【課題】 リッジ構造上に対して再現性良く良好なオーミック接合を形成することができ、しかも段切れや配線抵抗の増大なく電極を引き出すことが可能になるため、より低コストで製造でき、低消費電力動作が可能な半導体素子を提供することにある。
【解決手段】 この発明の半導体素子では、リッジ部１１１の両側方に副構造体１１５を備える。この副構造体１１５は、本体部１１５ａと、この本体部１１５ａから側方に突出して上記リッジ部１１１の頂部上に延びる突出部１１５ｂとを有する。上記リッジ部１１１上から上記リッジ部１１１外に導電体層を引き出す際に、上記突出部１１５ｂ上に形成された導電体層を介して、上記リッジ部１１１上の導電体層と上記本体部１１５ａ上の導電体層との電気的導通を保つことができる。 （もっと読む）

【課題】高出力で用いられる場合でも、端面に光学損傷が発生しない半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板２上にクラッド層４と、活性層５、クラッド層６と、エッチング停止層７とが順次積層され、更に、エッチング停止層７上に形成されたクラッド層８、キャップ層９からなるリッジ部１０と、リッジ部１０の両側面を挟持する電流狭窄層１１と、リッジ部１０上及び電流狭窄層１１上に形成されたコンタクト層１２と、からなり、キャップ層９が除去されてなるリッジ部１０の一部は、各層の端面から所定距離だけ離れた部分までが低抵抗化されたクラッド層９だけの低抵抗リッジ部１０１を有し、コンタクト層１２は、低抵抗リッジ部１０１を露出させるように開口を有したものである。 （もっと読む）

【課題】 発振波長１．０μｍ以下の近赤外波長帯半導体レーザ素子において、自由電子吸収の抑制と、それとトレードオフの関係にある温度特性、素子抵抗、発振横モードの安定性を両立させる。
【解決手段】 基板上101に、ｎ型クラッド層103と、ｐ型クラッド層107,109を含む複数のｐ型導電型層ｍ（ｍ＝１、２…ｋ）（ｋは自然数）と、活性層105とを備えた発振波長が１．０μｍ以下の半導体レーザ素子において、基板上の全ての層に存在する光量の総和に対するｐ型導電型層ｍに存在する光量の割合を光閉じ込め係数Γ(ｍ)とし、ｐ型導電型層ｍのドーピング濃度をＰ(ｍ) （ｃｍ^−３）としたとき、Γ(ｍ)とＰ(ｍ)の積の総和


を８．０×１０^１７ｃｍ^−３ 以下とする。 （もっと読む）

【課題】支持板上に固着した状態で、アレイ状に配列された複数の半導体レーザ発光素子に分離することで、レーザ光の射出方向をそろえ、熱応力を緩和して、信頼性の高い、高出力の半導体レーザ発光装置を得ることを可能とする。
【解決手段】支持板３３上に複数の半導体レーザ発光素子１１がアレイ状に配列され固着された半導体レーザ発光装置１において、一つの基板１２にアレイ状に配列された複数の半導体レーザ発光素子１１が形成されてなる半導体レーザ発光素子バー１０ｂを前記支持板３３上に固着した後、前記支持板３３上において前記半導体レーザ発光素子バー１０ｂを前記基板１２とともに個々の半導体レーザ発光素子１１に分離させたものからなる。 （もっと読む）

【課題】 比較的大きな強度のレーザ光を出射可能であって、サイドピークを低減できる半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子アレイを提供する。
【解決手段】 半導体レーザ素子３の活性層１５には、ｐ型クラッド層１７のリッジ部９ａによって屈折率型の主導波路４が生成される。主導波路４の側面４ｇ及び４ｈは、光出射面１ａ及び光反射面１ｂに対し、該側面４ｇ及び４ｈにおける全反射臨界角θｃに基づく相対角度θを有する。主導波路４は、光出射面１ａ及び光反射面１ｂに対して所定距離隔たっており、主導波路４の一端と光出射面１ａとの間、及び主導波路４の他端と光反射面１ｂとの間には、レーザ光Ｌ１が通過するための光路部分８ａ及び８ｂが設けられる。光路部分８ａ及び８ｂは利得型導波路となっており、光路部分８ａ及び８ｂを通過する光のうち所定の軸Ａの方向から逸れた光Ｌ２、Ｌ３を外部へ放出する。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体層を用いた青紫色半導体レーザ素子において、低閾値電流かつ高出力動作を可能とする高寿命の半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】 GaN基板１上にｎ型GaN層２、ｎ型AlGaNクラッド層３、第１のｎ型GaNガイド層４及びｐ型AlGaNブロック層６（電流阻止層）が順次形成され、さらにｐ型AlGaNブロック層６の一部にストライプ状の開口部が形成されており、この開口部を覆う形で第２のｎ型GaNガイド層５が形成され、その上にInGaN多重量子井戸活性層７、アンドープGaNガイド層８、ｐ型AlGaN電子障壁層９、ｐ型AlGaNクラッド層１０及びｐ型GaNコンタクト層１１が順次形成されている。 （もっと読む）

【課題】 電流ブロック層を構成するｎ型層とｎ型クラッド層またはｎ型コンタクト層との接触を防止して、漏れ電流を低減し、レーザ特性を向上できる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ素子は、ｐ型ＩｎＰからなる基板１上に形成され、活性層３およびｎ型ＩｎＰからなるクラッド層４を含むリッジ構造と、リッジ構造の両側に形成され、ｐ型ＩｎＰ層１１／ｎ型ＩｎＰ層１２／ｐ型ＩｎＰ層１３の積層からなる電流ブロック層とを備え、リッジ構造の上面におけるリッジトップ幅のうねりを１０ｎｍ以下に抑制している。 （もっと読む）

【課題】埋め込み型構造の半導体レーザ装置において、電流ブロック層の上に形成された半導体層の結晶性及び表面モフォロジーを向上させ、レーザ発振閾値電流が小さく且つ信頼性が高い半導体レーザ装置を実現できるようにする。
【解決手段】基板１の上に、バッファ層２と、ｎ型クラッド層３と、ｎ型ガイド層４と、多重量子井戸構造の活性層５と、第１のｐ型ガイド層６と、電流ブロック層７とが順次積層されている。電流ブロック層７は、ｎ型のＡｌ_0.15Ｇａ_0.85Ｎ層８とｎ型のＧａＮ層９とからなり、電流が流れるストライプ状の窓部２０が形成されている。ＧａＮ層９の上には第２のｐ型ガイド層１０と、ｐ型クラッド層１１と、ｐ型コンタクト層１２とが形成されている。ｐ型コンタクト層１２上にはＮｉ系材料からなるｐ型電極１３が形成され、基板１裏面にはＴｉ系材料からなるｎ型電極１４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】戻り光による影響を抑制することができる半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ素子１０から出射された光ＬＢに対してガラス板２１を垂直に配置し、光ＬＢの一部をガラス板２１と半導体レーザ素子１０の反対側端面１０Ｒとの間で共振させることにより外部共振器を構成する。半導体レーザ素子１０の発振状態に基づいてガラス板２１を光ＬＢに平行な方向Ａに移動させてガラス板２１と半導体レーザ素子１０の反対側端面１０Ｒとの間の距離Ｌ、すなわち外部共振器の共振器長Ｌを調整する。液晶光学素子や可変ＮＤフィルタなどの透過率制御素子を用いて、外部共振器内で共振する光の量を調整してもよい。また、位相補償板により、外部共振器内で共振する光の位相を調整するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】 より低い消費電力で可視光領域の波長を有するレーザ光を発振可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】 活性層５３を、（Ｇａ_0.5 Ｉｎ_0.5 ）_0.5 Ｐや（Ａｌ_0.5 Ｇａ_0.5 ）_0.5 Ｉｎ_0.5 Ｐ等のリン（Ｐ）を含む化合物半導体を用いて構成する。電流阻止層７についても、（Ａｌ_0.7 Ｇａ_0.3 ）_0.5 Ｉｎ_0.5 Ｐ等のリン（Ｐ）を含む化合物半導体を用いて構成し、かつ、電流阻止層７の屈折率を活性層５３の屈折率よりも小さくする。電流阻止層７と活性層５３との屈折率差によって効率よく光を活性層５３に閉じ込めることができ、電流しきい値の低減やスロープ効率の増大を図ることが可能となる。活性層５３と電流阻止層７とのバンドギャップ差も大きくすることができ、積層構造５からの電流漏れを抑制することができる。 （もっと読む）

選択ＭＯＶＰＥ成長を用いて作製した半導体レーザにおいて、広幅部に成長した再結合層の格子緩和を抑制し、リーク電流が抑制され、信頼性の高い半導体レーザを実現することを目的とする。選択ＭＯＶＰＥ成長を用いて半導体レーザを作製する際に、酸化シリコンマスク１３の間隙となる狭幅部１４にエピタキシャル成長したＤＨメサストライプ６の平均歪量を格子緩和が起こらない範囲で圧縮歪側にずらすことにより、広幅部１５に成長した再結合層１６の引張歪を低減する。 （もっと読む）