【課題】 リーク電流を抑制できる半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ１は、III−V族化合物半導体層５と、III−V族化合物半導体層５上に設けられた活性層７と、活性層７上に設けられリン元素を含むIII−V族化合物半導体層９とを備える。また、半導体レーザ１は、III−V族化合物半導体層９上に設けられリン元素を含むIII−V族化合物半導体層１１と、III−V族化合物半導体層１１上に設けられヒ素元素を含むIII−V族化合物半導体層１３とを備える。III−V族化合物半導体層１１とIII−V族化合物半導体層１３とによって電流狭窄層１２が構成される。 （もっと読む）

【課題】 ウェハプロセス投入前にウェハの活性層のＰＬ（Photoluminescence）波長検査を行い、検査に用いたウェハをウェハプロセスに投入できるようにする。
【解決手段】 ウェハプロセス投入前に、デバイスを形成するウェハのコンタクト層６の一部を除去して開口部１１を形成し、開口部１１から励起レーザ９を入射して活性層３のＰＬ波長検査を行う。そしてＰＬ波長の良否判定を行い、所定の規格を満たすウェハをウェハプロセスに投入し、ウェハプロセス加工を行うようにする。
このように、デバイス形成に用いるウェハの活性層のＰＬ波長検査をウェハプロセス投入前に非破壊検査により行うことにより、検査で用いたウェハをウェハプロセスに投入することができる。 （もっと読む）

熱放出効率を高めることができる電極構造を備えたレーザーダイオードとその製造方法を提供する。本発明によるレーザーダイオードは、注入された電流を光に変換させる活性層と、活性層に電流を注入するためのｐ型電極及びｎ型電極を備え、パッケージングの際ヒートシンクが付着されるｐ型電極あるいはｎ型電極に凹凸構造が反復的に形成される。レーザーダイオードの製造方法は、ｐ型電極あるいはｎ型電極を形成する工程が、ｐ型電極あるいはｎ型電極が形成される基板の表面にマスク層を蒸着する段階と、フォトリソグラフィー工程とＢＯＥ食刻工程で前記マスク層の蒸着膜を所定のパターンで除去してマスクを形成する段階と、マスクを通じて露出する部分を食刻して基板の表面に凹凸構造を形成する段階と、マスクを除去する段階及び凹凸構造に対応する屈曲を有する電極が形成されるように凹凸構造上に電極物質を蒸着する段階とを含む。
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【課題】本発明は、短時間成膜が可能で、反射率制御に優れ、かつ、信頼性が低下しない高出力半導体レーザ、さらには、従来よりも高反射率の高出力半導体レーザを提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板１上にレーザ発振するように半導体層が積層される半導体積層部２を有しており、半導体積層部２の光出射面である一端部に第１の端面膜３が形成され、半導体積層部２の他端部に第２の端面膜４と金属膜５とが形成されている。 （もっと読む）

【課題】キンクの抑制、低損失化、偏光方向の安定化を同時に達成でき、かつ光分布が活性層から離れるに従って単調減少するような構造を持ち、その結晶組成制御が容易となる高出力動作可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザの下側クラッド層に光を寄せ、かつ偏光方向を安定化させるために、複数の、クラッド層と組成の異なる屈折率の高い層をスポットサイズより広い範囲に分散させて導入する。光分布に関しては電界強度を活性層から離れるに従って単調減少させる。 （もっと読む）

【課題】｛１００｝結晶面から＜０１−１＞方向へ傾いた面を主面とする化合物半導体オフ基板を用いても、しきい値電流を低くすることでき、かつ、出力を高めることできる半導体レーザを提供する。
【解決手段】上記赤色半導体レーザは、｛１００｝結晶面から順メサ＜０１−１＞方向に１５度傾いた面を主面とするｎ型ＧａＡｓオフ基板１を備えている。ｎ型ＧａＡｓオフ基板１の主面には、＜０１１＞方向に延在する逆メサストライプ形状の赤色レーザ用リッジ２が形成されている。赤色レーザ用リッジ２の上面には、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３、ＡｌＧａＩｎＰ活性層４およびｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 クラッド層と活性層との界面で生じるバンドギャップ不連続を低減し、動作電圧、動作電流の向上を図った半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明における半導体レーザ装置は、結晶基板と、結晶基板上に設けられ第一の波長のレーザ光を放出する第一のレーザ素子部と、結晶基板上に設けられ第一の波長とは異なる第二波長のレーザ光を放出する第二のレーザ素子部とを有する半導体レーザ装置において、第一のレーザ素子部は、膜厚が０．０１μｍ以上、０．１μｍ以下であるバルク構造の活性層を有し、第二のレーザ素子部は、量子井戸層とバリア層との積層構造からなる活性層とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高出力で動作する半導体レーザ素子が組込まれ、駆動時の消費電力が低減し、故障率が従来に比べて半減する半導体レーザモジュールを提供する。
【解決手段】歪み多重量子井戸構造から成る活性層を含む半導体の積層構造が基板１の上に形成され、共振器長と低反射膜の反射率を設計パラメータとし、共振器長Ｌが１０００μｍより長く１８００μｍ以下であり、一方の端面に反射率が３％以下の低反射膜Ｓ₁が形成され、他方の端面に反射率が９０％以上の高反射膜Ｓ₂が形成されている埋込み型半導体レーザ素子Ａと、それを装荷する冷却装置１４と、両者を内部に封入するパッケージ１３と、半導体レーザ素子の一方の端面に配置されたレンズ１５ａとを有する半導体レーザモジュール。 （もっと読む）

【課題】
活性層を十分に混晶化させて窓構造を形成し、かつ素子特性の劣化が少ない高出力半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】
ｎ型化合物半導体基板２表面に、ｎ型クラッド層４と、活性層５と、第１のｐ型クラッド６と、ｐ型エッチング停止層７と、を順次積層する。このｐ型エッチング停止層７表面の一部に第２のｐ型クラッド８と、ｐ型キャップ層９と、を積層してなる台形状のリッジ部１０を形成し、このリッジ部１０を挟持するようｎ型電流狭窄層１１，１１を形成する。さらに、これらの上にｐ型コンタクト層１２を積層してなる半導体レーザ素子１であって、ｎ型クラッド層４の下に光学分離層１６と、ｎ型高濃度層１５とをそれぞれ設けた。 （もっと読む）

本発明による半導体発光素子の製造方法は、ストライプ状のマスク層を第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体上に形成する工程（Ａ）と、第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の表面のうち前記マスク層で覆われていない領域上に第２のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を選択的に成長させることにより、前記マスク層によって規定されるストライプ状開口部を有する電流狭窄層を形成する工程（Ｂ）と、マスク層を選択的に除去する工程（Ｃ）と、ストライプ状開口部を介して露出する前記第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の表面、および前記電流狭窄層の表面を覆う第３のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させる工程（Ｄ）とを含む。
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【課題】対称の垂直型リッジ構造を有し、ドライエッチングによる損傷面の除去された半導体レーザーおよびその製造方法を提供すること
【解決手段】基板３１上に第１導電型クラッド層３２、活性層３３及び第２導電型クラッド層３４を順次形成し、上記第２導電型クラッド層のリッジ形成領域上に第１マスクＭ１を形成し、上記第２導電型クラッド層をドライエッチングして上記第２導電型クラッド層上部に垂直な側断面を有するリッジ構造を形成し、上記リッジ構造の上面と垂直な側断面を包囲する第２マスクＭ２を形成し、上記第２導電型クラッド層の上面をウェットエッチングして上記ドライエッチングで損傷した第２導電型クラッド層部分を除去し、上記リッジ構造上面が開放されるよう上記第２導電型クラッド層上に電流遮断層３７を形成してＧａＡｓ系半導体レーザーを製造する。 （もっと読む）

【課題】狭い遠視野像を得ることができると共に、閾値電流を十分に小さくできる半導体レーザを提供する。
【解決手段】Ｎ型ＧａＡｓ（１００）ジャスト基板１には、＜０１１＞結晶軸方向に延存する逆メサリッジ３が形成されている。逆メサリッジ３上には、Ｎ型ＡｌＧａＡｓ下部クラッド層５、ノンドープの量子井戸活性層６、Ｐ型ＡｌＧａＡｓ上部クラッド層７、ＡｌＧａＡｓ高抵抗上部クラッド層８およびＡｌＧａＡｓ上部クラッド層９を含む断面三角形状領域３０が形成されている。Ｎ型ＡｌＧａＡｓ下部クラッド層５の屈折率はＰ型ＡｌＧａＡｓ上部クラッド層７の屈折率と異なる。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に複数の波長の異なる半導体レーザ装置チップを集積する場合において、同時に端面窓構造を形成する。
【解決手段】１０１はｎ型ＧａＡｓ基板、１０２はｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、１０３はＧａＡｓ井戸層とＡｌＧａＡｓ障壁層から構成された量子井戸構造の活性層、１０４はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第一クラッド層、１０５はｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層、１０６はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層、１０７はｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層、１０８はｐ型ＡｌＧａＡｓ拡散制御膜である。１１１はレーザ端面に端面窓構造を形成するためにＺｎの固相拡散により設けられた不純物拡散領域である。 （もっと読む）

【課題】 受動整列が容易であり、整列誤差を最小化することができるフリップチップボンディングのための半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板２１０上に、活性層２２０と、クラッド２３０と、整列パターン及び光学パターンが形成されたマスクと、を順次に積層する過程と、活性層２２０及びクラッド２３０を、前記マスクの各パターンにより第１及び第２の整列キー２８０、２９０ａ，２９０ｂと光学領域３００とを有するようにメッサ構造にエッチングする過程と、前記第１及び第２の整列キーと前記光学領域との間のメッサエッチングされた部分に、二つ以上の電流遮断層２４０，２５０を成長させる過程と、前記第１及び第２の整列キー２８０、２９０ａ，２９０ｂ上に保護マスクを形成し、この保護マスクが形成された箇所以外の光学領域３００及び電流遮断層２４０，２５０上に電極２７０を形成する過程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 ｎ型ドーパントとしてＳｉを用い、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層もしくはｎ−ＡｌＧａＡｓを含む半導体層を有する半導体レーザ装置の高効率化・高信頼性化を図る。
【解決手段】 ｎ−ＧａＡｓ基板１２の上に配設されるとともにｎ型不純物としてドープされたＳｉの濃度が０．２×１０^１８ｃｍ^−３〜１．４×１０^１８ｃｍ^−３の範囲であるＡｌＧａＡｓ層を含むｎ−バンド不連続緩和層１５と、このｎ−バンド不連続緩和層１５の上に配設されるとともにＡｌＧａＩｎＰで形成されたｎ型クラッド層１６と、このｎ型クラッド層１６の上に配設され、量子井戸を含む活性層１８２と、この活性層の上に配設されたＡｌＧａＩｎＰのｐ型クラッド層とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】電流ブロック層にボイドが発生することを防止して、良好なレーザ特性を有する半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板２上にクラッド層３と、活性層４と、第１のクラッド層５と、第２のクラッド層７からなるリッジ部８と、キャップ層９とが順次積層され、更に、第１のクラッド層５上にあって、リッジ部８及びキャップ層９を挟持する電流ブロック層１０と、キャップ層９及び電流ブロック層１０上に形成されたコンタクト層１２を有し、キャップ層９の上部の幅をＷ₁、キャップ層９の下部の幅をＷ₂、リッジ部８の上部の幅をＷ₃とするとき、Ｗ₁＞Ｗ₂＝Ｗ₃の関係を満たす構成とする。 （もっと読む）

【課題】レーザ特性を悪化させずに素子抵抗を低減できる半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層とｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層の間に活性層を備え、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層上にｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層を有し、リッジ導波路を構成するリッジ部分のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層とｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層との間に、複数のＡｌＧａＩｎＰポテンシャルバリヤ抑制層を形成し、ＡｌＧａＩｎＰポテンシャルバリヤ抑制層の膜厚をｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層より薄く設定し、かつｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層と複数のＡｌＧａＩｎＰポテンシャルバリヤ抑制層の合計の膜厚を、０．１μｍ以下とし、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層及び各ＡｌＧａＩｎＰポテンシャルバリヤ抑制層のＡｌの含有量を、ｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層に近い層ほど少なくした。 （もっと読む）

【課題】 InGaPあるいはAlGaInPに代わる良質な活性層を備えて、経時に及ぶ活性層の劣化を抑制できる、信頼性の高い半導体発光装置を得る。
【解決手段】 第１導電型GaAs基板１上に、少なくとも第１導電型AlGaInPクラッド層２、AlGaInP光ガイド層、量子井戸活性層、AlGaInP光ガイド層、第２導電型AlGaInPクラッド層４を有してなる半導体発光装置において、量子井戸活性層をInGaAs_yP_1-yもしくはAlGaInAs_yP_1-yから構成し、そのInGaAs_yP_1-yもしくはAlGaInAs_yP_1-yにおけるＶ族元素中のAsの含有割合ｙを、０＜ｙ≦0.1の範囲に設定する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】 図１に示すように、内部領域１１２は、ｎ型ＧａＡｓからなる基板１００上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層１０１、ＡｌＧａＩｎＰからなるガイド層１０２ａ（厚さ３０ｎｍ）、複数のＧａＩｎＰ層と複数のＡｌＧａＩｎＰ層とで構成される量子井戸からなる活性層１０２、ＡｌＧａＩｎＰからなるガイド層１０２ｂ（厚さ３０ｎｍ）、ドーパントとしてＭｇを含むｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型第１クラッド層１０３、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰからなる電流ブロック層１０４、ドーパントとしてＭｇを含むｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型第２クラッド層１０５、およびドーパントとしてＭｇを含むｐ型ＧａＡｓからなるコンタクト層１０６が順に積層された構造を有している。 （もっと読む）

【課題】 光吸収損失を低減し、閾値電流や動作電流も低減できるリッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板２上に活性層４を挟むクラッド層４、５が形成され、更にこのクラッド層５上にエッチングストップ層６、クラッド層７ａ及びキャップ層８ａからなるリッジストライプ９を形成し、リッジストライプ９とエッチングストップ層６上に電流狭窄層１０１Ａ，１０２Ａ，１０３Ａを形成し、フォトリソグラフィ法及びエッチング法を用いて電流狭窄層１０３Ａの一部を露出させるフォトレジストパターン形成し、このフォトレジストパターンで覆われた以外の電流狭窄層１０３Ａをエッチングしてキャップ層８を露出させ、フォトレジストを除去し電流狭窄層及びキャップ層８を覆ってコンタクト層１１Ａを形成する。 （もっと読む）