【課題】 １つの素子で異なる複数の波長のレーザ光を出射可能な半導体レーザ素子であって、光出射端面における複数の波長のレーザ光に対する反射率が所定値となるように、自由度が高い状態で調整された半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ素子本体３には、異なる複数の波長のそれぞれに対応した複数の導波路１，２が形成されている。そして、半導体レーザ素子本体３の光出射端面３ａに形成される端面コート膜４は、光出射端面３ａから出射される複数の波長のレーザ光に対して所定の反射率を有するように、複数の導波路１，２のそれぞれに対応して、膜厚、膜質、積層数が異なるように形成されている。 （もっと読む）

【目的】マルチ縦モードのレーザ光を出射することができる，新しい構造を持つ半導体レーザを提供する。
【構成】半導体基板11上の光軸方向に，発光領域10Ａと反射領域10Ｂとが直列に形成されている。発光領域10Ａには前記光軸方向に延びる活性層13ａが形成されている。他方，反射領域10Ｂには，活性層13の延長上に，前記活性層13と同一材料からなる複数のブロック体13Ａが互いに離間して周期的に形成されている。複数のブロック体13Ａは，その周囲が前記ブロック体13Ａの屈折率よりも低い屈折率を持つ上部クラッド層14，下部クラッド層12等によって取巻かれている。 （もっと読む）

【課題】各導波路を経由して出射するレーザ光の波長を自在に設定できる複数本の導波路を有する半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子は、（０００１）面を基板面とするｎ型ＧａＮ基板上にステップ状構造を備えると共に、ｎを含む２種類のＩＩＩ族元素及びＮを含むＶ族元素を含む活性層を有するＡｌＧａＩｎＮ系の化合物半導体層からなる半導体積層体を備えている。複数本の導波路が、段差からの距離が互いに異なるようにステップ状構造の高領域に設けられている。ステップ状構造の高領域における活性層中のＩｎ濃度は、段差に近い程高く、段差から離隔する程低くなる。活性層中のＩｎ濃度が高い程、活性層のバンドギャップエネルギーが小さくなり、従って発振波長が長くなる。同一の基板面内で発振波長を変えた複数の導波路を有する半導体レーザ素子、例えばＡｌＧａＩｎＮ系の半導体レーザ素子を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】活性層から垂直方向へしみ出す光の吸収を容易に低減するとともに、信頼性の高い半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明における半導体レーザチップ１は、活性層を含む発光層６の上方と下方に備えられるとともに活性層よりも屈折率の低いｎ型クラッド層５と、ｐ型第１クラッド層７及びｐ型第２クラッド層１１と、を備える。そして、ｎ型クラッド層５の下面にｎ型吸収低減層４が備えられるとともに、ｐ型第２クラッド層１１の上面にｐ型吸収低減層１２が備えられる。ｎ型吸収低減層４はｎ型クラッド層５よりもＡｌ組成比が大きく、ｐ型吸収低減層１２はｐ型第２クラッド層１１よりもＡｌ組成比が大きい。 （もっと読む）

【課題】注入電流が増大しても電流狭窄機能が急激に失われることない埋め込み構造を具備した光半導体装置を提供すること。
【解決手段】 ｎ型の半導体基板と、断面が凸状の半導体積層構造が前記半導体基板上に延在したメサ構造と、ｐ型の第１の半導体材料で形成され且つ前記半導体基板の上に積層された埋め込み層とｎ型の前記第１の半導体材料で形成され且つ前記埋め込み層の上に積層された電流狭窄層とを有し且つ前記メサ構造の両側面を覆うｐｎ埋め込み構造と、伝導帯の下端のエネルギーが前記第１の半導体材料より高いｐ型の第２の半導体材料で形成され且つ前記メサ構造及び前記ｐｎ埋め込み構造の上に積層された第１の電子障壁層と、ｐ型の半導体材料で形成され且つ前記第１の電子障壁層の上に積層されたクラッド層を具備した光半導体装置。 （もっと読む）

【課題】第１及び第２の光半導体装置が混在する集積化光半導体装置において、夫々の光半導体装置を形成する光導波路層の中心軸を一致させた状態で、第１及び第２の光半導体装置を異なった構造の埋め込み層で埋め込むこと。
【解決手段】直線状の第１のマスクを、第１及び第２の半導体積層構造双方に亘って形成する工程と、前記第１及び第２の半導体積層構造をエッチングして、前記第１のマスクによって保護された領域に、前記第１及び第２の光導波路層を形成する工程と、前記第１のマスクを残存させたままの状態で、前記第２の光導波路層を覆う第２のマスクを形成する工程と、露出する前記第１の光導波路層の両側面に、第１の埋め込み層を成長する工程と、前記第１のマスクを残存させたまま、前記第２のマスクを除去する工程と、露出する前記第２の光導波路層の両側面に前記第２の埋め込み層を形成する工程を具備すること。 （もっと読む）

【課題】０．９０μm以上かつ１．１５μm以下の中心波長帯の低コヒーレンス光を射出する半導体発光素子において、選択成長用マスクを除去せずに、広帯域な量子井戸層の形成と結晶品質の高い上部クラッド層の形成とを両立する。
【解決手段】０．９０μm以上かつ１．１５μm以下の中心波長帯の低コヒーレンス光を射出し、かつＧａＡｓ基板１１およびＩｎＧａＡｓ量子井戸層１５を有する半導体発光素子１において、選択成長を用いＩｎＧａＡｓ量子井戸層１５の形成を６００℃以下の成長温度下で行い、選択成長用マスクを除去せずにＩｎＧａＰ上部クラッド層１７の形成を６００℃以上の成長温度下で行う。 （もっと読む）

【課題】環境温度が８５℃程度の高温であっても、温度制御なしで１００ｍＷより大きな光出力を得ることが可能な半導体発光素子およびそれを用いた光ファイバ増幅器を提供する。
【解決手段】ＩｎＰからなる半導体基板１１と、半導体基板１１上に形成され、井戸層１４ａと障壁層１４ｂが交互に積層されたＩｎＧａＡｓＰからなる活性層１４と、活性層１４の終端部であって、半導体基板１１を劈開することによって形成された前端面２２ａおよび後端面２２ｂとを備え、障壁層１４ｂが０．５％以下の引張歪を有し、井戸層１４ａの層数が５層以下である。 （もっと読む）

【課題】容易に製造することができる窓構造を備えた半導体レーザチップを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明における半導体レーザチップ１は、共振器端面近傍に形成される不純物拡散領域１６と、共振器端面の表面に形成されるとともに共振器端面からレーザチップ１の内側に延在する端面保護膜１４、１５と、を備える。端面保護膜は、不純物活性領域が広がる部分以上内側に延在するように形成される。これにより、不純物拡散領域１６の上方に電流ブロック層１０を積層する必要がなくなり、容易に製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】光出力が低下することを防止しつつ、活性層の放熱性を高めることが可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】発光領域１６が設けられた領域Ａの真上に、コンタクト層１９の屈折率より低い屈折率を有するSiO₂層からなる低屈折率層２１が設けられている。このため、低屈折率層２１が発光領域１６から発生した光を閉じ込める役割を果たすこととなり、コンタクト層１９は発光領域１６から発生した光の吸収層として働きにくくなる。したがって、コンタクト層１９により光出力のロスが発生することを低減でき、光出力が低下することを防止できる。また、コンタクト層１９が光の吸収層として働きにくいことから、第２導電型クラッド層１７の厚みを薄くすることが可能となる。したがって、発光領域１６から発生した熱に対する放熱性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】発光部を形成するための基部の設計自由度を高くすることができ、高発光効率、高集積化を達成し得る半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、基板１０の｛１００｝面である主面に形成された凸部１上を覆う下地層１２、下地層１２の頂面上に形成された発光部２０、並びに、基板１０の主面の他の部分の上方に形成され、発光部２０を構成する活性層２３の側面を少なくとも覆う電流ブロック層４０を具備しており、下地層１２は、凸部１１を構成する第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料とは異なる第２のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料から成り、凸部１１を覆う下地層１２の部分を基板１０の＜１１０＞方向に垂直な仮想平面で切断したときの下地層表面の断面形状は台形の一部を構成し、該台形の２つの斜辺に相当する下地層の斜面は｛１１１｝Ｂ面であり、台形の上辺に相当する下地層の頂面は｛１００｝面である。 （もっと読む）

【課題】光の閉じ込めが不安定になるのを抑制しながら、放熱性（温度特性）を向上させることが可能な半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子１０の製造方法は、電流ブロック層１２５およびリッジ部１２７の上側を覆うように、リッジ部１２７上に凸部１２６ｅを有するキャップ層１２６を形成する工程と、凸部１２６ｅの上面１２６ｂ上に配置される部分１５ａの厚みが凸部１２６ｅ以外の上面１２６ｄ上に配置される部分１５ｂの厚みよりも小さくなるように、キャップ層１２６上にマスク層１５を形成する工程と、マスク層１５の部分１５ｂを途中の深さまで除去するとともに、マスク層１５の部分１５ａを除去して凸部１２６ｅの上面１２６ｂを露出させる工程と、マスク層１５の部分１５ｂをマスクとして、キャップ層１２６の領域１２６ａを所定の厚みだけ除去する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】動作電流が低く、高温出力時においても安定して発振する半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０上に設けられたｎ型クラッド層１２と、ｎ型クラッド層１２上に設けられた活性層１３と、活性層１３上に設けられたＡｌを含有する化合物であり、電流通路となるストライプ状のリッジ構造を有するｐ型クラッド層１４と、リッジ構造の上面を除くｐ型クラッド層１４の表面に設けられたＡｌを含有する化合物であり、Ａｌの組成比がｐ型クラッド層１４のＡｌの組成比以下である電流ブロック層１６と、電流ブロック層１６上に設けられ、レーザ発振波長に対して光を吸収する光吸収層１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】隣接した半導体レーザ素子間の電気的干渉又は熱的干渉を低減した信頼性の高い半導体レーザアレイ素子を提供する。
【解決手段】少なくとも、ｎ型半導体基板１上に形成されたｎ型クラッド層２と、前記ｎ型クラッド層２の上に量子井戸構造からなる活性層３と、前記活性層３の上にリッジ部１６と当該リッジ部１６の両側にストライプ溝部１５とを有するｐ型クラッド層４ａ、４ｂとを積層して構成された半導体レーザアレイ素子であって、前記ストライプ溝部１５より下方に存在する前記ｐ型クラッド層４ａ内にｎ型半導体領域７を有し、前記ｎ型半導体領域７の積層方向の厚さは、前記ストライプ溝部１５より下方に存在する前記ｐ型クラッド層４ａの積層方向の厚さの５０％以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 障壁層のｐ型不純物がドーピングされた量子ドットからなる半導体光素子の発光効率を向上させることである。
【解決手段】 量子ドット４と障壁層１３からなる活性層を備え、前記障壁層のうち前記量子ドットの側面方向に位置し、同一面内に配置された前記量子ドットの間を埋める第１の領域８０には、ｐ型の不純物がドーピングされ、前記障壁層のうち前記量子ドットの上及び下の何れか一方又は双方に位置する第２の領域１０には、不純物がドーピングされていない半導体光素子において、前記第１の領域８０を構成する第１の半導体のバンドギャップが、前記第２の領域１０を含み前記第１の領域を覆う第３の領域１３を構成する第２の半導体のバンドギャップより大きいこと。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＩｎＡｓ系利得結合型分布帰還型半導体レーザにおいて、利得回折格子からの電子の漏れをなくして、閾値が低く且つ変調帯域の広い利得結合ＤＦＢレーザを提供すること。
【解決手段】 ＡｌＧａＩｎＡｓからなる単数又は複数の半導体層によって構成された活性層を、光の伝播方向に対して周期的にエッチングしてなる利得回折格子１０を具備する利得結合型分布帰還型半導体レーザ装置４２において、前記利得回折格子１０が、 前記半導体層を構成するＡｌＧａＩｎＡｓのバンドギャップ波長よりも、バンドギャップ波長が短波長のＡｌＧａＩｎＡｓ又はＩｎＡｌＡｓからなる埋め込み層４４によって、埋め込まれていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】埋め込み型半導体レーザにおいて、高温、高光出力条件下で連続通電した場合における発振しきい値電流の上昇や外部微分量子効率の低下を防いで、信頼性を向上させる。
【解決手段】光半導体装置は、ｎ型クラッド層１１、活性層１２及びｐ型クラッド層１３ａ、１３ｂからなる光導波路構造と、ｐ型ブロック層１５及びｎ型ブロック層１６からなる電流狭窄構造と、を備え、ｐ型クラッド層１３ａ、１３ｂに含まれる水素濃度がｐ型ブロック層１５に含まれる水素濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】高出力で且つ低コストなモノリシック型の二波長又はそれ以上の多波長レーザ装置レーザ装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体レーザ装置は、第１の半導体レーザ素子１２及び第２の半導体レーザ素子１３を備えている。第１の半導体レーザ素子１２は、端面の近傍に形成された第１の不純物を含む領域である第１の端面窓構造４１を有し、第２の半導体レーザ素子は、端面の近傍に形成された第２の不純物を含む領域である第２の端面窓構造４２を有し、第１の活性層２３の下端から第１の端面窓構造４１の下端までの距離は、第２の活性層３３の下端から第２の端面窓構造４２の下端までの距離よりも短い。 （もっと読む）

【課題】発光部の積層構造の頂面に電流ブロック層と同じ積層構造を有する堆積層が存在しない半導体発光素子（例えばＳＤＨレーザ）を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、活性層を備えた発光部、発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、並びに、電流ブロック層及び発光部上に形成された埋込層を具備し、活性層の平面形状は、中央部の幅が両端部の幅よりも狭い帯状の形状を有し、電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有する第４化合物半導体層から構成され、第２導電型を有する埋込層は、第１埋込層及び第２埋込層が順次積層され、第２埋込層を第２導電型とするための不純物は、第２埋込層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る。 （もっと読む）

【課題】発光部を形成するための下地層（基部）の設計自由度を高くすることができ、しかも、高い発光効率を得ることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、基板１０の｛１００｝面である主面上に形成された下地層１１、下地層１１の頂面上に形成された発光部２０、並びに、下地層１１が形成されていない基板１０の主面の部分の上方に形成され、発光部２０を構成する活性層２３の露出した側面を少なくとも覆う電流ブロック層４０を具備しており、下地層１１は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、基板１０の主面上にエピタキシャル成長法にて形成されており、基板１０の＜１１０＞方向と平行に延び、基板１０の該＜１１０＞方向に垂直な仮想平面で切断したときの断面形状が台形であり、該台形の２つの斜辺に相当する斜面が｛１１１｝Ｂ面であり、台形の上辺に相当する頂面が｛１００｝面である。 （もっと読む）