【課題】ＣＯＤ破壊をより起こし難い半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、ｎ−クラッド層３、活性層４、ｐ−クラッド層５、メサ構造７−９、ブロック層１３、低損失層１１、コンタクト層１０を具備する。ｎ−クラッド層３は半導体基板２上に、活性層４はｎ−クラッド層３上に、ｐ−クラッド層５は活性層４上に、メサ構造７−９はｐ−クラッド層５の一部上に形成される。ブロック層１３はｐ−クラッド層５及びメサ構造７−９の斜面上に、低損失層１１はメサ構造７−９のメサトップの一部の上に、コンタクト層１０はブロック層１３、低損失層１１及びメサ構造７−９の上に、それぞれ形成される。低損失層１１は、一方の端がメサトップのいずれか一方の端に、他方の端がメサトップの途中にそれぞれ位置するように設けられる。低損失層１１はコンタクト層１０よりもバンドギャップが大きい。 （もっと読む）

【課題】ＲＦ重畳をかけることなく戻り光雑音を抑制することができるシングルモード半導体レーザを提供する。
【解決手段】活性層には、誘導放出を行うアクティブ領域以外に、光出射端面から一定の距離内に誘導放出を行わないパッシブ領域が設けられ、パッシブ領域の屈折率をｎ_Ｐ、活性層のうち、メサストライプ領域の屈折率をｎ_Ｓ、アクティブ領域のうち、メサストライプ領域中心部の屈折率をｎ_Ｃ、としたときに、誘導放出を行う動作時の屈折率がｎ_Ｐ＜ｎ_Ｓ＜ｎ_Ｃである。誘導放出されたレーザ光は、パッシブ領域によりスポットサイズが広げられ、光出射端面から出力する。 （もっと読む）

【課題】動作モード制御性に優れる半導体レーザの作製方法を提供する。
【解決手段】光の伝播方向において活性層領域Ａと制御層領域Ｂとが交互に接続する半導体レーザの作製方法において、活性層領域Ａの上側ＳＣＨ層１３又は制御層領域Ｂの上側ＳＣＨ層１７のうちいずれか一方の上層に半導体犠牲層１８を形成し、活性層領域Ａ及び制御層領域Ｂの表面に回折格子を形成し、活性層領域Ａ及び制御層領域Ｂの上層に半導体犠牲層１８と同一材料の半導体層２０を形成する際、半導体犠牲層１８の厚さを厚くして、活性層領域Ａの回折格子の深さ又は制御層領域Ｂの回折格子の深さのうちいずれか一方を浅く形成する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を低減することができる構成を備えた半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体レーザが、Ｐ型ＩｎＰ基板１と、Ｐ型ＩｎＰ基板１に、Ｐ型ＩｎＰクラッド層２と、ＡｌＧａＩｎＡｓ歪量子井戸活性層３と、Ｎ型ＩｎＰクラッド層４と、Ｐ型ＩｎＰ埋込み層５と、Ｎ型ＩｎＰ埋込み層６と、Ｐ型ＩｎＰ埋込み層７と、Ｎ型ＩｎＰ層８と、Ｎ型ＩｎＰコンタクト層９と、ＳｉＯ_２絶縁膜１０と、Ｎ型電極１１と、Ｐ型電極１２とを備えている。半導体レーザが、Ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層２１を備える。 （もっと読む）

【課題】リークパスが狭窄化された光半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】光半導体装置の製造方法は、一導電型半導体基板１０上に順に形成された一導電型クラッド層、活性層、および反対導電型クラッド層に対してメサ構造を形成する工程と、前記メサ構造の両側を前記活性層より高い位置で埋込む第１埋込層５０を成長する工程と、前記メサ構造の上面の両側に位置する前記反対導電型クラッド層に対してエッチングを施し、前記メサ構造の上面よりも低い面を形成する工程と、前記エッチングにより形成された低い面および前記第１埋込層上に一導電型の第２埋込層６０を成長する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 素子容量を抑制しつつリーク電流を抑制することができる光半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 光半導体装置の製造方法は、基板上に順に形成されたｎ型クラッド層、活性層、およびｐ型クラッド層に対して選択的にエッチング処理を施すことによってメサ構造を形成する工程と、前記メサ構造の側面から前記基板の前記メサ構造以外の平面部にかけて、前記平面部における厚さが５ｎｍ〜４５ｎｍのｐ型半導体層を形成する工程と、前記ｐ型半導体層上に、前記メサ構造を埋め込む高抵抗半導体層を形成する工程と、を含み、前記平面部において、前記ｐ型半導体層の厚みと前記ｐ型半導体層のｐ型ドーパントの濃度との積は、２．５×１０^１９ｎｍ／ｃｍ^３以下である。 （もっと読む）

【課題】より高い光出力を実現できる半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成され、第１導電型半導体層領域と、前記第１導電型半導体層領域上に形成された活性層と、前記活性層上に形成された第２導電型半導体層領域と、前記活性層に注入する電流経路を狭窄するための電流狭窄領域を有する電流狭窄構造と、を有する半導体積層構造と、前記第１導電型半導体層領域と前記第２導電型半導体層領域とから前記活性層に電流を注入するための２つの電極と、を備え、前記半導体層積層構造は、光出射方向に垂直な幅方向において前記電流狭窄領域とは幅中心が許容範囲内で一致するように形成された非窓領域と、前記非窓領域を囲むように形成され、前記活性層のバンドギャップエネルギーが前記非窓領域よりも大きい窓領域とを有し、前記電流狭窄領域の幅をＷ１、前記非窓領域の幅をＷ２とすると、３μｍ≦Ｗ２−Ｗ１が成り立つ。 （もっと読む）

【課題】利得波長の短波長シフトを抑制できるとともに、多重量子井戸構造の設計の自由度が高い光半導体装置を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ／Ｖ族化合物半導体からなり、主障壁層の間に井戸層が介挿された量子井戸構造を複数有する多重量子井戸構造を備えた光半導体装置において、前記主障壁層と前記井戸層との間に、前記主障壁層と略同一のバンドギャップエネルギーと、前記井戸層と同じＶ族組成とを有するように成長させた極薄障壁層を備える。 （もっと読む）

【課題】温度特性に優れた長波長半導体レーザを提供する。
【解決手段】ｐ型ＩｎＰ基板上に、ｐ型ＩｎＰクラッド層、ＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層、ｎ型ＩｎＰクラッド層が順次積層されている。ＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層は、ＩｎＧａＡｓＰバリア層４０及びＩｎＧａＡｓＰウェル層４２が交互に積層された多重量子井戸構造と、多重量子井戸構造を挟むＩｎＧａＡｓＰガイド層４４，４６とを有する。発振時のＩｎＧａＡｓＰバリア層及びＩｎＧａＡｓＰガイド層のキャリア密度を２×１０^１７／ｃｍ^３以下とする。 （もっと読む）

【課題】光通信システムにおいて光サーキュレータを用いずに入出力の光信号を分離することができる、小型かつ低コストの半導体光増幅器およびそれを用いた光モジュールを提供する。
【解決手段】入射された光を導波するとともに増幅する光導波路１２を備えた反射型の半導体光増幅器であって、光導波路１２は、前方端面２６ａ側から後方端面２６ｂ側に向かって形成され、前方端面２６ａ側から光が入射される入力導波路１２０と、後方端面２６ｂ側から前方端面２６ａ側に向かって形成され、前方端面２６ａ側から光が出射される出力導波路１２１と、からなり、入力導波路１２０と出力導波路１２１が後方端面２６ｂ近傍で所定の角度θをなして連続的に結合しており、入力導波路１２０を導波された光が、後方端面２６ｂで反射されて出力導波路１２１を導波される構成を有している。 （もっと読む）

本発明によれば、デバイス、好ましくは偏光依存利得が小さい光増幅器が提供される。増幅器は、光利得を提供するための隣接する複数の半導体層を備えた利得媒体を備えており、これらの隣接する半導体層は、電子のための１つまたは複数の量子井戸を画定しており、利得媒体中における直接電子−正孔遷移および間接電子−正孔遷移の両方を提供するように動作する。伝導帯中の第１の量子化電子エネルギー準位および価電子帯中の第１の量子化正孔エネルギー準位は、第１の層中に位置している。価電子帯中の他の第１の量子化正孔エネルギー準位は、隣接する第２の層中に位置している。第１の層中の第１の量子化正孔エネルギー準位は、軽い正孔状態か、あるいは重い正孔状態のいずれかであり、第２の層中の他の第１の量子化正孔エネルギー準位は、第１の層中の第１の量子化正孔エネルギー準位とは異なる正孔状態である。第２の層は、Ｉｎ_{１−ｘ−ｙ}Ａｌ_ｘＧａ_ｙＡｓ（ｘ＞０、ｙ＞０）を含んでいることが好ましい。
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本発明は、電子デバイス用の、好ましくは、光電子デバイス用の、電流遮断構造を提供する。電流遮断構造が、ｎ−型ルテニウムドープリン化インジウム（Ｒｕ−ＩｎＰ）層を備えた半導体材料配列と、第１ｐ−型半導体材料層と、を備え、ｎ−型Ｒｕ−ＩｎＰ層が、０．６μｍ未満の厚さである。半導体材料配列と、ｐ−型半導体材料層と、が、電流遮断ｐ−ｎ接合を形成する。電流遮断構造が、他のｎ−型層および／または多数のｎ−型Ｒｕ−ＩｎＰ層および／または真性／ドープされていない層をさらに備えてよく、ｎ−型Ｒｕ−ＩｎＰ層が、０．６μｍよりも厚くてよい。
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【課題】 赤色半導体レーザにおいて出力向上，特性の安定化を図る。
【解決手段】 共振器の少なくとも一端にコーティング膜が設けられ、前記コーティング膜は、前記共振器端面に形成される第１層と、該第１層上に形成される第２層とを有する半導体レーザ素子の製造方法において、前記第１層の光学厚さｄ１と前記第２層の光学厚さｄ２の和がレーザ光の波長の０．４５倍から０．５５倍の厚さであり、前記第１層と前記第２層の光学膜厚比ｄ１／ｄ２は、０．５４≦ｄ１／ｄ２≦０．９５、または１．０５≦ｄ１／ｄ２≦１．８６の関係となる設計値で、前記第１層と前記第２層とを成膜する。 （もっと読む）

【課題】メサストライプ形状の積層体の側部に埋込層を有する半導体光素子および集積型半導体光素子において、埋込層を流れる無効電流を抑制するとともに、高速応答特性を実現することができる半導体光素子および集積型半導体光素子を得る。
【解決手段】ｐ型半導体基板１上に、ｐ型クラッド層２、活性層３およびｎ型クラッド層４が積層されたメサストライプ形状の積層体が形成され、積層体の側部に埋込層が形成され、埋込層は、第１ｐ型半導体層５、第１ｎ型半導体層６、Ｆｅドープ半導体層７、第２ｎ型半導体層８、低キャリア濃度半導体層９および第２ｐ型半導体層１０が積層され、Ｆｅドープ半導体層７は、第１ｐ型半導体層５および第１ｎ型半導体層６の結晶面の（１１１）Ｂ面上に成長されず、第２ｎ型半導体層８は、第１ｐ型半導体層５、第１ｎ型半導体層６およびＦｅドープ半導体層７の結晶面の（１１１）Ｂ面上に成長されない。 （もっと読む）

【課題】高効率かつ高出力な光出力特性を得ることができる半導体光増幅素子を提供すること。
【解決手段】第１の活性コア層を有する入力側光増幅導波路部と、前記入力側光増幅導波路部に接続し、前記第１の活性コア層よりも幅の広い第２の活性コア層を有する出力側光増幅導波路部と、を備え、前記第１の活性コア層と前記第１の活性コア層の幅方向に隣接するクラッド部との比屈折率差、および前記第２の活性コア層と前記第２の活性コア層の幅方向に隣接するクラッド部との比屈折率差が、前記第１の活性コア層におけるキャリア密度および光閉じ込め係数が前記第２の活性コア層におけるキャリア密度および光閉じ込め係数のそれぞれよりも高くなるように、設定されている。 （もっと読む）

【課題】安定した発振波長のレーザ光を出射するとともに、より安価でかつ簡単な構造を有する外部共振器型半導体レーザとそれを用いたラマン増幅器を提供する。
【解決手段】劈開によって形成された後方端面１１ａおよび出射端面１１ｂと、後方端面１１ａから出射端面１１ｂにかけて設けられ、駆動電流が供給されることによって光を発生させる活性層１１０とを有し、活性層１１０において発生した光を該出射端面から出射するゲインチップ１１と、出射端面１１ｂと光軸方向に所定間隔を設けて対向する端面１ａを有してゲインチップ１１と直接光結合された光ファイバ１と、を備え、後方端面１１ａと端面１ａとの間に光共振器が形成される。 （もっと読む）

【課題】実装の際にワイヤボンディングが不要で、かつ、オーミック抵抗が低い半導体レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】メサ基板の第１主表面上の、活性層の両側に電流ブロック部を形成する。活性層及び電流ブロック部上に第２クラッド層及びコンタクト層を順に形成する。ウェットエッチングにより、コンタクト層、第２クラッド層及び電流ブロック部を貫通してメサ基板に至る開口を形成する。コンタクト層上に第１オーミック電極を形成する。メサ基板を裏面研磨を行うことにより第１クラッド層を形成する。第１クラッド層の第２主表面上に第２オーミック電極を形成する。開口の内壁面上に形成された絶縁膜上に、第２オーミック電極と電気的に接続される側面電極を形成すると共に、コンタクト層上に形成された絶縁膜上に、第１オーミック電極と電気的に接続される第１コンタクト電極、及び、側面電極と電気的に接続される第２コンタクト電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】大面積で低コストな基板を用いながら、分極に起因する光学利得の低下が抑制された半導体レーザを提供する
【解決手段】基板上に、クラッド層２、７で挟持された活性層４を有する窒化物半導体レーザ。活性層は、基板の主面とは異なるように制御された面方位を有する領域を備え、制御された面方位を有する活性層領域の少なくとも一部を含むように光導波路が形成されている。例えば、基板は、底部基板１３とその主面上に形成された下地層１６とを備え、下地層は、底部基板の主面とは異なるように制御された面方位の領域を有し、下地層における制御された面方位の領域の上部に、制御された面方位を有する活性層領域が形成されている。 （もっと読む）

【課題】閾値電流値を低減させ、光出射効率を高めた光半導体装置を得る。
【解決手段】（００１）面を主面とするＩｎＰ基板と、前記ＩｎＰ基板の主面上に形成され、第１導電型の下部ＩｎＰクラッド層と、前記下部ＩｎＰクラッド層上に形成された前記ＩｎＰクラッド層の幅よりも狭い幅を有するＡｌＧａＩｎＡｓを含む活性層と、前記活性層上に形成された前記下部ＩｎＰクラッド層と同幅の第２導電型の上部クラッド層とを有するストライプメサ構造と、前記ストライプメサ構造における前記活性層の側面に形成されるサイドバリア層と、を有し、前記ストライプメサ構造は［１１０］方向に延伸し、前記サイドバリア層は、Ａｌ組成が０．３２以上のＡｌＧａＩｎＡｓ、または、Ａｌ組成が０．４５〜０．５１のＩｎＡｌＡｓにより形成されたものであることを特徴とする光半導体装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】高温での動作に適し、高出力であるとともに波長に対する出力強度の偏差の増大が抑制された集積型半導体レーザ素子、半導体レーザモジュール、光伝送システムを提供すること。
【解決手段】互いに異なる発振波長で単一モード発振する複数の半導体レーザからの出力光を合流させる光合流器と光合流器からの出力光を増幅する半導体光増幅器とを集積し、複数の半導体レーザの各活性層の少なくとも一つと半導体光増幅器の活性層とは、同一厚さと、複数の半導体レーザの発振波長が形成する波長帯域の中央近傍に利得ピーク波長を有するように設定された同一の組成とを有し、半導体光増幅器は、光合流器側に出力光を単一モードで導波する等幅部と、光出力側に等幅部の幅よりも幅広の拡幅部とを有し、動作状態における利得ピーク波長が組成設定による半導体レーザの利得ピーク波長と略一致するように、活性層の各井戸層の厚さ合計に応じて拡幅部幅を設定している。 （もっと読む）