本発明は基板を洗浄するための方法、装置及びシステムを提供し、本装置は制御装置と、制御装置に連結されたノズルを含む。制御装置は、ノズルを方向付けして均一な流体噴射流パターンを基板上に分注するように適合されている。制御装置は、ノズルの少なくとも１つの操作パラメータを調節することで、この均一な流体噴射流パターンを作り出し、所定の割合の液滴を所定のサイズ範囲内におさめるように適合されている。多数のその他の態様が開示される。
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本発明は、ウェハのスタックをマイクロ波チャンバ中に載置し、ウェハをマイクロ波に曝してウェハ間の水分を蒸発させることによって、ウェハのスタックから複数のウェハを個別に分離する方法に関する。
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【課題】ウェーハの後面処理およびウェーハとの物理的接触の困難な問題を解決できる新規な処理機および処理方法を提供することにある。
【解決手段】半導体ワークを保持しかつ回転させるヘッドを備えた遠心ワーク処理機。ヘッドはガスシステムを備えたロータを有している。ガスは、ロータの入口からスプレーされ、回転ガス流を発生する。回転ガス流は、ワークの第一面の縁部をロータの接触面に対して保持する圧力状態を形成する。ロータおよびワークは一緒に回転する。外周部に隣接するガイドピンが、ワークとロータとを整合させる補助をする。傾斜面が、消費されかつワークから飛散した処理液体を偏向させる補助をする。ヘッドは、ボウルとの多くの異なる係合位置に移動できる。ワークが回転されて処理されるとき、ボウル内のスプレーノズルがワークの第二面上に処理液体をスプレーする。 （もっと読む）

シリコンウェーハーの表面処理する装置は、シリコンウェーハーを移送するための移送ローラと少なくとも１つの給送装置を有しており、その給送装置は移送ローラによって定められる移送平面内でシリコンウェーハーの表面を液状の処理媒体によって湿潤するために設けられており、給送装置は、移送平面内に配置された、シリコンウェーハーの下を向いた表面上に処理媒体を塗布するように形成されている。給送装置の周囲からガス状、および／または、霧状に分配された処理媒体を吸い出すために複数の吸引パイプが設けられており、吸引パイプが移送平面の垂直方向下方に配置されている。
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基板の縁を研磨するように適応される装置及び方法は、研磨膜と、該研磨膜に張力及び荷重をかけて、膜の少なくとも一部分を平面内に支持するように適応されるフレームと、研磨膜の平面に対して基板を回転して、研磨膜が基板に力を付与し、少なくとも外縁及び第１斜面を含む基板の縁に輪郭合わせし、更に、基板回転時に外縁及び第１斜面を研磨するように適応される基板回転駆動装置と、を備えている。多数の他の態様も提供される。 （もっと読む）

基板からフッ素化ポリマーを除去するためのプラズマ発生装置。この実施例は通電電極、第１誘電層及びそれら通電電極と第１誘電層との間に提供された第１ワイヤメッシュを含む通電電極構造体を含んでいる。この実施例はまた、通電電極構造体の反対側に設置された接地電極構造体を含んでおり、プラズマを発生させる空洞部を形成している。プラズマが空洞部内に存在するとき第１ワイヤメッシュは第１誘電層から遮蔽される。空洞部はフッ素化ポリマーを除去するプラズマを提供するためにその１端に出口を有している。 （もっと読む）

本発明は、インジェクションタイプのプラズマ処理装置に関し、常圧条件で誘電体バリア放電（ＤＢＤ；Dielectric Barrier Discharge）を利用して多様な面積、多様な大きさ、及び多様な形状を有する処理対象物を微細アークストリーマによる損傷なしに処理することができるインジェクションタイプのプラズマ処理装置を提供することをその目的にする。本発明に係るインジェクションタイプのプラズマ処理装置は、誘電体が形成された状態で、反応チャンバに提供される電源電極板と、前記電源電極板に交流電力が印加される時に前記電源電極板との間でプラズマを形成する、前記反応チャンバの壁の一部を構成し且つ複数のホールが形成された接地電極板と、前記反応チャンバ内に反応ガスを注入して、反応チャンバ内のプラズマを前記接地電極板のホールを介して外部に噴射させるガス供給ユニットとを含む。
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第１の表面の平面Ｗ１、第２の表面の平面Ｗ２及び縁の表面を有するウェーハ状物品の決められた縁の領域をウエット処理するための方法及び装置である。装置は、ウェーハ状物品を保持するための支持具、ウェーハ状物品の支持具に面していない前記第１の表面Ｗ１の平面上に液体を分配するための液体分配手段、及びウェーハ状物品の縁の表面のまわりの前記液体の少なくも一部を、支持具に面しているウェーハ状物品の第２の表面の平面Ｗ２に向けて案内しこれにより少なくも縁の部分を濡らすために支持具に連結された液体案内部材を備える。
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本発明は、基板を次の工程によって処理するための方法に関する。処理すべき基板の局所的な表面領域に液体膜を、少なくとも１つの長尺のノズル装置及び該ノズル装置に隣接して配置された超音波変換装置若しくはメガ音波変換装置を備えたノズルユニットによって形成し、前記超音波変換装置の少なくとも一部分を前記液体膜と接触させ、かつ前記超音波変換装置によって超音波を前記液体膜内に作用させる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】一実施形態では、基板を処理する方法を提供する。方法は、基板の表面に溶液を供給するステップを含む。光等のエネルギを溶液に加えることによる溶液の解離により、少なくとも一つの反応化学種が生成される。前記基板上の第一の材料を反応させ、反応させた第一の材料を除去する。基板を処理するシステムについても説明する。 （もっと読む）

本発明のプラズマ発生装置は、柱形状の電源極、電源極の周りを覆う誘電体膜、電源極に隣接して配置される補助プラズマ接地極、反応ガスを提供するためのガス流入部、及び電源極に印加されるＲＦ電源を制御する電源コントローラを含み、プラズマ発生装置が作動する間には、電源コントローラは、電源極と補助プラズマ接地極との間に補助プラズマを維持することを特徴とする。本発明のプラズマ発生装置は、大気圧下で低温プラズマを生成することができ、補助プラズマを利用することによって、安定したプラズマを提供することができる。特に、電源の供給が不安定である高周波電源を使用する場合にも、補助プラズマが安定的なプラズマソースとして機能するので、均一で且つ大面積に適用可能なグロープラズマを生成することができる。 （もっと読む）