【課題】自励発振型の半導体レーザにおいて、高温動作させた場合においても、十分な自励発振動作ができるようにする。
【解決手段】ｐ−クラッド層１０５を、キャリア濃度が異なる２層から構成し、活性層１０４に近い側のｐ−クラッド層１０５Ａに対して、活性層１０４に遠い側のｐ−クラッド層１０５ＢのＺｎドープ量が低くなるように設定する。このようにｐ−クラッド層１０５に濃度分布を持たせることによって、高温時においてもｐ−クラッド層１０５Ｂの濃度が電流の広がらない最適な膜厚およびキャリア濃度に設定され、また、ｐ−クラッド層１０５Ａの濃度が活性層１０４にＺｎが拡散せず、高温時においてもキャリアのオーバーフローが抑制できるように、Ｚｎがドープされる。 （もっと読む）

【課題】高次横モード発振を抑制できる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】本発明の面発光レーザ素子は、第１多層反射膜１０２および第２多層反射膜１０９と、第１多層反射膜上１０９に形成される活性層１０４と、スペーサ層１０３，１０５，１０８と、活性層１０４と第２多層反射膜１０９の間に形成され、スペーサ層１０８に光学膜厚差分の凹凸を生じさせて凸部分の電流注入領域１１３と凹部分の電流ブロック領域１１４とを形成する高濃度ｐ型層１０６および高濃度ｎ型層１０７とから構成される。第１多層反射膜１０２および第２多層反射膜１０９は、高屈折率層と該高屈折率層の下層の低屈折率層との対を１ペアとした複数のペアから構成され、第２多層反射膜１０９の最下にある低屈折率層１０９ａが一部除去されている。 （もっと読む）

【課題】偏向特性の悪化を防ぐことでき、かつ、ドループ率の低下を防ぐことができる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板１０１は、表面に断面略矩形状の溝１０３，１０４が形成され、かつ、溝１０３と溝１０４との間にリッジが形成されている。溝１０３，溝１０４内には、ｎ型ＧａＡｓバッファ層１０７、ｎ型ＡｌＧａＡｓ下クラッド層１０８、ノンドープＡｌＧａＡｓ下光ガイド層１０９、ノンドープＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多重量子井戸構造活性層１１０、ノンドープＡｌＧａＡｓ上光ガイド層１１１、ｐ型ＡｌＧａＡｓ第１上クラッド層１１２、ｐ型ＧａＡｓエッチングストップ層１１３、ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２上クラッド層１１４、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１１５および電流ブロック層１１８が形成されている。これらの層の表面はｎ型ＧａＡｓ基板１０１の表面に対して略平行になっている。 （もっと読む）

【課題】量子ドット光半導体素子の製造方法において、プロセスが簡便で、かつ、結晶品質が低下しないようにする。
【解決手段】量子ドット光半導体素子の製造方法を、Ｖ族元素を含む量子ドット３を自己形成する第１の工程と、量子ドット３の組成とは異なり、かつ、Ｖ族元素を含むバリア層４で量子ドット３を埋め込む第２の工程と、少なくとも気相エッチング終了時に量子ドット３を構成するＶ族元素を含む雰囲気になるようにして、バリア層４の一部及び量子ドット３の一部を気相エッチングする第３の工程とを含むものとし、第１の工程から第３の工程までを複数回繰り返して、複数の量子ドットを積層させてなる複合量子ドット５を形成する。 （もっと読む）

【課題】低駆動電力かつ高い信頼性を保つことができるように改良された半導体レーザ素子を提供することを主要な目的とする。
【解決手段】活性層１０５を間に挟んで、上下にｐ型クラッド層１０９を含む複数のｐ型導電型層１０６〜１１０，１１４，１１５と、ｎ型クラッド層１０３を含む複数のｎ型導電型層１０１〜１０４とが設けられた半導体レーザ素子において、発振波長が１．０μｍ以下であり、上記複数のｐ型導電型層１０６〜１１０，１１４，１１５のうちのｎ番目の層をｐ型導電型層(ｎ)とし、該ｐ型導電型層(ｎ)の光閉じ込め係数をΓ(ｎ)とし、該ｐ型導電型層(ｎ)のドーピング濃度をＰ(ｎ)としたときのΓ(ｎ)とＰ(ｎ)の積の総和 Σ[Γ(ｎ)×Ｐ(ｎ)] が８．０×１０¹⁷ｃｍ^-3 以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リッジ部の基板面に対する垂直性及びリッジ部の対称性に優れた構造を持つ半導体レーザ装置において、結晶性が高い電流ブロック層を確実に形成できるようにする。
【解決手段】半導体レーザ装置は、基板１０２の上に形成されたｎ型クラッド層１０３と、ｎ型クラッド層１０３の上に形成された活性層１０４と、活性層１０４の上に少なくとも上部がリッジストライプ状に形成されたリッジ部１００を有するｐ型クラッド層１０５と、ｐ型クラッド層１０５のリッジ部１００の上に形成されたｐ型コンタクト層１１０と、ｐ型クラッド層１０５におけるリッジ部１００の側方に形成され、ｐ型コンタクト層１１０を露出する開口部１０７ａを有するｎ型電流ブロック層１０７とを有している。ｐ型コンタクト層１１０におけるリッジ部１００の長手方向の側面は、該側面の上部から下部に向けて外側に傾斜すると共に、面方位に（１１１）面を含む結晶面を有している。 （もっと読む）

【課題】素子特性が低下するのを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子は、電流注入領域７０を挟んで対向するとともに、素子部５０の上面からＧａＡｓ基板１に達する深さを有し、かつ、素子部５０の側端面と平行に延びるように設けられた一対の溝部２０が設けられている。また、素子部５０の両側端面には、溝部２０と平行に延びるように、段差部３０ａが設けられており、ＧａＡｓ基板１の裏面であって、段差部３０ａの底面の真下に位置する領域に、段差部３０ａと平行に延びるスクライブライン４０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】光導波路の先端に上面が高い窓構造を容易に形成することができる光半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１上面に段差を形成し、低い面に光導波路形成領域１Ｂを、高い面に窓構造形成領域１Ａを画定する。そして、光導波路形成領域１Ｂに形成されたメサストライプ８（光導波路３を含む）を埋め込む埋込み層７を、基板１上に堆積する。窓構造５はこの埋込み層７を一部として構成される。かかる窓構造５は、光導波路形成領域１Ｂ及び窓構造形成領域１Ａ上に同一厚さの半導体層を堆積することで容易に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】共振器の両端面付近の１次モードの光の吸収を増加させ、キンクレベルを向上させることができる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】共振器面を有する半導体レーザ素子において、第１導電型の半導体基板１と、この表面上に形成される第１導電型の第１クラッド層２と、第１クラッド層上に形成される活性層３と、活性層上に形成される第２導電型の第２クラッド層４と、第２クラッド層上に形成された細長形状の第２導電型のリッジ部２０と、リッジ部との段差を埋めるように形成される第１導電型の電流ブロック層２２とを有し、電流ブロック層は、共振器面を含む共振器面近傍領域では、活性層でレーザ光が発生された際に活性層から電流ブロック層に漏れ出たレーザ光を吸収する吸収膜１０からなり、共振器面近傍領域以外の領域では、吸収膜と、活性層から電流ブロック層に漏れ出たレーザ光を透過する透過膜９とを有する。 （もっと読む）

【課題】埋め込み型半導体レーザのリーク電流を低減し、電流光出力特性を向上させる。
【解決手段】埋め込み型半導体レーザ１は、ｐ型のＩｎＰ基板２を用いて形成され、ｐ型ＩｎＰからなる第１クラッド層３、ＡｌＧａＩｎＡｓ歪量子井戸活性層４、ｎ型ＩｎＰからなる第２クラッド層５を積層したリッジ部６を有している。リッジ部６の両側には、ｐ型ＩｎＰからなる第１埋め込み層７、ｎ型ＩｎＰからなる第２埋め込み層８、半絶縁性ＦｅドープＩｎＰからなる第３埋め込み層９が順に積層された埋め込み電流ブロック層１０が形成されている。第３埋め込み層９の上面は、ｎ型のＩｎＰからなる半導体層１１により覆われている。上記構造により、第３埋め込み層９の上面にリーク電流経路が発生することを抑制し、埋め込み型半導体レーザの信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムを含む中間半導体層が酸素を含む雰囲気でアルミニウム化合物を形成するのを防止し、しかもストライプ頂面と中間半導体層の幅を実用的な範囲で両立させることのできる半導体光デバイスの製造方法を提案する。
【解決手段】アルミニウムを含む中間半導体層に達しない範囲で、上部半導体層の端部に第１ストライプ側壁を形成する工程、第１ストライプ側壁の形成後に、結晶成長装置内において、ハロゲンを含むガスを用いて、中間半導体層の端部および上部半導体層と下部半導体層が中間半導体層と隣接する隣接部分の端部に第２ストライプ側壁を形成する工程、および第２ストライプ側壁の形成に続き、結晶成長装置内において、第２ストライプ側壁に、中間半導体層の端部と隣接部分の端部に接合する保護埋込部を有する埋込半導体層を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】メサから埋込層へ電流が流れる無効電流経路が形成されるのを防ぐことができる半導体レーザ素子の製造方法を得る。
【解決手段】本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法は、基板上に、活性層を持つ半導体積層構造を形成する工程と、半導体積層構造をエッチングしてメサを形成する工程と、メサの側面の酸化層が強固なものに変化する臨界温度よりも低い温度において、エッチング効果のあるガスによりメサの側面を清浄化させる第１清浄化工程と、第１清浄化工程の後に、臨界温度よりも高い温度において、エッチング効果のあるガスによりメサの側面を清浄化させる第２清浄化工程と、メサの側面を清浄化させた後に、メサの側面を覆うように埋め込み層を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】安定したＡＰＣ駆動を行うことの可能な自励発振型半導体レーザを提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層２１、活性層２２、ならびにストライプ状の埋込リッジ部２８を含むｐ型クラッド層２３、ｎ型バッファ層２４、ｐ側コンタクト層２５、エッチングストップ層２６およびキャップ層２７をこの順に積層してなる半導体層２０を備える。半導体層２０のうち埋込リッジ部２８の延在方向に対して垂直な前端面に出射側反射膜３３が形成されており、前端面側の反射率ＲｆはＰ２＜Ｐｏｐ＜Ｐ１を満たすように調整されている。 （もっと読む）

【課題】メサから埋込層へ電流が流れる無効電流経路が形成されるのを防ぐことができる半導体レーザ素子の製造方法を得る。
【解決手段】Ａｌを含む半導体材料からなる活性層を持つ半導体積層構造を形成する工程と、半導体積層構造をエッチングしてメサを形成する工程と、メサの側面を覆うように第１の埋め込み層を第１の成長温度で形成する工程と、第１の埋め込み層の上に第２の埋め込み層を第１の成長温度よりも高い第２の成長温度で形成してメサの周囲を埋め込む工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】０次横モードと１次横モードの導波損失の差を大きくすることによりキンクレベルを向上させ、且つ信頼性の高い半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】平行な一対の共振器面を有する端面出射型の半導体レーザ素子ＬＡにおいて、第１導電型の半導体基板２と、半導体基板上に順次積層された第１導電型の第１クラッド層４、活性層５、第２導電型の第２クラッド層６、及び第２導電型のエッチングストップ層７と、エッチングストップ層上に共振器面と直交する方向に延在するリッジ１９とを有し、リッジにおける共振器面及びエッチングストップ層の表面それぞれに対して平行な方向の長さが共振器面近傍の第１領域２６よりも第１領域同士の間の領域である第２領域で長く、第１領域における長さが、レーザ発振させた際に０次横モードのみが伝搬可能な長さである。 （もっと読む）

【課題】 信号光の導波方向に発振光を混入させることなく、入力光強度による利得変動を抑えることが可能な光増幅素子を提供する。
【解決手段】 入力導波路４０２、複数の多モード導波路４０３ａ〜４０３ｃおよび出力導波路４０４をｎ−ＩｎＰ基板４０１上に形成し、入力導波路４０２および出力導波路４０４は、ＩｎＧａＡｓＰをコアとした利得媒質からなるシングルモード導波路から構成するとともに、多モード導波路４０３ａ〜４０３ｃは、ＩｎＧａＡｓＰをコアとした利得媒質からなる多モード導波路から構成し、多モード導波路４０３の両脇に高反射膜４０９、４１０を対向配置し、入力信号光４１１の導波方向と直交する方向に多モード導波路４０３内でレーザ発振を起こさせながら、入力信号光４１１を多モード導波路４０３内に伝搬させることにより、入力信号光４１１を増幅する。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に複数の発光部が集積された半導体レーザ装置の動作電流及び消費電力を低減する。
【解決手段】レーザ装置は、基板上に、下部クラッド層と、下部クラッド層上の活性層と、活性層上に形成され、水平横方向の光閉じ込め用メサ状リッジ（１４ａ及び２４ａ）を備える上部クラッド層（１４及び２４）とからなるダブルへテロ構造を有し、同じ長さの共振器を有する複数の発光部（Ａ及びＢ）が形成されている。活性層は、それぞれの共振器の光が出射する前端面Ｃ及びその反対側の後端面Ｄのうち少なくとも一方の近傍に、不純物が拡散された窓領域（４１ａ、４１ｂ、４２ａ及び４２ｂ）を備える。複数の発光部は、第１の発光部Ａと、それよりも長い波長で発光する第２の発光部Ｂとを含む。後端面Ｄから前端面Ｃに向かう方向についての窓領域の寸法を窓領域の長さとするとき、第２の発光部Ｂの窓領域は、第１の発光部Ａの窓領域よりも長い。 （もっと読む）

【課題】リッジストライプ近傍における空洞の発生を防ぐと共に、リッジストライプ側方の形成する層の層厚ばらつきや不連続性をなくして、歩留まりを向上させることができて安定して動作する半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型ＧａＡｓキャップ層１０７に対してはエッチング可能であるが、ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２上クラッド層１０６に対してはエッチング不可能である第１のエッチャントに対して、ｐ型ＡｌＧａＡｓ中間層１２０は被エッチング速度が略０であり、かつ、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１０７に対してはエッチングが不可能であるが、ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２上クラッド層１０６に対してはＥｃというエッチング速度を持つ第２のエッチャントに対して、ｐ型ＡｌＧａＡｓ中間層１２０は被エッチング速度がＥｉである。ｐ型ＡｌＧａＡｓ中間層１２０はＥｃ，ＥｉがＥｉ＜Ｅｃの関係を満たす層である。 （もっと読む）

【課題】電解メッキ法により電極・配線層を形成する化合物半導体素子において、メッキ液がバリアメタル層を物理的に通り抜けたり、エッチングして化合物半導体層に浸入し、発振不良や電気特性不良などの素子特性不良が生じることを抑制する。
【解決手段】スパッタリングによりバリアメタル層としてＭｏ層、Ｔｉ層、Ｐｔ層およびＷ層のいずれかを形成する際に、何れも、スパッタリング時の入力パワーが２０００Ｗ以上５０００Ｗ以下に設定することによって、スパッタリング時の入力パワーを１０００Ｗとした従来技術の場合に比べて、バリアメタル層１３の膜質を、従来技術のような多孔質ではなく、緻密な繊維状の多結晶膜とし、バリアメタル層１３の金属粒径を５０ｎｍ以下として金属粒径が半分以下に小さくする。 （もっと読む）

【課題】 量子ドット半導体装置に関し、自己形成型量子ドットのサイズ及び形状を均一にする。
【解決手段】 半導体基板１上に複数の２元化合物半導体の分子層の整数倍が交互に積層された短周期超格子構造層４を設けるとともに、短周期超格子構造層４上に自己形成型量子ドット５を設ける。 （もっと読む）