【課題】発光効率の高い半導体光素子を提供する。
【解決手段】半導体光素子１０は、Ｇａ、Ａｓ及びＮを含みIII−Ｖ族化合物半導体からなる活性層１６と、活性層１６上に設けられIII−Ｖ族化合物半導体からなる回折格子層ＧＬと、回折格子層ＧＬ上に設けられIII−Ｖ族化合物半導体からなるクラッド層１８とを備える。クラッド層１８の屈折率ｎ_１は、回折格子層ＧＬの屈折率ｎ_２よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】直接変調方式で波長チャープの小さい光信号を発生させる半導体レーザを提供する。
【解決手段】前方分布帰還型活性領域１０１、中央分布帰還型活性領域１０２および後方分布帰還型活性領域１０３の各々には、光導波層３の上面３ａに近接するようにｐ型ＩｎＰクラッド層４内に埋め込まれた回折格子５が設けられている。そして、中央分布帰還型活性領域１０２中の回折格子５には、位相シフト部６が形成されている。位相シフト部６の大きさは、ブラッグ波長をλとすると、例えば３λ／８とする。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型不純物元素の活性化率が高く、抵抗率の低いｐ型半導体層を有した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ｐ型ＧａＮ系化合物半導体層１５を堆積する工程と、禁制帯幅がｐ型ＧａＮ系化合物半導体層１５よりも小さいｎ型ＧａＮ系化合物半導体層１６を堆積する工程と、水素ガスを含む雰囲気中で原子状水素（Ｈ）をｐ型ＧａＮ系化合物半導体層１５に溶解させる温度範囲に存在する基板温度まで冷却する工程と、ｎ型ＧａＮ系化合物半導体層１５に接して、金属薄膜１８を堆積する工程とを少なくとも有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】複雑なプロセスをなくし、歩留まりが高く、低コスト化に必要な量産性があり、良好な初期特性や信頼性をもつ半導体装置、半導体レーザを提供する。
【解決手段】複数のIII族元素を含む窒化物半導体層が凹凸のある基体表面上に形成されてなることにより、上記窒化物半導体層におけるIII族元素の組成比、バンドギャップエネルギ、屈折率、導電性、抵抗率の少なくとも一つが、上記基体の凹凸に対応して、層内で変化するようにする。また、水素を含む雰囲気中で加熱しＡｌを含む層をエッチングストップ層として用いることにより、エッチング深さのばらつき等の影響を受けず制御性の向上と歩留まりの向上を図れる。
また、エッチングおよび再成長を連続して行えるため、安価なプロセスが可能である。 （もっと読む）

【課題】リッジ再成長型半導体レーザを劈開する際に電流ブロック層とクラッド層との界面との剥離及びクラッド層の欠損が生じにくく、安定な素子特性が得られる半導体レーザ装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体レーザ装置は、基板の上に形成された活性層を含むIII−Ｖ族窒化物半導体からなる半導体層積層体１０を備えている。半導体層積層体１０の上には、半導体層積層体１０の上面を露出する開口部を有する電流ブロック層２３と、電流ブロック層２３の上面の少なくとも一部を開口部に沿って連続して覆うIII−Ｖ族窒化物系化合物からなる保護層２４とが形成されている。半導体層積層体１０における開口部から露出した領域の上にリッジ状の上部クラッド層２５が再成長により形成されている。 （もっと読む）

【課題】安定した特性を有する埋込型の窒化物半導体レーザ装置、及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】窒化物半導体レーザ装置１０は、ｎ型クラッド層１１とｐ型クラッド層１３で挟持された活性層１２と、活性層１２への電流を狭窄するための開口部を有する電流狭窄層１４を備えた埋込構造となっている。この埋込構造において、電流狭窄層１４の開口部を覆うように、電流狭窄層１４上に、ｐ型不純物が添加されたＩｎを含む窒化物半導体層（ＩｎＧａＮ層、ＡｌＩｎＧａＮ層）からなる再成長層１５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】単純な構造を有すると共に発光効率の高い半導体光素子を提供する。
【解決手段】半導体光素子１０は、第１導電型のＧａＡｓ基板１２と、ＧａＡｓ基板１２上に設けられたIII−Ｖ族化合物半導体層１４と、III−Ｖ族化合物半導体層１４上に設けられた活性層１６と、活性層１６上に設けられた第２導電型の上部クラッド層１８とを備える。III−Ｖ族化合物半導体層１４のバンドギャップエネルギー（Ｅｇ２）は、ＧａＡｓ基板１２のバンドギャップエネルギー（Ｅｇ１）よりも大きい。活性層１６のバンドギャップエネルギー（Ｅｇ３）は、ＧａＡｓ基板１２のバンドギャップエネルギー（Ｅｇ１）よりも小さい。III−Ｖ族化合物半導体層１４の厚さは０．２μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】良好なへき開性、放熱性、リーク耐圧性などを有する窒化物系半導体の半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法であって、基板上に結晶欠陥または空隙の少なくともいずれかを含んだリフトオフ層を設ける工程と、前記リフトオフ層の上に窒化物系半導体からなる層を設ける工程と、前記基板と前記窒化物系半導体からなる層とを分離する工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】安定した特性を有する自励発振型の埋込型の窒化物半導体レーザ装置、及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】ｎ型クラッド層１１とｐ型クラッド層１３で挟持された活性層１２と、活性層１２への電流を狭窄するための開口部を有する電流狭窄層１４を備えた埋込構造において、電流狭窄層１４の開口部を覆うように、電流狭窄層１４上に、ｐ型不純物が添加された窒化物半導体からなる再成長層１５が形成され、開口部に埋設された再成長層１５のうち、開口部側面に隣接する一定の幅Ｗを有する領域が、ｎ型化領域１５ａになっている。これにより、電流狭窄層１４の開口部を実効的に狭くすることによって、自励発振型の窒化物半導体レーザ装置１０を得る。 （もっと読む）

【課題】利得結合型分布帰還型半導体レーザにおいて、単一モード歩留まりを高くするとともに、前端面側の高出力効率を得る。
【解決手段】利得結合型分布帰還型半導体レーザにおいて、レーザ光を放出する前端面１３には低反射率のコーティングが施され、後端面１５には高反射率のコーティングが施された非対称コーティングが行われている。さらに、光導波路に沿って吸収型の回折格子１０が設けられ、この回折格子に位相シフト領域１１を設けた構造とする。上記構造とすることにより、発振波長の単一モード歩留まりを高くするとともに、前端面１３側の出力効率を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】バンド端に相当する波長でのレーザ発振の発生を抑制することができるフォトニック結晶半導体光増幅器およびこれを備える集積型光半導体素子を提供すること。
【解決手段】半導体基板上に積層された下部クラッド層と上部クラッド層との間に活性層を積層して形成するとともに、所望の光を導波する線欠陥導波路領域を除いて前記上部クラッド層から前記活性層が積層された方向へ該活性層の下面よりも深い位置まで前記積層方向に垂直な面内において２次元的な屈折率の周期構造を形成するように複数の空孔が格子状に配列された空孔形成領域を形成し、前記線欠陥導波路領域の活性層内を導波する光を増幅するフォトニック結晶半導体光増幅器であって、前記線欠陥導波路領域の外側に、前期周期構造によって形成されるフォトニックバンド構造のバンド端の光を減衰させることのできる光減衰部を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】端面窓構造を有する７８０ｎｍ帯赤外半導体レーザを、特性を劣化させることなく、安定して製造することを目的とする。
【解決手段】赤外半導体レーザ装置において、従来のＡｌＧａＡｓより無秩序化しやすいＡｌＧａＩｎＰを障壁層に用いることで、Ｚｎ拡散領域内の活性層１０３へのＺｎ拡散が促進され、無秩序化による端面窓構造を形成するのに要する時間を短縮できるとともに、ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層１０５の平均組成化によるウェットエッチングの選択性低下を抑制でき、端面窓構造を有するリッジストライプ型半導体レーザの安定生産が実現できる。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に形成された複数波長半導体レーザ装置において、高温動作可能で且つ低雑音特性を有する自励発振型レーザを再現性良く得られるようにする。
【解決手段】赤外レーザ領域においては、基板１０上に下側クラッド層１２、活性層１３、第１上側クラッド層１４、エッチングストップ層１５、及びリッジ部となる第２上側クラッド層１６が順次積層されている。赤色レーザ領域においては、基板１０上に下側クラッド層２２、活性層２３、第１上側クラッド層２４、エッチングストップ層２５、及びリッジ部となる第２上側クラッド層２６が順次積層されている。赤外レーザのエッチングストップ層１５の厚さと赤色レーザのエッチングストップ層１５の厚さとは異なる。 （もっと読む）

【課題】インジウム、ガリウム、リンを含有する半導体部材をエッチングする際に、エッチング量のばらつきを抑えることができるエッチング液、及びこのエッチング液を使用する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】インジウム、ガリウム及びリンを含有する半導体部材をエッチングするエッチング液として、インジウム、ガリウム及びリンの各元素を酸化させる酸化剤と、インジウム、ガリウム及びリンの各元素の酸化物を溶解するクエン酸とを含有するエッチング液を作製する。酸化剤には過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）を使用し、クエン酸にはクエン酸一水和物（Ｃ_６Ｈ_８Ｏ_７・Ｈ_２Ｏ）を使用する。このエッチング液は、１００グラムのクエン酸一水和物に１００ミリリットルの過酸化水素水を加えて作製する。このエッチング液により、ｐ−ＩｎＧａＡｌＰ第３クラッド層９上に形成されたｐ−ＩｎＧａＰ通電容易層１０をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】レーザ発振寿命の長い窒化物半導体レーザ素子に適した窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板は、断面をＶ字状にした溝の側面である斜面をファセット面とし、そのファセット面の斜面を維持させながら成長させることにより、溝に転位を集中させた上にストライプ状に生じた転位集中領域と、転位集中領域を除いた領域である低転位集中領域と、を含み、さらに、その窒化物半導体基板の表面が、（０００１）面から０．２°〜１°の範囲のオフ角度を有している。 （もっと読む）

【課題】メサ状の半導体部を有する埋め込み構造において、半導体基板と電極との間の寄生容量を低減できる半導体光素子を提供する。
【解決手段】半導体光素子１ａは、半導体基板４と、半導体基板４上に形成された半導体メサ部１２と、半導体基板４上において半導体メサ部１２の両側に設けられたシリコン系無機材料からなる絶縁部２４と、絶縁部２４上に設けられたパッド電極３０とを備える。絶縁部２４の内部には、空孔２６が形成されている。空孔２６内の空気の比誘電率は、絶縁部２４の構成材料の比誘電率よりも小さいので、絶縁部２４上に設けられたパッド電極３０と半導体基板４との間の寄生容量を効果的に低減できる。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークの埋没又は損傷を抑制することができる半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体光素子の製造方法では、まず、半導体から構成される活性層４４を含む積層体Ｌ上にアライメントマーク５０を形成する。次に、アライメントマーク５０上に保護膜５２ａを形成すると共に、積層体Ｌ上に保護膜５２ａと同じ材料から構成されるエッチングマスク５２ｂを形成する。次に、エッチングマスク５２ｂを用いて積層体Ｌをエッチングすることによりメサ部９を形成する。次に、メサ部９の側面９ｂ上に埋め込み部６０を形成する。次に、保護膜５２ａを残存させたままエッチングマスク５２ｂを除去する。次に、メサ部９及び埋め込み部６０上にクラッド層６６を形成する。 （もっと読む）

【課題】埋め込み型リッジ導波路レーザダイオードを提供すること。
【解決手段】クラッド層上の一部に同じ幅に垂直に延びている、選択的エッチング層と第１導電型の第１化合物層で構成されたリッジ領域を備え、リッジ領域の外側のクラッド層上にリッジ領域の深さと同じ厚さを有し、第１導電型と逆の第２導電型の第２化合物層を備えるｐ−ｎ−ｐ電流遮断層を備え、電流遮断層は、第２化合物層上に拡張された第１化合物層を備える埋め込み型リッジ導波路レーザダイオードである。 （もっと読む）

【課題】斜め端面構造を有し、信頼性の高い埋め込み型半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハを劈開等で分離して複数の半導体光素子を製造する半導体光素子の製造方法において、活性層エピタキシャルウエハに複数のストライプ状のエッチングマスクを形成するエッチングマスク形成段階が、１つの半導体光素子となる領域の一方の劈開予定面を垂直に貫通する第１の直線部と、他方の劈開予定面を前記第１の直線部と予め定められた角度を成して貫通する第２の直線部と、前記第１の直線部と前記第２の直線部とを接続する曲線部を含み、当該１つの半導体光素子となる領域および当該１つの半導体光素子となる領域に光の導波方向で隣接する半導体光素子となる領域の少なくとも３つの劈開予定面を通過する連続線状のエッチングマスクを形成する段階となっている。 （もっと読む）

【課題】ボンディングメタル層を除去することなく、バー分割やチップ分割を行なう位置を認識することができる半導体レーザー素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザー素子は、半導体レーザー基板上にオーミックメタル層及びボンディングメタル層をこの順に備え、ボンディングメタル層表面の一部の領域が粗面化されていることを特徴とする （もっと読む）