【課題】電流ブロック層におけるリーク電流の一層の低減を図ることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層（以下、層と略称する）２１、活性層２３、及び、第２導電型を有する第２層２２から構成された発光部、並びに、（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた、第１導電型を有する第３層４３、及び、第２導電型を有する第４層４４から構成された電流ブロック層４０を備え、第１層２１を第１導電型とするための不純物は、第１層２１における不純物の置換サイトが、第２層２２を第２導電型とするための第２層２２における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、第３層４３を第１導電型とするための不純物は、第３層４３における不純物の置換サイトが、第４層４４を第２導電型とするための第４層４４における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。 （もっと読む）

【課題】メサの表面の酸化膜を十分に除去して、レーザ特性及び信頼性を向上させることができる半導体レーザ素子の製造方法を得る。
【解決手段】ｐ型ＩｎＰ基板１１上に、ｐ型ＩｎＰクラッド層１２、ＡｌＧａＩｎＡｓ下光閉込層１３、ＡｌＧａＩｎＡｓ―ＭＱＷ活性層１４、ｎ型ＡｌＧａＩｎＡｓ上光閉込層１５、ｎ型ＩｎＰクラッド層１６からなる半導体積層構造を形成する。次に、ＳｉＯ_２膜をマスクとしてウェットエッチングを行い、半導体積層構造にメサを形成する。次に、水素プラズマを用いてメサの表面を清浄化させる。次に、メサの表面を覆うようにｐ型ＩｎＰ埋込層１７を形成する。そして、ｐ型ＩｎＰ埋込層１７上に、ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層１８、ｐ型ＩｎＰ埋込層１９及びｎ型ＩｎＰ埋込層２０を形成してメサの周囲を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】活性層にＡｌを含んでいなくても、より高い光出力を実用的な動作時間出すことができる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】多重量子井戸活性層３は、２層の量子井戸層３ａと、各量子井戸層３ａの両側に設けられた障壁層３ｂと、ガイド層３ｃ，３ｄを有している。上記量子井戸層３ａはＩｎ_1-v1Ｇａ_v1Ａｓ_1-w1Ｐ_w1結晶からなり、障壁層３ｂはＩｎ_1-v2Ｇａ_v2Ａｓ_1-w2Ｐ_w2結晶からなる。ここで、ｖ１，ｖ２はｖ１＜ｖ２を満たし、ｗ１，ｗ２はｗ１＜ｗ２を満たす。また、障壁層３ｂはＧａＡｓ基板に対して引っ張り歪を有し、量子井戸層３ａはＧａＡｓ基板に対して圧縮歪を有する。ガイド層３ｃ，３ｄはＧａＡｓ基板に対して略格子整合し、隣接する障壁層の厚さよりも厚い。 （もっと読む）

【課題】コンタクト層との成長界面の抵抗を抑制することが可能な半導体レーザ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板１０の表面に、クラッド層１２、３２、活性層１３、４９、クラッド層１４、３６、エッチングストップ層１５、３７、クラッド層１６、３８、キャップ層１８、４０、及び保護層１９、４１等を有する構造体を形成し、この構造体の保護層１９、４１の表面に酸化シリコンを形成し、パターニングされたマスク４５、４６として、エッチングストップ層１５、３７までエッチング加工を行い、レーザ光を放出するストライプ構造の光導波路構造部４８、４９を形成し、マスク４５、４６上に開口を有し、光導波路構造部４８、４９を被う電流ブロック層５１を形成し、マスク４５、４６及び保護層１９、４１をエッチング除去して、その後、キャップ層１８、４０及び電流ブロック層５１を被うコンタクト層５３を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】垂直形状のリッジ部を有し、電流狭窄層の側面にボイドが発生せず、かつ電極の非対称性に起因する応力分布の異常が生じない半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板と、半導体基板１上に第１クラッド層２、活性層３および第２クラッド層４が積層された化合物半導体層と、化合物半導体層上の一部にストライプ状に形成されたリッジ部１２と、化合物半導体層上およびリッジ部１２の側面に形成された電流狭窄層７と、リッジ部１２上面および電流狭窄層７を覆って形成された電極８、９ａ、１０とを備える。電極８、９ａ、１０は、電流狭窄層７上面およびリッジ部上面に形成された第１の電極層８と、電流狭窄層７の側面および第１の電極層８上面に密着して形成された第２の電極層９ａと、第２の電極層９ａ上面および側面に形成された第３の電極層１０とを有し、第２の電極層９ａの両側面に形成された膜厚が等しい。 （もっと読む）

【課題】部品点数を減らして光学系の構成を簡素化可能な発光波長の異なる複数個の半導体発光素子を有する半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板３０上に、エピタキシャル成長法により、少なくとも第１導電型第１クラッド層３２、第１活性層３３および第２導電型第２クラッド層３４を積層させた第１積層体ＳＴ１を形成する。次に、第１積層体ＳＴ１上に、エピタキシャル成長法により、少なくとも第１導電型第３クラッド層４９、第２活性層５０および第２導電型第４クラッド層５１を積層させた第２積層体ＳＴ２を形成する。ここで、少なくとも第１活性層３３と第２活性層３８を、それぞれ組成を異ならせて形成する。次に、第２半導体発光素子形成領域の第２積層体ＳＴ２を残して、他の領域の第２積層体ＳＴ２を除去する。 （もっと読む）

【課題】 モノリシック型２波長半導体レーザ装置において、従来から使用されている半導体層の組成変更または設計変更をする必要がなく、リッジ導波路の形成が容易な半導体レーザ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 リッジ導波路の形成において、第１および第２キャップ層を選択的にエッチング可能なエッチャントで、第１および第２キャップ層を同時にエッチングする。次に、第３クラッド層の一部と、中間層と、第６クラッド層の一部とを選択的にエッチング可能なエッチャントで、３クラッド層の一部と、中間層と、第６クラッド層の一部とを同時にエッチングする。第３クラッド層の残部を選択的にエッチング可能なエッチャントで、第３クラッド層の残部をエッチングし、第６クラッド層の残部を選択的にエッチング可能なエッチャントで、第６クラッド層の残部をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】有機シラン系原料を用いた厚膜の誘電体膜をマスクとして用いる場合であっても、多層半導体層の最表層における変質物の残留を抑止することができる半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】マスクとして用いた厚膜の誘電体膜７を除去した後、塩酸系エッチャントを用いて第２のキャップ層６を選択エッチングする。このとき、第２のキャップ層６の表面に存在する変質物Ｄがマスクとして機能し、エッチングレートの低い結晶面が露出したところで第２のキャップ層６のエッチングが止まってしまうことが生じ得る。そこで、塩酸系エッチャントによるエッチングに引き続き、リン酸系エッチャントを用いて、第１のキャップ層５を選択エッチングすることにより、第１のキャップ層５に残留する第２のキャップ層６の一部と変質物Ｄとを、第１のキャップ層５と共にクラッド層４の表面から除去する。 （もっと読む）

【課題】利得ピーク波長を例えば１．５５μｍ帯の中心付近に保持しながら、その長波長側のみならず短波長側をも包含する広い波長領域で平坦な利得スペクトル及び低い雑音指数を実現し、且つ波長間利得差を小さく抑える高信頼性のＳＯＡを得る。
【解決手段】半導体基板としてＩｎＰ基板１１を用い、活性層１４として、ＧａＩｎＡｓを材料としてなる伸張歪が印加されたバリア層１４ａと、ＧａＩｎＮＡｓを材料としてなる無歪の井戸層１４ｂとが交互に複数層、ここでは井戸層１４ｂが４層、バリア層１４ａが５層積層されたＭＱＷ構造を適用してなる偏波無依存型のＳＯＡを提示する。 （もっと読む）

【課題】除去可能な突起物を把握でき、半導体層の表面から突出する突起物を適切に除去することができる半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体光素子の製造方法では、表面処理工程において、エッチングによってキャップ層５の表面から除去される突起物は、キャップ層５の表面に形成されたレジスト層２２の厚さよりも高い突起物Ａ１，Ｃ２に限定される。したがって、形成するレジスト層２２の厚さに基づいて、除去可能な突起物の高さを予め把握できるので、過不足のないエッチングによって、キャップ層５の表面から突出する突起物を適切に除去できる。レジスト層２２の厚さを変えながらステップＳ１１〜Ｓ１７を繰り返すことにより、ウエハの不必要なエッチングを防止しつつ、突起物をより完全に除去できる。 （もっと読む）

【課題】偏波無依存性が改善された量子ドットを利得媒質とする。
【解決手段】半導体基板１１上に形成した、半導体基板１１よりも格子定数が大きく、平均歪み量が０％以上、１％以下である量子ドット１２ａと、量子ドット１２ａ上に形成した、半導体基板１１よりも格子定数が小さく、半導体基板１１に対する格子不整合量の大きさが量子ドット１２ａの格子不整合量以上であって、平均歪み量が０％以上、１％以下であるバリア層１３と、により偏波特性を制御するようにした。これにより、偏波無依存の量子ドット１２ａを備えた光半導体装置１０を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 電流リークパスの形成を防止することにより、活性層への電流注入効率を向上させることができる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ素子１では、ｐ型の下部クラッド層２１の側部２１ｂを覆うように、半導体基板１１の一面側と半導体メサ部１２の側部とにｎ型の電流ブロック層１３が設けられている。また、半導体メサ部１２の側部のうち、電流ブロック層１３によって覆われていない部分を覆うように、電流ブロック層１３の一面側と半導体メサ部１２の側部とに半絶縁性の埋込層１４が設けられている。これにより、下部クラッド層２１から埋込層１４への電流リークパスの形成を防止できる。また、電流ブロック層１３と、上部ＳＣＨ層２６、上部クラッド層２３、及びコンタクト層２４との間の電流リークパスの形成も防止できる。 （もっと読む）

【課題】 発振の横モードの単一化を図ることができると共に半導体基板の転位の影響を低減することができる半導体光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明に係る半導体光素子１Ａの製造方法では、Ａｌを含む半導体材料からなる活性層３０を有する半導体メサ部２Ｂを平均転位密度が５００ｃｍ^−２以上５０００ｃｍ^−２以下である半導体基板１０上に形成する工程と、活性層３０の酸化を防止する酸化防止層６２を、半導体メサ部２Ｂの側面のうち少なくとも活性層３０の側面上に形成する工程と、半導体メサ部２Ｂの側面上に、半導体メサ部２Ｂを埋め込む埋め込み層７０を酸化防止層６２を覆うように形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】発光素子は、高出力で高速応答性、高信頼性の発光素子が求められている。特に装置産業においては過酷な環境下でも長時間の使用に耐えうることは重要であり、通電後の使用においてその特性の変動が極めて少ないことが望まれている。多重量子井戸活性層と電流狭窄構造を有する垂直共振器型発光素子において、良好な初期特性と共に高い信頼性を提供する。
【解決手段】多重量子井戸構造と電流狭窄構造を用いた垂直共振器型発光素子において、量子井戸活性層をノンドープとし、キャリア濃度について、ｐ側を１Ｅ１８ｃｍ^−３以上、２Ｅ１８ｃｍ^−３以下、かつ、ｎ側を５Ｅ１７ｃｍ^−３以下にする。 （もっと読む）

【課題】高次モードに対して基本モードに充分な利得差を与えることが可能な面発光半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光半導体レーザ１１では、活性層１５は、第１のＤＢＲ１３上に設けられている。第２のＤＢＲ１７は、第１の部分２１および第２の部分２３を含む。第１および第２の部分２１、２３は所定の軸Ａｘの方向に配置されている。III−Ｖ化合物半導体領域１９は、第２のＤＢＲ１７における第１の部分２１の周囲に設けられている。第２のＤＢＲ１７の第１の部分２１は、第２のＤＢＲ１７の第２の部分２３と活性層１５との間に設けられている。第２のＤＢＲ１７において、第１の部分２１は半導体積層２０ａからなり、第２の部分２３は誘電体積層２０ｂからなる。第１のＤＢＲ１３、活性層１５および第２のＤＢＲ１７は、所定の軸Ａｘの方向に配置されている。 （もっと読む）

【課題】活性層へのＺｎの拡散が効果的に抑制されると共に信頼性が高い半導体光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 まず、第１導電型の半導体基板１０上に活性層３０を含む半導体メサ部２Ｂ上を形成する。次に、半導体メサ部２Ｂを埋め込むように埋め込み層７０Ａを形成する。埋め込み層７０Ａは、ｐ型第１埋め込み層７０ａ_１、ｐ型第４埋め込み層７０ｂ_２及びｐ型第２埋め込み層７０ｂ_１を含む。ｐ型第１埋め込み層７０ａ_１は、ｎ型不純物及びｐ型不純物（Ｚｎ）がドープされたＩｎＰからなる。次に、半導体メサ部２Ｂのキャップ層５０を除去する。これにより、半導体メサ部２Ｍが得られる。次に、半導体メサ部２Ｍ及び埋め込み層７０Ａ上にクラッド層４０ｂ及びコンタクト層８０を形成する。次に、電極９０ａ及び電極９０ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】逆方向ＥＳＤ耐圧を向上可能な構造を有する半導体光素子を提供する。
【解決手段】半導体光素子１１において、半導体メサ１３は、第１の部分１３ａおよび第２の部分１３ｂを含む。第１のｐ型埋込層１５は、第１の部分１３ａの側面１３ｃ上に設けられ、第１のｎ型埋込層１７は、第１のｐ型埋込層１５上に設けられ、第２のｐ型埋込層１９は第２の部分１３ｂの側面１３ｄ上に設けられ、第２のｎ型埋込層２１は、第２のｐ型埋込層１９上に設けられる。第１の部分１３ａは当該半導体光素子１１の端面１１ｃを有し、第２の部分１３ｂは第１の部分１３ａに隣接している。活性層２３は、例えば量子井戸構造を有している。第１および第２の部分１３ａ、１３ｂの各々は、活性層２３、ｎ型クラッド領域２５およびｐ型クラッド領域２７を含む。第１のｐ型埋込層１５のｐ型ドーパント濃度Ｎ_Ｐ１は第２のｐ型埋込層１９のｐ型ドーパントの濃度Ｎ_Ｐ２より低い。 （もっと読む）

【課題】製造容易で広帯域な利得スペクトル幅を有し、長時間安定して発光する光半導体素子を実現する。
【解決手段】素子内における共振が抑制され、GaAs基板１１上に０．９μｍ以上かつ１．２μｍ以下の中心波長λｃで発光する発光層が積層されている光半導体素子１０において、発光層が、第１の中心波長例えば１．０６μｍで発光する第１のIn_XGa_1-XAs量子ドット層（0≦ｘ≦１）、第１の中心波長とは異なる第２の中心波長例えば１．０９μｍで発光する第２のIn_XGa_1-XAs量子ドット層（0≦ｘ≦１）とを含む多重量子ドット層である。このため、多重量子ドット層間の転位が回避される。 （もっと読む）

【課題】広い温度範囲および様々な通信速度において低消費電力で安定して動作する半導体レーザ素子ならびにそれを用いた発光モジュール、光伝送モジュールおよび電子機器を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、バッファ層、下クラッド層、活性層、第１の上クラッド層、第２の上クラッド層、およびキャップ層、を含み、バッファ層のエネルギバンドギャップの大きさは、半導体基板のうちバッファ層に最も近接している領域と下クラッド層のうちバッファ層に最も近接している領域との間にあり、第２の上クラッド層のうちキャップ層に最も近接している領域のキャリア濃度およびキャップ層のうち第２の上クラッド層に最も近接している領域のキャリア濃度がそれぞれ第２の上クラッド層の他の少なくとも一部の領域よりも高い半導体レーザ素子、それを用いた発光モジュール、光伝送モジュールおよび電子機器である。 （もっと読む）

【課題】広い環境温度範囲内で高い周波数における高速変調が安定して得られかつ低消費電力で動作が可能な発光モジュールを提供する。
【解決手段】発光モジュールは、半導体レーザ素子、集積回路素子、電源端子、およびグランド端子を含み、レーザ素子は第１電極、第１導電型半導体基板、第１導電型バッファ層、第１導電型下クラッド層、活性層、第２導電型上クラッド層、第２導電型キャップ層、および第２電極をこの順で含み、下クラッド層は半導体基板に比べて大きなエネルギバンドギャップを有し、バッファ層は半導体基板のバンドギャップ以上で下クラッド層のバンドギャップ以下の範囲内のバンドギャップを有し、集積回路素子はレーザ素子の動作電流を制御する能動素子を含み、この能動素子とレーザ素子はグランド端子と電源端子との間で直列接続されている。 （もっと読む）