【課題】処理液の補充による処理液の濃度増加を防止すること。
【解決手段】本発明では、薬液を希釈液で希釈した処理液を設定温度で沸騰させることによって処理液の濃度を設定温度における飽和濃度とし、処理液に基板を浸漬させて基板の処理を行う基板処理装置(1)において、基板(10)を処理液で処理する処理槽(2)と、処理槽(2)に貯留した処理液を設定温度に加熱する処理液加熱手段(5)と、処理槽(2)から処理液を排出する処理液排出手段(6)と、処理槽(2)に処理液を補充する処理液補充手段(7)と、設定温度を変更する設定温度変更手段(8)と、処理液排出手段(6)と処理液補充手段(7)を制御する制御手段(9)とを有し、制御手段(9)は、処理液排出手段(6)で所定量の処理液を処理槽(2)から排出し、設定温度変更手段(8)で変更された設定温度における飽和濃度となる濃度の処理液を処理液補充手段(7)から処理槽(2)に補充するよう制御することにした。 （もっと読む）

【課題】電力消費量を低減することができる基板処理装置および電源管理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、基板の処理のための工程を実行する複数のユニットＩＲ，ＳＨ、ＣＲ、ＭＰＣ、ＣＣと、複数のユニットにそれぞれ対応しており、対応するユニットに電力を供給するオン状態と、対応するユニットへの電力供給を停止するオフ状態との間で切り替わる複数のオン・オフ切替装置２２と、基板処理装置１に投入される基板の処理内容および終了期限を含む生産情報を取得し、処理内容に応じて複数のユニットによって行われる全ての工程が終了期限以前に完了するように、複数のユニットの稼働計画を表すタイムチャートを生産情報に基づいて作成し、タイムチャートに基づいて複数のユニットを稼働させると共に、タイムチャートに基づいて複数のオン・オフ切替装置２２を制御するメインコントローラ６とを含む。 （もっと読む）

【課題】酸化性物質を含む硫酸溶液に水溶液を混合して電子材料を洗浄する際に、水溶液使用量、廃液処理量、硫酸濃度の低下を招く課題を解決する。
【解決手段】過硫酸物質を含む硫酸濃度７０質量％以上の硫酸溶液を洗浄液として電子材料に供給することにより前記洗浄液を前記電子材料に接触させて前記電子材料を洗浄する枚葉式の電子材料洗浄方法において、前記洗浄液に水溶液を混合させて、混合直後に該洗浄液を前記電子材料に接触させる第１洗浄工程と、該第１洗浄工程の後に、前記洗浄液に前記水溶液を混合させることなく前記洗浄液を前記電子材料に接触させる第２洗浄工程とを含むことで、洗浄効果を良好に維持したままで、水溶液使用量、廃液使用量、硫酸濃度の低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】濃度測定後の過硫酸含有硫酸溶液の利用を妨げることなく、過硫酸含有硫酸溶液中の過硫酸濃度を的確に測定することができる過硫酸濃度の測定方法及び過硫酸濃度測定装置並びに該測定装置を有する過硫酸供給装置を提供する。
【解決手段】過硫酸含有硫酸溶液に接液される作用極３ａ及び参照極３ｂと、参照極３ｂに対する作用極３ａの電位を掃引し、その際の応答電流を測定するポテンショスタット４と、作用極３ａの電位が予め設定した負の電位にあるときにポテンショスタット４により測定された第１の電流値に基づいて全酸化剤濃度を求めるとともに、作用極３ａの電位が予め設定した正の電位であるときにポテンショスタット４により測定された第２の電流値に基づいて過酸化水素濃度を求める酸化剤濃度判定部５と、酸化剤濃度判定部５で求められた全酸化剤濃度と過酸化水素濃度とに基づき過硫酸濃度を判定する過硫酸濃度判定部６とを有する。 （もっと読む）

【課題】処理液を効率的に利用しつつ処理性能を向上させることのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。
【解決手段】
処理液を基板Ｐの表面に向けて吐出して基板Ｐの全幅にわたって処理液を吹付ける第１ノズルユニット１０と、第１ノズルユニット１０より基板Ｐの搬送方向の下流側に当該第１ノズルユニット１０と向き合うように配置され、処理液を基板Ｐの表面に向けて吐出して当該基板の全幅にわたって処理液を吹付ける第２ノズルユニット２０とを有し、相互に向き合う第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０から吐出される処理液が基板Ｐの表面上でぶつかりあって基板Ｐの幅方向に延びる処理液の盛り上がり部分Ｍが形成されるように第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０からの処理液の吐出方向が設定された構成となる。 （もっと読む）

【課題】 アルカリ成分がオゾン洗浄液に混入することを抑制して、オゾン洗浄能力の低下が抑制できる洗浄方法を提供する。
【解決手段】 チャック部材で、予めオゾン洗浄槽内のオゾン洗浄液に浸漬していた他の被処理物を保持するに先立ち、搬送アームの一部およびチャック部材に付着したアルカリ成分を洗浄除去して、アルカリ成分がオゾン洗浄液に混入するのを抑制することを特徴とする洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】基板厚が異なる基板に対しても同一条件でのエッチングを行い、均一に基板の表面処理を行うことができる基板表面処理装置、太陽電池セルの製造装置を得ること。
【解決手段】基板１１ａを保持する基板保持手段３５と、基板１１ａの基板厚に応じて基板保持手段３５の高さを調整する高さ調整手段３７と、基板１１ａを搬送する搬送手段と、上方に突出した壁部３１ｄに囲われた複数の突出口を基板１１ａの搬送方向において離間して有する液溜まり部が上面に設けられ、基板１１ａの表面処理に用いる処理液４０を突出口の内壁面での表面張力により突出口から突出した状態で保持する処理槽３１と、を備え、突出口から突出した処理液４０と処理面とが接触するとともに、液溜まり部の壁部３１ｄの最上部と処理面との距離が規定の距離となる高さ位置で基板１１ａを処理槽３１上において水平方向に搬送することにより処理面の表面処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 物品の表面に付着した脂・汚れ等を超音波を用いて強力に洗浄し且つ強く殺菌させることができる超音波洗浄方法を提供する。更に連続的に洗浄殺菌できる設備の費用とそのランニングコストを廉価にできるようにする。
【解決手段】 酸素と窒素を高濃度に溶存させた洗浄水Ｗを貯えた洗浄槽２の水面下に発振面が対向するように上下一対の超音波振動子４を配置し、同超音波振動子の発振面間の狭間領域７に酸素と窒素を高濃度に溶存させた洗浄水の一部を邪魔板８で水量・流速を抑えて略５０ｃｍ／分の流速で流入させる。洗浄槽２の側面を開口し、同開口を介して被洗浄物Ａを通過させる搬送コンベヤ３を配置し、同開口から洗浄水を排出させ、同開口の内側に洗浄槽２へ供給する洗浄水を噴出して水カーテンＷａを形成して開口からの大量の排水を抑え、又開口から落下した洗浄水を下方で受水槽１で受けてポンプで洗浄槽２へ圧送して洗浄水を循環的に使用する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハ製造工程等で要求される、非常に狭い隙間の汚れ除去に対して優れた洗浄性を示し、被洗浄物の持込による洗浄液の劣化が少なく、人体や環境への影響が少ない中性洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される（ａ）エーテル型非イオン界面活性剤０．３〜３重量部および（ｂ）水（（ａ）との合計量１００重量部中残部）からなるものとする；
Ｒ−Ｏ−（ＡＯ）ｎ−Ｈ ・・・（１）
但し、式（１）中、Ｒは炭素数８〜２４の直鎖又は分岐の脂肪族炭化水素基を示し、ＡＯは炭素数２〜４のオキシアルキレン基を示し、ｎはオキシアルキレン基の平均付加モル数を示し、１〜１００である。 （もっと読む）

【課題】基板の処理を良好に行うことができる基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを格納した記憶媒体を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板(2)を処理液(23)で処理する処理槽(24)と、処理槽(24)に第１の薬液(21)を供給する第１薬液供給機構(25)と、第１の薬液(21)と反応して処理液(23)を生成する第２の薬液(22)を処理槽(24)に供給する第２薬液供給機構(26)と、処理槽(24)に接続した循環流路(45)を用いて処理液(23)を循環させる処理液循環機構(27)と、第１及び第２の薬液の処理槽への供給を制御する制御部とを備え、所定の循環流量で処理液を循環させて基板(2)を処理する基板処理装置(1)を用い、第２の薬液(22)の供給を開始するとともに第２の薬液(22)の供給開始に基づいて循環流量を変化させることにした。 （もっと読む）

【課題】薬液の使用量を抑えながら、基板の処理を均一に行う。
【解決手段】基板１を移動しながら、薬液タンク２３から薬液ノズル２１へ薬液２を供給し、薬液ノズル２１から基板１へ薬液２を吐出し、薬液ノズル２１から基板１へ吐出した薬液２を回収して薬液タンク２３へ戻す。薬液タンク２３から薬液ノズル２１へ供給する薬液２の濃度を検出し、薬液２の濃度の検出結果に基づき、基板１の移動速度を変更する。そして、薬液ノズル２１から基板移動方向側に離して配置された洗浄液ノズル３１から基板１へ洗浄液を吐出して、基板１から薬液２を洗い流す。 （もっと読む）

【課題】Ｐｔ残留物、Ｐｔ汚染物あるいはＰｔ膜を効果的にエッチングし、且つ、エッチング装置の金属部材の腐食進行を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンを含む半導体基板１上または半導体基板１上に形成されたシリコンを含む導電膜４上に、貴金属膜または貴金属を含む金属膜を形成する工程（ａ）と、工程（ａ）の後、半導体基板１に対して熱処理を行い、半導体基板１上または導電膜４上に貴金属を含むシリサイド膜７を形成する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後、第１の薬液を用いて未反応の貴金属を活性化する工程（ｃ）と、第２の薬液を用いて工程（ｃ）で活性化された未反応の貴金属を溶解する工程（ｄ）とを行う。工程（ｄ）は、工程（ｃ）から３０分以内に行う。 （もっと読む）

【課題】ＳＰＭ洗浄法を用いた半導体洗浄装置に組み込める簡易なシステムであって、過酸化水素に由来する洗浄液の硫酸濃度の低下を抑制することにより硫酸溶液寿命を延長し、これにより環境負荷低減を図ることができる洗浄システムを実現すること。
【解決手段】本発明の洗浄システムは、硫酸溶液と過酸化水素の混合液を洗浄液として半導体基板を洗浄する洗浄手段と、前記洗浄手段から洗浄液を排出して前記洗浄手段に還流させる循環ラインと、内部が分子ふるい型水分子選択性透過膜で隔てられた濃縮側と透過側の領域を有し、前記濃縮側の領域を前記循環ラインに介設した脱水モジュールを有する脱水手段と、前記脱水手段の透過側を減圧する真空ポンプと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】処理室間においてミスト状処理液の侵入を防止する。
【解決手段】基板処理装置は、剥離液により剥離処理を施す第１剥離処理室１と、前記剥離液よりも低濃度の剥離液により剥離処理を施す第２剥離処理室３と、各処理室１，３の間に介設される中間室２と、第１剥離処理室１、中間室２及び第２剥離処理室３の隔壁１１，１３に形成される基板搬送用の開口部１１ａ，１３ａを各々開閉するシャッタ２５，３４等と、中間室２において少なくとも第２剥離処理室３側の開口部１３ａが開放されているときに、当該開口部１３ａに向かってエアを吐出するエアナイフ３６，３６と、エアナイフ３６，３６と前記開口部１３ａとの間に排気口４０を有し、この排気口４０を通じて中間室２内を排気する排気手段とを備えている。 （もっと読む）

【課題】薬液循環型の基板洗浄処理装置の薬液中のＣｕイオン濃度の上昇を防止する。
【解決手段】被処理基板を薬液４を用いて洗浄する処理チャンバ１と、薬液４を循環させる循環機構とを有する洗浄処理装置において、循環機構又は処理チャンパ内に、薬液４に接触するアルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属板５を着脱可能に設置する。薬液４中のＣｕイオンが金属板５のＡｌと交換して、Ｃｕが金属板５表面に析出し、薬液中のＣｕイオンが除去される。金属板５は、塵埃を発生せず、安価かつ着脱容易であるから、製造コストが低減される。 （もっと読む）

【課題】ＢＳＰをより確実に除去することが可能なＢＳＰ除去方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板のベベル面、及び裏面に付着した無機層、及び有機層を含む多層ベベル／バックサイドポリマー（ＢＳＰ）を除去するＢＳＰ除去方法であって、多層ＢＳＰを機械的に破壊する第１工程（ステップ２）と、機械的に破壊された多層ＢＳＰの残渣を加熱する第２工程（ステップ３）と、を具備する。 （もっと読む）

基板から望ましくない物質を除去するための組成物であって、ヒドロキシルアミンまたはヒドロキシルアミン誘導体、第４級アンモニウム化合物、および少なくとも１つの極性有機溶媒を含む、組成物。この組成物は、ウェハレベルパッケージングの適用およびはんだバンプ形成の適用からフォトレジストを除去することができる。
（もっと読む）

【課題】洗浄性に優れ、被洗浄物の持込による洗浄液の劣化が少なく、さらに引火点がなく、人体や環境への影響が少ないウエハ又は板状物の洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】次の成分（ａ）〜（ｅ）を含有することを特徴とするウエハ又は板状物の洗浄剤組成物である。
（ａ）下記一般式（１）で示されるアルキルポリグルコシド ５〜４０重量％
Ｒ−Ｏ−（Ｇ）ｎ−Ｈ ……（１）
（式中Ｒは炭素数１〜２２の直鎖又は分岐のアルキル基であり、Ｇは炭素数５〜６の還元糖を示し、ｎは１〜５である。）
（ｂ）金属イオン封鎖剤（キレート剤） １〜２０重量％
（ｃ）アルカリ剤 １〜３０重量％
（ｄ）エーテル型非イオン界面活性剤 １〜３０重量％
（ｅ）水 残部 （もっと読む）

化学機械研磨（ＣＭＰ）後残渣および汚染物質をその上に有するマイクロエレクトロニクスデバイスから前記残渣および汚染物質を洗浄するための洗浄組成物および方法。この洗浄組成物は、新規な腐食防止剤を含む。この組成物は、ｌｏｗ−ｋ誘電体材料または銅配線材料を損傷することなく、マイクロエレクトロニクスデバイス表面からＣＭＰ後残渣および汚染物質を非常に有効に洗浄する。 （もっと読む）

【課題】処理槽内の処理液の比重値を算出するためのガスの配管にシリカが析出することを防止することができ、比重値が正確に計測され、エッチングレートの安定した半導体製造装置を提供する。
【解決手段】加熱した処理液に基板を浸漬して基板の表面処理を行う半導体製造装置において、前記処理液を貯留する処理槽１と、前記処理液中の所定深さからガスを放出し、その放出圧力から前記処理液の液圧を検出する圧力検出部５３と、前記検出された液圧に基づき前記処理液の比重を算出する比重算出部５４と、前記処理液中に放出されるガスを加熱するヒータ５５と、前記算出された比重に基づいて前記処理槽への純水供給量を制御するコントローラ５１と、を備える。 （もっと読む）