この場合、第２ノズルユニット２０から吐出する処理液が基板Ｐの表面のより近くから斜めに当該基板Ｐの表面に吹き付けられて、その処理液の吹き付け力の基板Ｐの表面に沿った力成分が比較的大きくなるので、第１ノズルユニット１０から吹き付けられる処理液が基板Ｐの搬送とともにその基板Ｐの表面に引き連れられても、その流れを第２ノズルユニット２０からの処理液にて阻止して処理液をより有効に盛り上げることができるようになる。
【００３５】
また、第２ノズルユニット１０において基板Ｐの幅方向（Ｂ方向）に所定の間隔をもって配置される複数のノズル孔２０１ａ〜２０４ａのうち、中央部に形成されたノズル孔２０２ａ、２０３ａ（図３参照）からの処理液の吐出方向の前記基準方向Ｓに対する角度θβ（２０２ａ、２０３ａ）を、その両端部に形成されたノズル孔２０１ａ、２０４ａからの処理液の吐出方向の前記基準方向Ｓに対する角度θβ（２０１ａ、２０４ａ）より大きく設定することができる。なお、第２ノズルユニット１０において、各ノズル体２０１〜２０４を基板に対する取り付け角度が調整できるように設け、各ノズル孔からの処理液噴射角度が調整できるように構成するとよい。この場合、第２ノズルユニット２０の中央部に形成されたノズル孔２０２ａ、２０３ａから吐出する処理液が基板Ｐの表面のより近くから斜めに当該基板Ｐの表面に吹き付けられて、その処理液の吹き付け力の基板Ｐの表面に沿った力成分が比較的大きくなるので、対向する第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０からの処理液が基板Ｐの表面上の処理液の盛り上がった部分Ｍに継続して供給される際に、その基板Ｐの表面に留めおかれた状態の処理液が当該盛り上がった部分Ｍの延びる方向に流れて基板Ｐの幅方向の両側縁から流れ出すことによってその盛り上がり部分Ｍの基板の幅方向（Ｂ方向）の中央部が高くなる傾向を、有効に維持することができるようになる。
【００３６】
本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置は、図４に示すように構成される。この基板処理装置１００は、基板が、幅方向（Ｂ方向）の一方縁部が低く、幅方向（Ｂ方向）の他方縁部が高くなるように傾いて搬送される点で前述した第１の実施の形態に係る基板処理装置と相違する。
【００３７】
図４において、基板Ｐがその裏面側の両端部に当接する搬送ローラ１１、１１によって、その幅方向（Ｂ方向）の一方縁部が低く、その他方縁部が高くなるように傾いて搬送される。基板Ｐの搬送方向（Ａ方向）に垂直に横切って基板Ｐの表面に平行にその幅方向（Ｂ方向）に延び、図１に示すものと同様の構造となる第１ノズルユニット１０が、基板Ｐの表面の垂直上方の所定高さ位置に設けられている。図４には示されていないが、第１ノズルユニット１０と基板Ｐに対する相対的な位置関係及びその構造が図２及び図３に示すものと同様となる第２ノズルユニット２０が設けられている。
【００３８】
第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０それぞれの構造が、図１乃至図３に示すものと同様であり、また、第１ノズルユニット１０と第２ノズルユニット２０との基板Ｐに対する相対的な位置関係が図１乃至図３に示すものと同様であるので、前述したように、相互に向き合う第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０から吐出される処理液が基板Ｐの表面上でぶつかりあって所望の幅Ｌｃ及び基板Ｐ表面からの所望の高さＬｄとなる処理液の盛り上がり部分Ｍが形成される。そして、基板Ｐの下方には、基板Ｐ表面から流れ出す処理液を受ける処理液受け部１２が設けられている。この処理液受け部１２から延びる送通管１３が貯液槽１５（図示略）に至っている。
【００３９】
このような本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置１００では、本発明の第１の実施の形態の場合と同様に、相互に向かい合う第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０からの処理液のぶつかりによって多数のバブルが混在して撹拌されつつある処理液が盛り上がった部分Ｍとして傾斜した基板Ｐの表面に溜めおかれた状態となる。そして、その盛り上がった部分Ｍとして留めおかれる処理液中において、多数のバブルが混在して撹拌されることにより、基板Ｐの表面に接する処理液が頻繁に入れ替わる状態となるので、前記留めおかれて盛り上がった処理液のなかでレジストの融け込みの無いあるいは少ないより新しい処理液が基板Ｐ表面に接する機会が増大するようになる。これにより、処理液を基板Ｐの表面上を単純に流してしまうことなく効率的に利用しつつレジスト剥離の処理性能を向上させることができるようになる。
【００４０】
また、基板Ｐの下方には処理液受け部１２が設けられているので、前記盛り上がった部分Ｍとして留めおかれた処理液中に生じる高い側から低い側への流れによって、使用済みの処理液が基板Ｐの低い一方縁部から流れ出しても、その使用済み処理液を処理液受け部１２によって受けることができる。そして、その処理液受け部１２にて受けられた使用済み処理液が送通管１３を通して貯液槽１５に効果的に回収できるので、処理液の劣化を防止でき、その回収された使用済み処理液をそのまま、または浄化して再度の利用に供することができる。
【００４１】
本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置１００において、第２ノズルユニット２０の、基板Ｐの低くなる一方縁部側の端部に形成されたノズル孔２０１ａからの処理液の吐出方向の基準方向Ｓ（基板Ｐの表面に垂直な方向）に対する角度は、第２ノズルユニット２０の逆側の端部に形成されたノズル孔２０４ａからの処理液の吐出方向の前記基準方向Ｓに対する角度より大きく設定することができる。なお、第２ノズルユニット１０において、各ノズル体２０１〜２０４を基板に対する取り付け角度が調整できるように設け、各ノズル孔からの処理液噴射角度が調整できるように構成するとよい。この場合、第２ノズルユニット２０の、基板Ｐの低くなる一方縁部側の端部に形成されたノズル孔２０１ａからの吐出する処理液が傾斜して搬送される基板Ｐの表面のより近くから斜めに当該基板Ｐの表面に吹き付けられて、その処理液の吹き付け力の基板の表面に沿った力成分が比較的大きくなるので、対向する第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０からの処理液が傾斜して搬送される基板Ｐの表面上の処理液の盛り上がった部分Ｍに継続して供給される際に、その基板Ｐの表面に留めおかれた状態の処理液が処理液受け部１２に向けて流れてその盛り上がり部分Ｍの、前記基板Ｐの一方縁部側が高くなる傾向を、有効に維持することができるようになる。
【００４２】
なお、本発明の第１及び第２の実施の形態に係る基板処理装置１００の第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０のそれぞれは、ノズル孔（１０１ａ〜１０４ａ、２０１ａ〜２０４ａ）を４つ有する構造であるが、ノズル孔（ノズル体）の数は限定するものではなく、処理すべき基板Ｐの形状に合わせて適宜設定される。
【００４３】
また、前述した基板処理装置１００は、液晶パネルの製造過程で用いられるガラス基板の表面に付着したレジストを剥離するためのものであったが、これに限定されず、半導体ウェーハ等の他の基板に処理液を吹き付けて処理するものであってもよい。
【符号の説明】
【００４４】
１０ 第１ノズルユニット
１０１、１０２、１０３、１０４ ノズル部
１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ、１０４ａ ノズル孔
１１ 搬送ローラ
１２ 処理液受け部
１３ 送通管
１５ 貯液槽
２０ 第２ノズルユニット
２０１、２０２、２０３、２０４ ノズル部
１００ 基板処理装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送される基板の表面に処理液を吹付けることによって該基板の表面を処理する基板処理装置であって、
前記基板の搬送方向を横切って当該基板の幅方向に延び、処理液を前記基板の表面に向けて吐出して当該基板の全幅にわたって処理液を吹付ける第１ノズルユニットと、
前記基板の搬送方向を横切って当該基板の幅方向に延び、前記第１ノズルユニットより前記基板の搬送方向の下流側に当該第１ノズルユニットと向き合うように配置され、処理液を前記基板の表面に向けて吐出して当該基板の全幅にわたって処理液を吹付ける第２ノズルユニットとを有し、
相互に向き合う前記第１ノズルユニット及び前記第２ノズルユニットから吐出される処理液が前記基板の表面上でぶつかりあって当該基板の幅方向に延びる処理液の盛り上がり部分を形成する基板処理装置。
【請求項２】
前記第１ノズルユニットからの処理液の吐出方向及び前記第２ノズルユニットからの処理液の吐出方向のそれぞれは、前記基板の表面に垂直となる基準方向に対して２０度〜８０度の範囲内の角度に設定される請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第２ノズルユニットからの処理液の吐出方向の前記基準方向に対する角度は、前記第１ノズルユニットからの処理液の吐出方向の前記基準方向に対する角度よりも大きい請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第１ノズルユニット及び第２ノズルユニットのそれぞれは、前記基板の幅方向に所定の間隔をもって配置される複数のノズル孔が形成され、
前記第２ノズルユニットの中央部に形成されたノズル孔からの処理液の吐出方向の前記基準方向に対する角度は、前記第２ノズルユニットの両端部に形成されたノズル孔からの処理液の吐出方向の前記基準方向に対する角度より大きい請求項２または３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記基板は、幅方向の一方縁部が低く、幅方向の他方縁部が高くなるように傾いて搬送され、
前記第１ノズルユニット及び第２ノズルユニットのそれぞれは、前記基板の幅方向に所定の間隔をもって配置される複数のノズル孔が形成され、
前記第２ノズルユニットの、前記基板の前記一方縁部側の端部に形成されたノズル孔からの処理液の吐出方向の前記基準方向に対する角度は、前記第２ノズルユニットの、前記基板の他方縁部の端部に形成されたノズル孔からの処理液の吐出方向の前記基準方向に対する角度より大きい請求項２記載の基板処理装置。
【請求項６】
搬送される基板の表面に処理液を吹付けることによって該基板の表面を処理する基板処理方法であって、
前記基板の搬送方向を横切って当該基板の幅方向に延び、処理液を前記基板の表面に向けて吐出して当該基板の全幅にわたって処理液を吹付ける第１ノズルユニットと、前記基板の搬送方向を横切って当該基板の幅方向に延び、前記第１ノズルユニットより前記基板の搬送方向の下流側に当該第１ノズルユニットと向き合うように配置され、処理液を前記基板の表面に向けて吐出して当該基板の全幅にわたって処理液を吹付ける第２ノズルユニットとのそれぞれから吐出される処理液が前記基板の表面でぶつかりあって当該基板の幅方向に延びる処理液の盛り上がり部分を形成する基板処理方法。
【請求項１】
搬送される基板の表面に処理液を吹付けることによって該基板の表面を処理する基板処理装置であって、
前記基板の搬送方向を横切って当該基板の幅方向に延び、処理液を前記基板の表面に向けて吐出して当該基板の全幅にわたって処理液を吹付ける第１ノズルユニットと、
前記基板の搬送方向を横切って当該基板の幅方向に延び、前記第１ノズルユニットより前記基板の搬送方向の下流側に当該第１ノズルユニットと向き合うように配置され、処理液を前記基板の表面に向けて吐出して当該基板の全幅にわたって処理液を吹付ける第２ノズルユニットとを有し、
相互に向き合う前記第１ノズルユニット及び前記第２ノズルユニットから吐出される処理液が前記基板の表面上でぶつかりあって当該基板の幅方向に延びる処理液の盛り上がり部分を形成する基板処理装置。
【請求項２】
前記第１ノズルユニットからの処理液の吐出方向及び前記第２ノズルユニットからの処理液の吐出方向のそれぞれは、前記基板の表面に垂直となる基準方向に対して２０度〜８０度の範囲内の角度に設定される請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第２ノズルユニットからの処理液の吐出方向の前記基準方向に対する角度は、前記第１ノズルユニットからの処理液の吐出方向の前記基準方向に対する角度よりも大きい請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第１ノズルユニット及び第２ノズルユニットのそれぞれは、前記基板の幅方向に所定の間隔をもって配置される複数のノズル孔が形成され、
前記第２ノズルユニットの中央部に形成されたノズル孔からの処理液の吐出方向の前記基準方向に対する角度は、前記第２ノズルユニットの両端部に形成されたノズル孔からの処理液の吐出方向の前記基準方向に対する角度より大きい請求項２または３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記基板は、幅方向の一方縁部が低く、幅方向の他方縁部が高くなるように傾いて搬送され、
前記第１ノズルユニット及び第２ノズルユニットのそれぞれは、前記基板の幅方向に所定の間隔をもって配置される複数のノズル孔が形成され、
前記第２ノズルユニットの、前記基板の前記一方縁部側の端部に形成されたノズル孔からの処理液の吐出方向の前記基準方向に対する角度は、前記第２ノズルユニットの、前記基板の他方縁部の端部に形成されたノズル孔からの処理液の吐出方向の前記基準方向に対する角度より大きい請求項２記載の基板処理装置。
【請求項６】
搬送される基板の表面に処理液を吹付けることによって該基板の表面を処理する基板処理方法であって、
前記基板の搬送方向を横切って当該基板の幅方向に延び、処理液を前記基板の表面に向けて吐出して当該基板の全幅にわたって処理液を吹付ける第１ノズルユニットと、前記基板の搬送方向を横切って当該基板の幅方向に延び、前記第１ノズルユニットより前記基板の搬送方向の下流側に当該第１ノズルユニットと向き合うように配置され、処理液を前記基板の表面に向けて吐出して当該基板の全幅にわたって処理液を吹付ける第２ノズルユニットとのそれぞれから吐出される処理液が前記基板の表面でぶつかりあって当該基板の幅方向に延びる処理液の盛り上がり部分を形成する基板処理方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１２−９９５７０（Ｐ２０１２−９９５７０Ａ）
【公開日】平成２４年５月２４日（２０１２．５．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２４４４４９（Ｐ２０１０−２４４４４９）
【出願日】平成２２年１０月２９日（２０１０．１０．２９）
【出願人】（０００００２４２８）芝浦メカトロニクス株式会社 (907)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年５月２４日（２０１２．５．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１０月２９日（２０１０．１０．２９）
【出願人】（０００００２４２８）芝浦メカトロニクス株式会社 (907)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]